2024晶體硅光伏組件

CrystallinesiliconphotovoltaicGB/T191GB22971989GB15763.320093GB/T341602017IECTS60904-13Photovoltaicdevices-Part13:ElectroluminescenceofphotovoltaicIEC61215-1:2021Terrestrialphotovoltaic(PV)modules-Designqualificationandtypeapproval-Part1:TestrequirementsIEC61215-2:2021Terrestrialphotovoltaic(PV)modules-Designqualificationandtypeapproval-Part2:TestproceduresIEC61730-1:2016Photovoltaic(PV)modulessafetyqualification-Part1:RequirementsforconstructionIEC61730-2:2016Photovoltaic(PV)modulessafetyqualification-Part2:Requirementsfor-GB22971989GB15763.3200912長(zhǎng)度或?qū)挾菼EC61215-1:20218STCIEC61215-2:20214.6.3濕漏電流應(yīng)符合IEC61215- 絕緣性能應(yīng)符合IEC61215- IEC61215-2:20214.4IEC61215-2:20214.7IEC61215-2:20214.8.52%熱斑耐久性應(yīng)符合IEC61215- 紫外預(yù)處理（UV）IEC61215-2:20214.10.53%熱循環(huán)（TC）IEC61215-2:20214.11.5TC3%（單玻組TC200TC300）。濕-凍（HF）IEC61215-2:20214.12.5HF3UVTC50HF序列功率衰減≤5%（HF10HF20）。濕-熱（DH）性能應(yīng)符合IEC61215-2:2021 4.13.4規(guī)定，DH前后功率衰減≤5%(單玻組件DH1000h，雙玻組件DH1500h)。IEC61215-2:20214.14.2.4IEC61215-2:20214.14.3靜態(tài)機(jī)械載荷（ML）應(yīng)符合IEC61215-2:2021 序列功率衰減≤5%(單玻組件DH1000h，雙玻組件DH1500h)。IEC61215-2:20214.17.53IEC61215-2:20214.18.1.6 反向過(guò)電流試驗(yàn)應(yīng)符合IEC61730- 動(dòng)態(tài)機(jī)械載荷（DML）IEC61215-2:20214.20.43%

EC61215-

4.21.68585RH，192pGB/T34160-2017nIEC61215-2:20214.11IEC61215-2:20214.101500IEC61215-2:20214.20BPPNSTCIEC61215-2:20214.6.3IEC61215-2:20214.15.4IEC61215-2:20214.3.5IEC61215-2:20214.4IEC61215-2:20214.7 4.8測(cè)試 4.9測(cè)試 4.10測(cè)試 4.12測(cè)試 4.13測(cè)試 4.14.2測(cè)試 4.14.3測(cè)試 4.16測(cè)試 4.17測(cè)試 4.18.1測(cè)試 4.18.2測(cè)試 10.20規(guī)定 10.21測(cè)試 4.20測(cè)試 4 附錄ASTC條件下的性能與銘牌標(biāo)STC條件下的性能，從而計(jì)算被測(cè)樣品的衰減率。試驗(yàn)過(guò)程包4個(gè)部分。5.0kWh/m25.5kWh/m2。初始測(cè)試包括外觀檢查、STCIEC61215-2:20214.1、4.6.3、4.3、4.15的規(guī)定檢測(cè)。61215-2:20214.1、4.6.3、4.3、4.15EL試驗(yàn)，最終測(cè)試EL試驗(yàn)。STC條件下的性能測(cè)試計(jì)算得到，計(jì)算公式如下：4個(gè)部分。5.0kWh/m25.5kWh/m2。初始測(cè)試包括外觀檢查、STCIEC61215-2:20214.1、IEC61215-2:20214.3、4.15最終測(cè)試包括外觀檢查、STCIEC61215-2:20214.1、4.6.3的規(guī)STC條件下的性能測(cè)試計(jì)算得到，計(jì)算公式如下：B1