STCF MAPS內(nèi)徑跡探測(cè)器的關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)

STCF

MAPS內(nèi)徑跡探測(cè)器的關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)2023年4月1日111/6/2024STCF

detector

layoutBaseline

conceptual

design211/6/2024MAPS

ITKBeam

pipe

radium:

30mmThree

layers

of

silicon

pixel

detectors,

with

radii

of

36mm,98mm,160mmAcceptance:

polar

angle

of

20o~160o

Total

area:

1.26m2311/6/2024LayerRadius(mm)Length

(cm)Area

(cm2)13619.78447.4629853.853315.87316087.928838.63指標(biāo)需求位置分辨好于100μm功耗小于100mW/cm2物質(zhì)量單層不超過(guò)0.3%X/X0時(shí)間測(cè)量分辨200ns事例（第一階段）能量測(cè)量8-bitPreliminary

design,

possible

to

add

more

layers研究目標(biāo)新一代正負(fù)電子對(duì)撞機(jī)??超級(jí)陶粲裝置關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)項(xiàng)目(2023-2025)研制MAPS硅像素探測(cè)器芯片單元和讀出電子學(xué)系統(tǒng)原型，實(shí)現(xiàn)其性能參數(shù)達(dá)到預(yù)期指標(biāo)；開(kāi)展硅像素探測(cè)器模塊的設(shè)計(jì)和優(yōu)化，其性能參數(shù)達(dá)到預(yù)期指標(biāo)411/6/2024考核指標(biāo)研究?jī)?nèi)容預(yù)期成果1MAPS硅像素傳感器單元芯片位置分辨率好于100μm；功耗不超過(guò)100mW/cm22MAPS硅像素探測(cè)器模塊樣機(jī)完成一個(gè)module樣機(jī)和用于內(nèi)桶支撐的完整機(jī)械結(jié)構(gòu)樣機(jī)，單層物質(zhì)量不超過(guò)0.3%X/X03MAPS硅像素探測(cè)器讀出電子學(xué)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)對(duì)前端stave模塊原型的供電、配置和控制以及數(shù)據(jù)匯總和讀出。完成一套讀出電子學(xué)系統(tǒng)，包含三個(gè)前端讀出電子學(xué)模塊，一個(gè)數(shù)據(jù)匯總模塊，其中每個(gè)前端讀出電子學(xué)模塊可對(duì)接最多14片MAPS芯片。研究任務(wù)像素探測(cè)器的物理設(shè)計(jì)像素探測(cè)器芯片的片內(nèi)讀出電子學(xué)設(shè)計(jì)讀出電子學(xué)系統(tǒng)的研制像素芯片/電子學(xué)的測(cè)試與評(píng)估探測(cè)器模塊樣機(jī)和機(jī)械、制冷系統(tǒng)的研究511/6/2024參與單位：山東大學(xué)像素芯片設(shè)計(jì)華中師范大學(xué)模塊樣機(jī)和機(jī)械支撐西北工業(yè)大