GB/T 43455-2023 模擬混合信號知識產(chǎn)權(quán)（IP）核質(zhì)量評測（正式版）

ICS31.200GB/T43455—2023Analog/mixed-signalintellectualproperty(IP)corequalityevaluation國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會IGB/T43455—2023 Ⅲ 12規(guī)范性引用文件 13術(shù)語和定義 1 25說明 35.1交付項(xiàng)和評測項(xiàng)的類別 35.2具體實(shí)施 3 36.1通則 3 36.3IP核簡介 46.4功能規(guī)范 46.5設(shè)計(jì)手冊 56.6功能及物理驗(yàn)證文檔 56.7應(yīng)用手冊 67電路設(shè)計(jì)質(zhì)量 7.1概述 7.2電路設(shè)計(jì)交付項(xiàng) 7.3電路設(shè)計(jì)質(zhì)量的評測內(nèi)容 8物理設(shè)計(jì)質(zhì)量 8.2物理設(shè)計(jì)交付項(xiàng) 8.3物理設(shè)計(jì)質(zhì)量的評測內(nèi)容 9模型質(zhì)量 9.2算法級模型 9.3靜態(tài)時(shí)序分析模型 9.4功耗模型 9.5外圍互連模型 9.6電路級接口模型 9.7物理布圖模型 10功能驗(yàn)證質(zhì)量 10.2功能驗(yàn)證交付項(xiàng) ⅡGB/T43455—202310.3評測內(nèi)容 11流片驗(yàn)證質(zhì)量 11.2流片驗(yàn)證交付項(xiàng) 11.3流片驗(yàn)證質(zhì)量的評測內(nèi)容 附錄A(資料性)模擬/混合信號IP核質(zhì)量評測實(shí)施方案 A.1質(zhì)量評測的原則 A.2質(zhì)量評測過程 A.3質(zhì)量評測等級評定 參考文獻(xiàn) 20ⅢGB/T43455—2023本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任。本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出。本文件由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC78)歸口。1GB/T43455—2023模擬/混合信號知識產(chǎn)權(quán)(IP)核質(zhì)量評測本文件規(guī)定了模擬/混合信號知識產(chǎn)權(quán)(IP)核質(zhì)量的評測內(nèi)容，包括IP核的文檔質(zhì)量、IP核的電本文件適用于模擬/混合信號IP核的提供者、使用者和第三方評測模擬/混合信號IP核2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文本文件。GB/T43452—2023模擬/混合信號知識產(chǎn)權(quán)(IP)核交付項(xiàng)要求GB/T43453—2023模擬/混合信號知識產(chǎn)權(quán)(IP)核文檔結(jié)構(gòu)指南知識產(chǎn)權(quán)核intellectualpropertycore;IPcore注：以下簡稱IP核。IP核在集成電路行業(yè)又稱為硅知識產(chǎn)權(quán)SIP(SiliconIntellectualProperty)。IP核的形態(tài)為軟IP核提供者IPcoreprovider在IP核交易過程中創(chuàng)建和提供IP核的實(shí)體。IP核使用者IPcoreuser在IP核交易過程中接收IP核的實(shí)體。3.4必須提交的交付項(xiàng)。2GB/T43455—20233.5為更好地理解或應(yīng)用IP核建議提交的交付項(xiàng)。3.63.7當(dāng)條件滿足時(shí)建議提交的交付項(xiàng)。3.8注：在使用IP核進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)如不能解決這一問題將會給IP核的復(fù)用帶來困難。按照規(guī)定需滿足的IP核特性。3.10滿足指導(dǎo)性指標(biāo)評估項(xiàng)的IP核。DRC:設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DesignRuleChecking)ERC:電學(xué)規(guī)則檢查(ElectricalRuleChecking)EDA:電子設(shè)計(jì)自動化(ElectronicDesignAutomation)EDIF:電子設(shè)計(jì)交換格式(ElectronicDesignInterchangeFormat)ESD:靜電釋放(Electro-StaticDischarge)GDSⅡ:圖形數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)二代(GraphicDatabaseSystemⅡ)LEF:庫交換格式(LibraryExchangeFormat)3GB/T43455—2023LVS:版圖與原理圖一致性檢查(LayoutVersusSchematic)RC:電阻電容(ResistanceCapacitance)SPICE:以集成電路為重點(diǎn)的仿真程序(SimulationProgramwithIntegratedCircuitEmphasis)VHDL:超高速集成電路硬件描述語言(VeryhighspeedintegratedcircuitsHardwareDescriptionLanguage)5說明5.1交付項(xiàng)和評測項(xiàng)的類別本文件依據(jù)GB/T43452—2023中的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行組織，主要評測交付項(xiàng)的完備性和可復(fù)用性。各評測項(xiàng)均針對交付項(xiàng)的質(zhì)量，以條文的形式列出。為了方便模擬混合信號IP核的質(zhì)量評測，針對交付項(xiàng)，定義了交付項(xiàng)的交付等級，針對評測項(xiàng)，定義了評測項(xiàng)的重要程度。交付項(xiàng)的交付等級分為強(qiáng)制交付、推薦交付、條件強(qiáng)制交付和條件推薦交付。評測項(xiàng)的重要程度分為重要、準(zhǔn)則和指導(dǎo)。5.2具體實(shí)施對模擬/混合信號IP核質(zhì)量評測的具體實(shí)施方案，見附錄A。6文檔質(zhì)量6.1通則文檔交付項(xiàng)的完備性用于評測IP核文檔的質(zhì)量。IP核的文檔交付項(xiàng)包括交付項(xiàng)目清單、IP核簡介、功能規(guī)范、設(shè)計(jì)手冊、功能及物理驗(yàn)證文檔、應(yīng)用手冊。相關(guān)文檔的編寫應(yīng)符合GB/T的規(guī)定。6.2交付項(xiàng)目清單交付項(xiàng)目清單是IP核提供者所有交付資料的清單。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：M。6.2.2交付項(xiàng)目清單的一致性交付項(xiàng)目清單的質(zhì)量評測體現(xiàn)在交付項(xiàng)的一致性。這里的一致性主要是指IP核提供者所提交的資料與交付項(xiàng)目清單的一致性。6.2.3交付項(xiàng)目清單內(nèi)容要求交付項(xiàng)目清單應(yīng)清晰地列出該IP核所需的所有交付項(xiàng)，并對每一個交付項(xiàng)進(jìn)行說明。4GB/T43455—2023IP核簡介是對IP核的簡潔描述。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：M。對IP核所能完成的功能進(jìn)行簡潔說明。對IP核的目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行說明。6.3.5IP核成熟度需要說明IP核是否已流片，流片后的IP核其功能和性能是否與設(shè)計(jì)指標(biāo)相符，以及芯片應(yīng)用情況。例如，此IP核是否完成了版圖數(shù)據(jù)輸出開發(fā)階段、此IP核是否完成了流片測試階段、此IP核是否處于產(chǎn)品量產(chǎn)階段、是否提供關(guān)于此IP核的培訓(xùn)等。對IP核提供者的聯(lián)系方式進(jìn)行說明。6.4功能規(guī)范功能規(guī)范文檔交付項(xiàng)提供充分的信息使IP核使用者深入了解IP核的功能。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：M。對IP核的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)進(jìn)行概括性描述，并且給出結(jié)構(gòu)框圖。對IP核實(shí)現(xiàn)的主要功能進(jìn)行說明，除了采用文字描述外，還可采用公式和圖表等方式。GB/T43455—20236.4.4端口信號描述對IP核的端口信號進(jìn)行描述，給出引腳列表(輸入/輸出名稱、功能和位置)、信號類型(電流或電壓、連續(xù)信號或離散信號、三態(tài)等),如果需要可以時(shí)序圖的方式對IP核主要的端口操作時(shí)序進(jìn)行說明。以列表的形式給出IP核在不同工作條件下的電流、電壓或其他有用參數(shù)的最小、最大以及典型值電流(靜態(tài)和動態(tài))以及所需信號源的阻抗特性。以曲線圖的形式給出電流隨電壓變化、電壓隨溫度變化以及其他相互關(guān)聯(lián)變量之間的關(guān)系圖。對IP核有關(guān)時(shí)鐘和時(shí)鐘分配的信息進(jìn)行說明，如果不存在時(shí)鐘，則不考慮此項(xiàng)。例如：說明IP核該評測項(xiàng)的重要程度為：重要。寄存器的所有外部可見狀態(tài)都需要說明，如果該IP核不包含寄存器，則不考慮此項(xiàng)。應(yīng)包括：寄存如果IP核兼容某種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，則應(yīng)給出兼容性證明。6.5設(shè)計(jì)手冊提供關(guān)于本IP核的詳細(xì)介紹以及其內(nèi)部實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)。注：通常不提供，當(dāng)IP核使用者要求且IP核提供者同意公開本項(xiàng)時(shí)，則為M,可能會有IP核保護(hù)問題。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：CM。6.6功能及物理驗(yàn)證文檔提供本IP核所涉及的驗(yàn)證環(huán)境、驗(yàn)證方法、物理層驗(yàn)證信息。注：通常不提供，當(dāng)IP核使用者要求且IP核提供者同意公開本項(xiàng)時(shí)，則為M,可能會有IP核保護(hù)問題。56GB/T43455—2023該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：CM。6.7應(yīng)用手冊該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：M。6.7.2IP核實(shí)例化應(yīng)用手冊應(yīng)對IP核實(shí)例化給出描述，可提供一個典型SoC集成示例，描述如何將該IP核與SoC的其他模塊互連，并說明IP核能否支持可配置。輸入，在哪個時(shí)鐘沿輸出變化。時(shí)序圖還包括指定偽路徑、可忽略的時(shí)序錯誤以及建立和保持的條件等。有些IP核并不需要時(shí)序圖，則不考慮此項(xiàng)。當(dāng)使用異步輸入時(shí)，應(yīng)提供充足的信息，以避免在IP核的驗(yàn)證和測試中出現(xiàn)問題。關(guān)鍵信息至少應(yīng)包括：a)異步電路的使用場合；b)異步電路的結(jié)構(gòu)；c)與該邏輯電路有關(guān)的連接。a)在整個工作溫度范圍和工作電壓范圍內(nèi)，參數(shù)的變化；c)直流和交流特性；d)電學(xué)特性所對應(yīng)的測試條件。6.7.5環(huán)境與操作條件描述應(yīng)用IP核時(shí)輸入和輸出的環(huán)境與操作條件。其中，輸入的環(huán)境與操作條件包括電壓和溫度范圍、驅(qū)動強(qiáng)度、驅(qū)動類型、輸入信號的擺率和輸入端等效電容等；輸出的環(huán)境與操作條件包括驅(qū)動器強(qiáng)應(yīng)用手冊應(yīng)描述IP核開發(fā)中所采用的工具鏈、流程以及技術(shù)。此外還應(yīng)指出各類庫和工具的版本7GB/T43455—20236.7.8系統(tǒng)級模型的使用應(yīng)用手冊應(yīng)描述該系統(tǒng)級模型的使用方法，以及對其做的假設(shè)和使用中的限制。6.7.9EDA環(huán)境配置應(yīng)用手冊應(yīng)說明IP核進(jìn)行驗(yàn)證時(shí)EDA環(huán)境的構(gòu)建方法，包括說明仿真和啟動的腳本以及使用的工具鏈，其配置的參數(shù)應(yīng)清晰定義并且出現(xiàn)在同一處位置。該評測項(xiàng)的重要程度為：重要。應(yīng)用手冊應(yīng)提供IP核的目錄結(jié)構(gòu)文件。該目錄結(jié)構(gòu)應(yīng)有序，且除頂層外所有文件路徑都是相對路徑。這些目錄應(yīng)由建立環(huán)境自動生成。應(yīng)用手冊應(yīng)說明IP核的驗(yàn)證方法、驗(yàn)證流程和驗(yàn)證步驟。應(yīng)用手冊應(yīng)說明如何使用、構(gòu)建和調(diào)試驗(yàn)證平臺以及驗(yàn)證平臺的仿真方法。應(yīng)用手冊應(yīng)說明加工工藝，包括所采用的工藝庫、模型庫的日期代碼，該IP核對加工工藝參數(shù)變化應(yīng)用手冊應(yīng)說明布局規(guī)劃指導(dǎo)規(guī)則。包括布局概覽圖(例如，給出模塊劃分示意，如模擬電路區(qū)、數(shù)字電路區(qū)和存儲器等),布局規(guī)劃約束信息(例如，允許或不允許放置鄰近模塊的類型),與熱源和應(yīng)力有關(guān)的約束(例如，特定模塊不能進(jìn)入芯片的特定區(qū)域)所要求的對稱性、熱消散和噪聲考慮，阻塞性映射關(guān)系(例如，給出哪些部分可在IP核內(nèi)部或者上方布線而不會影響IP核的性能，關(guān)鍵信號的屏蔽，以及IP核是否需要一些額外的阱或襯底加以保護(hù))。模擬IP核的布線約束條件應(yīng)包括幾何約束條件，關(guān)鍵信號布線約束條件，阻抗約束條件，需要與數(shù)字線網(wǎng)隔離的約束條件(包括數(shù)字模塊與模擬模塊的最小允許距離，物理尺寸和布線規(guī)則),高頻信號線8GB/T43455—2023應(yīng)用手冊應(yīng)記錄該IP核使用的金屬層，包括金屬層的個數(shù)，厚金屬層的層數(shù)和是否需要高阻多晶。應(yīng)用手冊應(yīng)說明鍵合和封裝的要求和指導(dǎo)方針。如果該IP核所使用的供電電源與芯片上其他電源是隔離的，則應(yīng)說明這些隔離電源層在版圖上布線的需求，以及記錄可以不使用電源層而使用單一路徑布線的電源。應(yīng)用手冊應(yīng)說明是否有噪聲隔離需求或電源隔離需求，同時(shí)應(yīng)描述需要隔離的電源在封裝和電路板設(shè)計(jì)上的電源阻抗匹配要求。應(yīng)用手冊應(yīng)說明所有工作模式下的電源的特性指標(biāo)。包括：a)對電源引腳的規(guī)定，對可組合電源引腳的約束(有干擾、無干擾電源線);b)無干擾電源(只在一定容差范圍內(nèi)變動的電源);c)對額定值容許偏差量和對應(yīng)頻率范圍的約束；d)最大電感；對襯底噪聲的限制和要求；e)對每一個電源描述電壓電平、峰值和均值供電電流、噪聲要求、電源波動的要求以及模擬模塊和數(shù)字模塊對電源順序的要求。應(yīng)用手冊應(yīng)說明偏置電源的要求(如果IP核沒有偏置電源，則不考慮此項(xiàng))。a)指明IP核是有內(nèi)置偏置還是要求外部偏置，包括偏置的大小、電壓還是電流、容差等。如果使b)如果使用電壓基準(zhǔn)，則指明電壓水平、抽取電流、溫度系數(shù)和基準(zhǔn)源的c)對于偏置電源，描述對其電流的要求以及允許的電壓范圍。如果有電源連接到芯片的其他部分，則應(yīng)說明在IP核不同方向上的這些電源連接到芯片電源柵格的方式，以及芯片電源柵格的布局需求(如噪聲、退耦合和阻抗匹配等)。9GB/T43455—2023如果IP核需要多電源域，則應(yīng)說明電源供電的初始化要求、時(shí)序波形要求以及不同電源隔離的要求。如果某一IP核的供電電源有特殊的備用電源需要，則應(yīng)說明使用的備用電源需求，例如電池或者電容。應(yīng)用手冊應(yīng)說明休眠模式時(shí)的漏電流以及靜態(tài)供電電流。如果電源需要使用開爾文連接連接到供電環(huán)，則應(yīng)說明所使用的開爾文連接。6.7.27ESD保護(hù)如果IP核有端口和I/O焊盤相連，則應(yīng)在應(yīng)用手冊中說明所有的I/O焊盤以及ESD保護(hù)的方法和器件。同時(shí)，應(yīng)提供I/O焊盤的ESD數(shù)據(jù)(例如人體模型的級別，機(jī)器模型的級別和充電器件模型的級別)以及所有IP核使用的電源的ESD數(shù)據(jù)。應(yīng)用手冊應(yīng)說明IP核的版本歷史。清楚的版本歷史描述有助于IP核使用者正確地選擇IP核。應(yīng)用手冊應(yīng)說明IP核各版本之間的差別。應(yīng)用手冊應(yīng)說明IP核當(dāng)前版本中文件相較于上一版本的變化。應(yīng)用手冊應(yīng)說明IP核中已知的、未解決的問題，并給出針對這些問題的工程解決方案。應(yīng)用手冊中應(yīng)說明IP核期望的應(yīng)用領(lǐng)域或者適用的應(yīng)用領(lǐng)域。GB/T43455—20236.7.33SoC集成應(yīng)用手冊中應(yīng)說明IP核是否被IP核開發(fā)小組之外的其他小組成功應(yīng)用于SoC集成，同時(shí)也需要說明IP核的支持伙伴和獨(dú)立軟件供應(yīng)商的主要信息。應(yīng)用手冊中應(yīng)說明是否有關(guān)于IP核使用者的反饋信息。反饋信息文件需要給出使用者對該IP核的評價(jià)，并給出IP核使用者的聯(lián)系方式。應(yīng)用手冊應(yīng)提供IP核開發(fā)中的命名規(guī)則。采用的命名規(guī)則需避免模型名稱重復(fù)。視圖中的命名應(yīng)對應(yīng)一致，例如在電路圖和版圖間的命名應(yīng)對應(yīng)一致。在命名規(guī)則中應(yīng)定義輸入/輸出模塊信號的極性，同時(shí)將模擬域和數(shù)字域中的電源和地分開命名。IP核應(yīng)獨(dú)立于環(huán)境變量(包括路徑變量)。7電路設(shè)計(jì)質(zhì)量IP核的電路設(shè)計(jì)交付項(xiàng)應(yīng)包括電路原理圖和電路級仿真網(wǎng)表。各評測項(xiàng)針對交付項(xiàng)的質(zhì)量，以條文的形式列出。7.2電路設(shè)計(jì)交付項(xiàng)電路原理圖為描述電路原理的EDIF格式的文件。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：R。電路級仿真網(wǎng)表為描述晶體管級網(wǎng)表的SPICE格式的文件。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：R。7.3電路設(shè)計(jì)質(zhì)量的評測內(nèi)容應(yīng)提供詳細(xì)的電路圖。在電路圖上應(yīng)包含電路功能模塊電流流向、版本等相關(guān)注釋。7.3.2ESD保護(hù)電路應(yīng)提供ESD保護(hù)相應(yīng)的電路，可給出ESD保護(hù)的電路圖。GB/T43455—2023應(yīng)說明在設(shè)計(jì)的電路中是否包含了需要特殊物理方法實(shí)現(xiàn)的結(jié)構(gòu)或器件。應(yīng)說明全I(xiàn)P核是否進(jìn)行了晶體管網(wǎng)表級的模擬。應(yīng)說明該IP核是否進(jìn)行了最壞情況的模擬驗(yàn)證。該評測項(xiàng)的重要程度為：準(zhǔn)則。應(yīng)說明晶體管失配數(shù)據(jù)是否用蒙特卡洛模擬驗(yàn)證過。7.3.7工藝角及PVT條件分析應(yīng)說明該IP核是否進(jìn)行了各種工藝角及PVT條件的模擬驗(yàn)證。8物理設(shè)計(jì)質(zhì)量模擬/混合信號IP核的物理設(shè)計(jì)交付項(xiàng)應(yīng)包括物理網(wǎng)表交付項(xiàng)、版圖交付項(xiàng)、LEF文件交付項(xiàng)、DRC結(jié)果輸出文件交付項(xiàng)、LVS結(jié)果輸出文件交付項(xiàng)、ERC結(jié)果輸出文件交付項(xiàng)和信號完整性分析文件交付項(xiàng)。各評測項(xiàng)針對交付項(xiàng)的質(zhì)量，以條文的形式列出。8.2物理設(shè)計(jì)交付項(xiàng)物理網(wǎng)表為IP核物理版圖提取后的晶體管級網(wǎng)表。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：CR。IP核的版圖應(yīng)為GDSⅡ格式的文件。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：M。設(shè)計(jì)軟件系統(tǒng)與GDSⅡ文件間的映射文件。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：R。8.2.4DRC輸出文件DRC輸出文件為物理版圖級的設(shè)計(jì)規(guī)則檢查的輸出結(jié)果文件。GB/T43455—2023該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：M。LVS結(jié)果輸出文件為驗(yàn)證版圖與原理圖一致性的輸出結(jié)果文件。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：M。ERC結(jié)果輸出文件為物理版圖級的電學(xué)規(guī)則檢查的輸出結(jié)果文件。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：M。對信號完整性進(jìn)行分析的相關(guān)文件。信號完整性分析包括對串?dāng)_、電遷移和IR壓降等的分析。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：R。8.3物理設(shè)計(jì)質(zhì)量的評測內(nèi)容外部端口的電源地由二極管保護(hù)。連接到I/O的器件上應(yīng)有抗閂鎖保護(hù)環(huán)，或者在輸出端至少串聯(lián)200Ω的電阻。設(shè)計(jì)中是否只用到了標(biāo)準(zhǔn)器件，而不需要額外的掩膜版。展平的DRC、ERC和信號完整性檢查與層次化的DRC、ERC和信號完整性檢查結(jié)果應(yīng)完全通過。所有的輸入端口均不受天線效應(yīng)的干擾。8.3.4DRC結(jié)果應(yīng)提供DRC報(bào)告，包括用于DRC的設(shè)計(jì)規(guī)則版本信息以及無錯的DRC日志文件。8.3.5LVS檢查應(yīng)提供該IP核完整的模擬網(wǎng)表和物理網(wǎng)表。展平的LVS檢查和層次化的LVS檢查結(jié)果應(yīng)完全一致。電路圖和版圖的命名應(yīng)對應(yīng)一致。器件的寬度與柵插指的數(shù)量的LVS檢查應(yīng)匹配。8.3.6LVS結(jié)果應(yīng)提供LVS報(bào)告，包括無錯的LVS日志文件。LVS應(yīng)檢查單元、端口以及電源地的一致性。GB/T43455—2023應(yīng)提供ERC報(bào)告，包括無錯的ERC日志文件。版圖后仿真應(yīng)使用版圖寄生參數(shù)提取后的電路網(wǎng)表，并且對所有的關(guān)鍵電路仿真應(yīng)完全通過。應(yīng)驗(yàn)證電源線和地線在最高頻率時(shí)可承受的峰值電流。應(yīng)檢查版圖上所有連線的電遷移規(guī)則。給出最大允許電流密度，同時(shí)說明該最大允許電流密度所符合的標(biāo)準(zhǔn)。9模型質(zhì)量9.1通則模型交付項(xiàng)的完備性用于評測模型的質(zhì)量。模擬/混合信號IP核的模型交付項(xiàng)應(yīng)包括算法級模9.2算法級模型算法級模型是一個描述IP功能的數(shù)學(xué)模型，使用任何形式的高級語言描述，如，C++,Java,Verilog或者VHDL以及其他高抽象級描述語言等。如果IP核有算法級模型，該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：CR。9.3靜態(tài)時(shí)序分析模型靜態(tài)時(shí)序分析模型描述模擬/混合信號IP核數(shù)字部分的靜態(tài)時(shí)序特性。該模型的目的是使IP核使用者走通有關(guān)時(shí)鐘設(shè)計(jì)和時(shí)序驗(yàn)證的數(shù)字設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)流程。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：R。9.4功耗模型功耗模型定義一個IP核的功耗規(guī)范，用于IP核的功耗分析。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：R。9.5外圍互連模型外圍互連模型描述IP核的物理I/O端口與其內(nèi)部電路之間進(jìn)行外圍互連時(shí)，所使用的互連電阻與電容。用這種模型可準(zhǔn)確計(jì)算與IP核有關(guān)的互連延遲和輸出單元延遲。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：CM。GB/T43455—20239.6電路級接口模型電路級接口模型是描述IP核接口電特性的晶體管級網(wǎng)表。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：R。9.7物理布圖模型物理布圖模型是IP核接口管腳的物理描述，包括尺寸、位置和形狀、連接層和等效的管腳，以及IP核占用的面積。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：M。10功能驗(yàn)證質(zhì)量模擬/混合信號IP核的功能驗(yàn)證交付項(xiàng)包括系統(tǒng)評估模型、功能/時(shí)序數(shù)字仿真模型、占位模型以及接口模型。各評測項(xiàng)針對交付項(xiàng)的質(zhì)量，以條文的形式列出。10.2功能驗(yàn)證交付項(xiàng)IP核用戶在進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)，可利用系統(tǒng)模型進(jìn)行IP核的評估和選擇。系統(tǒng)評估模型只描述IP核模塊的功能和性能(信噪比、線性度、運(yùn)算速度等),并不提供具體實(shí)施的細(xì)節(jié)，模型可以是參數(shù)化的。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：R。10.2.2功能/時(shí)序數(shù)字仿真模型功能/時(shí)序數(shù)字仿真模型是以硬件描述語言A/MS描述的IP核模型，描述在輸入和輸出引腳之間整個IP核的功能特性和動態(tài)時(shí)序行為。模型的主要目的是使IP核使用者能夠進(jìn)行系統(tǒng)的功能驗(yàn)證和時(shí)序模擬。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：R。占位模型是只有模塊定義和端口列表的IP核占位模型，通常描述最少的功能特性和時(shí)序信息，模型的描述語言應(yīng)與芯片上其他部分的描述語言一致。這個模型用于幫助IP核使用者走通一個典型數(shù)字設(shè)計(jì)的環(huán)境。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：M。接口模型是用來描述IP核與外圍環(huán)境相關(guān)操作的器件模型，如IP核與總線的接口等。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：R。10.3評測內(nèi)容為系統(tǒng)評測提供一個適當(dāng)層次的功能行為模型。為了使IP核在系統(tǒng)中可以精確模擬，也可提供一個混合層次的模擬模型，它包括了非關(guān)鍵子模塊的行為模型和關(guān)鍵子模塊的電路級模型。GB/T43455—2023模擬應(yīng)在所有合適的工藝、電壓和溫度組合下運(yùn)行。應(yīng)進(jìn)行全版圖寄生電路元件參數(shù)提取(包括薄氧/多晶/金屬填充圖形)后的模擬。模擬應(yīng)使用最新的器件模型和工藝文件。所有的模擬信息應(yīng)當(dāng)顯示其起始點(diǎn)和模擬時(shí)間。模擬信息應(yīng)根據(jù)所顯示信息詳細(xì)程度的不同劃分出不同的信息顯示等級，信息顯示等級的范圍從不顯示任何細(xì)節(jié)信息到完整地顯示所有信息。模擬信時(shí)序驗(yàn)證應(yīng)驗(yàn)證在最壞情況和最好情況下的建立時(shí)間和保持時(shí)間，還應(yīng)驗(yàn)證在最壞情況和最好情況下的經(jīng)過RC參數(shù)提取的時(shí)序。驗(yàn)證環(huán)境應(yīng)能夠報(bào)告哪些測試向量通過了測試，哪些沒有通過測試。11流片驗(yàn)證質(zhì)量模擬/混合信號IP核的流片驗(yàn)證交付項(xiàng)應(yīng)包括流片驗(yàn)證概述文件、芯片測試報(bào)告、第三方參考文件、芯片和測試板。各評測項(xiàng)針對交付項(xiàng)的質(zhì)量，以條文的形式列出。11.2流片驗(yàn)證交付項(xiàng)流片驗(yàn)證概述文件提供了流片驗(yàn)證過程中的基本信息，包括流片的公司、所采用的工藝和工藝庫，該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：M。第三方參考文件是由使用者提供的測試結(jié)果或使用者報(bào)告、IP核應(yīng)用和集成的成功案例。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：R。芯片測試報(bào)告是按照設(shè)計(jì)指標(biāo)和流片驗(yàn)證計(jì)劃所給出的測試過程和測試結(jié)果，也包括測試中發(fā)現(xiàn)的設(shè)計(jì)問題和缺陷，報(bào)告中應(yīng)指明所符合的標(biāo)準(zhǔn)。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：M。GB/T43455—2023提供IP核的可靠性分析測試結(jié)果。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：M。芯片是待測樣片，測試板用于對芯片進(jìn)行測試及系統(tǒng)應(yīng)用。該交付項(xiàng)在GB/T43452—2023中的交付等級為：R。11.3流片驗(yàn)證質(zhì)量的評測內(nèi)容在流片驗(yàn)證中，需要描述所選用的代工廠、所選用的流片工藝并列出一些重要的物理特性，如晶體應(yīng)描述用于測試的插口要求，包括測試接入接口、測試矢量或者測試方法。流片驗(yàn)證報(bào)告應(yīng)給出包含所有測試的列表，并且詳細(xì)描述每一個測試，包括資源日志和測試花費(fèi)時(shí)間等。測試計(jì)劃應(yīng)詳細(xì)列出該IP核所需要的特性測試和測試環(huán)境，描述測試方法和策略、測試過程和測試模式。應(yīng)給出測試樣片的使用說明。在流片驗(yàn)證時(shí)所需要的硬件環(huán)境、測試工具以及測試安裝等的說明。如果芯片測試有特殊的硬件需求，則應(yīng)在文檔中寫明，同時(shí)應(yīng)說明為保證可靠產(chǎn)生或者測量模擬信號的儀器所需要的精度。應(yīng)給出無法測試的特性，標(biāo)識出即使測試也無法保證的IP核技術(shù)特性。GB/T43455—2023測試(如外部短路情況下的芯片可靠性測試)以及該批次樣片的元器件(例如晶體管、電阻等)的特性。芯片測試報(bào)告應(yīng)包括關(guān)于報(bào)告文檔的版本信息，其中應(yīng)描述現(xiàn)有版本的增強(qiáng)和改進(jìn)，以及具體的錯誤。提供評測開發(fā)板以及測試電路圖。評測開發(fā)板的制版數(shù)據(jù)可以文檔形式提供。該芯片樣片和測試板應(yīng)為IP核使用者提供。GB/T43455—2023(資料性)模擬/混合信號IP核質(zhì)量評測實(shí)施方案A.1質(zhì)量評測的原則模擬/混合信號IP核的質(zhì)量評測(