導(dǎo)體和半導(dǎo)體的導(dǎo)電性解析_第1頁(yè)
導(dǎo)體和半導(dǎo)體的導(dǎo)電性解析_第2頁(yè)
導(dǎo)體和半導(dǎo)體的導(dǎo)電性解析_第3頁(yè)
導(dǎo)體和半導(dǎo)體的導(dǎo)電性解析_第4頁(yè)
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導(dǎo)體和半導(dǎo)體的導(dǎo)電性解析導(dǎo)體的定義:導(dǎo)體是指容易導(dǎo)電的物體,其內(nèi)部有大量的自由電荷。導(dǎo)體的特點(diǎn):電阻率小,能夠有效地傳導(dǎo)電流。導(dǎo)體的類型:金屬、人體、大地、酸堿鹽的溶液等。導(dǎo)體導(dǎo)電的原因:導(dǎo)體內(nèi)部有大量的自由電子,在外電場(chǎng)的作用下,自由電子可以自由移動(dòng)形成電流。半導(dǎo)體的定義:半導(dǎo)體是指導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物體,其內(nèi)部有少量的自由電荷。半導(dǎo)體的特點(diǎn):電阻率大于絕緣體而小于導(dǎo)體,導(dǎo)電性能比導(dǎo)體差。半導(dǎo)體的類型:硅、鍺、砷化鎵等。半導(dǎo)體導(dǎo)電的原因:半導(dǎo)體內(nèi)部有少量的自由電子,在外電場(chǎng)的作用下,自由電子可以移動(dòng)形成電流,但的自由電荷數(shù)量較少,所以導(dǎo)電性能比導(dǎo)體差。導(dǎo)電性的差異:導(dǎo)體的導(dǎo)電性能好,因?yàn)槠鋬?nèi)部有大量的自由電荷。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能較差,因?yàn)槠鋬?nèi)部只有少量的自由電荷。絕緣體的導(dǎo)電性能最差,因?yàn)槠鋬?nèi)部幾乎沒(méi)有自由電荷。溫度:導(dǎo)體的導(dǎo)電性能隨溫度升高而增加,半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能隨溫度升高而增加。摻雜:半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能可以通過(guò)摻雜其他元素來(lái)改變,摻雜可以增加半導(dǎo)體內(nèi)部的自由電荷數(shù)量。外電場(chǎng):外電場(chǎng)可以改變導(dǎo)體和半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能,使其產(chǎn)生電流。導(dǎo)體和半導(dǎo)體的導(dǎo)電性是由于其內(nèi)部自由電荷的數(shù)量不同而導(dǎo)致的。導(dǎo)體內(nèi)部有大量的自由電荷,因此導(dǎo)電性能好;半導(dǎo)體內(nèi)部有少量的自由電荷,導(dǎo)電性能較差。通過(guò)溫度、摻雜和外電場(chǎng)等方法可以改變導(dǎo)體和半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能。習(xí)題及方法:知識(shí)點(diǎn):導(dǎo)體的定義、特點(diǎn)、類型題目:以下哪個(gè)物體不屬于導(dǎo)體?解題方法:根據(jù)導(dǎo)體的定義和特點(diǎn),導(dǎo)體是指容易導(dǎo)電的物體,其內(nèi)部有大量的自由電荷。選項(xiàng)A、C和D都是容易導(dǎo)電的物體,而選項(xiàng)B的塑料尺不容易導(dǎo)電,因此答案是B。知識(shí)點(diǎn):半導(dǎo)體的定義、特點(diǎn)、類型題目:以下哪個(gè)物體屬于半導(dǎo)體?解題方法:根據(jù)半導(dǎo)體的定義和特點(diǎn),半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間,其內(nèi)部有少量的自由電荷。選項(xiàng)A的玻璃是絕緣體,選項(xiàng)B的銅片是導(dǎo)體,選項(xiàng)D的鹽酸是溶液,而選項(xiàng)C的鍺晶體是半導(dǎo)體,因此答案是C。知識(shí)點(diǎn):導(dǎo)體的導(dǎo)電原因、半導(dǎo)體的導(dǎo)電原因題目:為什么銅線可以傳導(dǎo)電流?A.銅線內(nèi)部有大量的自由電子B.銅線內(nèi)部有少量的自由電子C.銅線內(nèi)部有大量的自由電荷D.銅線內(nèi)部有少量的自由電荷解題方法:根據(jù)導(dǎo)體的導(dǎo)電原因,導(dǎo)體能夠?qū)щ娛且驗(yàn)槠鋬?nèi)部有大量的自由電荷。選項(xiàng)A正確地表述了銅線內(nèi)部有大量的自由電子,因此答案是A。知識(shí)點(diǎn):導(dǎo)體的導(dǎo)電原因、半導(dǎo)體的導(dǎo)電原因題目:為什么鍺晶體可以導(dǎo)電?A.鍺晶體內(nèi)部有大量的自由電子B.鍺晶體內(nèi)部有少量的自由電子C.鍺晶體內(nèi)部有大量的自由電荷D.鍺晶體內(nèi)部有少量的自由電荷解題方法:根據(jù)半導(dǎo)體的導(dǎo)電原因,半導(dǎo)體能夠?qū)щ娛且驗(yàn)槠鋬?nèi)部有少量的自由電荷。選項(xiàng)B正確地表述了鍺晶體內(nèi)部有少量的自由電子,因此答案是B。知識(shí)點(diǎn):導(dǎo)電性的差異、影響因素題目:下列哪個(gè)物質(zhì)的導(dǎo)電性能最好?解題方法:根據(jù)導(dǎo)電性的差異,導(dǎo)體的導(dǎo)電性能最好,因?yàn)槠鋬?nèi)部有大量的自由電荷。選項(xiàng)A的銅線是導(dǎo)體,因此導(dǎo)電性能最好,因此答案是A。知識(shí)點(diǎn):導(dǎo)電性的差異、影響因素題目:下列哪個(gè)物質(zhì)的導(dǎo)電性能最差?解題方法:根據(jù)導(dǎo)電性的差異,絕緣體的導(dǎo)電性能最差,因?yàn)槠鋬?nèi)部幾乎沒(méi)有自由電荷。選項(xiàng)C的玻璃是絕緣體,因此導(dǎo)電性能最差,因此答案是C。知識(shí)點(diǎn):溫度對(duì)導(dǎo)電性的影響、摻雜對(duì)導(dǎo)電性的影響題目:下列哪個(gè)情況會(huì)使得硅晶體的導(dǎo)電性能增加?A.升高溫度B.降低溫度C.摻雜磷元素D.不進(jìn)行摻雜解題方法:根據(jù)溫度對(duì)導(dǎo)電性的影響,半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能隨溫度升高而增加。根據(jù)摻雜對(duì)導(dǎo)電性的影響,摻雜可以增加半導(dǎo)體內(nèi)部的自由電荷數(shù)量。選項(xiàng)A的升高溫度和選項(xiàng)C的摻雜磷元素都會(huì)使得硅晶體的導(dǎo)電性能增加,因此答案是A和C。知識(shí)點(diǎn):外電場(chǎng)對(duì)導(dǎo)電性的影響題目:下列哪個(gè)情況會(huì)使得銅線的導(dǎo)電性能增加?A.施加外電場(chǎng)B.移除外電場(chǎng)C.升高溫度D.降低溫度解題方法:根據(jù)外電場(chǎng)對(duì)導(dǎo)電性的影響,外電場(chǎng)可以改變導(dǎo)體和半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能,使其產(chǎn)生電流。選項(xiàng)A的施加外電場(chǎng)會(huì)使得銅線的導(dǎo)電性能增加,因此答案是A。知識(shí)點(diǎn):導(dǎo)體的導(dǎo)電原因、半導(dǎo)體的導(dǎo)電原因題目:為什么銅線可以傳導(dǎo)電流,而鍺晶體只能輕微地傳導(dǎo)電流?A.銅線內(nèi)部有大量的自由電子,鍺晶體內(nèi)部有少量的自由電子B.銅線內(nèi)部有少量的自由電子,鍺晶體內(nèi)部有大量的自由電子其他相關(guān)知識(shí)及習(xí)題:知識(shí)內(nèi)容1:電阻的概念和計(jì)算知識(shí)點(diǎn):電阻的定義、計(jì)算公式、單位題目1:一個(gè)電阻器的電阻值為10Ω,通過(guò)它的電流為2A,求通過(guò)電阻器的功率。解題方法:功率P=I^2R,代入I=2A,R=10Ω,得到P=4*10=40W。題目2:一個(gè)電阻器的電阻值為5Ω,通過(guò)它的電流為1A,求通過(guò)電阻器的電阻功率。解題方法:電阻功率P=I^2R,代入I=1A,R=5Ω,得到P=1*5=5W。知識(shí)內(nèi)容2:歐姆定律知識(shí)點(diǎn):歐姆定律的公式、應(yīng)用題目3:一個(gè)電阻器的長(zhǎng)度為2m,橫截面積為0.5cm2,電阻率為2.5×10-8Ω·m,求該電阻器的電阻值。解題方法:根據(jù)電阻率的定義ρ=RS/l,可以得到R=ρl/S,代入ρ=2.5×10-8Ω·m,l=2m,S=0.5cm2=0.5×10-4m2,得到R=2.5×10^-8*2/0.5×10^-4=10Ω。題目4:一個(gè)電阻器兩端的電壓為10V,通過(guò)它的電流為2A,求該電阻器的電阻值。解題方法:根據(jù)歐姆定律U=IR,可以得到R=U/I,代入U(xiǎn)=10V,I=2A,得到R=5Ω。知識(shí)內(nèi)容3:并聯(lián)電路和串聯(lián)電路知識(shí)點(diǎn):并聯(lián)電路的特點(diǎn)、串聯(lián)電路的特點(diǎn)題目5:兩個(gè)電阻器,第一個(gè)電阻值為10Ω,第二個(gè)電阻值為20Ω,它們串聯(lián)連接,求總電阻值。解題方法:串聯(lián)電路的總電阻值為R_total=R1+R2,代入R1=10Ω,R2=20Ω,得到R_total=30Ω。題目6:兩個(gè)電阻器,第一個(gè)電阻值為5Ω,第二個(gè)電阻值為10Ω,它們并聯(lián)連接,求總電阻值。解題方法:并聯(lián)電路的總電阻值為1/R_total=1/R1+1/R2,代入R1=5Ω,R2=10Ω,得到1/R_total=1/5+1/10=3/10,因此R_total=10/3Ω。知識(shí)內(nèi)容4:電流的方向和電子的運(yùn)動(dòng)知識(shí)點(diǎn):電流的定義、電子的運(yùn)動(dòng)方向題目7:在一個(gè)電路中,正電荷的運(yùn)動(dòng)方向是什么?解題方法:根據(jù)電流的定義,電流的方向是正電荷的運(yùn)動(dòng)方向。題目8:在一個(gè)電路中,電子的運(yùn)動(dòng)方向是什么?解題方法:電子帶有負(fù)電荷,所以電子的運(yùn)動(dòng)方向與電流的方向相反。知識(shí)內(nèi)容5:電容器和電容知識(shí)點(diǎn):電容器的定義、電容的計(jì)算公式、單位題目9:一個(gè)電容器的長(zhǎng)度為5cm,寬度為3cm,介電常數(shù)為2.5,求該電容器的電容值。解題方法:電容C=εA/d,代入ε=2.5,A=5cm3cm=15cm^2,d=5cm,得到C=2.515/5=7.5pF。題目10:一個(gè)電容器兩端的電壓為10V,電荷量為5C,求該電容器的電容值。解題方法:電容C=Q/V,代入Q=5C,V=10V,得到C

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