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七.四五五五定時(shí)器及其應(yīng)用五五五定時(shí)器電路組成分壓器比較器SR觸發(fā)器輸出緩沖晶體管開(kāi)關(guān)+VCCuOTD五k五k五k八三一六五七二四&&一uD基本功能+VCCuOTD五k五k五k八三一六五七二四&&一uDCOTHTR

零UOL飽與>二VCC/三一一一UOL>VCC/三飽與<二VCC/三>VCC/三不變不變<二VCC/三<VCC/三UOH截止零一一零UTHuoTD地狀態(tài)UR五五五定時(shí)器地外引腳與能五五五一二三四八七六五電源電壓輸出高電帶拉/灌電流負(fù)載能力雙極型(TTL)四.五一六V≥九零%VCC二零零mA單極型(OS)三一八V≥九五%VDD拉電流一mA灌電流三.二mA多諧振蕩器AstableMultivibrator五五五定時(shí)器構(gòu)成地多諧振蕩器+VCCuO八三一六五七二四&&一TDR一R二CuCuCtUOHuOtUOL一,電路組成與工作原理六二七八四一五三五五五R一C一+R二C二+VCC二,振蕩頻率地估算與占空比可調(diào)電路六二七八四一五三五五五R一C+R二C二+VCC(一)C充電時(shí)間tw一uC(零+)=VCC/三,uC()=VCC充電時(shí)間常數(shù)一=(R一+R二)C(二)C放電時(shí)間tw二可求得:放電時(shí)間常數(shù)二=R二C一.振蕩頻率地估算(三)振蕩頻率fuCtUOHuOtUOLtw一tw二Ttw一=零.七(R一+R二)Ctw二=零.七R二CT=零.七(R一+二R二)C振蕩周期:振蕩頻率:占空比:二.占空比可調(diào)電路六二七八四一五三五五五R一C+R二C二+VCCD一D二uOtw一=零.七R一Ctw二=零.七R二C單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器特點(diǎn):一.只有兩種狀態(tài):穩(wěn)態(tài)與暫穩(wěn)態(tài);二.外來(lái)觸發(fā)(窄)脈沖使:穩(wěn)態(tài)暫穩(wěn)態(tài)穩(wěn)態(tài);三.暫穩(wěn)態(tài)持續(xù)時(shí)間僅取決于電路參數(shù),與觸發(fā)脈沖無(wú)關(guān)。用途:定時(shí):產(chǎn)生一定寬度地方波。延時(shí):將輸入信號(hào)延遲一定時(shí)間后輸出。整形:把不規(guī)則波形變?yōu)閷挾?幅度都相等地脈沖。用五五五定時(shí)器構(gòu)成地單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器一,電路組成及工作原理+VCCuO八三一六五七二四&&一TDQRCuIuCuI與VCC/三比較uC與二VCC/三比較穩(wěn)態(tài):TD飽與,Q=零一一零零零一飽與暫穩(wěn)態(tài):TD截止,Q=一一一零截止引起暫穩(wěn)態(tài)地原因:一.通電地隨機(jī)過(guò)程;二.uI從一零使u二<VCC/三,引起Q=一,TD截止。暫穩(wěn)態(tài)穩(wěn)態(tài)自動(dòng)零一零零導(dǎo)通飽與零一零零六二七八四一五三五五五RC++VCC零.零一FuI+uC–二,工作波形uOuIVCC零uC零二VCC/三VCCuO三,主要參數(shù)一.輸出脈沖寬度twtwuC(零+)=零,uC()=VCCuC(tw)=二VCC/三二.恢復(fù)時(shí)間tre很小二=RCESC三.最高工作頻率fmax單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器應(yīng)用舉例一,延時(shí)與定時(shí)一.延時(shí)一uIuO&uOuFuIuOtW二.定時(shí)選通uFuO二,整形uIuO施密特觸發(fā)器(SchmittTrigger)用五五五定時(shí)器構(gòu)成地施密特觸發(fā)器一,普通反相器與施密特反相器地比較AY一普通反相器uAUTHuY?TTL:一.四VOS:施密特反相器AYuAUT+UT–上限閾值電壓下限閾值電壓uY回差電壓:二,電路組成及工作原理+VCCuO一TD八三一六五七二四&&一uI工作原理uItUOHuOtUOLOO零一一零一零UCO外加UCO時(shí),可改變閾值與回差電壓+VDDuO二uI上升時(shí)與二VCC/三比uI下降時(shí)與VCC/三比三,滯回特及主要參數(shù)一.滯回特UT–OuIuOUOHUOLUT+uI增大時(shí)與上限閾值比特點(diǎn):uI減小時(shí)與下限閾值比上限閾值電壓二.主要靜態(tài)參數(shù)回差電壓下限閾值電壓回差電壓UT=UT+–UT–集成施密特觸發(fā)器一,OS集成施密特觸發(fā)器一.引出端功能圖CC四零一零六一A一Y二A二Y三A三Y六A六Y五A五Y四A四YVDDVSS一二三四五六七一四一三一二一一一零九八CC四零九三三A三B三Y四Y四A四BVDDVSS一二三四五六七一四一三一二一一一零九八一A一Y一B二A二Y二B二.主要靜態(tài)參數(shù)CC四零一零六,CC四零九三地主要靜態(tài)參數(shù)電參數(shù)名稱符號(hào)測(cè)試條件參數(shù)單位VDD最小值最大值上限閾值電壓UT+五一零一五二.二四.六六.八三.六七.一一零.八V下限閾值電壓UT–五一零一五零.九二.五四二.八五.二七.四V滯回電壓UT五一零一五零.三一.二一.六一.六三.四五V二,TTL集成施密特觸發(fā)器(七四一四,七四一三二,七四一三)施密特觸發(fā)器地應(yīng)用舉例一,接口與整形一.接口MOS或OS

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