傳感器與傳感電路技術(shù)項(xiàng)目4習(xí)題及答案

項(xiàng)目練習(xí)一、單項(xiàng)選擇題圖4-31555定時(shí)圖4-31555定時(shí)器應(yīng)用1A單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路B多諧振蕩電路C施密特觸發(fā)電路D雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路2.圖4-5所示電路，當(dāng)vI1<2/3VCC，vI2>1/3VCC時(shí)，輸出端（）。A輸出高電平B輸出低電平 C保持不變D狀態(tài)不定3.圖4-5所示電路，當(dāng)vI1>2/3VCC,vI2>1/3VCC時(shí)，輸出端（）。A輸出高電平B輸出低電平 C保持不變D狀態(tài)不定4.圖4-5所示電路，當(dāng)vI1<2/3VCC,vI2<1/3VCC時(shí)，輸出端（）。A輸出高電平B輸出低電平 C保持不變D狀態(tài)不定5．圖4-32所示CX20106芯片的帶通濾波器頻率設(shè)置電路應(yīng)接（）。A4腳B5腳C6腳D7腳圖圖4-32CX20106芯片引腳及結(jié)構(gòu)示意圖6．圖4-32所示CX20106芯片，檢波電容應(yīng)接（）。A1腳B2腳C3腳D4腳7．圖4-32所示CX20106芯片，前置放大器放大倍數(shù)調(diào)整網(wǎng)絡(luò)應(yīng)接（）。A1腳B2腳C3腳D4腳8．圖4-32所示CX20106芯片，信號(hào)輸出引腳是（）。A4腳B5腳C6腳D7腳圖4-33MOS管符號(hào)9．圖4-3圖4-33MOS管符號(hào)A1腳B2腳C3腳D4腳10.圖4-33所示電路符號(hào)是（）。AN溝道增強(qiáng)型MOS管BP溝道增強(qiáng)型MOS管CN溝道耗盡型MOS管DP溝道耗盡型MOS管11.NMOS管的導(dǎo)通條件是（）。AuGS≥2~20VBuGS<2~20VCuGS≥0.5VDuGS<0.5V圖4-34MOS管反相器12.圖4-34所示電路TN圖4-34MOS管反相器APMOS負(fù)載管和NMOS開(kāi)關(guān)管BNMOS負(fù)載管和PMOS開(kāi)關(guān)管CPMOS開(kāi)關(guān)管和NMOS負(fù)載管DNMOS開(kāi)關(guān)管和PMOS負(fù)載管13.圖4-34所示電路，當(dāng)vI=VDD時(shí)，TNA導(dǎo)通、截止、高電平 B導(dǎo)通、截止、低電平C截止、導(dǎo)通、高電平 D截止、導(dǎo)通、低電平14.圖4-34所示電路，當(dāng)vI為低電平時(shí)，TN、TA導(dǎo)通、截止、高電平 B導(dǎo)通、截止、低電平C截止、導(dǎo)通、高電平 D截止、導(dǎo)通、低電平15.圖4-27所示電路中，晶體管VT2和VT3構(gòu)成的是（）。A直接耦合的兩級(jí)放大電路B電容耦合的兩級(jí)放大電路C信號(hào)整形電路D濾波電路16.圖4-27所示電路中，反相器F3和F4構(gòu)成的是（）。A多諧振蕩電路 B兩級(jí)放大電路 C整形電路 D濾波電路17.圖4-27所示電路中，電容器C2和C5的功能是（）。A保持 B濾波 C耦合 D檢波18.圖4-27所示電路中，電容器C6的功能是（）。A保持 B濾波 C耦合 D檢波19.圖4-27所示電路中，VD1是（）。A紅外發(fā)光二極管 B光敏二極管 C開(kāi)關(guān)二極管 D續(xù)流二極管20.圖4-27所示電路中，VD2是（）。A紅外發(fā)光二極管 B光敏二極管 C開(kāi)關(guān)二極管 D續(xù)流二極管21.圖4-27所示電路中，VD3是（）。A紅外發(fā)光二極管 B光敏二極管 C開(kāi)關(guān)二極管 D續(xù)流二極管22.圖4-27所示電路中，VD4是（）。A發(fā)光二極管 B光敏二極管 C開(kāi)關(guān)二極管 D續(xù)流二極管23.圖4-27所示電路中，VD5是（）。A發(fā)光二極管 B光敏二極管 C開(kāi)關(guān)二極管 D續(xù)流二極管24.圖4-27所示電路中，由電阻R1、R2，電容C1，反相器F1、F2構(gòu)成的是（）。A單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路 B多諧振蕩電路 C整形電路 D反相電路圖4-35圖4-35555定時(shí)器應(yīng)用電路21.光敏二極管就是紅外發(fā)光二極管。（）2.紅外光是指波長(zhǎng)比紅光短的可見(jiàn)光。（）3.紅外發(fā)光二極管反向偏置時(shí)可激發(fā)紅外光。（）4.圖4-35所示電路為555定時(shí)器構(gòu)成的施密特觸發(fā)電路。（）5.圖4-35所示電路沒(méi)有穩(wěn)定狀態(tài)。（）6.光敏晶體管的基極通常不引出。（）7.NMOS的導(dǎo)通條件是uGS<0,且|uGS|>|UTH|。（）8.CX20106的引腳7是集電極開(kāi)路輸出方式，需與電源間接一個(gè)20Ω的上拉電阻。（）9.與晶體管相比，MOS管的溫度穩(wěn)定性更好。（）10.光敏二極管工作時(shí)需加正向電壓。（）三、填空題1.光敏二極管在無(wú)光照時(shí)，暗電流較；在有光照時(shí)，密度，反向飽和漏電流隨入射光強(qiáng)度的增強(qiáng)而。2.光敏二極管工作時(shí)需加上向電壓。3.紅外發(fā)光二極管需工作在脈沖狀態(tài)，是為了增加。4.圖4-5所示電路中，電壓比較器C1的同相輸入端電壓為VCC，電壓比較器C2的反相輸入端電壓為VCC。在6腳電位VCC、2腳電位VCC時(shí)，3腳輸出低電平；在6腳電位VCC，2腳VCC時(shí)，3腳輸出高電平；在6腳電位VCC，2腳電位VCC時(shí)，3腳輸出電平保持不變。在復(fù)位端為低電平時(shí)，緩沖器G輸入端為電平，定時(shí)器輸出vO為電平，放電晶體管T。5.圖4-36所示電路接通電源后，電容器C通過(guò)電阻R1和R2，當(dāng)vC上升至?xí)r，SR鎖存器的置位端S=，復(fù)位端R=，輸出端Q=，vO=，晶體管T，電容C通過(guò)放電；當(dāng)vC減小到時(shí)，SR鎖存器的置位端S=，復(fù)位端R=，輸出端Q=，vO=，晶體管T，電容器C又開(kāi)始充電，循環(huán)往復(fù)，在0和1之間循環(huán)切換。該電路是由555定時(shí)器構(gòu)成的電路，電路無(wú)輸入信號(hào)，工作依靠振蕩。圖圖4-36555定時(shí)器應(yīng)用電路36.圖4-37所示電路，無(wú)觸發(fā)信號(hào)（vI≥13VCC）時(shí)，SR鎖存器的置位端S=，若通電后SR鎖存器輸出端Q=0，則電路輸出vO=，晶體管T，電容器C，SR鎖存器的R端為電平，輸出端Q=，電路穩(wěn)定輸出電平；若通電后SR鎖存器輸出端Q=1,則電路輸出vO=，晶體管T，電容器C，當(dāng)電容電壓vC時(shí)，SR鎖存器的R端為電平，輸出端Q=，電路輸出vO=，晶體管T，電容器C又開(kāi)始，電路輸出vO=，SR鎖存器的R端恢復(fù)到電平，電路穩(wěn)定輸出電平；當(dāng)vI端施加觸發(fā)信號(hào)（負(fù)脈沖）時(shí)，SR鎖存器的S=，輸出端Q=，晶體管T，電源通過(guò)電阻R給電容C，當(dāng)vC≥時(shí)，SR鎖存器的R端變?yōu)殡娖剑蛎}沖信號(hào)撤消后SR鎖存器的S端仍為高電平，則SR鎖存器置，輸出又恢復(fù)為電平。該電路是由555定時(shí)器構(gòu)成的電路，1態(tài)圖圖4-37555定時(shí)器應(yīng)用電路47.圖4-26所示的555定時(shí)器構(gòu)成的是電路，VD1是二極管。電路在無(wú)人洗手時(shí)，經(jīng)凸透鏡聚集后被二極管接收并輸入到信號(hào)接收處理芯片CX20106進(jìn)行放大、、整形等處理后，在CX20106的引腳輸出電平，型晶體管VT1截止，繼電器線圈，其觸點(diǎn)K1，電磁閥斷電，閥門(mén)關(guān)閉，水龍頭不出水；當(dāng)有人洗手時(shí)，被手遮擋，二極管接收不到信號(hào)，CX20106的引腳輸出電平，型晶體管VT1，繼電器線圈，其常開(kāi)觸點(diǎn)K1，電磁閥通電，閥門(mén)打開(kāi)，水龍頭出水。8.圖4-38所示電路，若上電時(shí)vO1為高電平，則vO為電平，MOS管TN1和TP2，TN2和TP1，電容器C通過(guò)、TN2和電阻R充電，vI上升，當(dāng)其達(dá)到TN1的電壓時(shí)，TN1，vO1輸出電平，TN2，TP2，vO輸出電平；之后，電容器C開(kāi)始，vI下降，當(dāng)其低于電壓時(shí)，TN1，TP1，vO1輸出電平，TN，TP2，vO輸出電平。圖4圖4-38基于MOS反相器的多諧振蕩電路反向飽和漏電流隨入射光強(qiáng)度的增強(qiáng)而3.紅外發(fā)光二極管需工作在脈沖狀態(tài)，是為了增6.圖4-37所示電路，無(wú)觸發(fā)信號(hào)（VI≥VCC）時(shí)，SR鎖存器的置位端S=1