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國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《藍(lán)寶石單晶襯底拋光片》編制說(shuō)明(討論稿)一、工作簡(jiǎn)況1、立項(xiàng)目的與意義藍(lán)寶石晶體作為電子信息產(chǎn)業(yè)及特殊光電設(shè)備領(lǐng)域的重要材料,隸屬于國(guó)家重點(diǎn)支持的高新技術(shù)領(lǐng)域第四大類“新材料”中光電子、光子晶體信息材料技術(shù)。“中國(guó)制造2025”中明確提出重點(diǎn)發(fā)展新材料領(lǐng)域中的關(guān)鍵戰(zhàn)略材料如電子陶瓷和人工晶體材料?!懂a(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄(2011年本)》明確支持“信息、新能源、國(guó)防、航天航空等領(lǐng)域用高品質(zhì)人工晶體材料、制品和器件生產(chǎn)裝備技術(shù)開(kāi)發(fā)”和“半導(dǎo)體、光電子器件、新型電子元器件等電子產(chǎn)品用材料”、“半導(dǎo)體照明襯底、外延、芯片、封裝及材料”等領(lǐng)域發(fā)展。隨著電子信息技術(shù)的發(fā)展,尤其是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,藍(lán)寶石襯底的市場(chǎng)需求越來(lái)越強(qiáng)烈。由于在透紅外光、介電性能和抗劃傷等方面的突出優(yōu)勢(shì),藍(lán)寶石不僅可以使觸摸屏的敏感度和反應(yīng)速度更高,且硬度大可以抵擋刀劃等各種磨損,因此被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子領(lǐng)域,主要包括智能手機(jī)攝像頭的保護(hù)蓋板、指紋識(shí)別HOME鍵蓋板、智能手表屏幕蓋板以及未來(lái)可能推廣的智能手機(jī)屏幕蓋板等。藍(lán)寶石的應(yīng)用領(lǐng)域主要涉及LED襯底材料、消費(fèi)電子和軍事等應(yīng)用,其中,襯底為藍(lán)寶石最主要的應(yīng)用,占據(jù)了約80%的份額,消費(fèi)電子行業(yè)占據(jù)約20%。在LED襯底領(lǐng)域藍(lán)寶石襯底相對(duì)其他襯底材料占90%以上的市場(chǎng)份額。隨著Mini/Micro-LED產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程加速,對(duì)藍(lán)寶石襯底需求量也與日俱增,有報(bào)道對(duì)藍(lán)寶石襯底需求量進(jìn)行測(cè)算:每片4英寸芯片可量產(chǎn)1700萬(wàn)Micro-LED,約可供1臺(tái)60英寸4K電視/3臺(tái)手機(jī)(2K)/2臺(tái)平板(2K)。預(yù)計(jì)2025年芯片/襯底需求量達(dá)到3500萬(wàn)片,如果蘋(píng)果全部采用Micro-LED,則需要6300萬(wàn)片。截至2021年12月,藍(lán)寶石出口單價(jià)為762.12美元每千克。據(jù)行家說(shuō)Research預(yù)測(cè),到2026年MircoLED將能帶來(lái)1.96億美金的芯片產(chǎn)值?;贚ED芯片技術(shù)的發(fā)展及產(chǎn)品的快速迭代,帶動(dòng)藍(lán)寶石襯底向更大尺寸方向發(fā)展。同時(shí),Mini/Micro-LED對(duì)波長(zhǎng)均勻性和缺陷控制有更高要求,對(duì)襯底材料的平坦度、表面微觀缺陷以及潔凈度等有提出更高品質(zhì)技術(shù)要求。因此,原有的標(biāo)準(zhǔn)GB/T30858-2014所規(guī)定的技術(shù)要求已遠(yuǎn)遠(yuǎn)滿足不了藍(lán)寶石襯底目前實(shí)際的市場(chǎng)需求,鑒于藍(lán)寶石襯底近幾年的迅速發(fā)展,需要對(duì)GB/T30858-2014《藍(lán)寶石單晶襯底拋光片》標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行修訂,以引導(dǎo)藍(lán)寶石行業(yè)發(fā)展,滿足市場(chǎng)需求和促進(jìn)技術(shù)進(jìn)步。2、任務(wù)來(lái)源根據(jù)《國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)關(guān)于下達(dá)2024年第一批推薦性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)外文版計(jì)劃的通知》(國(guó)標(biāo)委發(fā)[2024]16號(hào))的要求,由天通銀廈新材料有限公司等單位負(fù)責(zé)修訂《藍(lán)寶石單晶襯底拋光片》,計(jì)劃編號(hào)20240142-T-469,項(xiàng)目周期16個(gè)月,要求完成時(shí)間2025年7月。3、任務(wù)承擔(dān)單位概況天通銀廈新材料有限公司成立于2014年,注冊(cè)資本8.85億元,是專業(yè)從事大尺寸藍(lán)寶石晶體、晶棒及襯底晶圓研發(fā)、制造和銷售為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。公司歷經(jīng)10年的發(fā)展,已成長(zhǎng)為國(guó)內(nèi)大尺寸藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)、大尺寸晶棒加工以及襯底晶圓超精密加工技術(shù)領(lǐng)先的企業(yè),產(chǎn)品主要應(yīng)用于工業(yè)、醫(yī)藥業(yè)、集成電路及智能手機(jī)終端、新一代MicroLED顯示技術(shù)和5G通信等行業(yè)。公司生產(chǎn)區(qū)域包括已建成的老廠區(qū)和正在規(guī)劃建設(shè)的新廠區(qū)。其中,老廠區(qū)已建成160kg~400kg級(jí)藍(lán)寶石晶體的量產(chǎn)項(xiàng)目、晶體掏棒和襯底加工等延鏈補(bǔ)鏈項(xiàng)目,可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)藍(lán)寶石晶體2000噸。綜合老廠區(qū)的已建成項(xiàng)目和新廠區(qū)正在規(guī)劃建設(shè)的所有項(xiàng)目,公司在藍(lán)寶石材料產(chǎn)業(yè)上的總投資已接近40億元,可實(shí)現(xiàn)藍(lán)寶石晶體綜合年產(chǎn)能約4700噸、藍(lán)寶石晶棒年產(chǎn)能超過(guò)5400萬(wàn)毫米、藍(lán)寶石襯底片年產(chǎn)能480萬(wàn)片的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。公司作為高新技術(shù)企業(yè),一直致力于產(chǎn)品創(chuàng)新與技術(shù)提升,潛心研究和開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品、新工藝、新技術(shù)。公司自主立項(xiàng)并開(kāi)展研發(fā)創(chuàng)新活動(dòng)超過(guò)20項(xiàng),近年來(lái)研發(fā)投入超過(guò)1.6億元。公司先后研發(fā)出不同(100~720kg)公斤級(jí)藍(lán)寶石晶體、高端顯示領(lǐng)域所需的藍(lán)寶石襯底晶片(2~8英寸),其中720kg級(jí)晶體是目前國(guó)內(nèi)最大規(guī)格藍(lán)寶石晶體。經(jīng)過(guò)幾年的創(chuàng)新突破,目前已形成了企業(yè)自有的大尺寸藍(lán)寶石生長(zhǎng)工藝技術(shù)和切磨拋技術(shù),獲得了多項(xiàng)自主研發(fā)和創(chuàng)新的技術(shù)、工藝,其中授權(quán)專利51項(xiàng)、計(jì)算機(jī)軟件著作權(quán)15項(xiàng),科技成果12項(xiàng)。公司主持修訂了國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T31092-2022《藍(lán)寶石單晶晶錠》,編制組負(fù)責(zé)人康森曾負(fù)責(zé)起草了GB/T34504-2017《藍(lán)寶石拋光襯底片表面殘留金屬元素測(cè)量方法》。4、主要工作過(guò)程本項(xiàng)目編制單位天通銀廈新材料有限公司、徐州凱成科技有限公司、徐州美興光電科技有限公司、中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所通過(guò)調(diào)研國(guó)內(nèi)生產(chǎn)企業(yè)的生產(chǎn)現(xiàn)狀及技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),考慮用戶的當(dāng)前使用要求及以后技術(shù)發(fā)展的潛在使用要求,于2024年10月形成了討論稿。2024年10月在昆明市參加《藍(lán)寶石單晶襯底拋光片》標(biāo)準(zhǔn)第1次工作會(huì)議。二、標(biāo)準(zhǔn)編制的原則及確定主要內(nèi)容的依據(jù)2.1、編制原則本標(biāo)準(zhǔn)起草單位自接受起草任務(wù)后,成立了標(biāo)準(zhǔn)編制工作組,負(fù)責(zé)收集生產(chǎn)統(tǒng)計(jì)、檢驗(yàn)數(shù)據(jù)、市場(chǎng)需求及客戶要求等信息。以國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T30858-2014《藍(lán)寶石單晶襯底拋光片》為基礎(chǔ),初步確定了《藍(lán)寶石單晶襯底拋光片》標(biāo)準(zhǔn)起草所遵循的基本原則和編制依據(jù):1)標(biāo)準(zhǔn)的編寫(xiě)格式按國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分:標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的統(tǒng)一規(guī)定和要求進(jìn)行編寫(xiě)。考慮用戶的當(dāng)前使用要求及以后技術(shù)發(fā)展的潛在使用要求??紤]國(guó)內(nèi)生產(chǎn)企業(yè)的生產(chǎn)現(xiàn)狀及技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。2.2、標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容的確定依據(jù)及主要試驗(yàn)驗(yàn)證情況分析本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T30858-2014《藍(lán)寶石單晶襯底拋光片》。相比于GB/T30858-2014,本次的主要技術(shù)變動(dòng)內(nèi)容如下。2.2.1、更改了適用范圍。隨著鍵合襯底、透明顯示等技術(shù)的發(fā)展,不僅要求單面拋光的藍(lán)寶石襯底,雙面拋光的襯底材料的需求也逐步提升?;谀壳暗氖袌?chǎng)需求和技術(shù)發(fā)展,本文件的適用范圍包括了藍(lán)寶石單面拋光、雙面拋光襯底片。因此,將原文件中“1范圍”由“適用于單面拋光藍(lán)寶石襯底片”修改為“適用于外延生長(zhǎng)半導(dǎo)體薄膜用藍(lán)寶石襯底片”。2.2.2、更改了規(guī)范性引用文件。隨著藍(lán)寶石晶體材料品質(zhì)的提升以及檢測(cè)技術(shù)的不斷完善,目前已有藍(lán)寶石單晶晶向、襯底片彎曲度、襯底片翹曲度、位錯(cuò)密度、半峰寬值的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn),并且目前已有更適用的總雜質(zhì)含量和表面粗糙度的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)。因此,本文件將原文件中規(guī)范性引用文件GB/T1555、GB/T6619、GB/T6620、附錄A、附錄B、附錄C、附錄D分別用GB/T34210、GB/T31353、GB/T31352、GB/T33236、GB/T33763、GB/T34612、GB/T29505替代。根據(jù)相關(guān)術(shù)語(yǔ)和定義界定的需要,增加了規(guī)范性引用文件GB/T31092。由于本文件新增了參考槽的尺寸及允許偏差的要求,所以新增了規(guī)范性引用文件GB/T1958作為試驗(yàn)方法。2.2.3、刪除了“藍(lán)寶石”、“襯底”、“局部厚度變化”、“藍(lán)寶石晶棒”、“亮點(diǎn)”的定義。根據(jù)需要,增加了規(guī)范性引用文件GB/T31092,GB/T14264和GB/T31092界定的術(shù)語(yǔ)和定義可以滿足本文件的要求,不再單獨(dú)列出藍(lán)寶石、襯底、亮點(diǎn)的定義。此外,修訂后的文件中無(wú)“藍(lán)寶石晶棒”的術(shù)語(yǔ),并且“局部厚度變化”的術(shù)語(yǔ)在全文中只出現(xiàn)了一次,因此,刪除藍(lán)寶石晶棒和局部厚度變化的術(shù)語(yǔ)和定義。2.2.4、更改了化學(xué)組成的要求。由于GB/T31092中藍(lán)寶石單晶的定義是“人工生長(zhǎng)的有確定晶向的型氧化鋁單晶”,因此刪除4.1中“藍(lán)寶石單晶的化學(xué)組成為高純的α-Al2O3”的冗余表達(dá),并將條標(biāo)題修改為“總雜質(zhì)含量”。2.2.5、更改了結(jié)晶完整性的要求。在實(shí)際的藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)過(guò)程中,若受到雜質(zhì)、溫度變化或震動(dòng)產(chǎn)生的應(yīng)力作用,或者受到打擊、切削、研磨等機(jī)械應(yīng)力作用,會(huì)使晶體內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)排列變形,原子行列相互滑移,不再符合理想晶體的有序排列,形成線狀缺陷,即位錯(cuò)。大量的位錯(cuò)會(huì)影響藍(lán)寶石晶體的光學(xué)、電學(xué)、力學(xué)性能,在LED襯底應(yīng)用方面,位錯(cuò)的存在會(huì)降低襯底外延層的質(zhì)量,進(jìn)而降低LED照明的發(fā)光效率。隨著新型顯示技術(shù)的發(fā)展,對(duì)藍(lán)寶石襯底材料的品質(zhì)要求不斷提升。低位錯(cuò)密度的襯底片是制作高質(zhì)量外延片的基礎(chǔ),因此,基于目前的市場(chǎng)需求和技術(shù)水平,對(duì)藍(lán)寶石襯底片的位錯(cuò)密度的技術(shù)要求進(jìn)行修改。具體的修改內(nèi)容是:將位錯(cuò)密度“應(yīng)小于104個(gè)/cm2”修改為“應(yīng)小于1000個(gè)/cm2”。X射線雙晶搖擺曲線的半峰寬(FWHM)值也是表征晶體材料結(jié)構(gòu)完整性的重要參數(shù)。因此,基于目前的市場(chǎng)需求和技術(shù)水平,對(duì)藍(lán)寶石襯底片的雙晶搖擺曲線半峰寬值的技術(shù)要求進(jìn)行修改。具體的修改內(nèi)容是:將雙晶搖擺曲線的半峰寬值“應(yīng)小于30arcsec”修改為“應(yīng)小于20?″”。2.2.6、刪除了生長(zhǎng)方法的要求。本文件修訂過(guò)程中,凡是“按雙方合同的規(guī)定”的未定技術(shù)要求,均包含在本文件的4.10“如需方對(duì)藍(lán)寶石襯底片有特殊技術(shù)要求,由供需雙方協(xié)商確定,并在訂貨單中注明”的表述中,不再單獨(dú)列出。因此,刪除了原文件中生長(zhǎng)方法的要求。2.2.7、更改了表面取向及主參考面取向或主參考槽取向、刪除了圖1、圖2。為提升表述的清晰性和格式的規(guī)范性,本文件對(duì)原文件的表1進(jìn)行了格式上的更改和完善。同時(shí),表1中的內(nèi)容能夠清楚說(shuō)明表面取向及參考面取向的關(guān)系,不需要圖示解釋,因此刪除原文件中的圖1和圖2。2.2.8、更改了尺寸及允許偏差的要求。隨著Micro-LED、Mini-LED的快速發(fā)展,其工藝與LED工藝雖有部分相同,但尺寸相差10倍以上,亮度更高,壽命更長(zhǎng)。這要求Micro-LED具有良好的一致性和均勻性,因此對(duì)其襯底材料的直徑、加工精度、表面粗糙度、亞表面損傷等的要求更加嚴(yán)格。原文件所規(guī)定的技術(shù)要求已滿足不了藍(lán)寶石襯底片實(shí)際的市場(chǎng)需求,因此本文件提高了原文件中外形尺寸及允許偏差的技術(shù)要求。此外,LED芯片技術(shù)的發(fā)展及產(chǎn)品的快速迭代,帶動(dòng)藍(lán)寶石襯底向更大尺寸方向發(fā)展。與小尺寸襯底相比,大尺寸襯底的芯片產(chǎn)量大幅提高,邊緣濾除損失比例大幅降低。在技術(shù)成熟度和成本降低的綜合驅(qū)動(dòng)下,6、8英寸藍(lán)寶石襯底的市場(chǎng)需求開(kāi)始快速增加。因此,本文件中增加了8英寸襯底的尺寸及允許偏差。2.2.9、增加了參考槽的尺寸及允許偏差的要求、增加了參考槽的結(jié)構(gòu)圖。為提高材料利用率,藍(lán)寶石襯底客戶對(duì)6、8英寸大尺寸藍(lán)寶石襯底的參考面采用參考槽替代,因此,本文件增加了參考槽尺寸及允許偏差的要求,并增加了參考槽的結(jié)構(gòu)圖。2.2.10、更改了表面缺陷的要求。在LED襯底領(lǐng)域,為實(shí)現(xiàn)更高亮度LED以及提升LED芯片加工合格率,對(duì)藍(lán)寶石襯底的面型質(zhì)量、表面缺陷等提出更高的要求。因此,本文件修訂過(guò)程中,為適應(yīng)目前市場(chǎng)發(fā)展的需要,基于藍(lán)寶石襯底片實(shí)際制程及產(chǎn)品特點(diǎn),更改并提高了襯底片表面缺陷的技術(shù)要求。具體修訂內(nèi)容如下:減小了劃傷的數(shù)量及尺寸限度;減小了崩邊的尺寸限度;刪除了裂紋、線切痕、亮點(diǎn)三項(xiàng)內(nèi)容。此外,由于本文件增加了8英寸襯底的尺寸,所以在以襯底尺寸分類的劃傷項(xiàng)目中,增加了8英寸襯底的劃傷技術(shù)要求。2.2.11、更改了背面缺陷的要求。原文件中將對(duì)藍(lán)寶石襯底片背面的亮點(diǎn)等缺陷的要求寫(xiě)入表面缺陷的技術(shù)要求表格中,導(dǎo)致表面缺陷與背面缺陷的要求不明晰、易混淆。因此,本文件將表面缺陷和背面缺陷的要求進(jìn)行細(xì)分,根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)制程和本文件產(chǎn)品特點(diǎn),將裂紋、線切痕、亮點(diǎn)劃分進(jìn)背面缺陷,形成了背面缺陷的技術(shù)要求表格,以便更全面、準(zhǔn)確、直觀地體現(xiàn)表面缺陷和背面缺陷的技術(shù)要求。并且,根據(jù)市場(chǎng)發(fā)展的需要及目前國(guó)內(nèi)外各生產(chǎn)廠家藍(lán)寶石襯底的制造水平,提高了襯底片背面缺陷的技術(shù)要求,減小了崩邊的尺寸限度。此外,為提高文件用詞的一致性和準(zhǔn)確性,將條標(biāo)題“背面質(zhì)量”修改為“背面缺陷”。2.2.12、更改了顆粒度的要求。科技部《“十四五”國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)》中明確指出,“研究大尺寸襯底上低缺陷密度、高波長(zhǎng)均勻性、Micro-LED外延生長(zhǎng)技術(shù),解決Micro-LED尺寸效應(yīng)、邊緣效應(yīng)以及低損傷刻蝕和鈍化修復(fù)技術(shù)難題,開(kāi)發(fā)高均勻性、高效率的Micro-LED外延片和Micro-LED芯片”。受益于行業(yè)景氣度及產(chǎn)能擴(kuò)張,LED產(chǎn)值將實(shí)現(xiàn)高速增長(zhǎng),預(yù)計(jì)到2026年Mirco-LED將帶來(lái)1.96億美金的芯片產(chǎn)值。Micro-LED對(duì)波長(zhǎng)均勻性和缺陷控制有更高要求,對(duì)襯底材料的平坦度、表面微觀缺陷以及潔凈度等提出更高品質(zhì)技術(shù)要求。因此,根據(jù)市場(chǎng)發(fā)展的需要及目前國(guó)內(nèi)外各生產(chǎn)廠家藍(lán)寶石襯底的制造水平,提高了襯底片顆粒度的要求。具體修改內(nèi)容如下:將4英寸襯底顆粒度要求“>0.3μm<1000個(gè)”改為“>0.3μm<500顆”;將6英寸襯底顆粒度要求“>0.3μm<1000個(gè)”改為“>0.3μm<800顆”。此外,由于本文件增加了8英寸襯底的尺寸,所以在襯底片顆粒度要求中,增加了8英寸襯底的顆粒度技術(shù)要求。2.2.13、更改了總雜質(zhì)含量、結(jié)晶完整性、表面取向及主參考面取向或主參考槽取向、尺寸及允許偏差、表面粗糙度的試驗(yàn)方法。隨著藍(lán)寶石晶體材料品質(zhì)的提升以及檢測(cè)技術(shù)的不斷完善,目前已有藍(lán)寶石單晶晶向、襯底片彎曲度、襯底片翹曲度、位錯(cuò)密度、半峰寬值的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn),并且目前已有適用的總雜志含量和表面粗糙度的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)。因此,本文件將原文件中檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)GB/T1555、GB/T6619、GB/T6620、附錄A、附錄B、附錄C、附錄D分別用GB/T34210、GB/T31353、GB/T31352、GB/T33236、GB/T33763、GB/T34612、GB/T29515替代。2.2.14、更改了檢查和驗(yàn)收的要求。根據(jù)GB/T20001.10的相關(guān)要求及產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的特點(diǎn),將檢查和驗(yàn)收的要求更改為“產(chǎn)品應(yīng)由供方或第三方質(zhì)檢部門進(jìn)行檢驗(yàn),保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本文件及訂貨單的規(guī)定,并填寫(xiě)產(chǎn)品質(zhì)量保證書(shū)”。2.2.15、更改了組批的要求。在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中,相同長(zhǎng)晶工藝生產(chǎn)、并以相同加工工藝加工成的同規(guī)格藍(lán)寶石襯底片在客戶生長(zhǎng)外延制程中無(wú)差別,可視為一批。因此,為提高組批合理性和實(shí)際生產(chǎn)效率,將組批要求由“同一晶錠切割的襯底片為一個(gè)檢驗(yàn)批”更改為“每批應(yīng)由相同長(zhǎng)晶工藝生產(chǎn)的藍(lán)寶石晶體,并以相同加工工藝加工成的同規(guī)格的藍(lán)寶石襯底片組成”。2.2.16、更改了檢驗(yàn)項(xiàng)目及取樣的要求。為提升表述的清晰性和格式的規(guī)范性,本文件將原文件中的全檢項(xiàng)目和抽檢項(xiàng)目統(tǒng)一匯總在表9中,將由供需雙方協(xié)商確定是否檢驗(yàn)的項(xiàng)目單獨(dú)形成表10。根據(jù)藍(lán)寶石襯底片實(shí)際生產(chǎn)制程要求,更改了表面缺陷和背面缺陷檢驗(yàn)方法具體要求。根據(jù)當(dāng)前市場(chǎng)供需雙方需求,以及目前日常出貨檢驗(yàn)要求,將表面粗糙度的檢驗(yàn)規(guī)則更改為由供需雙方協(xié)商是否檢驗(yàn)。2.2.17、更改了檢驗(yàn)結(jié)果的判定方法。根據(jù)當(dāng)前市場(chǎng)需求,并使文本更加簡(jiǎn)潔、邏輯更加清晰,本文件將檢驗(yàn)結(jié)果的判定方法的表述改為“若表9中的檢驗(yàn)項(xiàng)目中有任何一項(xiàng)檢驗(yàn)不合格,則判定該藍(lán)寶石襯底片檢驗(yàn)批不合格。若表10中的檢驗(yàn)項(xiàng)目中有任何一項(xiàng)檢驗(yàn)不合格,則另取雙倍數(shù)量的試樣對(duì)不合格項(xiàng)目進(jìn)行重復(fù)檢驗(yàn),若重復(fù)檢驗(yàn)結(jié)果仍有一試樣不
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