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文檔簡介

選題匯總)B、33天D、焊接后至少36hB、T形A、除灰塵B、除油C、除氧化皮D、除涂層A、8min以內(nèi)D、15min以上A、Fe3CA、小于4倍波長B、大于4倍波長C、小于1/4倍波長D、大于1/4倍波長C、尖角槽C、單晶直探頭晶片尺寸小于14mmD、單晶直探頭晶片尺寸大于20mmA、滲透劑B、乳化劑A、1個(gè)C、2倍B、“Pause”C、“Delete”C、散射線的量A、直探頭B、斜探頭A、1倍波長D、端點(diǎn)6dB法88.膠片系統(tǒng)C3類，D=2.0時(shí)的最大梯度噪聲比是()。C、耐蝕B、夾角小于20°C、Y射線B、MIL-I—25135美國軍用材料標(biāo)準(zhǔn)D、MIL-I—25135美國機(jī)械工程師協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)A、5倫琴D、5毫倫D、不需要監(jiān)測172.用60Co射線源對(duì)球形儲(chǔ)罐全景曝光選擇()增感屏。B、鋼或銅C、9個(gè)A、100~200mm200.離源200mm處的照射率為100mR/h,照射率為2mR/B、筆試合格標(biāo)準(zhǔn)60分D、施加厚度大于45μm228.在400kV的大型移動(dòng)式X射線機(jī)中采用較多的電路是()。A、鍛件A、1倍B、降低毫安319.頻率為2.5MHz、圓晶片直徑為20mm的直探頭表示為()。A、晶體生長的各向異性B、晶體生長的各向同性C、晶體長大的速度D、傳熱的方向性321.焊接時(shí)照明燈的安全電壓為()。322.金屬塑性變形是通過晶體的()運(yùn)動(dòng)來實(shí)現(xiàn)的。A、1個(gè)面彎和3個(gè)背彎B、3個(gè)面彎和1個(gè)背彎C、2個(gè)面彎和2個(gè)背彎A、X射線D、β射線C、直徑0.025mm的點(diǎn)和0.0025mm的線A、中國JB4730標(biāo)準(zhǔn)B、美國ASTME1417標(biāo)準(zhǔn)D、日本JISZ2343標(biāo)準(zhǔn)B、噴罐放入30℃以上熱水中加熱B、1戈瑞=0.1倫琴D、1戈瑞=10倫琴D、技術(shù)文件B、液體的毛細(xì)作用D、吸附作用動(dòng)斷開，切斷高壓。A、20A、鉛增感屏B、濾板C、背防護(hù)鉛板425.管電流一定，曝光量所需的曝光時(shí)間T與放射源至底片的距離D的關(guān)系

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