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文檔簡介
第六章存儲器系統(tǒng)
洋拿要點
存儲器是計算機系統(tǒng)的重要組成部分,
用于存儲計算機工作所必需的數(shù)據(jù)和程序。
它分內(nèi)存儲器和外存儲器。
本章要求在了解半導(dǎo)體存儲器工作原理
的基礎(chǔ)上,著重掌握微機或微機應(yīng)用系統(tǒng)內(nèi)
存儲器的構(gòu)成及與CPU的連接方法。
一、半導(dǎo)體存儲器的分類
微機中內(nèi)部存儲器一般都使用
半導(dǎo)體存儲器,其特點是集成度高、
成本低、存儲速度快。半導(dǎo)體存儲
器的分類如下圖所示。
羋導(dǎo)體存儲器的分類
半靜態(tài)RAM(SRAM)
導(dǎo)
{動態(tài)RAM(DRAM)
體
r掩膜ROM
存可編程ROM(PROM)
儲J只讀存儲器(ROM)《紫外線光可擦除ROM
(EPROM)
器
電可擦除ROM
(£2PROM)
二'存儲器的主要技術(shù)指標(biāo)
半導(dǎo)體存儲器的主要技術(shù)指標(biāo)包括
存儲容量、存取速度、可靠性、功耗、
工作溫度范圍和體積其中最重要的是
存儲容量和存取速度(存取速度用最大
存取時間來衡量)。
二、存儲器的主要技術(shù)指標(biāo)
(1)存儲容量。存儲容量是
存儲器的一個重要指標(biāo)。存儲容量
是指存儲器可以存儲的二進(jìn)制信息
量,即:
存儲容量=字?jǐn)?shù)X字長
二'存儲器的主要技術(shù)指標(biāo)
而微機中經(jīng)常用能存儲的字節(jié)
數(shù)來表示存儲容量,并以KB(1024
個字節(jié))作為容量的單位。如64KB
表示65536個字節(jié)。
二、存儲器的主要技術(shù)指標(biāo)
(2)存取速度(最大存取時間)o存儲
器的存取時間定義為存儲器從接收存儲單元
地址碼開始,到取出或存入數(shù)據(jù)為止所需的
時間,其上限值稱為最大存取時間。存取時
間的大小反映了存儲速度的快慢。存取時間
越小,則存取速度越快。超高速存儲器的最
大存取時間小于20ns,中速存儲器在100-
?200ns之間,低速存儲器在300ns以上。
三、存儲器芯片介紹
1.Intel2114SRAM
Intel2114是IKx4SRAM,單一
的+5V電源,所有的輸入端和輸出端都
與TTL電路兼容。它的電原理圖邏輯符
號見圖623。
三、存儲器芯片介紹
514
AOD0
613
AlDI
712
A2D2
411
A3D3
3
A4
2
A5
1
A6
17
A7
16
A8
15
A9
8
WE
10
CS
2114
圖6.2.3(a)電原理圖
三、存儲器芯片介紹
Ao~Ag地址輸入DO~D3數(shù)據(jù)輸入/輸出
WE寫允許Vcc電源
CS片選GND地
圖623(b)引腳符號功能
三、存儲器芯片介紹
2114SRAM芯片的地址輸入端10個
(A0-A9),在片內(nèi)可以尋址21o=lK個
存儲單元。4位共用的數(shù)據(jù)輸入/輸出端
(D0-D3)采用三態(tài)控制,即每個存儲
單元可存儲4位二進(jìn)制信息,故2114芯
片的容量為。
?IKx4謁件「
三、存儲器芯片介紹
2.Intel6264SRAM
Intel6264是8Kx8SRAM,單一
的+5V電源,所有的輸入端和輸出端都
與TTL電路兼容。它的電原理圖邏輯符
號如下圖所示。
,松4
4修"
三、存儲器芯片介紹
1011
AOD0
912
AlDI
813
A2D2
715
(a)A3D3
616
A4D4
517
A5D5
418
電A6D6
319
A7D7
25
A8
原24
A9
21
A10
23
理All
2
A】?6264
圖22
OE
27
WE
26
CS2
20
CS1
三、存儲器芯片介紹
三、存儲器芯片介紹
3.EPROM芯片
常見的EPROM芯片有Intel2716
(2Kx8)、2732(4Kx8)、2764
(8Kx8)、27128(16Kx8)、
27256、27512等?,F(xiàn)以2764為例加以
說明。.
■YT悔.
三、存儲器芯片介紹
1011
AOD0
912
AlDI
813
A2D2
715
2764A3D3
616
A4D4
517
A5D5
418
電A6D6
319
A7D7
25
A8
原24
A9
21
A10
23
理All
2
A】?2764
圖20
CE
22
27
PGM
1
VPP
三、存儲器芯片介紹
其中,氐為片選信號,礪為輸出允許
信號,無面為編程脈沖輸入(50ms脈沖),
Vpp為編程電壓,A0~Ai2為13根地址線,
Do?D7為8位數(shù)據(jù)線。
《瑞洛£
三、存儲器芯片介紹
正常工作(只讀)時,Vpp=Vcc=+5V,
PGM=+5Vo
編程時,Vpp=+25V(高壓),PGM端
加入寬度為50ms的負(fù)脈沖。
q.CPU與存儲器的連接
例L在8088最大方式系統(tǒng)總線上
擴充設(shè)計4K字節(jié)的SRAM存儲器電路。
SRAM芯片選用Intel2114,起始地址從
00000H開始。試畫出此存儲器電路與
系統(tǒng)總線的連接圖。
ZCPU與存儲器的連接
①確定總線及總線信號
8o88
CPU
最
大A15-A0
方
式
系MEMW
統(tǒng)MEMR
總TOW
線
TOR
ZCPU與存儲器的連接
②確定存儲器芯片數(shù)
x由于計算機中的存儲器是按字節(jié)組織的,
所以無論用哪種存儲器芯片,必須保證每個
存儲地址單元能夠存放8位二進(jìn)制信息。因
此,用4位存儲器芯片組成8位存儲器模塊時,
可以用位并聯(lián)的方法,即兩片2114并聯(lián)組成
JKx8位模塊。
ZCPU與存儲器的連接
X通過并聯(lián)每個地址單元位數(shù)擴充成8位
(字節(jié))后,再通過題目要設(shè)計的總?cè)萘窟M(jìn)
行容量的擴充。因為兩片2114并聯(lián)組成了1K
x8位模決,所以4個這樣的模塊可組成4K
x8位(4KB)的存儲器電路。
所以共需4x2=8片2114芯片。
ZCPU與存儲器的連接
③地址分析
與2144芯片的Ag~A。
片外尋址
A18為17A16A
0000000!00!0...0
00000000
高位不變地址部分,去參加譯
碼,作2114的瓦片選信號。
ZCPU與存儲器的連接
③地址分析
與2144芯片的Ag~A。
00000000!01!0...0
00000000
高位不變地址部分,去參加譯
碼,作2114的瓦片選信號。
ZCPU與存儲器的連接
③地址分析
與2144芯片的Ag~A。
片外尋址
A18為17A16A
0000000;10;0...0
00000000
高位不變地址部分,去參加譯
碼,作2114的瓦片選信號。
ZCPU與存儲器的連接
③地址分析
與2144芯片的Ag~A。
片外尋址
A18為17A16A
0000000;11;0.0
00000000
高位不變地址部分,去參加譯
碼,作2114的瓦片選信號。
④電路連接
A0^A9WE
由IKx4SRAM構(gòu)成的4Kx8存儲器模塊
⑤存儲器地址譯碼電路設(shè)計4KB
ZCPU與存儲器的連接
X74LS1383-8線譯碼器芯片介紹
1AY0
2BY1
3CY2
Y3
Y4
4G2AY5
O
5G2BY6
O
6G1Y,7
74LS138
原理圖
使^獺入輸入
CBAYO~Y7輸出
G1G2AG2B
74LS138
100000Y0=0,其余為1
譯100001Y1=O,其余為1
碼100010Y2=0,其
100011Y3=0,其
器
100100Y4=0,其勒1
功100101Y5=0,其余為1
能100110Y6=0,其
100111Y7=0,其余為1
表
0XXXXX鈉為1
X1XXXX全部為1
XX1XXX全部為1
ZCPU與存儲器的連接
上題存儲器地址譯碼電路設(shè)計也可以用74LS138實現(xiàn)。
■A10
ZCPU與存儲器的連接
片外尋址]一
412A:A]
A”AAAA9^A0
181716A15A14A13
00000000000...0
a
0000000!000!1...1
參加了譯碼,這種譯碼方法稱為全
地址譯碼方法。
ZCPU與存儲器的連接
X全地址譯碼方法優(yōu)缺點
優(yōu)點:分配給每個存儲器單元的地址是
唯一的,節(jié)約了存儲器空間。
缺點:參加譯碼的地址線多,電路復(fù)雜,
浪費硬件。
如上例中A19不參加譯碼
A18
模塊1,
00000H^003FFH
80000H~803FFH
模塊2r
00400H-007FFH
80400H~807FFH
模塊3r
00800H-00BFFH
80800H?80BFFH
模塊4?
OOCOOH^OOFFFH
80co0H~80FFFH
q.CPU與存儲器的連接
X部分地址譯碼方法優(yōu)缺點
優(yōu)點:譯碼電路簡單,節(jié)約了硬件。
缺點:地址有重疊區(qū),浪費存儲空間。
???若有n根地址線未參加譯碼,則
有2n個地址重疊區(qū)。
ZCPU與存儲器的連接
例2.在8088系統(tǒng)總線上擴充設(shè)
計8K字節(jié)的SRAM存儲器電路。
SRAM芯片選用Intel6264,起始地
址從04000H開始,譯碼電路采用
74LS138o
ZCPU與存儲器的連接
L計算此RAM存儲區(qū)的最高地址為
多少?
2.畫出此存儲器電路與系統(tǒng)總線的
連接圖。
3.編寫程序?qū)崿F(xiàn)對此存儲器區(qū)域進(jìn)
行自檢。
ZCPU與存儲器的連接
①求存儲區(qū)的最高地址
因為Intel6264存儲容量為8K乂8
(字節(jié)),所以設(shè)計此存儲電路共需1
片6264芯片。因此最高地址為:
04000H+02000H-1=05FFFH
ZCPU與存儲器的連接
②電路設(shè)計
確定總線及總線信號
X8088
CP
最
大A15-A0
方
式
系MEMW
統(tǒng)MEMR
總TOW
線TOR
ZCPU與存儲器的連接
X電路連接
8
c08
3PU
最
大A。D°
方??
式
系A(chǔ)12D7
統(tǒng)
MEMW
總WE
MEMR
線OE
片選信號.CS1CS2
ZCPU與存儲器的連接
地址分析
與6264芯片的An-AO
夕卜尋址相連,作片內(nèi)尋址
A14A13
A"A18A*AnAK42AuA10A9-*A0
00000100000.0
a
0000010!
高位不變地址部分,去參加譯
碼,作6264的南片選信號。
CPU與存儲器的連接
X譯碼電路設(shè)計
WZ1CPU與存儲器的連接
③存儲器自檢程序
MOVAX,0400H
MOVDS,AX
MOVBX,0000H
MOVCX,8*1024
MOVII
NEXT1MOV||x],
CMP[BX],AL
JNZERROR
INCBX
LOOPNEXT1
ZCPU與存儲器的連接
1'-^^MOVBX,000"
一)VAL,0AAH
NEXT2:MOV[BX],AL
](MP國],AL
JNZERROR
INCBX
LOOPNEXT2
ERROR:
ZCPU與存儲器的連接
例3.在8086最小方式系統(tǒng)總線
上擴充設(shè)計16K字節(jié)的SRAM存儲
器電路。SRAM芯片選用Intel6264,
起始地址從04000H開始,譯碼電路
采用74LS138。
ZCPU與存儲器的連接
L計算此RAM存儲區(qū)的最高地址為
多少?
2.畫出此存儲器電路與系統(tǒng)總線的
連接圖。
ZCPU與存儲器的連接
①求存儲區(qū)的最高地址
因為Intel6264存儲容量為8K又8(字節(jié)),所
以設(shè)計此存儲電路共需2片6264芯片。其中,1片作
奇地址存儲器,另1片作偶地址存儲器,因此最高
地址為:
04000H+04000H-l=07FFFH
CPU與存儲器的連接
D15-D8
②電路設(shè)計
X確8o86
A19-A16
定
A15—A0
:p最u
總
小BHE
線
方
及M/W
式
總
系WR
線
統(tǒng)RD
總
信NMI
線
號
INTR
INTA
ZCPU與存儲器的連接
電路連接
X口8~功5
D()?D7
8A。DOD-D
??O7
c08??
CPU
最A(yù)】?D7
小WE
WE
方麗
OE
式偶片選信號
系CS1CS2
M/IO.
統(tǒng)A。D°
??
總??
線A。、A12D7
BHE.WE
OE
奇片選信號4-+5V
CSXCS2
ZCPU與存儲器的連接
地址分析
與6264芯片的A12~AO
夕卜尋址相連,作片內(nèi)尋址
l
A19A18A*AnAKA14i3A12AUA10Ag~A]
00000100000.0
a
000001!
高位不變地址部分,去參加譯
碼,作6264的南片選信號。
CPU與存儲器的連接
x/碼電路設(shè)計
ZCPU與存儲器的連接
例4.在8088最大方式系統(tǒng)總線
上擴充設(shè)計8K字節(jié)的ROM存儲器
電路。ROM芯片選用Intel2764,
起始地址從FE000H開始,譯碼電
路采用74LS138。
ZCPU與存儲器的連接
L計算此ROM存儲區(qū)的最高地址為
多少?
2.畫出此存儲器電路與系統(tǒng)總線的
連接圖。
ZCPU與存儲器的連接
①求存儲區(qū)的最高地址
因為Intel2764存儲容量為8K又8(字節(jié)),所
以設(shè)計此存儲電路共需1片2764芯片。因此最高地
址為:
FE000H+02000H-l=FFFFFH
ZCPU與存儲器的連接
②電路設(shè)計
X
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