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文檔簡介
物質(zhì)與結(jié)構(gòu)綜合練習
一、單選題
1.磷化鋁(A1P,熔點:2000℃)通常是作為一種廣譜性熏蒸殺蟲劑,主要用于熏殺糧食中的儲糧害蟲等,下
列有關(guān)說法正確的是
A.A1P屬于分子晶體
B.起熏殺作用的物質(zhì)通常是A1(OH)3
C.A1P能水解或與稀硫酸作用,且均產(chǎn)生一種無毒氣體
D.常用鋁與紅磷在一定條件下化合制備A1P
2.硫化鋅是一種優(yōu)良的寬帶隙半導體鋰離子電池負極材料,具有在充電的同時合金化反應的特點。在充電
過程中負極材料晶胞的組成變化如圖所示。
下列說法正確的是
A.當ImolZn,“S完全轉(zhuǎn)化為ZnnS時,轉(zhuǎn)移電子數(shù)為2moi
B.在zn.s體對角線的一維空間上會出現(xiàn)“_Q_@—0-e~~@-e—”的排布規(guī)律
C.當ZrigS完全轉(zhuǎn)化為Li*Zn>,S時,每轉(zhuǎn)移6moi電子,生成3moiLiZn(合金相)
D.若Li,S的晶胞參數(shù)為anm,則EF間的距離為15anm
4
3.含鈾(Ce)催化劑催化C0?與甲醇反應是CO?資源化利用的有效途徑,該反應的催化循環(huán)原理如圖所示。
下列說法錯誤的是
A.物質(zhì)A為CHQH
B.反應過程涉及的物質(zhì)中碳原子的雜化方式有3種
C.反應過程中斷裂的化學鍵既有極性鍵又有非極性鍵
D.反應的總方程式為2cH3OH+CO,」^IHCCCH+H2O
3'J3
OO
4.TiO?的晶胞結(jié)構(gòu)(晶胞中相同位置的原子相同)如圖所示,其中m、n、p、q的原子坐標分別為m(0,0,0);
n(0.69a,0.69a,c);q(O.19a,O.81a,O.5c)0下列說法正確的是
A.圖中所示微粒中,代表O原子的是m、pB.i的原子坐標為(0.81a,0.81a,0.5c)
803
C.p點的原子坐標為(a,a,c)D.該晶體的密度為而一g,cm'
5.同主族元素的性質(zhì)較為相似,下列關(guān)于同主族元素性質(zhì)推測正確的是
A.Li、Na同主族,因為Na在空氣中加熱生成Na?。?,所以Li在空氣中加熱生成U2O2
B.F、C1同主族,因為HC1是強酸,所以HF也是強酸
C.Ca、Ba同主族,因為Ca(OH)2微溶于水,所以Ba(OH)2也微溶于水
D.F、C1同主族,因為CL能與水反應,所以F2也能與水反應
2
6.我國科研工作者利用冷凍透射電子顯微鏡同步輻射等技術(shù),在還原氧化石墨烯膜上直接觀察到了自然環(huán)
境下生成的某二維晶體,其結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法正確的是
C.Ca"和cr的配位數(shù)均為3D.該晶體可由鈣在氯氣中燃燒制得
7.下列關(guān)于晶體的說法,不正確的是
①晶體中粒子呈周期性有序排列,有自范性,而非晶體中粒子排列相對無序,無自范性;
②含有金屬陽離子的晶體一定是離子晶體;
③共價鍵可決定分子晶體的熔、沸點;
④Mg。和NaQ兩種晶體中,MgO的離子鍵鍵能較小,所以其熔點比較低;
⑤晶胞是晶體結(jié)構(gòu)的基本單元,晶體內(nèi)部的微粒按一定規(guī)律作周期性重復排列;
⑥NaHCOs受熱分解生成Na2co>C0?和H?0,既破壞了離子鍵,也破壞了共價鍵;
⑦干冰晶體中,一個CO?分子周圍有12個C02分子緊鄰;
A.①@③B.②③⑦C.④⑤⑥D(zhuǎn).②③④
8.W、X、Y、Z為原子序數(shù)依次遞減的短周期元素,W、Y、Z三種元素分屬不同周期不同主族,已知W、
Y、Z的最外層電子數(shù)之和等于X的最外層電子數(shù),W、X對應的簡單離子核外電子排布相同。W、X、Y、
Z能形成如下結(jié)構(gòu)的化合物。下列敘述正確的是
Z—X\/X—X\/X—Z*
Z—X/xx—\x—z
A.W、X對應的簡單離子半徑順序為:X>WB.該化合物中X元素化合價均為-2價
C.Y的最高價氧化物對應水化物為強酸D.對應元素形成的氣態(tài)氫化物穩(wěn)定性:Y>X
9.CoxNiu“)Fe2O4在磁性材料和催化劑領域具有廣泛的應用前景,+可以形成配合物
[CO(NH2—CH2—CH2—NH2)(NH3)2C12]C1?下列說法不正確的是
3d4s
A.第四周期中不成對電子數(shù)目最多的基態(tài)原子的價電子軌道表示式為EH王國王Hl田
B.CoxNi(Lx)Fe2O4中Co、Ni的化合價都是+2,則Fe的化合價是+3
C.乙二胺與三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,乙二胺的沸點比三甲胺高的原因是乙二胺分子間可以形成氫鍵,而
三甲胺卻形成了分子內(nèi)氫鍵
D.該配合物中Ct?+的配位數(shù)是6
10.已知R、W、X、Y、Z均為短周期主族元素,其中R元素所在的周期數(shù)是其族序數(shù)的一半,且對應的
兩種常見氧化物均為酸性氧化物,W元素與Z元素在同一主族,X與其同主族另一元素單質(zhì)形成的合金可
用作原子反應堆導熱劑,Y元素原子最外層電子數(shù)為m,次外層電子數(shù)為n,Z元素原子L層電子數(shù)為m+n,
M層電子數(shù)為m-n,下列敘述中錯誤的是
A.R、X、Y對應的簡單離子半徑:r(X)<r(Y)<r(R)
B.相同溫度下,同濃度的R、W、Z的最高價含氧酸的酸性:R>W>Z
C.將WK與RY?分別通入Ba(NC)3)2溶液中,現(xiàn)象不同
D.因為Y的氫化物比R的氫化物穩(wěn)定,所以Y的氫化物的熔、沸點比R的氫化物的熔、沸點高
11.短周期主族元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大,其最外層電子數(shù)之和為18。X、Y與Z、W位于
不同周期,X、Z處于對角線位置且其單質(zhì)都能與強酸、強堿溶液反應。下列說法錯誤的是
A.Z的最高價氧化物為兩性氧化物B.單質(zhì)的熔點:Y<W
C.Z與W形成的化合物是共價化合物D.簡單氫化物的穩(wěn)定性:Y<W
12.神化硼晶體是具有超高熱導率的半導體材料,其結(jié)構(gòu)如圖所示,若晶胞參數(shù)為anm,下列說法正確的
是
A.神化硼的化學式為B7As2
B.與頂點B原子距離最近且等距的B原子有6個
C.晶胞內(nèi)的4個As原子所圍成的空間結(jié)構(gòu)為正四面體形
D.B、As原子之間的最短距離為迤nm
2
13.化學式為Ni(CN),(NHjv(C6H6):的籠形包合物基本結(jié)構(gòu)如圖所示(H原子未畫出)。N產(chǎn)與CN-連接形
4
成平面層,兩個平面層通過NH3分子連接,中間的空隙填充苯分子。下列說法正確的是
ONi
。N
?C
B.該結(jié)構(gòu)不是晶胞結(jié)構(gòu)單元
C.結(jié)構(gòu)中N原子均參與形成配位鍵
D.半數(shù)Ni?+與C原子配位,且所有的Ni?*配位數(shù)相同
14.金屬及其化合物在生產(chǎn)生活中應用廣泛。2011年云南的“烏銅走銀”制作技藝列入國家級非物質(zhì)文化遺
產(chǎn)名錄。制作中的走銀工序是將氧化變黑的銀絲嵌入銅器表面已饕刻好的花紋內(nèi),再經(jīng)揉黑工序,用手邊
焙邊搓揉銅器,直到銅器表面變成烏黑、銀絲變得光亮。近期中國科學院在含銀化合物運用于超離子導體
方面取得突破性進展,制得的aAgl晶體在室溫下的電導率比普通多晶的Agl提高了近5個數(shù)量級。
a-Agl晶體中「作體心立方堆積(如圖所示),Ag'可分布在由「構(gòu)成的空隙位置上。在電場作用下,Ag+無
需克服太大阻力即可發(fā)生遷移。已知:阿伏加德羅常數(shù)為下列說法不正確的是
A.廣的最外層電子排布式為5s25P6
B.Ag+位于「構(gòu)成的全部八面體空隙上
C.a-Agl晶體的摩爾體積為AgLrrp.mo1一1
D.a-Agl晶體可用作電池的電解質(zhì)
15.某有機物的結(jié)構(gòu)簡式如下圖所示,是合成抗菌藥物的重要中間體。下列說法中正確的是
HOOC
A.該有機物含有3種官能團
B.該有機物的分子式為CnH“Q」
C.1mol該有機物最多能與5moi也發(fā)生加成反應
D.該分子中只有3個采取sp,雜化的原子
16.某水性鈉離子電池電極材料由Na+、Fe2\Fe3\CW組成,其立方晶胞嵌入和嵌出Na卡過程中,F(xiàn)e?與
Fe3+含量發(fā)生變化,依次變?yōu)楦窳志G、普魯士藍、普魯士白三種物質(zhì),其過程如圖所示。下列說法錯誤的是
格林綠Fe(CN%普魯士藍普魯士白
A.基態(tài)Fe原子的價電子排布式為3d64s2,失去4s電子轉(zhuǎn)化為Fe2+
B.導電能力普魯士藍小于普魯士白
C.普魯士藍中Fe?+與Fe?+個數(shù)比為1:2
8x157-3
D.若普魯士白的晶胞棱長為apm,則其晶體的密度為^^xiow>g.cm3
a1、&
二、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
17.碎化錢是一種重要的半導體材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。
Ga
6
(1)①As原子的基態(tài)價電子排布式是。
②Ga在元素周期表中的位置是。
③Ga與As基態(tài)原子未成對電子數(shù)之比是o
⑵神化鐵晶體可以通過三甲基化鉉與As&反應制備:Ga(CH,)3+AsH3-^GaAs+3CH4O
①GaCHj中Ga的雜化類型是。
②AsH?分子的空間結(jié)構(gòu)為。
③請從物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的角度解釋AsH,沸點低于同主族氫化物NH?的事實:。
(3)通過神化鉉晶胞結(jié)構(gòu)可判斷:Ga原子的配位數(shù)為o
(4)已知阿伏伽德羅常數(shù)為%八,立方體晶胞棱長為anm。試求:
①Ga與As間最短距離為nm。
②晶體的密度為gym{列出計算式)。
18.(I)如圖所示為高溫超導領域里的一種化合物——鈣鈦礦晶胞結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)是具有代表性的最小重復單
位。
?Ti4+
?O2'
oCa2+
(i)該晶胞結(jié)構(gòu)中,元素氧、鈦、鈣的離子個數(shù)比是,該物質(zhì)的化學式可表示為
(2)若鈣、鈦、氧三元素的相對原子質(zhì)量分別為a、b、c,晶胞結(jié)構(gòu)圖中正方體邊長(鈦原子之間的距離)為
dnm(lnm=10-9m),阿伏加德羅常數(shù)為6.02xl()23mo「,則該晶胞的密度為g-cm。
(H)氮化碳的結(jié)構(gòu)如下圖所示:已知氮化碳和氮化硅晶體結(jié)構(gòu)相似,是新型的非金屬高溫陶瓷材料,它們的
硬度大、熔點高、化學性質(zhì)穩(wěn)定。
(3)氮化硅的硬度(填“大于”或“小于”)氮化碳的硬度,原因是;
(4)己知氮化硅的晶體結(jié)構(gòu)中,原子間都以單鍵相連,且氮原子與氮原子不直接相連、硅原子與硅原子不直
接相連,同時每個原子都滿足最外層8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),請寫出氮化硅的化學式:。
(5)第IHA、VA族元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與晶
體硅相似。在GaN晶體中與同一個Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為,GaN屬于
___________晶體。
19.硅化鎂是一種窄帶隙型半導體材料,在光電子器件、能源器件、激光、半導體制造等領域具有重要應
用前景。硅化鎂的晶胞參數(shù)a=0.6391nm,結(jié)構(gòu)如圖所示。
(l)Si原子的配位數(shù)為
(2)晶胞在對角面方向的投影圖為(填字母)。
(3)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,該晶體的密度P=g-cm-(列出計算式)。
20.根據(jù)報道,貴州發(fā)現(xiàn)的超大型鎰銅礦區(qū)資源量已超兩億噸。鎰礦是國家緊缺戰(zhàn)略礦產(chǎn)之一,在電池、
磁性新材料等方面都有廣泛應用。請回答下列問題:
⑴銅缽氧化物(CuMmCU)能在常溫下催化氧化一氧化碳和甲醛(HCHO)。
①基態(tài)鐳原子的價層電子排布式為o
8
②Mn元素的一種配合物K3[Mn(CN)6]具有反磁性,該配合物中。鍵和n鍵的個數(shù)比為。
③HCHO分子的H-C-H鍵角(填“大于”“小于”或“等于”)C02的鍵角,理由是。
④向一定物質(zhì)的量濃度的Cu(NO3)2和Mn(NCh)2溶液中加入Na2c03溶液,所得沉淀經(jīng)高溫灼燒,可制得
CuMn2O4,NO,的立體構(gòu)型是
(2)比較熔點:A1C13A1F3(填?或"="),并解釋其原因_______.
(3)錦的某種氧化物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示:
?Mn
OQ
品也小意圖
該鐳元素的氧化物化學式為,該晶體的密度為g-cm-3(用含a、b和NA的代數(shù)式表示,NA
為阿伏加德羅常數(shù)的值)。
21.回答下列問題
(1)[2020全國HI]氨硼烷(NH3BH3)含氫量高、熱穩(wěn)定性好,是一種具有潛力的固體儲氫材料。研究發(fā)現(xiàn),氨
硼烷在低溫高壓條件下為正交晶系結(jié)構(gòu),晶胞參數(shù)分別為即m、加m、<pm,。=£=/=90。。氨硼烷的
2x2x2超晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示。
圖1
氨硼烷晶體的密度P=g-cm'(列出計算式,設Nx為阿伏加德羅常數(shù)的值)。
⑵[2021河北]KH2PO,晶體具有優(yōu)異的非線性光學性能。我國科學工作者制備的超大KH2P0,晶體已應用于
大功率固體激光器,填補了國家戰(zhàn)略空白。分別用。、?表示HFO,和K+,KHFO4晶體的四方晶胞如圖2
所示,圖3、圖4分別顯示的是HF。;、K+在晶胞立面、廣面上的位置:
①若晶胞底邊的邊長均為他111、高為cpm,阿伏加德羅常數(shù)的值為N”晶體的密度為
g-crrT'(寫出表達式)。
(1)基態(tài)鐵離子的價電子排布式為。鐵、鉆、鎮(zhèn)的基態(tài)原子核外未成對電子數(shù)最多的是
(2)CoCL溶于氨水并通入空氣,可從溶液中結(jié)晶出橙黃色的[CO(NH3)6]03晶體。該配合物中配體分子的立
體構(gòu)型是,其中心原子的雜化軌道類型為
(3)鐵、銀易與CO作用形成鏢基配合物Fe(CO)s、Ni(CO)4,Fe(CO)5的熔點為253K,沸點為376K,則
用C0)4固體屬于晶體,其中存在的化學鍵類型為。
(4)NiO、FeO的晶體結(jié)構(gòu)類型與氯化鈉的相同,Ni?+和Fe"的離子半徑分別為69Pm和78pm,則熔點:NiO
(填或口")FeO,原因是o
(5)FeQ4晶體中,O'-的重復排列方式如圖所示,該排列方式中存在著由如1、3、6、7的02-圍成的正四
面體空隙和3、6、7、8、9、12的0。-圍成的正八面體空隙。FesO”中有一半的Fe3+填充在正四面體空隙中,
Fe?+和另一半Fe?+填充在正八面體空隙中,則FeQ」晶體中,正四面體空隙數(shù)與0?-數(shù)之比為,有
%的正八面體空隙沒有填充陽離子。Fe3O4晶胞中有8個圖示結(jié)構(gòu)單元,晶體密度為5.18自61-3,
則該晶胞參數(shù)a=Pm。(寫出表達式)
10
23.碳原子構(gòu)成的單質(zhì)具有多種同素異形體,也對應著有多種不同晶體類型.
(1)圖為石墨和石墨烯的結(jié)構(gòu)示意圖.石墨烯是從石墨材料中剝離出來,由碳原子組成的只有一層原子厚度
的二維晶體.下列關(guān)于石墨與石墨烯的說法正確的是(填標號).
石墨石墨烯晶體
A.從石墨中剝離石墨烯需要破壞化學鍵
B.石墨中的碳原子采取sp3雜化
C.石墨屬于混合型晶體,層與層之間存在分子間作用力
D.石墨烯中平均每個六元碳環(huán)含有2個碳原子
(2)利用皮秒激光照射懸浮在甲醇溶液中的多壁碳納米管可以合成T-碳,T-碳的晶體結(jié)構(gòu)可看成金剛石晶
體中每個碳原子被正四面體結(jié)構(gòu)單元(由四個碳原子組成)取代,如圖所示[其中圖(a)、(b)為T-碳的晶胞和晶
胞俯視圖,圖(c)為金剛石晶胞].
(a)(b)(c)
一個T-碳晶胞中含有個碳原子,T-碳的密度非常小,是金剛石的一半,則T-碳晶胞的棱
長和金剛石晶胞的棱長之比為.
24.理論計算預測,由汞(Hg)、倍(Ge)、睇(Sb)形成的一種新物質(zhì)X為潛在的拓撲絕緣體材料.X的晶體
可視為Ge晶體(晶胞如圖a所示)中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成.
(1)圖b為Ge晶胞中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成的一種單元結(jié)構(gòu),它不是晶胞單元,理由是
(2)圖c為X的晶胞,X的晶體中與Hg距離最近的Sb的數(shù)目為;該晶胞中粒子個數(shù)比
Hg:Ge:Sb=.
(3)設X的最簡式的相對分子質(zhì)量為M,,則X晶體的密度為g/cn?(已知NA代表阿伏加德羅
常數(shù)的值,列出算式).
25.請回答下列問題。
(1)鉆及其化合物有重要的用途,探究其結(jié)構(gòu)有重要意義。
①請寫出基態(tài)鉆原子的核外電子排布式。
②按照核外電子排布,可把元素周期表劃分為5個區(qū),C。在元素周期表中屬于________區(qū)。
(2)[Co(NH3)5Cl]5是C<?+的一種重要配合物。
①該配合物的一種配體是NH,,NH3的空間結(jié)構(gòu)呈_________形,是(填“極性”或“非極性)分子。
②Co"的價層電子軌道表示式是。
2+
@lmol[Co(NH,)5Cl]中含有的。鍵的數(shù)目為(用NA代表阿伏加德羅常數(shù))。
④設計實驗證實該配合物溶于水時,離子鍵發(fā)生斷裂,配位鍵沒有斷裂.實驗如下:稱取2.505g該配合物,
先加水溶解,再加足量AgNOj溶液,(補全實驗操作),稱量沉淀質(zhì)量為(精確到0.01g,
相對分子質(zhì)量[ColNHjCl]。?:250.5;AgCl:143.5)。
(3)第VA族元素及其化合物的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)如下:
①NH、、PH?、AsHj的沸點由高到低的順序為(填化學式,下同),鍵角由大到小的順序為
12
②某一種氮化硼晶體的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖:
i.氮化硼(BN)屬于晶體;該種氮化硼(BN)的熔點SiC(填>、<、=)。
ii.已知氮化硼(BN)晶胞的邊長為anm,則晶胞密度為g-cm%用含有a、NA的代數(shù)式表示)。
參考答案:
1.D
【詳解】A.A1P的熔點為2000℃,比較高,屬于共價晶體,A項錯誤;
B.A1P可發(fā)生水解:A1P+3HQ=Al(OH)3(+PHj,Al(OH),沒有氧化性,不能熏殺害蟲,有劇毒,
可熏殺害蟲,B項錯誤;
C.A1P與稀硫酸發(fā)生反應:2A1P+3H2SO4=A12(SO41+2PH,T,A1P水解或與稀硫酸作用均可產(chǎn)生有毒氣
體PH-C項錯誤;
D.紅磷和鋁粉燒制可得到磷化鋁,該反應為化合反應,D項正確;
故選D。
2.D
22
【詳解】A.當ImolZ/S完全轉(zhuǎn)化為Zn“S時、轉(zhuǎn)移電子數(shù)為2x(---)mol,A錯誤;
nm
B.根據(jù)Zn.s結(jié)構(gòu),體對角線的一維空間上會出現(xiàn)“OoeO”的排布規(guī)律,B錯誤;
C.當Znn,S完全轉(zhuǎn)化為Li*Zn,S時,Li+、ZM+轉(zhuǎn)化為LiZn合金,生成ImolLiZn轉(zhuǎn)移3mol電子,每轉(zhuǎn)移6mol
電子,生成2moiLiZn(合金相),C錯誤;
D.若Li2s的晶胞參數(shù)為anm,則EF間的距離為J(午y+(亭>+(字ynm=#Lnm,D正確;
故選D。
3.C
【分析】結(jié)合反應過程,A為CH3OH,B為C02,據(jù)此解答。
【詳解】A.反應①發(fā)生取代反應,A為CH3OH,A正確;
no3
HceC
3\z\CZH3
oo
B.C02中C為sp雜化,甲醇中C為sp3雜化,有3種雜化方式,
B正確;
C.反應過程中斷裂的化學鍵只有極性鍵,沒有非極性鍵,c錯誤;
D.由題圖分析可知,反應物為CHQH和CC>2,生成物為HCcCH和HQ,則反應的總化
3\/\/3
o0
學方程式為2cH30H+CO,吧”HCCCH+H2O,D正確;
3\/\/
oo
故選C。
4.C
【詳解】A.由于晶胞中相同位置的原子相同,若m、p代表。原子,則晶胞中含有O原子數(shù)為1+8x18=2,Ti
原子數(shù)為4x12+2=4,根據(jù)TiO2的化學式可知,該晶胞中應含有1個Ti原子,與晶胞結(jié)構(gòu)不符合,故代表
氧原子的是n、q,代表Ti原子的是m、p:故選項A錯誤;
B.根據(jù)晶胞可以知道,q、i位置的O原子與體心Ti原子處于同一平面,且處于對角線上,q的坐標為
(0.19a,0.81a,0.5c),則i原子的坐標為(0.81a,0.19a,0.5c),故選項B錯誤;
C.由圖可知,p點位于晶胞的頂點,則p點的原子坐標為(a,a,c),故C選項正確;
14
D.根據(jù)“均攤法”,每個晶胞中含有Ti原子數(shù)為1+8x18=2,含有0原子數(shù)為4x12+2=4,則晶胞的質(zhì)量為
m(晶胞)=80NAx2g;晶胞的體積為V(晶胞)=(axl()TOcm)2x(cxl0TOcm)=a2cxl070cm3,故該晶胞體的密度為
p=m(晶胞)V(晶胞)=80NAx2ga2cxl(F30cm3=i60NAa2cxl()30g/cm3;故選項D錯誤。
5.D
【詳解】A.Li在空氣中加熱生成LizO,故A錯誤;
B.HF是弱酸,故B錯誤;
C.Ba(OH)2易溶于水,故C錯誤;
D.F、C1同主族,氟氣的氧化性比氯氣的氧化性強,因為Ck能與水反應,所以Fz也能與水反應,故D正
確;
故選D。
6.C
【詳解】A.由俯視圖可知,一個鈣離子形成鍵結(jié)合3個氯離子,同樣一個氯離子形成鍵結(jié)合3個鈣離子,
則該二維晶體的化學式為CaCLA錯誤;
B.結(jié)合側(cè)視圖可知,Ca—Cl-Ca構(gòu)成的為非平面六邊形,其Ca—C1—Ca的鍵角不是60。,B錯誤;
C.由A分析可知,Ca"、C「周圍最近的離子數(shù)均為3,故配位數(shù)均為3,C正確:
D.鈣在氯氣中燃燒生成氯化鈣CaC12,由A分析可知,不能得到該晶體,D錯誤;
故選C。
7.D
【詳解】①晶體中粒子呈周期性有序排列,有自范性:而非晶體中原子排列相對無序,無自范性,故①正
確;
②含有金屬陽離子的晶體不一定是離子晶體,如金屬晶體中含有金屬陽離子,故②錯誤;
③共價鍵可決定原子晶體的熔、沸點,分子間作用力決定分子晶體的熔、沸點,故③錯誤;
④MgO和NaCl兩種晶體中,MgO中離子半徑小、離子所帶電荷多,晶格能較大,所以其熔點比較高,故
④錯誤;
⑤晶胞是晶體結(jié)構(gòu)的基本單元,晶體內(nèi)部的微粒按一定規(guī)律作周期性重復排列,故⑤正確;
⑥NaHCC)3受熱分解生成Na2cO3、CO?和H?。,破壞了Na+和HCO;之間的離子鍵,也破壞了HCO;中的
共價鍵,故⑥正確;
⑦干冰晶體中,一個co2分子周圍有12個CO?分子緊鄰,故⑦正確;
錯誤的是②③④,選D。
8.A
【分析】W、Y、Z三種元素分屬不同周期不同主族,且四種元素的原子序數(shù)依次遞減的短周期元素,推出
Z為H,根據(jù)化合物的結(jié)構(gòu),X形成2個共價鍵達到穩(wěn)定結(jié)構(gòu),W、X對應的簡單離子核外電子排布相同,
W在化合物中顯+2價,因此X為O,W為Mg,W、Y、Z的最外層電子數(shù)之和等于X的最外層電子數(shù),
推出Y為B,據(jù)此分析;
【詳解】A.W、X對應的簡單離子為Mg2+、CT,它們核外電子排布相同,微粒半徑隨著原子序數(shù)增大而
減小,r(O2)>r(Mg2'),故A正確;
B.根據(jù)化合物的結(jié)構(gòu)可知,該化合物中存在“一0—0一”,該氧元素顯-1價,故B錯誤;
C.B的最高級氧化物對應水化物為H3BO3,屬于一元弱酸,故C錯誤;
D.非金屬性越強,其氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性越強,0的非金屬性強于B,則對應元素形成的氣態(tài)氫化物穩(wěn)定
性:X>Y,故D錯誤;
故選Ao
9.C
3d4s
【詳解】A.第四周期中不成對電子數(shù)目最多的基態(tài)原子為銘,其價電子軌道表示式為11i」j±Ln田,
A正確;
B.CoxNi(i.x)Fe2O4中Co、Ni的化合價都是+2,由化學式各元素化合價代數(shù)和為0推知Fe的化合價是+3,
B正確;
C.乙二胺與三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,乙二胺的沸點比三甲胺高的原因是乙二胺分子間可以形成氫鍵,而
三甲胺分子間不能形成氫鍵,c錯誤;
D.由于NH2-CH2-CH2-NH2有兩個N原子可以提供兩個孤電子對,結(jié)合化學式
[CO(NH2-CH2-CH2-NH2)(NH3)2C12]C1,Ct?+的配位數(shù)為2+2+2=6,D正確;
故選C。
10.D
【分析】R、W、X、Y、Z均為短周期主族元素,其中R元素所在的周期數(shù)是其族序數(shù)的一半,且對應的
兩種常見氧化物均為酸性氧化物,可知R為S,鈉鉀合金可用作原子反應堆導熱劑,則X為Na,Y元素原
子最外層電子數(shù)為m,次外層電子數(shù)為n,Z元素原子L層電子數(shù)為m+n,M層電子數(shù)為m-n,則n=2,
m=6,所以Y為O,Z為Si,W元素與Z元素在同一主族,則W為C。
【詳解】A.R、X、Y分別為S、Na、O,對應的簡單離子半徑:r(Afa+)<r(02-)<r(S2),A項正確;
16
B.元素非金屬性越強,最高價含氧酸的酸性越強,非金屬性:S>C>Si,則酸性:H2SO4>H2CO3>H2SiO3,
B項正確:
C.將。。2與so,分別通入Ba(NC)3)2溶液中,C0?與Ba(NO,)2不反應,無明顯現(xiàn)象,SO?與Ba(NO)反
應生成員/SO,沉淀,現(xiàn)象不同,C項正確;
D.Y、R分別為0、S,因為HzO分子間存在氫鍵,所以H2O的熔、沸點比H2s的熔、沸點高,與其氫化
物的穩(wěn)定性無關(guān),D項錯誤;
答案選D。
11.D
【分析】短周期主族元素X、Z處于對角線位置且其單質(zhì)都能與強酸、強堿溶液反應,可知X為Be、Z為
ALX、Y、Z、W的最外層電子數(shù)之和為18,可推知Y、W的最外層電子數(shù)之和為13。X、Y、Z、W可
能為Be、0、Al、Cl;X、Y、Z、W可能為Be、F、Al>S。
【詳解】A.由分析可知,Z的最高價氧化物ALCh為兩性氧化物,A正確;
B.單質(zhì)的熔點可能為:或者耳<s,B正確;
C.Z與W形成的化合物是AlCb(或AI2S3)共價化合物,C正確;
D.簡單氫化物的穩(wěn)定性可能為:H2O>HC1或者HF>H2S,D錯誤;
故選D。
12.C
【詳解】A.由均攤法可知,晶胞中B原子數(shù)目為8X:+6X;=4,晶胞中AS原子數(shù)目為4,化學式為BAS,
A錯誤;
B.晶胞中B的位置與金剛石中碳原子位置一樣,所以晶胞中位于頂點的B原子,與之距離最近且等距的B
原子有12個,B錯誤;
C.晶胞內(nèi)的4個As原子位于晶胞內(nèi)小正方體體心,所圍成的空間結(jié)構(gòu)為正四面體形,C正確;
D.B、As原子之間的最短距離是體對角線的!,為叵nm,D錯誤;
故選C。
13.B
【詳解】A.根據(jù)“均攤法”,該結(jié)構(gòu)中CN-的個數(shù)為8x1=2,NH,的個數(shù)為4x1=1,7比的個數(shù)為I,則
44
xyz=2:l:l,A錯誤;
B.該結(jié)構(gòu)前后、左右平置時,不能重復,故不是晶胞結(jié)構(gòu)單元,B正確;
C.結(jié)構(gòu)中CN-中C原子提供孤電子對,與鑲的空軌道形成配位鍵,CN中氮沒有參與形成配位鍵,C錯誤;
D.由圖可知,每個鎮(zhèn)離子與4個CN-形成配位鍵,但不是所有鍥離子都與NH3形成配位鍵,故不是所有的
Ni?+配位數(shù)相同,D錯誤:
故選Bo
14.B
【詳解】A.I原子核外電子數(shù)為53,處于第五周期VUA族,廠的最外層電子排布式為5s25P6,A正確;
B.a-Agl晶體中碘離子為體心立方堆積,Ag+主要分布在由I.構(gòu)成的四面體、八面體等空隙中,B錯誤;
C.每個晶胞中含碘離子的個數(shù)為8x:+l=2個,依據(jù)化學式Agl可知,銀離子個數(shù)也為2個,晶胞的物質(zhì)
O
N2V/m33
的量n=\j—mol=Kj—mol,晶胞體積V=a3m3,則a-Agl晶體的摩爾體積Vm=-=2=-^Aa
NA&nmo12
C正確;
D.由題意可知,在電場作用下,Ag+不需要克服太大阻力即可發(fā)生遷移,因此a-Agl晶體是優(yōu)良的離子導
體,在電池中可作為電解質(zhì),D正確;
故選Bo
15.C
【詳解】A.該有機物含有碳碳雙鍵、竣基、醛鍵、皴基4種官能團,A錯誤;
B.由結(jié)構(gòu)可知,該有機物的分子式為CL'HMQ,,B錯誤;
C.苯環(huán)、碳碳雙鍵、酮搬基可以和氫氣反應,則1mol該有機物最多能與5moi也發(fā)生加成反應,C正確;
D.苯環(huán)中碳、段基碳、碳碳雙鍵的碳均為sp2雜化,分子中飽和碳為sp3雜化;分子中的氧原子中還有2
個采取sp3雜化,D錯誤:
答案選C。
16.C
【詳解】A.Fe的原子序數(shù)為26,價電子排布式為:3d64s2,失去2個電子后,轉(zhuǎn)化為Fe?+,A正確;
B.Na+嵌入越多,導電性越好,根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可判斷,1個普魯士藍晶胞中含有4個Na+,1個普魯士白晶
胞中含有8個Na+,所以導電能力普魯士藍小于普魯士白,B正確;
C.普魯士藍晶胞一個小立方體中CN-個數(shù)=12X:=3、Fe原子個數(shù)=8X)=1、Na*個數(shù)=lx;=;,所以
4822
18
其原子個數(shù)比為Na°sFe(CN)3,化學式為NaFe?(CN%,CN為T價、Na,的化合價為+1價,該化學式中
Fe元素化合價為+2.5,Fe2+與Fe3+個數(shù)比為1:1,C錯誤;
D.普魯士白晶胞中1個晶胞含有的Na+為8個,F(xiàn)e原子個數(shù)=8xg+6x;+12x;+l=8,CN個數(shù)
1I/m\3(23+56+26x3)x88x157
=24x4+24x1+6=24,體積=axl0T°cm),1個晶胞的質(zhì)量-----------=^--g,則該晶體
42')NANA
(23+56+26x3)x88x]57
故答案為:二玉—Xi。",D正確;
密度P=陞10'。)1
故選C。
17.(1)4s24P3第四周期IHA族1:3
(2)sp2三角錐形NH,分子間能形成氫鍵,而As電負性小,半徑大,分子間不能形成氫鍵
(3)4
4x(70+75)
(4)—anm
N-(axlO-7)3
4A
【詳解】(l)As是33號元素,處于周期表中第四周期第VA族,基態(tài)As原子的價層電子排布式為4s24P3。
Ga位于元素周期表的第四周期HIA族。Ga基態(tài)原子未成對電子數(shù)為1,As基態(tài)原子未成對電子數(shù)為3,二
者之比是1:3。
(2)Ga(C%、中Ga原子最外層3個電子,Ga(CH)中Ga原子價層電子對個數(shù)為3且不含孤電子對,據(jù)
此判斷Ga和C原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為平面三角形,雜化類型是sp2。As'分子中有3個。鍵,1對孤電子
對,空間結(jié)構(gòu)為為三角錐形。氮原子半徑較小,電負性較大,對應的氨分子間能形成氫鍵,沸點較高,而
As電負性小,半徑大,分子間不能形成氫鍵,沸點較低。
(3)Ga原子的配位數(shù)要看離Ga最近的As的個數(shù),由圖可得離Ga最近的As的個數(shù)為4,所以配位數(shù)是
4o
(4)通過碑化像晶胞結(jié)構(gòu)圖示,可知Ga與As間最短距離為體對角線的;,該晶胞體對角線長度&anm,
Ga與As間最短距離為由anm。在神化保晶胞中,碎原子數(shù)為8x:+6x[=4,錢原子數(shù)為4,晶體的密度
4o2
4x(70+75)
為p=%
V
18.(1)3:1:1CaTiO,
-a+b+3c
(2)--------
602d,
(3)小于硅原子半徑大于碳原子半徑,氮碳形成的共價鍵鍵長比氮硅形成的共價鍵鍵長短,故氮碳形
成的共價鍵的鍵能大,氮化碳的硬度大
(4)Si3N4
(5)正四面體形共價
【分析】(D根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)可以知道,利用均攤法可以確定離子個數(shù)比及化學式;根據(jù)P=m/V,計算密
度。
(II)原子晶體鍵長越短,鍵能越大,晶體硬度越大;根據(jù)最外層8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),寫出氮化硅的化學式;
GaN晶體與晶體硅結(jié)構(gòu)相似,為原子晶體,空間構(gòu)型為正四面體結(jié)構(gòu)。
【詳解】(1)利用均攤法可以知道在每個晶胞中鈦離子個數(shù)為8xl/8=l,氧離子的個數(shù)為12x?=3,鈣離
子個數(shù)為1,所以氧、鈦、鈣的離子個數(shù)比是3:1:1,化學式可表示為CaTiO3,因此,本題正確答案是:3:1:1;
CaTiO?:
(2)因為在每個晶胞中含有一個CaTiCh,根據(jù)P=m/V可以知道密度為[(a+b+cx3)xl02q/(d3x
lOVNAg/cm3-呼分g/cn?,因此,本題正確答案是:呼攔;
(3)氮化碳和氮化硅晶體結(jié)構(gòu)相似,是新型的非金屬高溫陶瓷材料,它們的硬度大、熔點高、化學性質(zhì)穩(wěn)
定,這說明二者形成的晶體都是原子晶體,由于硅原子半徑大于碳原子半徑,氮碳形成的共價鍵鍵長比氮
硅形成的共價鍵鍵長短,鍵能大,所以氮化硅的硬度小于氮化碳的硬度,故答案為:小于;硅原子半徑大
于碳原子半徑,氮碳形成的共價鍵鍵長比氮硅形成的共價鍵鍵長短,故氮碳形成的共價鍵的鍵能大;
(4)N的最外層電子數(shù)為5,要滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),需要形成3個共價鍵,Si的最外層電子數(shù)為4,要
滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),需要形成4個共價鍵,所以氮化硅的化學式為:Si3N4,故答案為:Si3N4;
(5)GaN的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅相似,則GaN屬于共價晶體,每個Ga原子與4個N原子相連,與同一個
Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為正四面體形,故答案為:正四面體形;共價。
19.(1)8
Q)D
4x76xl021
(3)--------;—
3
0.6391NA
20
【詳解】(1)以面心Si原子為基準,同一晶胞內(nèi)距離最近且相等的Mg原子有4個,緊鄰晶胞中與Si原子
距離最近且相等的還有4個Mg原子,故Si原子的配位數(shù)為8。
投賬方向
?Si
*Mg
投影面
(2)據(jù)晶胞投影分析,將原子投影在投影面上得到投影圖為
III
故選D。
(3)晶胞內(nèi)Si原子個數(shù)為8xJ+6x:=4,Mg原子個數(shù)為8,則該晶體的化學式為Mg?Si,晶體的密度
o2
m4x76g-mor'4x76_4x76x10》
p=—=-----------------------y=-----------------^gcm3=------3---gem
v7-7
ArAmor'x(0.6391xl0^cm)x(0,6391xl0)'0.63912
20.(1)3d54s21:1小于HCHO中C為sp2雜化,CO?中C為sp雜化平面三角形
(2)<AlCb屬于分子晶體,熔化時破壞分子間作用力,而A1F3屬于離子晶體,熔化時破壞離子鍵,
離子鍵強度比分子間作用力強
174x1()3°
(3)MnO
22
NAab
【詳解】(1)①基態(tài)Mn原子核外有25個電子,其核外電子排布式為[Ar]3d54s2,故其價層電子排布式為
3d54s2;
②配位鍵屬于o鍵,碳氮三鍵中有2個兀鍵,1個。鍵,配合物K3[Mn(CN)6]中含有12個。鍵,12個兀鍵,
。鍵和兀鍵的個數(shù)比為1:1;
2
③HCHO分子中C原子采取sp雜化,則H-C-H鍵角約為120°;CO2分子中C原子采取sp雜化,則CO2
的鍵角為180°,故HCHO分子的H-C-H鍵角小于CO2的鍵角;
④NO;中心原子價層電子對數(shù)為g(5+l-3x2)+3=3,沒有孤電子對,立體構(gòu)型是平面三角形。
(2)A1CL屬于分子晶體,熔化時破壞分子間作用力,而A1F3屬于離子晶體,熔化時破壞離子鍵,離子鍵
強度比分子間作用力強,熔點:A1C13<A1F3?
⑶在該晶體中含有的Mn原子個數(shù)為:1x8+l=2,含有的0原子數(shù)目為:1x4+2=4,Mn:0=2:4
ON
2x87x103°174x10,。
=1:2,所以該鎰的氧化物的化學式為MnCh;該晶體的密度為22
NAabNAab
62
21-⑴瓦嬴W
544x1()3。
⑵B
【詳解】(1)氨硼烷(NH3BH3)的相對分子質(zhì)量為31,一個氨硼烷的2x2x2超晶胞中含有1
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