tft三次作業(yè)及施展同學(xué)筆記二次

TFT-LCD的制作工藝分為四個(gè)部分：陣列工藝、彩膜工藝、成盒工藝、模組工藝陣列工藝：在玻璃基板上通過光刻、刻蝕、淀積等工藝制作TFT陣列的工藝。陣列工藝是tft的制作工藝，指在玻璃基板上有規(guī)則地排列薄膜晶體管，同時(shí)形成像素電極、數(shù)據(jù)信號(hào)電極、存儲(chǔ)電容和控制元件（tft）。其核心是曝光。第一步先在玻璃基板上濺射柵極材料膜（鉻），經(jīng)掩膜曝光、顯影、干法或濕法蝕刻后形成柵極布線圖案。

第二步是用PECVD法進(jìn)行連續(xù)成膜，形成N-0-Si膜，起到絕緣作用

第三步是形成a-Si層（非晶硅）

。第四步是摻磷n+

a-Si膜，然后再進(jìn)行掩膜曝光及蝕刻。

第五步是形成源極和漏極，漏極與ITO相連

。有關(guān)TFT-LCD制作工藝的名詞解釋彩膜工藝：在玻璃基板上形成黑矩陣，CF層，保護(hù)層及ITO膜等流程。彩色濾光片的(R、G、B三色)分散在透明感光樹脂中。然后將它們依次用涂敷、曝光、顯影工藝方法，依次形成R.

G.

B三色圖案。為了防止漏光，在R.

G.

B三色交界處一般都要加黑矩陣（BM）。由于帶有彩色濾光片的基板是作為液晶屏的前基板與帶有TFT的后基板一起構(gòu)成液晶盒。所以必須關(guān)注好定位問題，使彩色濾光片的各單元與TFT基板各像素相對(duì)應(yīng)。

成盒工藝：包括從PI涂敷、固化、液晶注入（ODF）、紫外固化、切割、磨邊、測(cè)試等各工序的生產(chǎn)。成盒過程是將陣列基板（陣列工程自制）和彩色濾光片（自制或外購）經(jīng)清洗，表面涂敷取向膜、經(jīng)固化處理，在陣列基板涂布封框膠及進(jìn)行液晶散布，兩基板在真空中粘合、固化，即成盒。再根據(jù)下游廠家的需求進(jìn)行盒分割，再貼上偏光片，加入電信號(hào)作圖像檢查后即成為LCD面板。（看法：在滴注液晶前必須在玻璃基板上涂敷一層有機(jī)薄膜，薄膜表面要沿一定方向用纖維進(jìn)行摩擦，相對(duì)于玻璃基板表面分子要傾斜幾度。這個(gè)傾斜角度稱為預(yù)取向，使滴注的液晶沿一定方向排列。）

模組工藝：在成盒工藝后的板子上添加偏光片和背光源、進(jìn)行焊接、進(jìn)行各項(xiàng)測(cè)試。具體包括TCP焊接、PCB焊接、焊接檢查、返修、老化、自動(dòng)包裝等工序。模組過程是把LCD面板與外部驅(qū)動(dòng)芯片和信號(hào)基板相連接，并組裝背光源和防護(hù)罩，在加溫狀態(tài)下作老化處理，經(jīng)過最后電氣特性檢查后即成為LCD模組?；瘜W(xué)氣相沉積本質(zhì)上屬于原子范疇的氣態(tài)傳質(zhì)過程，是把一種或幾種含有構(gòu)成薄膜元素的化合物、單質(zhì)氣體通入放置有基材的反應(yīng)室，借助空間氣相化學(xué)反應(yīng)在基體表面上沉積固態(tài)薄膜的工藝技術(shù)。PECVD：是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積。

（看法：這是TFT鍍膜工藝中最常用的方法，因?yàn)榛緶囟鹊?；沉積速率快；成膜質(zhì)量好，針孔較少，不易龜裂。）APCVD：

常壓化學(xué)氣相淀積是指在大氣壓下進(jìn)行的一種化學(xué)氣相淀積的方法，這是化學(xué)氣相淀積最初所采用的方法?；瘜W(xué)氣相沉積LPCVD：在低于一個(gè)大氣壓的條件下進(jìn)行的化學(xué)氣相沉積。MOCVD：以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。物理氣相沉積PVD：采用物理方法，將材料源——固體或液體表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。物理氣相沉積的主要方法有，真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜，及分子束外延等。（看法：濺射鍍膜所采用的靶材具有純度高、致密度高、不能累積放電等特點(diǎn)，清洗時(shí)要用離子注入的方法清洗。）各項(xiàng)工藝中所包含的名詞的解釋清洗：通過干洗或濕洗的方式洗掉基板和器件的灰層、工藝殘留物等雜質(zhì)。干洗：UV光照射（看法：干洗一般用UV光，即紫外光線，紫外線的波長范圍在100～400nm，是介于X射線與可見光間的電磁波。）濕洗：RCAcleaning，清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有機(jī)沾污，因?yàn)橛袡C(jī)物會(huì)遮蓋部分硅片表面，從而使氧化膜和與之相關(guān)的沾污難以去除；然后溶解氧化膜，因?yàn)檠趸瘜邮恰罢次巯葳濉?，也?huì)引入外延缺陷；最后再去除顆粒、金屬等沾污，同時(shí)使硅片表面鈍化。超聲波清洗，是半導(dǎo)體工業(yè)中廣泛應(yīng)用的一種清洗方法，該方法的優(yōu)點(diǎn)是：清洗效果好，操作簡(jiǎn)單，對(duì)于復(fù)雜的器件和容器也能清除，但該法也具有噪音較大、換能器易壞的缺點(diǎn)。sprayrinsing，旋轉(zhuǎn)噴淋法是指利用機(jī)械方法將硅片以較高的速度旋轉(zhuǎn)起來，在旋轉(zhuǎn)過程中通過不斷向硅片表面噴液體（高純?nèi)ルx子水或其它清洗液）而達(dá)到清除硅片目的的一種方法。該方法利用所噴液體的溶解（或化學(xué)反應(yīng)）作用來溶解硅片表面的沾污，同時(shí)利用高速旋轉(zhuǎn)的離心作用，使溶有雜質(zhì)的液體及時(shí)脫離硅片表面，這樣硅片表面的液體總保持非常高的純度。光刻：光刻是通過一系列生產(chǎn)步驟，將晶圓表面薄膜的特定部分除去的工藝。在此之后，晶圓表面會(huì)留下帶有微圖形結(jié)構(gòu)的薄膜。（看法：光刻確定了器件的尺寸，同樣器件的尺寸受到光刻工藝的分辨率的限制，在TFT的生產(chǎn)中，光刻也是最重要的部分。）光刻膠：又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑（見光譜增感染料）和溶劑三種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。感光樹脂經(jīng)光照后，在曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反應(yīng)，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化。經(jīng)適當(dāng)?shù)娜軇┨幚?，溶去可溶性部分，得到所需圖像。顯影液：洗相片時(shí)適用的化學(xué)藥劑，主要成分有硫酸、硝酸及苯、甲醇、鹵化銀、硼酸、對(duì)苯二酚等。ITO：ITO導(dǎo)電玻璃是在鈉鈣基或硅硼基基片玻璃的基礎(chǔ)上，利用濺射、蒸發(fā)等多種方法鍍上一層氧化銦錫（俗稱ITO）膜加工制作成的。液晶顯示器專用ITO導(dǎo)電玻璃，還會(huì)在鍍ITO層之前，鍍上一層二氧化硅阻擋層，以阻止基片玻璃上的鈉離子向盒內(nèi)液晶里擴(kuò)散。（看法；主要可以從光穿透率、導(dǎo)電性、臺(tái)階覆蓋率這三個(gè)層面來看ITO的性能。）對(duì)比度：指的是一幅圖像中明暗區(qū)域最亮的白和最暗的黑之間不同亮度層級(jí)的測(cè)量，差異范圍越大代表對(duì)比越大，差異范圍越小代表對(duì)比越小，分別測(cè)試夾有CF的兩塊偏光片平行放置和交叉放置時(shí)的光透過強(qiáng)度，它們的比值就是CF的對(duì)比度?？涛g：分為干法刻蝕和濕法刻蝕。濕法刻蝕是一個(gè)純粹的化學(xué)反應(yīng)過程，是指利用溶液與預(yù)刻蝕材料之間的化學(xué)反應(yīng)來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達(dá)到刻蝕目的。干法刻蝕干法刻蝕種類很多，包括光揮發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。非等向性蝕刻(anisotropicetching)：在濕蝕刻中，非等向性蝕刻是以不同材料之受蝕快慢程度來說明。然而自1970年代起，在諸如JournalofElectro-ChemicalSociety等期刊中，發(fā)表了許多有關(guān)堿性或有機(jī)溶液腐蝕單晶硅的文章，其特點(diǎn)是不同的硅晶面腐蝕速率相差極大，尤其是<111>方向，足足比<100>或是<110>方向的腐蝕速率小一到兩個(gè)數(shù)量級(jí)！因此，腐蝕速率最慢的晶面，往往便是腐蝕后留下的特定面。（看法：濕法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是選擇性好、重復(fù)性好、生產(chǎn)效率高、設(shè)備簡(jiǎn)單、成本低，缺點(diǎn)是會(huì)產(chǎn)生橫向刻蝕；干法刻蝕的優(yōu)點(diǎn)是各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、環(huán)保，缺點(diǎn)是成本高，設(shè)備復(fù)雜；一般高精密度和高成本的器件，我們用干法刻蝕來生產(chǎn)。）α-Si：非晶硅是一種直接能帶半導(dǎo)體，它的結(jié)構(gòu)內(nèi)部有許多所謂的“懸鍵”，也就是沒有和周圍的硅原子成鍵的電子，這些電子在電場(chǎng)作用下就可以產(chǎn)生電流，并不需要聲子的幫助，因而非晶硅可以做得很薄，還有制作成本低的優(yōu)點(diǎn)。（看法：化學(xué)性質(zhì)比晶體硅活潑?？捎苫顫娊饘?如鈉、鉀等）在加熱下還原四氯化硅，或用碳等還原劑還原二氧化硅制得。）AOI：AOI（AutomaticOpticInspection）的全稱是自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)，是基于光學(xué)原理來對(duì)焊接生產(chǎn)中遇到的常見缺陷進(jìn)行檢測(cè)的設(shè)備。AOI是新興起的一種新型測(cè)試技術(shù)，但發(fā)展迅速，很多廠家都推出了AOI測(cè)試設(shè)備。當(dāng)自動(dòng)檢測(cè)時(shí)，機(jī)器通過攝像頭自動(dòng)掃描PCB，采集圖像，測(cè)試的焊點(diǎn)與數(shù)據(jù)庫中的合格的參數(shù)進(jìn)行比較，經(jīng)過圖像處理，檢查出PCB上缺陷，并通過顯示器或自動(dòng)標(biāo)志把缺陷顯示/標(biāo)示出來，供維修人員修整。（看法：這是TFT-LCD制造工藝中重要的步驟，對(duì)產(chǎn)品走下生產(chǎn)線時(shí)的最終狀態(tài)進(jìn)行監(jiān)控。）

IQC：來料質(zhì)量控制。目前IQC的側(cè)重點(diǎn)在來料質(zhì)量檢驗(yàn)上，來料質(zhì)量控制的功能較弱。IQC的工作方向是從被動(dòng)檢驗(yàn)轉(zhuǎn)變到主動(dòng)控制，將質(zhì)量控制前移，把質(zhì)量問題發(fā)現(xiàn)在最前端，減少質(zhì)量成本，達(dá)到有效控制，并協(xié)助供應(yīng)商提高內(nèi)部質(zhì)量控制水平。OQC：OQC即是產(chǎn)品出貨前的品質(zhì)檢驗(yàn)/品質(zhì)稽核及管制，主要針對(duì)出貨品的包裝狀態(tài)、防撞材料、產(chǎn)品識(shí)別/安全標(biāo)示、配件(AccessoryKits)、使用手冊(cè)/保證書、附加軟體光碟、產(chǎn)品性能檢測(cè)報(bào)告、外箱標(biāo)簽等，做一全面性的查核確認(rèn)，以確?？蛻羰肇洉r(shí)和約定內(nèi)容符合一致，以完全達(dá)標(biāo)的方式出貨。ACF：異方性導(dǎo)電膠膜可以廣泛適用于LED、大功率LED、LED數(shù)碼管、LCD、TR、IC、COB、PCBA、FPC、FC、LCD、EL冷光片、顯示屏、壓電晶體、晶振、諧振器、太陽能電池、光伏電池、蜂鳴器、半導(dǎo)體分立器件等各種電子元件和組件的封裝以及粘結(jié)等。黑矩陣（BM）：與TFT陣列上的黑矩陣是關(guān)鍵技術(shù)之一。BM在使光成陣列分布及防止非顯示區(qū)域的漏光而降低對(duì)比度方面起著重要的作用。為了降低TFT-LCD背光能耗，增大TFT-LCD開口率及獲得更大的透光率是非常重要的。濺射鉻膜是目前最常用的BM材料。然而，鉻存在很多缺點(diǎn)，如成本高，粘性差，制作工藝復(fù)雜，反射率高以及可能對(duì)環(huán)境造成一系列潛在的危害。還有一些如鉻一樣的物質(zhì)被用