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ZOIAReliabilityevaluationmethodforsiliconphotomult在提交反饋意見時，請將您知道的相關(guān)專利連同支持性文件一并附上。I II 2 3 7本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的1硅光電倍增管可靠性評估方法本文件界定了硅光電倍增管（SiliconPhotomultiplier,SiPM）的術(shù)語、定義、可靠性評定的一本文件適用于硅光電倍增管的可靠性評估，其他類型的雪崩器件可參GB/T4937.4-2012半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗方法.第4部GB/T4937.13-2012半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗方法.第13部分：鹽霧GB/T21194-2007通信設(shè)備用的光電子器件的可靠性通用要求GB/T33768-2017通信用光電子器件可靠性試驗IDDCR24.1試驗類型4.2試驗設(shè)備4.3試驗環(huán)境b)設(shè)置施加在試樣兩端的反向偏置電壓掃描范圍，并記錄電流值，即為暗電流。3d)按公式（1）得到試樣在規(guī)定反向偏置電壓下的暗計數(shù)率DCR。），a)電壓電流表、光源、衰減器、示波器、光功率計、讀出電路等；b)試驗條件下能夠監(jiān)視試驗溫度、電壓、電流、輸出波形的裝置；a)環(huán)境溫度：15℃~35℃;d)測試環(huán)境應(yīng)無影響測量準(zhǔn)確度的機(jī)械振動、靜電、電磁等干擾；a)搭建測試系統(tǒng)，并分別施加所規(guī)定的偏置電壓；b)當(dāng)試樣達(dá)到規(guī)定的試驗溫度后進(jìn)行暗電流和暗計數(shù)的光電性能測試，記錄對應(yīng)的溫度、偏置4失效判據(jù)的信息見GB/T33768-2試驗步驟的信息見GB/T33768-201755試驗設(shè)備的信息見GB/T33768-2017試驗條件的信息見GB/T4937.4-20a)試驗前在規(guī)定的溫度下完成試樣光電特性測試；6可以保持鹽霧均勻分布的試驗箱，且內(nèi)有固b)試驗時間按GB/T4937b)電壓電流表、光源、衰減器、示波器、光功率計、讀出電路等；c)試驗條件下能夠監(jiān)視試驗溫度、電壓、電流、輸出波形的裝置；d)能使試樣引出端有可靠的光電連接的光電插座和其他安裝形式；7[1]Jackson,C.,O’Neill,K.p

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