GB/T 44529-2024微機電系統(tǒng)(MEMS)技術射頻MEMS環(huán)行器和隔離器

ICS3108099

CCSL.59.

中華人民共和國國家標準

GB/T44529—2024/IEC62047-412021

:

微機電系統(tǒng)MEMS技術

()

射頻MEMS環(huán)行器和隔離器

Micro-electromechanicalsstemMEMStechnolo—Radiofreuenc

y()gyqy

MEMScirculatorsandisolators

IEC62047-412021Semiconductordevices—Micro-electromechanical

(:,

devices—Part41RFMEMScirculatorsandisolatorsIDT

:,)

2024-09-29發(fā)布2024-09-29實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T44529—2024/IEC62047-412021

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

通用術語

3.1……………1

射頻特性

3.2……………2

基本額定值和特性

4………………………2

標識和類型說明

4.1……………………2

應用和規(guī)格說明

4.2……………………3

極限值和工作條件

4.3…………………3

射頻特性

4.4……………4

可靠性

4.5………………4

附加信息

4.6……………4

測量方法

5…………………5

通則

5.1…………………5

插入損耗L

5.2(ins)………………………6

隔離度L

5.3(iso)………………………10

回波損耗L

5.4(ret)……………………12

電壓駐波比VSWR可選項

5.5()()……………………14

輸入阻抗Z可選項

5.6(in)()…………16

磁泄漏可選項

5.7()……………………18

可靠性性能試驗

6()………………………19

概述

6.1…………………19

功率容量

6.2……………19

壽命

6.3…………………19

溫度循環(huán)

6.4……………20

沖擊試驗

6.5……………20

振動試驗

6.6……………20

鍵合強度或可焊性試驗

6.7……………20

附錄資料性環(huán)行器和隔離器簡介

A()…………………21

參考文獻

……………………24

Ⅰ

GB/T44529—2024/IEC62047-412021

:

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件等同采用半導體器件微機電器件第部分射頻環(huán)行器

IEC62047-41:2021《41:MEMS

和隔離器

》。

本文件做了下列最小限度的編輯性改動

:

為與現(xiàn)有標準協(xié)調(diào)將標準名稱改為微機電系統(tǒng)技術射頻環(huán)行器和隔

———,《(MEMS)MEMS

離器

》;

在圖圖圖圖圖圖圖圖圖中增加了注

———1、2、3、4、5、6、7、5.2.5、5.3.5、5.4.5、A.1、A.2;

公式公式中增加了符號說明

———(1)~(12);

為符合中文習慣將表中的中心頻率的符號f修改為f將的標題鍵合強度焊

———,2“center”“0”,6.7“/

接強度試驗更改為鍵合強度或可焊性試驗表中鍵合焊接強度試驗改為鍵合強度或

”“”,3“/”“

可焊性

”;

更正了原文的錯誤將表中鍵合強度或可焊性分別給出相應特性值

———,3“”。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國微機電技術標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC336)。

本文件起草單位河北美泰電子科技有限公司安徽天兵電子科技股份有限公司中國電子科技集

:、、

團公司第十三研究所中機生產(chǎn)力促進中心有限公司廣東大普通信技術股份有限公司西安現(xiàn)代控制

、、、

技術研究所深圳市諾信博通訊有限公司深圳市美思先端電子有限公司

、、。

本文件主要起草人侯凱強張東響李倩李根梓王偉強吝海鋒李麗霞翟曉飛梁彥青

:、、、、、、、、、

姚世婷周明琴王春明王昆倫劉奎屈錕陳杜武斌

、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T44529—2024/IEC62047-412021

:

微機電系統(tǒng)MEMS技術

()

射頻MEMS環(huán)行器和隔離器

1范圍

本文件規(guī)定了射頻環(huán)行器和隔離器的術語基本額定值和特性以及測量方法

MEMS、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導體器件第部分總則

IEC60747-1:20101:(Semiconductordevices—Part1:General)

注半導體器件分立器件和集成電路第部分總則

:GB/T17573—19981:(IEC60747-1:1983,IDT)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分機械沖擊

IEC60749-1010:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part10:Mechanicalshock)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分掃頻振動

IEC60749-1212:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part12:Vibration,variablefrequency)

注半導體器件機械和氣候試驗方法第部分掃頻振動

:GB/T4937.12—201812:(IEC60749-12:2002,IDT)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分可焊性

IEC60749-2121:(Semiconductordevices—

Mechanicalandclimatictestmethods—Part21:Solderability)

注半導體器件機械和氣候試驗方法第部分可焊性

:GB/T4937.21—201821:(IEC60749-21:2011,IDT)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分鍵合強度

IEC60749-2222:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part22:Bondstrength)

注半導體器件