《硅光電倍增管性能測(cè)試方法》編制說(shuō)明

1、標(biāo)準(zhǔn)范圍。

本標(biāo)準(zhǔn)的主要技術(shù)內(nèi)容包括：1.范圍2.規(guī)范性引用文件3.術(shù)語(yǔ)和定義4.一般

要求5.詳細(xì)要求。標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了反向擊穿電壓、增益、暗計(jì)數(shù)率、探測(cè)效率、單光子時(shí)

間分辨率、串?dāng)_、線性度等關(guān)鍵性能的測(cè)試步驟等，主要適用于所有的SiPM，不受器

件技術(shù)和尺寸的限制。

2、工作簡(jiǎn)況。

（一）任務(wù)來(lái)源

為落實(shí)《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020年）》《國(guó)家創(chuàng)

新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略》等規(guī)劃，由北京郵電大學(xué)牽頭，無(wú)錫中微晶園電子有限

公司、上海聯(lián)影醫(yī)療科技股份有限公司、中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所等單

位參與，制定《硅光電倍增管性能測(cè)試方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。

（二）目的與意義

硅光電倍增管（SiliconPhotomultiplier,SiPM），作為一種新興的光電探測(cè)

器件，具有單光子靈敏度、探測(cè)效率高、光子數(shù)分辨能力強(qiáng)、對(duì)磁場(chǎng)不敏

感等優(yōu)點(diǎn)，是醫(yī)療影像設(shè)備、激光雷達(dá)等系統(tǒng)中的核心傳感器，決定了相

關(guān)設(shè)備的成像質(zhì)量和探測(cè)距離。盡管國(guó)際上SiPM及相關(guān)產(chǎn)品形成了一定

的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，但目前國(guó)內(nèi)依賴進(jìn)口，也缺乏涉及該器件關(guān)鍵性能表征方法

的標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了SiPM的相關(guān)術(shù)語(yǔ)定義及關(guān)鍵性能的測(cè)試方法。該

標(biāo)準(zhǔn)的制定有利于指導(dǎo)SiPM產(chǎn)品的檢測(cè)和使用，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)該器件關(guān)鍵參

數(shù)測(cè)試方法的空白，完善半導(dǎo)體光電子器件標(biāo)準(zhǔn)體系，為推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展提

供技術(shù)支持。

（三）主要工作過(guò)程

本標(biāo)準(zhǔn)和編制工作從2023年10月開(kāi)始，北京郵電大學(xué)成立標(biāo)準(zhǔn)預(yù)立項(xiàng)工

作小組，提出《硅光電倍增管性能測(cè)試方法》的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)建議。2023

年12月26日召開(kāi)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)專家論證會(huì)，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)草案進(jìn)行修改和完善，形

成征求意見(jiàn)稿，于2024年1月開(kāi)始向全體委員和全社會(huì)進(jìn)行廣泛征求意

見(jiàn)。截止時(shí)間為2024年6月。

3、標(biāo)準(zhǔn)編制原則和確定標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容的依據(jù)：

1、標(biāo)準(zhǔn)編制原則

本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的

結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。堅(jiān)持實(shí)用性和有效性為準(zhǔn)則，并結(jié)合當(dāng)前發(fā)展

現(xiàn)狀與特點(diǎn)，提高標(biāo)準(zhǔn)貫徹實(shí)施的實(shí)用性和可操作性。

2、確定標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容的依據(jù)

考慮到現(xiàn)階段國(guó)際上該技術(shù)已相對(duì)穩(wěn)定，我們參考國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《GB/T光電

倍增管總規(guī)范》（12564-2008）、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《PIN、雪崩光電二極管測(cè)試方法》

（SJ/T2354-2015）制定了本標(biāo)準(zhǔn)草案。

4、主要試驗(yàn)（或驗(yàn)證）的分析、綜述報(bào)告。

本文件的技術(shù)內(nèi)容在廣泛調(diào)研國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上，根據(jù)我國(guó)硅光電倍增管發(fā)

展的現(xiàn)狀和特點(diǎn)，加入自身的理解和要求，制定出符合發(fā)展需求的標(biāo)準(zhǔn)，提升硅光電倍

增管的可靠性。

5、標(biāo)準(zhǔn)在起草過(guò)程中遇到的問(wèn)題及解決辦法：重大分歧意見(jiàn)的處理

經(jīng)過(guò)和依據(jù)：有無(wú)重要技術(shù)問(wèn)題需要說(shuō)明。

無(wú)

6、與國(guó)外標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)系：包括：采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)的程度，

與國(guó)外標(biāo)準(zhǔn)主要技術(shù)內(nèi)容的差異（可引用標(biāo)準(zhǔn)前言的內(nèi)容）：

無(wú)

7、修訂標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，說(shuō)明與標(biāo)準(zhǔn)前一版本的重大技術(shù)變化，并列出所涉

及的新、舊版本的有關(guān)章條（可引用標(biāo)準(zhǔn)前言的內(nèi)容）：廢止/代

替現(xiàn)行有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的建議：

無(wú)

8、說(shuō)明標(biāo)準(zhǔn)與其他標(biāo)準(zhǔn)或文件的關(guān)系（可引用標(biāo)準(zhǔn)前言的內(nèi)容），特

別是與有關(guān)的現(xiàn)行法律、法規(guī)和強(qiáng)制性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)系：

無(wú)

9、標(biāo)準(zhǔn)作為強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)或推薦性標(biāo)準(zhǔn)的建議：

無(wú)

10、貫徹國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的要求和措施建議（包括組織措施、技術(shù)措施、過(guò)

渡辦法等內(nèi)容）：標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布后，對(duì)國(guó)內(nèi)外業(yè)界可能產(chǎn)生的影響。

無(wú)

11、標(biāo)準(zhǔn)是否涉及知識(shí)產(chǎn)權(quán)的情況說(shuō)明；如標(biāo)準(zhǔn)中含有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，

說(shuō)明產(chǎn)品研發(fā)程度、產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)及進(jìn)程。

無(wú)

12、其他應(yīng)予說(shuō)明的事項(xiàng)。

無(wú)

《硅光電倍增管性能測(cè)試方法》

標(biāo)準(zhǔn)編制說(shuō)明

北京郵電大學(xué)

2023年10月

1、標(biāo)準(zhǔn)范圍。

本標(biāo)準(zhǔn)的主要技術(shù)內(nèi)容包括：1.范圍2.規(guī)范性引用文件3.術(shù)語(yǔ)和定義4.一般

要求5.詳細(xì)要求。標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了反向擊穿電壓、增益、暗計(jì)數(shù)率、探測(cè)效率、單光子時(shí)

間分辨率、串?dāng)_、線性度等關(guān)鍵性能的測(cè)試步驟等，主要適用于所有的SiPM，不受器

件技術(shù)和尺寸的限制。

2、工作簡(jiǎn)況。

（一）任務(wù)來(lái)源

為落實(shí)《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020年）》《國(guó)家創(chuàng)

新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略》等規(guī)劃，由北京郵電大學(xué)牽頭，無(wú)錫中微晶園電子有限

公司、上海聯(lián)影醫(yī)療科技股份有限公司、中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所等單

位參與，制定《硅光電倍增管性能測(cè)試方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。

（二）目的與意義

硅光電倍增管（SiliconPhotomultiplier,SiPM），作為一種新興的光電探測(cè)

器件，具有單光子靈敏度、探測(cè)效率高、光子數(shù)分辨能力強(qiáng)、對(duì)磁場(chǎng)不敏

感等優(yōu)點(diǎn)，是醫(yī)療影像設(shè)備、激光雷達(dá)等系統(tǒng)中的核心傳感器，決定了相

關(guān)設(shè)備的成像質(zhì)量和探測(cè)距離。盡管國(guó)際上SiPM及相關(guān)產(chǎn)品形成了一定

的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，但目前國(guó)內(nèi)依賴進(jìn)口，也缺乏涉及該器件關(guān)鍵性能表征方法

的標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了SiPM的相關(guān)術(shù)語(yǔ)定義及關(guān)鍵性能的測(cè)試方法。該

標(biāo)準(zhǔn)的制定有利于指導(dǎo)SiPM產(chǎn)品的檢測(cè)和使用，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)該器件關(guān)鍵參

數(shù)測(cè)試方法的空白，完善半導(dǎo)體光電子器件標(biāo)準(zhǔn)體系，為推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展提

供技術(shù)支持。

（三）主要工作過(guò)程

本標(biāo)準(zhǔn)和編制工作從2023年10月開(kāi)始，北京郵電大學(xué)成立標(biāo)準(zhǔn)預(yù)立項(xiàng)工

作小組，提出《硅光電倍增管性能測(cè)試方法》的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)建議。2023

年12月26日召開(kāi)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)專家論證會(huì)，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)草案進(jìn)行修改和完善，形

成征求意見(jiàn)稿，于2024年1月開(kāi)始向全體委員和全社會(huì)進(jìn)行廣泛征求意

見(jiàn)。截止時(shí)間為2024年6月。

3、標(biāo)準(zhǔn)編制原則和確定標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容的依據(jù)：

1、標(biāo)準(zhǔn)編制原則

本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的

結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。堅(jiān)持實(shí)用性和有效性為準(zhǔn)則，并結(jié)合當(dāng)前發(fā)展

現(xiàn)狀與特點(diǎn)，提高標(biāo)準(zhǔn)貫徹實(shí)施的實(shí)用性和