JJF 2147-2024直流磁屏蔽筒校準(zhǔn)規(guī)范

中華人民共和國(guó)國(guó)家計(jì)量技術(shù)規(guī)范

JJF2147—2024

直流磁屏蔽筒校準(zhǔn)規(guī)范

CalibrationSpecificationforDCMagneticShieldingCylinders

2024-09-18發(fā)布2025-03-18實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

JJF2147—2024

直流磁屏蔽筒校準(zhǔn)規(guī)范??

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CalibrationSpecificationforDCMagneticJJF21472024

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ShieldingCylinders

歸口單位全國(guó)電磁計(jì)量技術(shù)委員會(huì)

:

主要起草單位無(wú)錫市計(jì)量測(cè)試院

:

國(guó)防科技工業(yè)弱磁一級(jí)計(jì)量站

湖南省計(jì)量檢測(cè)研究院

參加起草單位懷化市檢驗(yàn)檢測(cè)中心

:

本規(guī)范委托全國(guó)電磁計(jì)量技術(shù)委員會(huì)負(fù)責(zé)解釋

JJF2147—2024

本規(guī)范主要起草人

:

嚴(yán)海東無(wú)錫市計(jì)量測(cè)試院

()

周昌劍國(guó)防科技工業(yè)弱磁一級(jí)計(jì)量站

()

王冠鈞無(wú)錫市計(jì)量測(cè)試院

()

徐昱湖南省計(jì)量檢測(cè)研究院

()

參加起草人

:

劉娣無(wú)錫市計(jì)量測(cè)試院

()

張海波國(guó)防科技工業(yè)弱磁一級(jí)計(jì)量站

()

劉友良懷化市檢驗(yàn)檢測(cè)中心

()

JJF2147—2024

目錄

引言

………………………(Ⅱ)

范圍

1……………………(1)

引用文件

2………………(1)

術(shù)語(yǔ)和計(jì)量單位

3………………………(1)

概述

4……………………(1)

計(jì)量特性

5………………(2)

剩余磁場(chǎng)

5.1……………(2)

直流磁屏蔽因數(shù)

5.2……………………(2)

校準(zhǔn)條件

6………………(2)

環(huán)境條件

6.1……………(2)

測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)及其他設(shè)備

6.2………………(2)

校準(zhǔn)項(xiàng)目和校準(zhǔn)方法

7…………………(2)

校準(zhǔn)項(xiàng)目

7.1……………(2)

校準(zhǔn)方法

7.2……………(3)

校準(zhǔn)結(jié)果表達(dá)

8…………(4)

復(fù)校時(shí)間間隔

9…………(4)

附錄剩余磁場(chǎng)測(cè)量不確定度評(píng)定示例

A……………(5)

附錄校準(zhǔn)原始記錄格式

B……………(7)

附錄校準(zhǔn)證書內(nèi)頁(yè)格式

C……………(9)

Ⅰ

JJF2147—2024

引言

國(guó)家計(jì)量校準(zhǔn)規(guī)范編寫規(guī)則通用計(jì)量術(shù)語(yǔ)及

JJF1071—2010《》、JJF1001—2011《

定義和測(cè)量不確定度評(píng)定與表示共同構(gòu)成支撐本校準(zhǔn)規(guī)范編制

》JJF1059.1—2012《》

工作的基礎(chǔ)性系列規(guī)范

。

本規(guī)范為首次發(fā)布

。

Ⅱ

JJF2147—2024

直流磁屏蔽筒校準(zhǔn)規(guī)范

1范圍

本規(guī)范適用于剩余磁場(chǎng)為的直流磁屏蔽筒以下簡(jiǎn)稱磁屏蔽筒

0.1nT~100nT()

的校準(zhǔn)

。

2引用文件

本規(guī)范引用了下列文件

:

磁學(xué)計(jì)量常用名詞術(shù)語(yǔ)及定義試行

JJF1013—1989()

凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于該規(guī)范凡是不注日期的引用文

,;

件其最新版本包括所有的修改單適用于本規(guī)范

,()。

3術(shù)語(yǔ)和計(jì)量單位

剩余磁場(chǎng)

3.1residualmagneticfield

在地磁場(chǎng)環(huán)境下磁屏蔽筒消磁以后內(nèi)部剩余的磁感應(yīng)強(qiáng)度磁通密度

,()。

注:單位為納特(),用符號(hào)B表示。

nTres

直流磁屏蔽因數(shù)

3.2DCmagneticshieldingfactor

均勻分布的外磁場(chǎng)B與放置磁屏蔽后內(nèi)部同一點(diǎn)磁場(chǎng)B之比以對(duì)數(shù)方式表示

ei,。

B

注:單位為分貝(),用符號(hào)S表示,即Se。

EEB

dB=20lgi

4概述

磁屏蔽筒是由具有一定厚度的高磁導(dǎo)率材料制成的圓柱形或者方形殼體由于殼體