高級(jí)半導(dǎo)體分立器件和集成電路裝調(diào)工技能鑒定考試題及答案VIP

高級(jí)半導(dǎo)體分立器件和集成電路裝調(diào)工技能鑒定考試題及答案單選題1.固相中形成超微粉體的好處（）。A、成本低B、工藝簡(jiǎn)單C、散熱好D、耐磨性最強(qiáng)參考答案：A2.關(guān)于氫能的特點(diǎn)錯(cuò)誤的是（）。A、氫能是取之不竭，用之不盡的。B、氫在燃燒時(shí)不產(chǎn)生污染物，是理想的綠色能源。C、碳納米管在氫能的儲(chǔ)運(yùn)應(yīng)用方面已經(jīng)成熟。D、氫氣釋放能量快，反應(yīng)速率常數(shù)高。參考答案：C3.微波鐵氧體的應(yīng)用領(lǐng)域包括（）等。A、開(kāi)關(guān)元件B、邏輯元件C、錄音機(jī)磁芯D、環(huán)形器參考答案：D4.在高頻電路中，一般不允許選用（）電阻A、金屬電阻B、金屬氧電阻C、鋼膜電阻D、線電阻參考答案：D5.晶體管的三個(gè)工作區(qū)是（）。A、截止區(qū)B、區(qū)域不定C、放射區(qū)D、放區(qū)參考答案：D6.評(píng)價(jià)一個(gè)設(shè)計(jì)好壞的重要質(zhì)量指標(biāo)有（）。A、穩(wěn)定性B、功能C、成本D、功耗參考答案：A7.氧化物陶瓷由那幾個(gè)部分組成（）。A、陶瓷材料B、氧化鋁C、氧化鐵D、碳化硅參考答案：B8.作為陶瓷基板材料，與氧化鋁和氮化鋁相比，氧化鈹?shù)膬?yōu)勢(shì)有（）。A、高密度B、高介電損耗C、高熱導(dǎo)系數(shù)D、高介電強(qiáng)度參考答案：C9.發(fā)光二極管發(fā)光時(shí)，其工作在（）。A、反向截止區(qū)B、正向?qū)▍^(qū)或反向擊穿區(qū)C、正向?qū)▍^(qū)D、反向擊穿區(qū)參考答案：C10.下面有關(guān)MOS晶體管閾值電壓的說(shuō)法不正確的是：（）。A、閾值電壓通常對(duì)于NMOS器件是一個(gè)正值，對(duì)于PMOS器件是一個(gè)負(fù)值。B、隨著柵電壓的不斷提高，耗盡區(qū)寬度將逐漸增大。C、當(dāng)源與體之間存在襯底偏置電壓VSB時(shí)，將會(huì)使n溝MOS管的閾值電壓增大。D、不同體偏置下條件下的閾值電壓可以由下式確定：參考答案：B11.發(fā)光二極管正常工作時(shí)，外加（）電壓。A、弱向B、擊穿C、交流D、正向參考答案：C12.二極管的反向飽和峰值電流隨環(huán)境溫度的升高而（）。A、增大B、減小C、不變D、為0參考答案：A13.以下（）是世界知名的電功能陶瓷的生產(chǎn)企業(yè)。A、TOTOB、FERROC、TDKD、京瓷參考答案：B14.當(dāng)一個(gè)熔斷器保護(hù)一只燈時(shí),熔斷器應(yīng)串聯(lián)在開(kāi)關(guān)（）。A、前B、后C、中D、無(wú)參考答案：B15.設(shè)計(jì)一種空調(diào)控制器電路板，需要多個(gè)0.25W，誤差±5%的電阻，應(yīng)該選用以下的（）。A、金屬膜電阻B、金屬氧化膜電阻C、碳膜電阻D、線線電阻參考答案：C16.煤、石油以及風(fēng)能、太陽(yáng)能、核能、地?zé)崮艿仁强梢灾苯訌淖匀唤绔@得的，統(tǒng)稱為（）。A、二次能源B、一次能源C、可再生能源D、不可再生能源參考答案：B17.兩個(gè)β相同的晶體管組成復(fù)合管后，其電流放大系數(shù)約為（）。A、β1B、β2C、βD、1+β參考答案：B18.關(guān)于一對(duì)串聯(lián)反相器中的寄生電容，電容的大小隨著工藝尺寸的縮小而增加的是（）。A、擴(kuò)散電容CDB1和CDB2B、柵漏電容CGD12C、扇出的柵電容CG3和CG4D、連線電容CW參考答案：D19.以下（）的粉體適合于新型陶瓷的生產(chǎn)。A、板狀B、球形C、不規(guī)則形狀D、柱狀參考答案：B20.萬(wàn)用表電壓量程2.5V是當(dāng)指針指在（）位置時(shí)電壓值為2.5V。A、1/2量程B、滿量程C、2/3量程D、3/3量程參考答案：B21.下面關(guān)于傳播延時(shí)的定義錯(cuò)誤的是（）。A、傳播延時(shí)只與電路工藝和拓?fù)溥B接有關(guān)。B、通常所說(shuō)的傳播延時(shí)是針對(duì)門的。C、傳播延時(shí)tp是tpLH（門的輸出由低至高翻轉(zhuǎn)的響應(yīng)時(shí)間）和tpHL（輸出由高至低翻轉(zhuǎn)的響應(yīng)時(shí)間）這兩個(gè)時(shí)間的平均值。D、輸入和輸出波形的50%翻轉(zhuǎn)點(diǎn)之間的時(shí)間。參考答案：A22.某場(chǎng)效應(yīng)管的漏極特性曲線則該場(chǎng)效應(yīng)管為（）。A、P溝道耗盡型MOS管B、N溝道耗盡型MOS管C、P溝道增強(qiáng)型MOS管D、N溝道耗盡型MOS管參考答案：B23.用直流電壓表測(cè)得放大電路中某晶體管電極1、2、3的電位各為V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，則（）。A、1為e3為b2為CB、1為e2為b3為CC、2為e1為b3為CD、3為e1為b2為C參考答案：A24.在使用電容器時(shí)，加在其兩端的電壓應(yīng)滿足（）額定電壓。A、大于B、遠(yuǎn)高于C、小于D、無(wú)限制參考答案：C25.下面有關(guān)導(dǎo)線接觸電阻的說(shuō)法正確的是：（）。A、為了降低接觸電阻，接觸孔應(yīng)該設(shè)計(jì)得盡可能大。B、電流往往集中在一個(gè)較大接觸孔的周邊，這一效應(yīng)稱為電流集聚，電流集聚效應(yīng)將限制接觸孔的最小尺寸。C、布線層內(nèi)的互連將給導(dǎo)線帶來(lái)額外的電阻，稱為接觸電阻。D、為避免過(guò)多的接觸或通孔，應(yīng)該盡可能地使信號(hào)線保持在同一層。參考答案：D26.當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將增大，這是因?yàn)榇藭r(shí)PN結(jié)內(nèi)部的（）。A、少數(shù)載流子濃度減小B、少數(shù)載流子濃度增大C、多數(shù)載流子濃度增大D、多數(shù)載流子濃度減小參考答案：B27.某晶體管的發(fā)射極電流等于1mA，基極電流等于20μA，則它的集電極電流等于（）。A、0.8mAB、0.98mAC、1.2mAD、1.02mA參考答案：B28.為了使三極管可靠地截止，電路必須滿足（）。A、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏B、發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都反偏C、發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏D、發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏參考答案：B29.鐵氧體的主要成分包括（）。A、氧化鐵B、金屬鐵C、鐵的復(fù)合氧化物D、金屬鐵和鐵的復(fù)合氧化物參考答案：C30.非鐵電電容器的介電常數(shù)隨著溫度的變化呈現(xiàn)（）的趨勢(shì)。A、非線性變化B、不可預(yù)知C、線性變化D、保持不變參考答案：C31.下列關(guān)于降低CMOS反相器的降低電源電壓說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。A、降低電源電壓使反相器對(duì)外部噪聲源更加敏感。B、降低電源電壓意味著減小信號(hào)擺幅和能耗。C、降低電源電壓的同時(shí)會(huì)使門的延時(shí)減小。D、降低電源電壓可以幫助減小系統(tǒng)的內(nèi)部噪聲。參考答案：C32.某色環(huán)電感的色環(huán)排列是“棕黑黑銀”，此電感的實(shí)際電感量和誤差是（）。A、10uH±2%B、10uH±5%C、10uH±10%D、1uH±10%參考答案：C33.下列新能源中屬于二次能源的是（）。A、熱能B、核能C、生物質(zhì)能D、太陽(yáng)能參考答案：C34.下列屬于不屬于新能源（）A、地?zé)崮蹷、風(fēng)能C、水能D、生物質(zhì)能參考答案：C35.測(cè)得三極管IB=30μA時(shí)，IC=2.4mA；IB=40μA時(shí)，IC=3mA，則該管的交流電流放大系數(shù)為（）。A、60B、82C、104D、50參考答案：A36.標(biāo)識(shí)為2k7的電阻器，其阻值應(yīng)該是（）。A、2.7ΩB、27ΩC、270ΩD、2700Ω參考答案：D37.某二極管反向擊穿電壓為150V，則其最高反向工作電壓（）。A、略大于150VB、等于75VC、約等于150VD、等于300V參考答案：B38.根據(jù)國(guó)家規(guī)定，凡在墜落高度離基準(zhǔn)面（）以上有可能墜落的高處進(jìn)行的作業(yè)，均稱為高處作業(yè)。A、2mB、3mC、4mD、6m參考答案：A39.以下屬于結(jié)構(gòu)陶瓷的是（）。A、氧化物陶瓷B、氮化鋁陶瓷C、氧化鋁陶瓷D、氧化硅陶瓷參考答案：B40.燒結(jié)過(guò)程的驅(qū)動(dòng)力是（）。A、表面能不變B、表面能下降C、表面能增加D、以上都不是參考答案：B41.晶體管是一個(gè)具有（）（當(dāng)|VGS||VT|時(shí)）的開(kāi)關(guān)。A、有限關(guān)斷電阻、無(wú)限導(dǎo)通電阻B、無(wú)限關(guān)斷電阻、無(wú)限導(dǎo)通電阻C、有限關(guān)斷電阻、有限導(dǎo)通電阻D、無(wú)限關(guān)斷電阻、有限導(dǎo)通電阻參考答案：D42.對(duì)電壓敏感的陶瓷稱為（）。A、熱敏陶瓷B、壓敏陶瓷C、介電陶瓷D、壓電陶瓷參考答案：A43.普通電阻器被替換的原則是盡量保證（）一致。A、形狀B、功率C、阻值D、阻值和功率參考答案：D44.壓痕法可以測(cè)試結(jié)構(gòu)陶瓷的（）。A、延展性B、強(qiáng)度C、硬度D、彈性參考答案：A45.關(guān)于核能概述錯(cuò)誤的是（）。A、目前核電站使用的都是核聚變技術(shù)。B、核裂變產(chǎn)生的放射性污染可以防護(hù)。C、核聚變的原料可取之于海水，沒(méi)有放射性污染。D、核裂變的污染程度小于燒煤產(chǎn)生的塵埃造成的放射性污染。參考答案：A46.PNP型和NPN型晶體管，其發(fā)射區(qū)和集電區(qū)均為同類型半導(dǎo)體（N型或P型）。所以在實(shí)際使用中發(fā)射極與集電極（）。A、可以調(diào)換使用B、不可以調(diào)換使用C、PNP型可以調(diào)換使用，NPN型則不可以調(diào)換使用D、可以調(diào)試參考答案：B47.集成運(yùn)放電路采用直接耦合方式是因?yàn)椋ǎ?。A、可獲得較高增益B、可使溫漂變小C、在集成工藝中難于制造大電容D、可以增大輸入電阻參考答案：C48.某貼片電容的實(shí)際容量是0.022?F，換成數(shù)字標(biāo)識(shí)是（）。A、221B、223C、222D、224參考答案：B49.集成電路制造中的光刻工藝主要目的是什么？A、去除晶圓表面的污染物B、在晶圓上形成電路圖形C、增加晶圓表面的粗糙度D、制備金屬互聯(lián)層E、提高晶圓的機(jī)械強(qiáng)度參考答案：B50.傳統(tǒng)陶瓷與新型陶瓷的區(qū)別是（）。A、性能不同B、結(jié)構(gòu)不同C、材料不同D、以上說(shuō)法都錯(cuò)參考答案：C51.二極管在正向偏置條件下，勢(shì)壘（），耗盡區(qū)的寬度（）。A、降低；變窄。B、升高；變窄。C、升高；變寬。D、降低；變寬。參考答案：A52.新型陶瓷的粉體要求具有以下（）性質(zhì)。A、韌性B、團(tuán)聚性C、流動(dòng)性D、可燒結(jié)性參考答案：C53.相比較生物活性玻璃，生物活性玻璃陶瓷（）。A、強(qiáng)度更大B、毒性更小C、成本更低D、活性更好參考答案：A54.低壓電容器的放電負(fù)載通常（）。A、燈泡B、線圈C、互感器D、轉(zhuǎn)子參考答案：A55.對(duì)放大電路中的三極管進(jìn)行測(cè)量，各極對(duì)地電壓分別為UB=2.7V，UE=2V，UC=6V，則該管工作在（）。A、飽和區(qū)間B、截止區(qū)C、擊穿區(qū)D、放大區(qū)參考答案：D56.電感器在電路中用字母（）表示。A、LB、gC、RD、H參考答案：A57.對(duì)于可降解生物陶瓷，其降解速度最好（）骨生長(zhǎng)速度。A、等于B、約于C、大于D、無(wú)所謂參考答案：A58.對(duì)于陶瓷而言，以下（）溫度點(diǎn)的溫度最低。A、熔點(diǎn)B、液相線溫度C、燒結(jié)溫度D、沸點(diǎn)參考答案：C59.穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在（）狀態(tài)。A、正向?qū)˙、反向截止C、飽和D、飽和參考答案：D60.預(yù)防宿舍火災(zāi)，應(yīng)注意以下哪幾條（）。A、不在宿舍使用“熱得快”等違章電器B、不在宿舍使用酒精爐C、不躺臥吸煙和亂扔煙頭，最好不在宿舍抽煙D、離開(kāi)宿舍時(shí)拔下電源插頭參考答案：C61.放大電路的三種組態(tài)（）。A、都有功率放大作用B、都有電壓放大作用C、都有電流放大作用D、只有共射極電路有功率放大作用參考答案：A62.用萬(wàn)用表測(cè)量1.9k的電阻，檔位應(yīng)該選擇（）。A、2kB、15kC、5kD、1k參考答案：A63.人體消化道不包括：（）。A、口腔B、咽C、氣管D、食管參考答案：C64.在Si-Na2O-V2O5系濕敏電阻中，Si的作用是（）。A、吸附水分B、燒結(jié)助劑C、提高壽命D、產(chǎn)生半導(dǎo)體效應(yīng)參考答案：D65.以下（）可以作為永久磁體材料。A、尖晶石型B、磁鉛石型C、石榴石型D、鈣鈦礦型參考答案：B66.具有商業(yè)價(jià)值的生物陶瓷應(yīng)具有（）特點(diǎn)。A、價(jià)格低B、無(wú)毒性C、優(yōu)異的生物學(xué)性能D、能被生命體吸收參考答案：C67.陶瓷的抗壓強(qiáng)度（）抗拉強(qiáng)度。A、小于B、大于C、等于D、不確定參考答案：B68.單極型半導(dǎo)體器件是（）。A、二極管；B、雙極型三極管；C、場(chǎng)效應(yīng)管；D、半導(dǎo)體二極管參考答案：C69.二極管主要是利用其（）特性，可以在電路中充當(dāng)電子開(kāi)關(guān)。A、反向擊穿特性B、單向?qū)щ娦訡、恒流特性D、非線性參考答案：B70.在選擇人工齒材料時(shí)，應(yīng)注意其（）等方面的性能指標(biāo)。A、強(qiáng)度B、色澤C、粘度度D、韌性參考答案：A71.互補(bǔ)輸出級(jí)采用射極輸出方式是為了使（）。A、電壓放大倍數(shù)高B、輸出電流小C、輸出電阻增大D、帶負(fù)載能力強(qiáng)參考答案：D72.某電阻的阻值是3300歐姆，誤差范圍是±1%，使用五色環(huán)標(biāo)識(shí)時(shí)應(yīng)是（）。A、橙黑黑黑棕B、橙黑黑黑棕C、紅紅黑黑金D、橙橙黑黑金參考答案：B73.關(guān)于生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)單位對(duì)從業(yè)人員進(jìn)行安全生產(chǎn)教育和培訓(xùn)的說(shuō)法，正確的是（）。A、對(duì)所有從業(yè)人員都應(yīng)當(dāng)進(jìn)行安全生產(chǎn)教育和培訓(xùn)B、對(duì)有過(guò)相似工作經(jīng)驗(yàn)的從業(yè)人員可以不進(jìn)行安全生產(chǎn)教育和培訓(xùn)C、從業(yè)人員培訓(xùn)不合格的應(yīng)予以辭退D、可以根據(jù)情況決定是否建立安全生產(chǎn)教育和培訓(xùn)檔案參考答案：A74.鐵電體在居里溫度以上的相屬于（）。A、順電相B、逆電相C、無(wú)電相D、鐵電相參考答案：A75.常用的焊料的主要成分是（）。A、金B(yǎng)、鎳C、錫D、鋰參考答案：C76.從制造角度考慮,低壓電器是指在交流50HZ、額定電壓（）V或直流額定電壓1500V及以下電氣設(shè)備。A、400B、800C、1000D、600參考答案：C77.功耗越大，則門越快。對(duì)于給定的工藝和門的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，（）和（）的乘積一般為一常數(shù)，這一乘積稱為PDP。A、功率；速度。B、能量；延時(shí)。C、面積；速度。D、功耗；延時(shí)。參考答案：D78.直流負(fù)反饋是指（）。A、存在于RC耦合電路中的負(fù)反饋B、放大直流信號(hào)時(shí)才有的負(fù)反饋C、直流通路中的負(fù)反饋D、只存在于直接耦合電路中的負(fù)反饋參考答案：C79.以下哪個(gè)不是降低開(kāi)關(guān)活動(dòng)性的設(shè)計(jì)技術(shù)：（）。A、分時(shí)復(fù)用資源B、提前輸入具有較高翻轉(zhuǎn)率的信號(hào)C、改變邏輯電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)D、通過(guò)均衡信號(hào)路徑來(lái)減少毛刺參考答案：B80.關(guān)于煤炭液化表述錯(cuò)誤的是（）。A、是將固體狀態(tài)的煤炭經(jīng)過(guò)化學(xué)加工轉(zhuǎn)化為液體產(chǎn)品。B、可以將硫等有害元素及灰分脫除，得到潔凈的二次能源。C、能夠優(yōu)化能源結(jié)構(gòu)、解決石油短缺、減少環(huán)境污染。D、可以得到更多的能量。參考答案：D81.穩(wěn)壓管DZ正向壓降視為零，它的穩(wěn)定電壓為7V，則回路中的電流等于（）。A、0B、10mAC、25mAD、5.75mA參考答案：A82.直流電壓表測(cè)得放大電路中某三極管各管腳電位分別是2V、6V、2.7V，則三個(gè)電極分別是（）。A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、A、B、C均可參考答案：C83.Na-β-A12O3可以用于制作成鈉硫電池的（）。A、導(dǎo)線B、電芯C、包裹材料D、隔膜材料參考答案：D84.標(biāo)識(shí)為473的貼片電容，其容值應(yīng)該是（）。A、47?102pFB、47?103pFC、47.3pFD、473pF參考答案：B85.以下不符合助焊劑要求的是（）。A、熔點(diǎn)應(yīng)低于焊料B、不產(chǎn)生害氣體C、表面張力小D、具有強(qiáng)腐蝕性參考答案：D86.陶瓷的有（）的性能特點(diǎn)。A、熔點(diǎn)高B、硬度大C、耐磨損D、價(jià)格昂貴參考答案：A87.作為過(guò)壓保護(hù)的壓敏電阻，在性能上要求其（）。A、耐磨性強(qiáng)B、非線性系數(shù)高C、反應(yīng)速度快D、漏電流低參考答案：D88.用CMOS管組合的兩輸入NAND門，若其中NMOS管的等效電阻為RN，PMOS管的等效電阻為RP，電容負(fù)載為CL，則當(dāng)兩輸入都為高電平時(shí)其下拉傳播延時(shí)可以近似為（）。A、0.69RNCLB、1.38RNCLC、0.69RPCLD、0.345RNCL參考答案：B89.溶膠-凝膠法可以制備（）等形態(tài)的產(chǎn)品。A、薄膜B、塊體C、厚膜D、粉體參考答案：C90.一個(gè)穩(wěn)定電壓UZ=3V的穩(wěn)壓管，隨溫度的升高，穩(wěn)定電壓UZ將（）。A、升高B、不變C、降低D、為零參考答案：C91.下列關(guān)于靜態(tài)CMOS的特性，錯(cuò)誤的是（）。A、邏輯電平與器件的相對(duì)尺寸無(wú)關(guān)。B、CMOS反相器具有高輸出阻抗，這使它對(duì)噪聲和干擾不敏感。C、輸出電壓擺幅等于電源電壓。D、由于反相器的輸入節(jié)點(diǎn)只連到晶體管的柵上，所以穩(wěn)態(tài)輸入電流幾乎為零。參考答案：B92.下面關(guān)于優(yōu)化功耗規(guī)則的說(shuō)法錯(cuò)誤的是：（）。A、短路電流功耗可以通過(guò)使輸入和輸出信號(hào)的上升/下降時(shí)間匹配來(lái)達(dá)到最小。B、對(duì)于一個(gè)給定的反相器尺寸，當(dāng)負(fù)載電容太小時(shí)，功耗主要來(lái)自短路電流。C、對(duì)于非常大的負(fù)載電容值，所有的功耗都用來(lái)充電和放電負(fù)載電容。D、使一個(gè)門的輸入和輸出上升時(shí)間相等可以得到最優(yōu)的結(jié)果。參考答案：D93.電壓繼電器使用時(shí)其吸引線圈直接或通過(guò)電壓互感器（）在被控電路中。A、并聯(lián)B、串聯(lián)C、串聯(lián)或并聯(lián)D、燈泡不亮參考答案：A94.漏電保護(hù)斷路器在設(shè)備正常工作時(shí),電路電流的相量和（）,開(kāi)關(guān)保持閉合狀態(tài)。A、為正B、為負(fù)C、為零D、電流過(guò)大參考答案：C95.PN結(jié)加正向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)將（）。A、變窄B、基本不變C、變寬D、條件不全，無(wú)法判斷參考答案：A96.極化的形式有（）。A、離子位移極化B、偶極子趨向極化C、空間電荷極化D、電子位移極化參考答案：D97.以下（）的粉體適合于新型陶瓷的生產(chǎn)。A、球形B、原型C、方形D、Y型參考答案：A98.生物活性陶瓷是指（）。A、能誘導(dǎo)骨骼生長(zhǎng)B、生物相容性好C、本身具有生命D、以生命體作為原料的陶瓷參考答案：B99.BaTiO3陶瓷半導(dǎo)體化的方法有（）。A、在缺氧氣氛下燒結(jié)B、進(jìn)行施主離子摻雜C、在富氧氣氛下燒結(jié)D、進(jìn)行受主離子摻雜參考答案：B100.晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)放大的外部條件是（）。A、放射結(jié)正偏，集電極正偏B、放射結(jié)正偏，集電極反偏C、放射結(jié)反偏，集電極正偏D、放射結(jié)反偏，集電極反偏參考答案：B101.職業(yè)道德建設(shè)的核心是（）A、服務(wù)群眾B、愛(ài)崗敬業(yè)C、辦事公道D、奉獻(xiàn)社會(huì)參考答案：A102.地震時(shí)經(jīng)常會(huì)遇到燃?xì)庑孤兜那闆r，請(qǐng)問(wèn)這種情況下正確的處理方法是（）。A、用濕毛巾捂住口、鼻，不使用明火，震后設(shè)法轉(zhuǎn)移B、原地等待救援C、用濕毛巾捂住口、鼻，使用蠟燭照明D、為了保持呼吸暢通，不捂口鼻參考答案：A103.RC橋式正弦波振蕩電路由兩部分電路組成,即RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)和（）。A、基本共射放大電路B、基本共集放大電路C、反相比例運(yùn)算電路D、同相比例運(yùn)算電路參考答案：D104.磷酸三鈣作為生物可降解陶瓷的主要缺點(diǎn)是（）。A、有毒副作用B、力學(xué)性能不好C、制備成本高D、降解能力不可調(diào)參考答案：D105.氯氣泄漏時(shí)，搶修人員必須穿戴防毒面具和防護(hù)服，進(jìn)入現(xiàn)場(chǎng)首先要（）。A、加強(qiáng)通風(fēng)B、切斷氣源C、切斷電源D、尋找人員參考答案：B106.用萬(wàn)用表測(cè)量5.1k的電阻，檔位應(yīng)該選擇（）。A、12kB、10kC、1kD、20k參考答案：B107.直接耦合放大電路存在零點(diǎn)漂移的原因主要是（）。A、電阻阻值有誤差B、晶體管參數(shù)的分散性C、晶體管參數(shù)受溫度影響D、受輸入信號(hào)變化的影響參考答案：C108.復(fù)合管，已知V1的1=30，V2的2=50，則復(fù)合后的約為（）。A、1500B、80C、50D、30參考答案：A109.集成電路的導(dǎo)線會(huì)引起電容、電阻和電感等寄生參數(shù)效應(yīng)，它們對(duì)電路的特性都會(huì)有多方面的影響，包括：（）。A、影響電路的可靠性。B、引起額外的噪聲來(lái)源。C、使傳播延時(shí)增加。D、影響能耗和功率的分布。參考答案：A110.在某放大電路中，測(cè)的三極管三個(gè)電極的靜態(tài)電位分別為0V，-10V，-9.3V，則這只三極管是（）。A、NPN型硅管B、NPN型鍺管C、PNP型硅管D、PNP型鍺管參考答案：A111.屬于配電電器的有（）。A、接觸器B、熔斷器C、電阻器D、定子和轉(zhuǎn)子參考答案：B112.以下（）類型的敏感陶瓷屬于對(duì)物理性質(zhì)敏感。A、光敏B、熱敏C、濕敏D、氣敏參考答案：A113.現(xiàn)需要一種能通過(guò)較大大流的電阻元件，應(yīng)該選用以下的（）。A、碳膜電阻B、碳膜電阻C、金屬膜電阻D、線繞電阻參考答案：D114.在現(xiàn)代陶瓷材料燒結(jié)過(guò)程中如何促進(jìn)燒結(jié)過(guò)程（）。A、原始粉末性質(zhì)B、外加劑C、成型壓力D、燒結(jié)工藝參考答案：A115.設(shè)某晶體管三個(gè)極的電位分別為UE=13V，UB=12.3V，UC=6.5V，則該管是為（）。A、PNP型鍺管B、NPN型鍺管C、PNP型硅管D、NPN型硅管參考答案：D116.以下可以作為微波器件的是（）。A、軟磁鐵氧體B、矩磁鐵氧體C、旋磁鐵氧體D、硬磁鐵氧體參考答案：C117.鐵殼開(kāi)關(guān)在作控制電機(jī)啟動(dòng)和停止時(shí),要求額定電流要大于或等于（）倍電動(dòng)機(jī)額定電流。A、兩B、一C、三D、四參考答案：A118.以下（）在新型陶瓷的應(yīng)用中所占比例最高。A、硬度B、速度C、電功能D、傳播參考答案：C119.現(xiàn)需要一種大容量且精度要求不高的電容器，應(yīng)該選用以下的（）。A、電容B、鋁電解電容C、滌綸電容D、云母電容參考答案：B120.陶瓷有（）的性能特點(diǎn)。A、硬度大B、彈性好C、韌性大D、熔點(diǎn)高參考答案：D121.更換熔體時(shí),原則上新熔體與舊熔體的規(guī)格要（）。A、不同B、相同C、更新D、電阻參考答案：B122.穩(wěn)壓二極管主要是利用其（）特性，可以在電路中穩(wěn)壓。A、恒流特性B、導(dǎo)電性C、反向擊穿特性D、非一線性參考答案：C123.惰性生物陶瓷作為骨關(guān)節(jié)材料時(shí)，其硬度（）。A、略小于骨骼硬度B、略大于骨骼硬度C、越硬越好D、必須等于骨骼硬度參考答案：B124.如果使增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的源極和柵極短路，則所形成的二端網(wǎng)絡(luò)對(duì)于負(fù)載而言將呈現(xiàn)（）。A、短路特性B、開(kāi)路特性C、恒流特性D、恒壓特性參考答案：B125.某色環(huán)電感的色環(huán)排列是“黃紫金銀”，此電感的實(shí)際電感量和誤差是（）。A、47uH±10%B、47uH±5%C、4.7uH±2%D、47uH±5%參考答案：B126.標(biāo)識(shí)為203的貼片電阻，其阻值應(yīng)該是（）。A、20ΩB、2KΩC、200ΩD、20KΩ參考答案：D127.六方氮化硼可以作為（）的應(yīng)用。A、材質(zhì)硬度B、高溫潤(rùn)滑C、導(dǎo)電D、傳播度參考答案：B128.軟磁鐵氧體主要的應(yīng)用領(lǐng)域是（）。A、電感B、變壓器C、開(kāi)關(guān)D、磁存儲(chǔ)參考答案：A129.某三極管的額定功率是1W，使用時(shí)當(dāng)該三極管的功率達(dá)到2W時(shí)（）。A、立即損壞B、長(zhǎng)期使用會(huì)損壞C、不會(huì)損壞D、長(zhǎng)期使用不會(huì)損壞參考答案：A130.雙極型晶體管工作在放大區(qū)的偏置條件是發(fā)射結(jié)（）。A、不偏B、微偏C、正偏D、反偏參考答案：C131.互補(bǔ)CMOS門中，M1與M2管為相同尺寸與同一工藝條件制造的NMOS晶體管，則M1管的閾值電壓Vth1與M2管的電壓Vth2的關(guān)系是（）。A、Vth1=Vth2B、Vth1C、確定D、Vth1>Vth2參考答案：B132.人員密集場(chǎng)所應(yīng)劃定安全疏散逃生責(zé)任區(qū),確定各責(zé)任區(qū)（）,提高組織引導(dǎo)人員疏散和逃生的能力。A、治安管理員B、疏散引導(dǎo)員C、消防安全員D、消防志愿者參考答案：B133.D2均為硅管（正向壓降0.7V），D為鍺管（正向壓降0.3V），U＝6V，忽略二極管的反向電流，則流過(guò)D1、D2的電流分別為（）。A、2mA，2mAB、0，2mAC、2mA，0D、1mA，0參考答案：B134.根據(jù)三極管放大電路的輸入回路與輸出回路公共端的不同，可將三極管放大電路分為（）三種。A、共基極電路B、共發(fā)射極電路C、共集電極電路D、串聯(lián)電極電路參考答案：A135.在分析大扇入邏輯門時(shí)，內(nèi)部節(jié)點(diǎn)電容變得十分顯著從而不能忽略，四輸入NAND門及其RC模型，所有的NMOS尺寸相同，它們的等效電阻都為RN，所有的PMOS尺寸相同，它們的等效電阻都為RP，則其傳播延時(shí)可以表示為（）。A、tpHL=0.69RN（C1+2C2+3C3+4C）B、tpHL=0.69Rp（C1+C2+C3+C）C、tpHL=0.69RN（C1+C2+C3+C）D、tpHL=0.69RN（C1+2C2+3C3+C）參考答案：A136.生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)、儲(chǔ)存、運(yùn)輸、使用危險(xiǎn)化學(xué)品和處置廢棄危險(xiǎn)化學(xué)品單位的對(duì)本單位危險(xiǎn)化學(xué)品的安全負(fù)責(zé)A、保衛(wèi)部門負(fù)責(zé)人B、安全部門負(fù)責(zé)人C、主要負(fù)責(zé)人D、經(jīng)理參考答案：C137.集成電路生產(chǎn)時(shí)的固定成本與銷售量（）;可變成本是直接用于制造產(chǎn)品的費(fèi)用，與產(chǎn)品的產(chǎn)量成（）。A、無(wú)關(guān)；正比。B、有關(guān)；正比。C、無(wú)關(guān)；反比。D、有關(guān)；反比。參考答案：A138.邁斯納效應(yīng)產(chǎn)生的條件是溫度（）臨界溫度A、低于B、等于C、遠(yuǎn)高于D、高于參考答案：A139.氮化硼陶瓷的優(yōu)點(diǎn)（）。A、熱膨脹系數(shù)小B、抗熱振性高C、高溫電絕緣性D、耐磨性參考答案：C140.電動(dòng)機(jī)在額定工作狀態(tài)下運(yùn)行時(shí),（）的機(jī)械功率叫額定功率。A、允許輸出B、允許輸入C、推動(dòng)電機(jī)D、降低啟動(dòng)電壓參考答案：A141.玻璃陶瓷屬于（）。A、舊款材料B、新型陶瓷材料C、非晶性陶瓷材料D、晶型陶瓷材料參考答案：C142.壓電陶瓷的應(yīng)用包括（）。A、蜂鳴器B、打火機(jī)C、雷達(dá)D、超聲波探頭參考答案：A143.傳統(tǒng)方法燒結(jié)氧化鋁陶瓷的燒結(jié)溫度通常需要達(dá)到（）攝氏度。A、1800B、1600C、1700D、1500參考答案：C144.與國(guó)外相比，我國(guó)生物質(zhì)能技術(shù)存在較大的差距，但不包括（）。A、生物燃料的規(guī)模化生產(chǎn)方面B、秸稈直接燃燒供熱技術(shù)研究和設(shè)備開(kāi)發(fā)方面C、厭氧消化產(chǎn)氣率方面D、生物質(zhì)發(fā)電技術(shù)和裝置方面參考答案：A145.納米技術(shù)是指在（）尺度范圍內(nèi)研究電子、原子、分子和分子內(nèi)在規(guī)律及特征，并用于制造各種特種的一門綜合性科學(xué)技術(shù)。A、0.1--10nmB、0.1--10nmC、1--100nmD、1--100μm參考答案：C146.當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管反向飽和電流將（）。A、增大B、減小C、不變D、等于零參考答案：A147.生物活性玻璃與羥基磷灰石相比，（）。A、生物活性更好B、成本更低C、強(qiáng)度更好D、毒性更小參考答案：B148.相變?cè)鲰g的根本原因是氧化鋯陶瓷中具有（）。A、立方相B、偽立方相C、四方相D、平方向參考答案：C149.搖表的兩個(gè)主要組成部分是手搖（）和磁電式流比計(jì)。A、直流發(fā)電機(jī)B、電流互感器C、交流發(fā)電機(jī)D、三相異步電動(dòng)機(jī)參考答案：A150.當(dāng)使用互補(bǔ)CMOS門實(shí)現(xiàn)一個(gè)具有N個(gè)輸入的邏輯門時(shí)，所需要的晶體管數(shù)目為（）個(gè)。A、2NB、2N+1C、4ND、N參考答案：A151.導(dǎo)電陶瓷的特點(diǎn)包括（）。A、抗氧化B、抗磨損C、抗輻射D、抗腐蝕參考答案：A152.動(dòng)態(tài)設(shè)計(jì)中的信號(hào)完整性問(wèn)題主要有：（）。A、電荷分享B、電荷分享C、電荷泄漏D、時(shí)鐘饋通參考答案：B153.在由NPN型BJT組成的單管共發(fā)射極放大電路中，如靜態(tài)工作點(diǎn)過(guò)高，容易產(chǎn)生（）失真。A、截止失真B、飽和v失真C、雙向失真D、線性失真參考答案：B154.人體所需的營(yíng)養(yǎng)素主要包括：蛋白質(zhì)、脂類、碳水化合物、礦物質(zhì)、維生素和水六大類?，F(xiàn)代營(yíng)養(yǎng)學(xué)把（）列為第七大營(yíng)養(yǎng)素。A、維生素B、蛋白質(zhì)C、膳食纖維D、糖類參考答案：C155.光電二極管正常工作時(shí)，外加（）電壓。A、反向B、正向C、直流D、擊穿參考答案：A156.熱釋電紅外探測(cè)器具有（）的特點(diǎn)。A、體積小B、寬光譜響應(yīng)C、功耗低D、價(jià)格便宜參考答案：C157.以下描述的是微波燒結(jié)的優(yōu)點(diǎn)，正確的是（）。A、整體加熱B、選擇性加熱C、溫度梯度從內(nèi)到外D、快速加熱參考答案：D158.半導(dǎo)體二極管的重要特性之一是（）。A、溫度穩(wěn)定性B、放大作用C、單向?qū)щ娦訢、濾波特性參考答案：B159.由非氧化物組成的陶瓷材料有（）。A、碳化硅B、氮化硼C、氧化硅D、氧化銅參考答案：B160.地面上的絕緣油著火，應(yīng)用進(jìn)行滅火。A、水B、二氧化碳滅火器C、干砂D、風(fēng)參考答案：C161.碘鎢燈屬于（）光源。A、氣體放電B、電弧C、熱輻射D、粉色參考答案：C162.導(dǎo)線接頭的絕緣強(qiáng)度應(yīng)（）原導(dǎo)線的絕緣強(qiáng)度。A、可大可小B、少C、小于大D、等于參考答案：D163.從我國(guó)歷史和國(guó)情出發(fā),社會(huì)主義職業(yè)道德建設(shè)要堅(jiān)持的最根本的原則是（）.A、人道主義B、愛(ài)國(guó)主義C、社會(huì)主義D、集體主義參考答案：D164.潔凈煤技術(shù)，是指從煤炭（）的全過(guò)程，旨在減少污染物排放與提高利用效率的生產(chǎn)、加工、轉(zhuǎn)化、燃燒及污染控制等新技術(shù)體系。A、生產(chǎn)到使用的各個(gè)環(huán)節(jié)B、開(kāi)采到利用的各個(gè)環(huán)節(jié)C、消費(fèi)到回收的各個(gè)環(huán)節(jié)D、生產(chǎn)到消費(fèi)的各個(gè)環(huán)節(jié)參考答案：B165.以下不是助焊劑的作用的是（）。A、使焊點(diǎn)美觀B、除去氧化膜C、防止氧化D、增大表面張力參考答案：D166.在本征半導(dǎo)體中加入（）元素可形成N型半導(dǎo)體。A、四價(jià)B、六價(jià)C、三價(jià)D、五價(jià)參考答案：D167.規(guī)定了電子元器件的額定值，一般包括額定工作電壓、額定工作電流、額定功率消耗及額定工作溫度等。它們的定義是：電子元器件能夠（）工作的電壓、電流、功率消耗及環(huán)境溫度。A、正常B、長(zhǎng)期正常C、短期D、長(zhǎng)期參考答案：B168.某電阻的色環(huán)排列是“綠藍(lán)黑棕棕”，此電阻的實(shí)際阻值和誤差是（）。A、5600KΩ±5%B、5.6KΩ±1%C、5600KΩ±1%D、5.6KΩ±5%參考答案：B169.陶瓷半導(dǎo)體化的方式有（）。A、晶界偏析B、兩端通電C、化學(xué)計(jì)量比偏離D、雜質(zhì)缺陷參考答案：D170.防靜電的接地電阻要求不大于（）Ω。A、10B、40C、100D、定子及轉(zhuǎn)子參考答案：C171.需長(zhǎng)時(shí)間操作大功率的電烙鐵，一般采用（）握持方法較好。A、都可以B、正握法C、反握法D、握筆法參考答案：C172.BaTiO3具有的晶系包括（）。A、四方晶系B、三方晶系C、立方晶系D、六方晶系參考答案：A173.假設(shè)一反相器和兩輸入與非門中的器件PMOS與NMOS的尺寸比為2，最小尺寸的對(duì)稱反相器的輸入電容等于最小尺寸NMOS管柵電容的3倍。若該NAND門的等效電阻等于該反相器的電阻，那么它的邏輯努力（logicaleffort）為（）。A、4/3B、2/3C、5/3D、1參考答案：A174.下面關(guān)于導(dǎo)線模型的說(shuō)法錯(cuò)誤的是：（）。A、若一個(gè)分布模型導(dǎo)線的總電阻為R，總電容為C，則該電路的傳播延時(shí)（電壓從0變化到50%）等于0.38RC。B、若一個(gè)集總模型導(dǎo)線的總電阻為R，總電容為C，則該電路的傳播延時(shí)（電壓從0變化到50%）等于0.69RC。C、對(duì)于短互連線的寄生效應(yīng)來(lái)說(shuō)，使用集總模型不再精確，因此比較合適的方法是用分布rc模型來(lái)代替。D、當(dāng)分析導(dǎo)線的寄生效應(yīng)時(shí)，先把每段導(dǎo)線的總導(dǎo)線電阻集總成一個(gè)電阻R，然后把總的電容合并成一個(gè)電容C，把這樣的簡(jiǎn)單模型稱為集總RC模型。參考答案：C175.固相合成法過(guò)程中，經(jīng)過(guò)高溫反應(yīng)后通常還需進(jìn)行（）的工藝處理。A、反應(yīng)B、溶解C、提純D、球磨參考答案：A176.MOS管溝道電容的平均分布情況取決于工作區(qū)域等因素，其中，MOS管處于截止區(qū)時(shí)，CGC主要來(lái)自（）；MOS處于飽和區(qū)時(shí)，CGC主要來(lái)自（）。A、CGCB;CGCDB、CGCS;CGCBC、GCB;CGCSD、CGCS;CGCD參考答案：C177.短溝道器件的閾值電壓往往會(huì)隨時(shí)間漂移，這是由于熱載流子效應(yīng)，一般這個(gè)效應(yīng)使NMOS器件的閾值電壓（），使PMOS器件的閾值電壓（）。A、升高；升高B、降低；降低C、升高；降低D、降低；升高參考答案：C178.食用油分為植物油和動(dòng)物油兩大類，油的主要成分是（）。A、脂肪B、碳水化合物C、蛋白質(zhì)D、膳食纖維參考答案：A179.某三極管各電極對(duì)地電位的方位有所變動(dòng)，如何判斷該三極管（）。A、處于放大區(qū)域B、處于飽和區(qū)域C、處于截止區(qū)域D、已損壞參考答案：D180.一般濕敏電阻的相應(yīng)時(shí)間是（）量級(jí)的。A、毫秒B、分C、微秒D、秒?yún)⒖即鸢福篋181.敏感陶瓷的通常是由（）制成。A、陶瓷片B、隔膜材料C、電感元器件D、半導(dǎo)體參考答案：D182.用滅火器滅火時(shí)，滅火器的噴射口應(yīng)該對(duì)準(zhǔn)火焰的（）。A、上部B、中部C、根部D、頂部參考答案：C183.關(guān)于CMOS反相器的開(kāi)關(guān)閾值VM，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。A、提高NMOS的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度將使開(kāi)關(guān)閾值趨近于GND。B、開(kāi)關(guān)閾值取決于PMOS和NMOS管相對(duì)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的比。C、一般希望開(kāi)關(guān)閾值處于電壓擺幅的中點(diǎn)。D、增加PMOS或NMOS的寬度使VM分別向GND或VDD移動(dòng)。參考答案：D184.警告標(biāo)志的含義是提醒人們對(duì)周圍環(huán)境引起注意，以避免可能發(fā)生危險(xiǎn)的圖形標(biāo)志。通常的外型是（）。A、帶斜杠的圓形框B、圓形邊框C、正三角形邊框D、五角型參考答案：C185.某電阻的色環(huán)排列是“灰紅黑紅棕”，此電阻的實(shí)際阻值和誤差是（）。A、82KΩ±1%B、92KΩ±1%C、822KΩ±5%D、92KΩ±1%參考答案：A186.氧化鋅壓敏電阻的壓敏特性主要來(lái)源于其結(jié)構(gòu)中的（）。A、主晶相B、晶界C、氣孔D、第二相參考答案：B187.晶體管共發(fā)射極輸出特性常用一族曲線表示，其中每一條曲線對(duì)應(yīng)一個(gè)特定的（）。A、iEB、iCC、iBD、uCE參考答案：C188.假設(shè)CMOS反相器的等效負(fù)載電容CL對(duì)于由高至低以及由低至高的翻轉(zhuǎn)是完全一樣的，Reqp和Reqn分別是PMOS管和NMOS管在所關(guān)注時(shí)間內(nèi)的等效導(dǎo)通電阻，則反相器的傳播延時(shí)定義為（）。A、tp=0.69ReqnCitpB、tp=0.69ReqpCitpC、tp=0.69（Reqn+Reqp）Ci/2tpD、tp=0.69（Reqn+Reqp）CL參考答案：C189.二場(chǎng)效應(yīng)管起放大作用時(shí)應(yīng)工作在漏極特性的（）。A、飽和區(qū)B、非飽和區(qū)C、禁止區(qū)D、穿破區(qū)參考答案：A190.當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將（）。A、變小B、減少C、條件不全,無(wú)法判斷D、增大參考答案：D191.作為新型陶瓷的粉體，要求其（）。A、團(tuán)聚少B、化學(xué)組成精確C、純度高D、組成分布均勻參考答案：A192.差動(dòng)放大電路的主要特點(diǎn)是（）。A、有效放大差模信號(hào)，有力抑制共模信號(hào)；B、既放大差模信號(hào)，又放大共模信號(hào)C、有效放大共模信號(hào)，有力抑制差模信號(hào)；D、既抑制差模信號(hào)，又抑制共模信號(hào)參考答案：A193.電阻器在電路中用字母（）表示。A、RB、UC、LD、HE參考答案：A194.某三極管的額定功率是1W，使用時(shí)當(dāng)該三極管的功率達(dá)到1.1W時(shí)（）。A、不會(huì)損壞B、不會(huì)損壞C、長(zhǎng)期使用不會(huì)損壞D、長(zhǎng)期使用會(huì)損壞參考答案：D195.當(dāng)晶體三極管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都反偏時(shí)，則晶體三極管的集電極電流將（）。A、減少B、增變C、幾乎為零D、反向參考答案：C196.假設(shè)VCC>>VBE,LCEO≈0，則在靜態(tài)時(shí)該三極管處于（）。A、放大區(qū)B、飽和區(qū)C、截止區(qū)D、區(qū)域不定參考答案：B197.在設(shè)計(jì)大扇入電路時(shí)，可以采取多種技術(shù)來(lái)降低其電路延時(shí)，以下不是降低延時(shí)的方法是（）。A、調(diào)整晶體管尺寸B、將關(guān)鍵路徑上的晶體管調(diào)整至靠近門的輸入端C、逐級(jí)加大晶體管尺寸D、變換邏輯來(lái)減少單個(gè)門的輸入信號(hào)個(gè)數(shù)參考答案：B198.Bi-Sr-Ca-Cu-O超導(dǎo)陶瓷的臨界溫度（）。A、39KB、73.5KC、100KD、200K參考答案：C199.以下具有較低韌性的氧化鋯陶瓷是（）。A、TZPB、ZTAC、FSZD、PSZ參考答案：C200.氮化硅陶瓷具有（）等性能特點(diǎn)。A、自膨脹B、自增強(qiáng)C、自增韌D、自潤(rùn)滑參考答案：C201.標(biāo)識(shí)為2n2的電容器，其容值應(yīng)該是（）。A、0.22nFB、22nFC、2.2nFD、2.2pF參考答案：C202.絕緣材料的耐熱等級(jí)為E級(jí)時(shí),其極限工作溫度為（）℃。A、90B、100C、120D、3參考答案：C203.為了使兩輸入NAND門的下拉延時(shí)tphl與最小尺寸的反相器相同，在PDN串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)中的NMOS器件必須設(shè)計(jì)為反相器中的NMOS寬度的（），以使NAND下拉網(wǎng)絡(luò)的等效電阻與反相器的相同。A、二分之一B、一倍C、四倍D、兩倍參考答案：D204.壓敏電阻主要的性能參數(shù)有（）。A、壓敏電壓B、殘壓比C、非線性系數(shù)D、漏電流參考答案：A205.非自動(dòng)切換電器是依靠（）直接操作來(lái)進(jìn)行工作的。A、外力（如手控）B、電動(dòng)C、感應(yīng)D、用其它設(shè)備帶動(dòng)參考答案：A206.無(wú)鉛焊接用的焊料基體是（）A、鉛B、錫C、氧化銀D、金參考答案：A207.負(fù)反饋所能抑制的干擾和噪聲是（）。A、輸入信號(hào)所包含的干擾和噪聲B、反饋環(huán)內(nèi)的干擾和噪聲C、反饋環(huán)外的干擾和噪聲D、輸出信號(hào)中的干擾和噪聲參考答案：B208.新型陶瓷材料的主要缺點(diǎn)是（）。A、價(jià)格高B、熔點(diǎn)高C、脆性大D、硬度高參考答案：C209.生物活性玻璃與羥基磷灰石相比，（）。A、成本高B、硬度不行C、傳播更快D、成本更低參考答案：D210.電容器在電路中用字母（）表示。A、DB、CC、LCD、B參考答案：B211.若一導(dǎo)線寬為W，高為H，則對(duì)于較大的W/H，邊緣場(chǎng)電容模型中的總電容可以近似為（），而當(dāng)W/H小于1.5時(shí)，總電容中占主要部分的是（）。A、平板電容；邊緣電容B、平板電容；接地電容C、接地電容；邊緣電容D、邊緣電容；平板電容參考答案：A212.電阻元件的功率越大，則體積就（）。A、越大B、關(guān)系不能確定C、無(wú)關(guān)D、越小參考答案：A213.當(dāng)設(shè)計(jì)一個(gè)高性能處理器時(shí)，我們需要考慮的數(shù)字電路的最基本的指標(biāo)是（）。A、能量B、電路面積C、開(kāi)關(guān)速度D、功耗參考答案：C214.以下（）屬于電介質(zhì)陶瓷。A、熱釋電體B、壓電體C、介電體D、鐵電體參考答案：D215.壓電效應(yīng)是（）與（）之間的相互轉(zhuǎn)化。A、電能、光能B、熱能、機(jī)械能C、電能、機(jī)械能D、熱能、電能參考答案：B216.腐蝕性液體濺到皮膚上，應(yīng)該立即（）。A、用干布抹去B、用大量清水沖洗C、用繃帶包扎患處D、請(qǐng)醫(yī)生治療參考答案：B217.在放大電路中的晶體管，其電位最高的一個(gè)電極是（）。A、PNP管的集電極B、NPN管的發(fā)射極C、PNP管的發(fā)射極D、PNP管的發(fā)射極參考答案：B218.碳材料作為惰性生物材料的優(yōu)點(diǎn)有（）。A、密度低B、韌性高C、硬度低D、模量低參考答案：A219.集成運(yùn)放的互補(bǔ)輸出級(jí)采用（）。A、共基接法B、共集接法C、共射接法D、差分接法參考答案：B220.對(duì)放大電路進(jìn)行調(diào)試，靜態(tài)主要測(cè)試（）參數(shù)。A、放大倍數(shù)B、靜態(tài)工作點(diǎn)C、輸入電阻D、輸出電阻參考答案：B221.生物陶瓷用于以下哪些領(lǐng)域（）。A、醫(yī)療器械B、導(dǎo)電器C、金屬探測(cè)器D、人工骨骼參考答案：A222.某電阻的阻值是20歐姆，誤差范圍是±5%，使用四色環(huán)標(biāo)識(shí)時(shí)應(yīng)是（）。A、棕紅黑金B(yǎng)、紅黑黑金C、紅黑黑棕D、棕紅紅棕參考答案：B223.穩(wěn)壓管反向擊穿后，其后果為（）。A、永久性損壞B、只要流過(guò)穩(wěn)壓管電流不超過(guò)規(guī)定值允許范圍，管子無(wú)損C、由于擊穿而導(dǎo)致性能下降D、擊穿后損壞參考答案：B224.氧化物基金屬陶瓷特性（）。A、熱穩(wěn)定性B、抗氧化性C、抗熱振性D、抗腐蝕性參考答案：C225.擁有以下（）性質(zhì)的材料在宏觀上具有磁性的。A、鐵磁性B、鐵電性C、反鐵磁性D、亞鐵磁性參考答案：A226.風(fēng)能的大小與風(fēng)速的（）成正比A、二次方B、三次方C、四次方D、五次方參考答案：B227.氧化物陶瓷：主要成分是（）。A、l2O4B、SiO2C、AiO2D、Al2O2參考答案：A228.用萬(wàn)用表測(cè)量2.1k的電阻，檔位應(yīng)該選擇（）。A、20kB、18kC、2kD、45k參考答案：C229.D1，D2均為理想二極管，設(shè)U1=10V，ui=40sinωtV,則輸出電壓uO應(yīng)為（）。A、最大值為40V，最小值為0VB、最大值為40V，最小值為+10VC、最大值為10V，最小值為－40VD、最大值為10V，最小值為0V參考答案：D230.以下哪種方法不能減小CMOS反相器的傳播延時(shí)（）。A、減小擴(kuò)散電容和互連線的電容B、增大輸入電壓VinC、適當(dāng)增加晶體管的W/LD、適當(dāng)增大VDD參考答案：B231.以下（）的硬度比氧化鋁陶瓷低。A、氧化鋯B、氧化鈣C、氧化鎂D、氧化鋅參考答案：C232.三相異步電動(dòng)機(jī)按其（）的不同可分為開(kāi)啟式、防護(hù)式、封閉式三大類。A、供電電源的方式B、外殼防護(hù)方式C、結(jié)構(gòu)型式方式D、工作制參考答案：B233.氣敏陶瓷的主要應(yīng)用領(lǐng)域是（）。A、氣體的分類B、氣體的吸附C、氣體的檢測(cè)D、氣體的提純參考答案：C234.氧化鋁陶瓷用于哪些領(lǐng)域（）。A、制造機(jī)械零件B、電子器件C、耐火材料D、耐磨參考答案：C235.下面關(guān)于導(dǎo)線電阻的說(shuō)法錯(cuò)誤的是：（）。A、一矩形導(dǎo)體的長(zhǎng)為L(zhǎng)，截面積為A，ρ為電阻率，則其電阻可以表示為R=ρL/AB、一個(gè)方塊導(dǎo)體的電阻與它的絕對(duì)尺寸無(wú)關(guān)，導(dǎo)線電阻與方塊電阻的關(guān)系是，R=Rs?L/W。C、與如銅這樣的材料相比，鋁的電阻率較小，所以集成電路中最常用的互連材料是鋁。D、導(dǎo)線的方塊電阻可以表示為Rs=ρ/H。也叫做薄層電阻。參考答案：C236.下面二極管靜態(tài)特性描述中不正確的是：（）。A、在實(shí)際器件中，二極管的反向電流大于反向飽和電流，這是在耗盡區(qū)因熱而產(chǎn)生電子空穴對(duì)造成的。B、在PN結(jié)上加上反向偏壓，使p區(qū)的電勢(shì)相對(duì)于n區(qū)降低，其結(jié)果是使擴(kuò)散電流減小，漂移電流成為主導(dǎo)，于是電流從n區(qū)流向p區(qū)。C、二極管電流最重要的特性是它與所加偏置電壓之間存在線性關(guān)系D、反偏置狀態(tài)下，二極管的工作就像一個(gè)不導(dǎo)通或阻斷的器件。參考答案：C237.食物中毒后錯(cuò)誤的做法是：（）。A、飲水稀釋B、催吐減毒C、聯(lián)系急救D、倒掉食物參考答案：D238.隨著電源電壓的降低，反相器在過(guò)渡區(qū)的增益（）。A、不變B、增大C、不確定D、減小參考答案：B239.標(biāo)識(shí)為3R3的電阻器，其阻值應(yīng)該是（）。A、330ΩB、33ΩC、3.3ΩD、3300Ω參考答案：C240.我國(guó)安全生產(chǎn)工作的方針是（）。A、安全生產(chǎn)、預(yù)防為主、綜合治理B、安全第一、預(yù)防為主、綜合治理C、安全生產(chǎn)、注意防范、綜合治理D、安全第一、預(yù)防為主、綜合整治參考答案：B241.固相合成法過(guò)程中，經(jīng)過(guò)高溫反應(yīng)后通常還需進(jìn)行（）的工藝處理。A、碎屑B、球磨C、磁性陶瓷D、化學(xué)性陶瓷參考答案：B242.晶體管構(gòu)成的三種放大電路中，沒(méi)有電壓放大作用但有電流放大作用的是（）。A、共集電極接法B、以上都不是C、共基極接法D、共發(fā)射極接法參考答案：B243.滅火器應(yīng)當(dāng)擺放在（）和通風(fēng)干燥、取用方便的地方。A、火源附近B、被保護(hù)物附近C、室外D、地上米參考答案：B244.當(dāng)通過(guò)靜態(tài)CMOS電路來(lái)實(shí)現(xiàn)邏輯功能時(shí)，PMOS器件串聯(lián)相當(dāng)于（）功能。A、與B、或C、或非D、與非參考答案：C245.以下（）在陶瓷中硬度較高。A、氧化鈦B、氧化鋅C、氧化鋅AD、氧化鈣參考答案：B246.為了防止跨步電壓對(duì)人造成傷害,要求防雷接地裝置距離建筑物出入口、人行道最小距離不應(yīng)小于（）米。A、3B、2.5C、4D、直徑參考答案：A247.場(chǎng)效應(yīng)管起放大作用時(shí)應(yīng)工作在漏極特性的（）。A、恒流區(qū)B、可變電阻區(qū)C、夾斷區(qū)D、擊穿區(qū)參考答案：A248.在鋁絞線中加入鋼芯的作用是（）。A、提高導(dǎo)電能力B、增大導(dǎo)線面積C、提高機(jī)械強(qiáng)度D、抗燃能力提升參考答案：C249.在要求小容量的高頻電路中，應(yīng)盡量選用（）。A、瓷介電容B、滌綸電容C、鉭電解電容D、鋁電解電容參考答案：A250.通用型集成運(yùn)放的輸入級(jí)采用差動(dòng)放大電路，這是因?yàn)樗模ǎ?。A、輸入電阻高B、輸出電阻低C、共模抑制比大D、電壓放大倍數(shù)大參考答案：C251.蓄電池是將所獲得的電能以0的形式儲(chǔ)存,并能夠?qū)⑵滢D(zhuǎn)換成電能的電化學(xué)裝置,可以重復(fù)充電和放電。A、機(jī)械能B、化學(xué)能C、動(dòng)能D、勢(shì)能參考答案：B252.動(dòng)態(tài)電阻rZ是表示穩(wěn)壓管的一個(gè)重要參數(shù)，它的大小對(duì)穩(wěn)壓性能的影響是（）。A、rZ小則穩(wěn)壓性能差B、rZ小則穩(wěn)壓性能好C、rZ的大小不影響穩(wěn)壓性能D、rZ小則穩(wěn)壓性能差參考答案：B253.溫度穩(wěn)定性最好的穩(wěn)壓管是（）。A、穩(wěn)定電壓UZ=6V的管子B、穩(wěn)定電壓UZ>6V的管子C、穩(wěn)定電壓UZD、穩(wěn)定電壓UZ參考答案：A254.準(zhǔn)備測(cè)量數(shù)字電路中輸入和輸出共6路信號(hào)，選用（）儀器最好。A、四通道示波器B、邏輯分析儀C、數(shù)字萬(wàn)用表D、兩通道示波器參考答案：B255.關(guān)于高頻阻波器的作用下列哪個(gè)敘述不對(duì)（）。A、對(duì)高頻載波電流阻抗很大B、對(duì)工頻電流呈現(xiàn)的阻抗很大C、阻止高頻電流的外流D、防止高頻載波信號(hào)向母線方向分流參考答案：B256.在半導(dǎo)體電路中,主要選用快速熔斷器作（）保護(hù)。A、過(guò)壓B、短路C、過(guò)熱D、100參考答案：B257.食物中毒后正確的做法是：（）。A、聯(lián)系急救B、不緊不慢C、在家醫(yī)治D、聽(tīng)天命參考答案：A258.下列材料中,導(dǎo)電性能最好的是（）。A、銅B、鋁C、銀D、必須在電動(dòng)機(jī)完全停轉(zhuǎn)后才參考答案：C259.面積較小的門往往較快并消耗（）的能量，因?yàn)殚T的總電容常常隨面積的減小而（）。A、較少；增大B、較多；增大C、較少；減小D、較多；減小參考答案：C260.風(fēng)力發(fā)電技術(shù)已經(jīng)走向成熟，下列關(guān)于全球風(fēng)電裝機(jī)容量前五位的國(guó)家排序正確的是（）。A、德國(guó)、西班牙、美國(guó)、丹麥、印度B、美國(guó)、德國(guó)、中國(guó)、日本、丹麥C、美國(guó)、西班牙、德國(guó)、中國(guó)、印度D、德國(guó)、中國(guó)、西班牙、印度、丹麥參考答案：A261.陶瓷的概述以下錯(cuò)誤的是（）。A、高硬度B、高溫穩(wěn)定性C、高耐磨性D、高導(dǎo)電性參考答案：D262.數(shù)字萬(wàn)用表能直接測(cè)量三極管的（）。A、電流放大倍數(shù)B、輸出電阻C、輸入電壓D、管型參考答案：A263.軟磁鐵氧體主要分為（）。A、Mn-ZnB、Nn-ZNC、Mm-znD、Ni-Zn參考答案：D264.測(cè)量二極管正向電阻時(shí)，若用兩手把管腳捏緊，測(cè)量結(jié)果將會(huì)（）。A、變B、不變C、變大D、不能確定參考答案：A265.相比于磁性金屬材料，磁性陶瓷材料具有（）等特點(diǎn)。A、損耗低B、居里溫度低C、高頻性能優(yōu)秀D、磁化率高參考答案：B266.焊料的成分主要是（）。A、銅，鉛B、銅，錫C、鉛，錫D、鋁，錫參考答案：C267.用45S5作為骨連接材料是，一旦發(fā)生斷裂，其斷裂位置位于（）。A、45S5上B、兩者界面上C、隨機(jī)出現(xiàn)D、人體骨骼上參考答案：A268.新型陶瓷是按照（）進(jìn)行分類的。A、成分B、結(jié)構(gòu)C、工藝D、功能參考答案：D多選題1.半導(dǎo)體分立器件的封裝形式主要有？A、TO系列（如TO-92,TO-220）B、SOP（小外形封裝）C、BGA（球柵陣列封裝）D、IP（雙列直插封裝）E、QFN（方形扁平無(wú)引腳封裝）參考答案：ADE2.半導(dǎo)體分立器件的可靠性測(cè)試通常包括哪些內(nèi)容？A、高溫存儲(chǔ)測(cè)試B、溫度循環(huán)測(cè)試C、濕度測(cè)試D、靜電放電測(cè)試E、輻射測(cè)試參考答案：ABCDE3.集成電路按功能可分為哪幾類？A、數(shù)字集成電路B、模擬集成電路C、混合信號(hào)集成電路D、微處理器E、存儲(chǔ)器參考答案：ABC4.半導(dǎo)體分立器件的測(cè)試通常包括哪些階段？A、晶圓測(cè)試B、封裝前測(cè)試C、成品測(cè)試D、可靠性測(cè)試E、老化測(cè)試參考答案：BCDE5.在半導(dǎo)體分立器件的篩選過(guò)程中，常用的篩選方法有哪些？A、視覺(jué)檢查B、電氣測(cè)試C、X射線檢查D、紅外熱成像E、激光掃描參考答案：ABC6.半導(dǎo)體分立器件的可靠性測(cè)試通常包括哪些類型的測(cè)試？A、高溫老化測(cè)試B、溫度循環(huán)測(cè)試C、濕度偏置測(cè)試D、靜電放電測(cè)試E、輻射測(cè)試參考答案：ABCD7.下列哪些參數(shù)是評(píng)估半導(dǎo)體分立器件性能的重要指標(biāo)？A、反向擊穿電壓B、正向?qū)▔航礐、電流放大倍數(shù)D、封裝尺寸E、頻率響應(yīng)參考答案：ABCE8.集成電路設(shè)計(jì)中的EDA工具主要支持哪些設(shè)計(jì)階段？A、需求分析B、原理圖設(shè)計(jì)C、仿真驗(yàn)證D、布局布線E、物理驗(yàn)證參考答案：BCDE9.半導(dǎo)體分立器件主要包括以下哪些類型？A、二極管B、三極管C、集成電路D、晶閘管E、電阻器參考答案：ABD10.下列哪些是影響半導(dǎo)體分立器件反向漏電流大小的因素？A、溫度B、摻雜濃度C、反向電壓D、封裝材料E、光照參考答案：ABCE11.下列哪些材料常用于集成電路的互連層？A、鋁B、銅C、硅D、金E、鎢參考答案：ABDE12.半導(dǎo)體分立器件中，具有負(fù)溫度系數(shù)的器件是？A、硅二極管B、鍺二極管C、齊納二極管D、熱敏電阻E、光電二極管參考答案：AB13.以下哪些措施有助于提高集成電路的抗干擾能力？A、合理的電源設(shè)計(jì)B、接地布局優(yōu)化C、電磁屏蔽D、信號(hào)完整性設(shè)計(jì)E、使用低噪聲元器件參考答案：ABCDE14.集成電路封裝過(guò)程中需要控制的參數(shù)包括？A、引腳共面性B、封裝體尺寸C、濕度敏感性等級(jí)（MSL）D、焊接強(qiáng)度E、內(nèi)部缺陷檢測(cè)參考答案：ABDE15.影響半導(dǎo)體分立器件正向壓降的主要因素有？A、材料類型B、工作電流C、工作溫度D、封裝材料E、摻雜濃度參考答案：ABCE16.以下哪些是影響半導(dǎo)體器件壽命的主要因素？A、工作溫度B、工作電壓C、電流密度D、封裝質(zhì)量E、外部機(jī)械應(yīng)力參考答案：ABCDE17.以下哪些屬于集成電路微系統(tǒng)組裝的關(guān)鍵技術(shù)？A、精密定位與對(duì)準(zhǔn)B、微焊接技術(shù)C、三維封裝技術(shù)D、可靠性測(cè)試與篩選E、電磁兼容性設(shè)計(jì)參考答案：ABCD18.集成電路微系統(tǒng)組裝中，常用的連接技術(shù)有哪些？A、焊接（如引線鍵合、倒裝芯片焊接）B、壓接C、粘接（如環(huán)氧樹(shù)脂粘接）D、螺接E、插接參考答案：ABC19.在集成電路測(cè)試中，故障定位與隔離的方法包括？A、邊界掃描技術(shù)B、紅外熱成像C、邏輯筆測(cè)試D、掃描鏈測(cè)試E、故障模擬與仿真參考答案：ADE20.半導(dǎo)體分立器件和集成電路封裝過(guò)程中，對(duì)材料的要求包括？A、高純度B、良好的導(dǎo)熱性C、低介電常數(shù)D、優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度E、環(huán)保性（如無(wú)鉛、無(wú)鹵）參考答案：ABDE21.在半導(dǎo)體制造中，CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）后的主要檢查項(xiàng)包括哪些？A、表面平整度B、殘留物檢測(cè)C、晶格結(jié)構(gòu)分析D、顆粒污染檢測(cè)E、金屬層厚度測(cè)量參考答案：ABD22.下列哪些因素會(huì)影響集成電路的封裝質(zhì)量？A、封裝材料的選擇B、封裝工藝的控制C、封裝環(huán)境的潔凈度D、封裝后的測(cè)試方法E、封裝前的清洗工藝參考答案：ABCE23.半導(dǎo)體分立器件中的PIN二極管主要用于哪些應(yīng)用？A、射頻開(kāi)關(guān)B、整流器C、穩(wěn)壓器D、光電探測(cè)器E、振蕩器參考答案：AD24.在集成電路裝調(diào)過(guò)程中，以下哪些步驟是必不可少的？A、晶圓劃片B、清洗與干燥C、封裝與鍵合D、功能測(cè)試E、老化篩選參考答案：ABCDE25.以下哪些設(shè)備是半導(dǎo)體分立器件和集成電路裝調(diào)過(guò)程中常用的？A、晶圓切割機(jī)B、封裝機(jī)C、測(cè)試機(jī)D、顯微鏡E、燒結(jié)爐參考答案：ABCD26.影響半導(dǎo)體分立器件反向擊穿電壓的因素有？A、摻雜濃度B、外加電壓類型（直流/交流）C、器件結(jié)構(gòu)D、工作溫度E、封裝材料參考答案：ACD27.在半導(dǎo)體工藝中，常見(jiàn)的清洗方法有哪些？A、濕法清洗（如去離子水清洗）B、干法清洗（如等離子清洗）C、化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）D、超聲波清洗E、紫外線清洗參考答案：ABD28.以下哪些是影響集成電路封裝可靠性的因素？A、封裝材料的選擇B、封裝工藝的控制C、封裝體與基板的熱匹配D、焊接質(zhì)量的穩(wěn)定性E、產(chǎn)品的運(yùn)輸與存儲(chǔ)條件參考答案：ABCDE29.半導(dǎo)體分立器件的主要類型包括哪些？A、二極管B、三極管C、集成電路D、晶閘管E、場(chǎng)效應(yīng)管參考答案：ABDE30.集成電路中的ESD（靜電放電）保護(hù)機(jī)制主要有哪些類型？A、二極管保護(hù)B、柵極保護(hù)C、瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）D、電阻網(wǎng)絡(luò)E、隔離環(huán)參考答案：ACE31.半導(dǎo)體材料的基本特性包括哪些？A、導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間B、具有熱敏性C、具有良好的光學(xué)特性D、可通過(guò)摻雜改變導(dǎo)電類型E、具有良好的機(jī)械強(qiáng)度參考答案：ABD32.集成電路設(shè)計(jì)中的EDA（電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化）工具主要包括哪些類型？A、原理圖編輯器B、仿真器C、布局與布線工具D、固件編程環(huán)境E、晶圓測(cè)試機(jī)參考答案：ABC33.半導(dǎo)體分立器件的散熱方式主要有？A、自然散熱B、強(qiáng)制風(fēng)冷C、水冷D、熱管散熱E、半導(dǎo)體制冷參考答案：ABCD34.在集成電路裝調(diào)過(guò)程中，需要關(guān)注的環(huán)境因素有？A、靜電防護(hù)B、溫度與濕度控制C、潔凈度D、振動(dòng)與沖擊E、電磁干擾參考答案：ABCE35.半導(dǎo)體分立器件和集成電路測(cè)試中的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試包括？A、輸入輸出電壓B、功耗C、延遲時(shí)間D、擊穿電壓E、增益參考答案：ABD36.下列哪些因素會(huì)影響半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能？A、溫度B、摻雜濃度C、光照D、機(jī)械壓力E、磁場(chǎng)參考答案：ABC37.在集成電路封裝過(guò)程中，常見(jiàn)的封裝形式有？A、DIP（雙列直插式封裝）B、SOP（小外形封裝）C、BGA（球柵陣列封裝）D、COB（板上芯片封裝）E、TO（晶體管