2023屆高考化學(xué)魯科版一輪復(fù)習(xí)學(xué)案-第五章第5課時(shí)　晶胞參數(shù)、坐標(biāo)參數(shù)的分析與應(yīng)用

第5課時(shí)晶胞參數(shù)、坐標(biāo)參數(shù)的分析與應(yīng)用能根據(jù)晶胞確定晶體的組成并進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算。晶胞中粒子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)的確定為了表示晶胞中所有原子的位置,用坐標(biāo)(x,y,z)表達(dá)晶胞中原子的分布,該坐標(biāo)被稱為原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。通常以晶胞的3個(gè)邊a、b、c為坐標(biāo)軸的單位,以晶胞的一個(gè)頂點(diǎn)為原點(diǎn)建立坐標(biāo)系,這樣就可以確定晶胞中所有原子的坐標(biāo),也能確定位于坐標(biāo)原點(diǎn)(晶胞的一個(gè)頂點(diǎn))、3個(gè)坐標(biāo)軸(晶胞相鄰的3條棱)和3個(gè)坐標(biāo)面上原子的坐標(biāo),這樣確定的原子坐標(biāo)要么是零,要么是小于1的分?jǐn)?shù),所以稱為原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。例:Ge單晶的晶胞,其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0),B為(12,0,12),C為(12,12,0)。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為(14,以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)?；卮鹨韵聠?wèn)題。(1)(2021·山東臨沂一模)硒氧化鉍是一類全新二維半導(dǎo)體芯片材料,為四方晶系晶胞結(jié)構(gòu)(如圖所示),可以看成帶正電的[Bi2O2]n2n+層與帶負(fù)電的[Se]n2n(2)(2021·華南師大附中三模)有機(jī)鹵化鉛晶體具有獨(dú)特的光電性能,圖為其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖。A為CH3NH3+,B為Pb2+,X為Cl在該晶胞的另一種表達(dá)方式中,若圖中Pb2+處于頂點(diǎn)位置,則Cl-處于位置。原子坐標(biāo)參數(shù)B為(0,0,0),A1為(12,12,12),則X2(3)(2021·山東濟(jì)南三模)鐵酸釔是一種典型的單相多鐵性材料,其正交相晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。已知1號(hào)O原子空間坐標(biāo)為(0,0,14),2號(hào)O原子空間坐標(biāo)為(12,12-m,14-n(4)(2021·山東聊城一模)氯鉑酸鉀(K2PtCl6,相對(duì)分子質(zhì)量為486)的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,該晶胞中部分PtCl62-、K+的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為PtCl62-(0,0,0)、KA+(0.25,0.75,0.25)、K解析:(1)由電荷守恒可知陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為1∶1,因此化學(xué)式為Bi2O2Se,也可由圖通過(guò)均攤法求得,圖示晶胞中Se的位置有兩種,一是頂點(diǎn),坐標(biāo)為(0,0,0);一是體心,Se各個(gè)坐標(biāo)值相當(dāng)于邊長(zhǎng)的一半,故坐標(biāo)為(12,12,1(2)根據(jù)題給圖示可知,Pb2+處于兩個(gè)Cl-的中點(diǎn),若圖中Pb2+處于頂點(diǎn)位置,則Cl-處于兩個(gè)Pb2+的中點(diǎn),即棱的中點(diǎn)(棱心);原子坐標(biāo)參數(shù)B為(0,0,0),A1為(12,12,12),則X2為(1(3)已知1號(hào)O原子空間坐標(biāo)為(0,0,14),2號(hào)O原子空間坐標(biāo)為(12,12-m,14-n),由投影看出2號(hào)O原子和3號(hào)Fe原子的x坐標(biāo)相同,2號(hào)O原子的y坐標(biāo)為12-m,3號(hào)Fe原子的y坐標(biāo)為12+m,3號(hào)Fe原子的z坐標(biāo)為34,則3號(hào)Fe原子的空間坐標(biāo)為((4)由題圖可知,PtCl62-答案:(1)Bi2O2Se(0,0,0),(12,12,1(2)棱心(12,0,0(3)(12,12+m,(4)(0.25,0.25,0.25)晶胞中微粒間距離、原子半徑的計(jì)算1.以金屬晶體的四種堆積模型為例分析堆積模型簡(jiǎn)單立方堆積體心立方堆積六方最密堆積面心立方最密堆積晶胞配位數(shù)681212原子半徑(r)和晶胞邊長(zhǎng)(a)的關(guān)系2r=a2r=3底面棱長(zhǎng)2r高22r=2一個(gè)晶胞內(nèi)原子數(shù)目12242.金屬晶胞中原子空間利用率的計(jì)算空間利用率=球體積晶胞體積×原子半徑及原子空間利用率的計(jì)算1.用晶體的X射線衍射法對(duì)Cu的測(cè)定得到以下結(jié)果:Cu的晶胞為面心立方最密堆積(如圖),已知該晶體的密度為9.00g·cm-3;Cu的原子半徑為cm(阿伏加德羅常數(shù)為NA,要求列式計(jì)算)。

解析:設(shè)晶胞的邊長(zhǎng)為acm,則a3·ρ·NA=4×64,a=34×64ρ·NA,面對(duì)角線為234×649.00×6.答案:24×34×649.2.(2021·河北滄州三模節(jié)選)β-SiC的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,若碳和硅的原子半徑分別為apm和bpm,密度為ρg·cm-3,其原子的空間利用率(即晶胞中原子體積占空間體積的百分率)為(用含a、b、ρ、NA的代數(shù)式表示,NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)。

解析:根據(jù)均攤法可得,該晶胞中含有4個(gè)C和4個(gè)Si,故原子所占的總體積V=4×4π(a3+b3)×10-303cm3=16π(a3答案:ρ微粒間距離的計(jì)算3.(2021·廣東潮州模擬節(jié)選)常見(jiàn)的銅的硫化物有CuS和Cu2S兩種。已知:晶胞中S2-的位置如圖1所示,銅離子位于硫離子所構(gòu)成的四面體中心,它們晶胞具有相同的側(cè)視圖如圖2所示。已知CuS和Cu2S的晶胞參數(shù)分別為apm和bpm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。(1)CuS晶體中,相鄰的兩個(gè)銅離子間的距離為pm。

(2)Cu2S晶體中,S2-的配位數(shù)為。

解析:(1)由題意可知,銅離子位于互不相鄰的四面體中心,相鄰的2個(gè)四面體體心距離等于晶胞棱長(zhǎng)的一半,而2個(gè)銅離子距離等于相鄰的2個(gè)四面體體心距離的2倍,因此相鄰的兩個(gè)銅離子間的距離為22apm。(2)銅離子配位數(shù)為4,根據(jù)化學(xué)式為Cu2S,得出S2-答案:(1)224.(2021·河北唐山三模節(jié)選)某立方磷青銅晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。(已知Sn的相對(duì)原子質(zhì)量為119)若晶體密度為ρg/cm3,最近的Cu原子核間距為pm(用含ρ、NA的代數(shù)式表示)。

解析:若晶體密度為ρg/cm3,晶胞的體積為V=119+64×3+31NAρ邊長(zhǎng)的22,故為22×3119+64×3+31NAρcm=2答案:22×3342NA計(jì)算晶體中微粒間距離的方法晶胞邊長(zhǎng)與M、NA、ρ等的計(jì)算宏觀晶體密度與微觀晶胞參數(shù)的關(guān)系晶體密度的計(jì)算1.(2021·山東日照三模節(jié)選)MgO晶體結(jié)構(gòu)屬于NaCl型(如圖),圖中表示Mg2+的為(填“大球”或“小球”),其配位數(shù)是;MgO晶胞參數(shù)為apm,則MgO晶胞的密度為g·cm-3(NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,用含a、NA的式子表示)。

解析:MgO晶體結(jié)構(gòu)屬于NaCl型(如圖),由氯化鈉的晶胞結(jié)構(gòu)可知,氯離子和鈉離子的配位數(shù)都是6;所以在MgO晶胞中Mg2+和O2-的配位數(shù)也都是6,Mg2+與O2-為同電子離子,原子序數(shù)越大,則半徑越小,則圖中表示Mg2+的為小球;MgO晶胞參數(shù)為apm,則MgO晶胞的密度為ρ=mVNMNAV=160(a答案:小球61602.(2021·山東師大附中模擬節(jié)選)ZnF2具有金紅石型四方結(jié)構(gòu),晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示:若NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,則ZnF2晶體的密度為g·cm-3(用含a、c、NA的代數(shù)式表示)。

解析:若NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,則ZnF2晶體的密度為ρ=mV103NA×2a×10-7×a×10-7答案:2.06a3.(2021·廣東湛江二模節(jié)選)Ni2C的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。(1)Ni2C晶體中,C周圍距離最近且相等的Ni的數(shù)目為。

(2)若阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則Ni2C晶體密度ρ=g·cm-3。

解析:(1)由Ni2C的組成和晶胞結(jié)構(gòu)知,晶胞頂角處為C,與之距離最近且相等的Ni的數(shù)目為6。(2)由Ni2C晶胞結(jié)構(gòu)知,每個(gè)晶胞中含有1個(gè)C和2個(gè)Ni,則晶體密度ρ=130gNA·[(a答案:(1)6(2)2晶胞邊長(zhǎng)、NA等的計(jì)算4.(2021·廣東茂名二模節(jié)選)已知黃銅礦中鐵、硫、銅組成晶胞結(jié)構(gòu)如圖,化學(xué)式為CuFeS2。若晶體密度為dg·cm-3,則晶胞的高h(yuǎn)=pm(寫出簡(jiǎn)化后的計(jì)算式即可)。

解析:根據(jù)均攤原則,1個(gè)晶胞中含有4個(gè)鐵原子、8個(gè)硫原子、4個(gè)銅原子,晶體密度為dg·cm-3,則56×4+64×4+32×8a2h答案:7365.(2021·重慶三模節(jié)選)Cu與F形成的化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,若晶體密度為ρg·cm-3,Cu與F之間的最近距離為apm。則阿伏加德羅常數(shù)的值NA=(用字母a、ρ表示)。

解析:根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知Cu與F最近的距離為體對(duì)角線的四分之一,設(shè)晶胞的棱長(zhǎng)為b,則有3b=4apm,所以晶胞的棱長(zhǎng)為43apm,晶胞的體積V=(43a)3pm3=(43a)3×10-30cm3;根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知晶胞中有4個(gè)F原子,有8×18+6×12=4(個(gè))Cu原子,所以晶胞的質(zhì)量m=(64+19)×4N解得NA=2493答案:249投影圖的分析6.(2021·山東煙臺(tái)三模節(jié)選)氮化鎵是一種新型半導(dǎo)體材料。晶胞結(jié)構(gòu)可看作金剛石晶胞內(nèi)部的碳原子被N原子代替,頂點(diǎn)和面心的碳原子被Ga原子代替。以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。(1)若沿y軸投影的晶胞中所有原子的分布圖如圖,則原子2的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為。(2)若晶胞中Ga原子和N原子的最近距離為apm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則氮化鎵的晶體密度為g·cm-3(列出計(jì)算表達(dá)式)。

解析:(1)根據(jù)金剛石的結(jié)構(gòu)進(jìn)行類推,將金剛石晶胞分作八個(gè)小部分,有四個(gè)原子分別位于不相鄰的小正方體中心,由1的坐標(biāo)可知,1位于上層后排靠左的小正方體中心,則2位于下層后排靠右的小正方體中心,故2的數(shù)字坐標(biāo)為(0.75,0.75,0.25)。(2)設(shè)晶胞的參數(shù)為x,晶胞中Ga和N原子的最近距離為體對(duì)角線的四分之一,則34x=a×10-10cm,x=43a×10-103cm,一個(gè)晶胞的體積為x3=643a3×1cm-3。答案:(1)(0.75,0.75,0.25)(2)336×97.(2021·湖南長(zhǎng)沙模擬節(jié)選)六方石墨和三方石墨都是由石墨層形分子平行堆積而形成的晶體。已知六方石墨晶體由層狀石墨“分子”按ABAB……方式堆積而成,如圖甲所示,一個(gè)石墨的六方晶胞如圖乙所示;而三方石墨層形分子堆積的次序?yàn)锳BCABC……一個(gè)三方石墨晶胞如圖丙所示。畫出六方石墨晶胞沿c軸的投影:(用“·”標(biāo)出碳原子位置即可),已知一個(gè)三方石墨晶胞的體積為Vpm3,則該晶胞的密度為g/cm3(用含NA和V的代數(shù)式表示)。

解析:六方石墨晶胞沿c軸的投影圖為,一個(gè)三方石墨晶胞中含有6個(gè)C原子,故晶胞的密度ρ=12×6V×10-30·NA答案:7.計(jì)算晶體密度的方法1.(2021·山東卷,16節(jié)選)XeF2晶體屬四方晶系,晶胞參數(shù)如圖所示,晶胞棱邊夾角均為90°,該晶胞中有個(gè)XeF2分子。以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置,稱為原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo),如A點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(12,12,12)。已知Xe—F鍵長(zhǎng)為rpm,則B點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為;晶胞中A、B間距離d=解析:圖中大球的個(gè)數(shù)為8×18+1=2,小球的個(gè)數(shù)為8×14+2=4,根據(jù)XeF2的原子個(gè)數(shù)比知大球是Xe原子,小球是F原子,該晶胞中有2個(gè)XeF2分子;由A點(diǎn)坐標(biāo)知該原子位于晶胞的中心,且每個(gè)坐標(biāo)系的單位長(zhǎng)度都記為1,B點(diǎn)在棱的rc處,其坐標(biāo)為(0,0,rc);,圖中y是底面對(duì)角線的一半,y=22apm,x=(c2-r)答案:2(0,0,rc)2.(2020·山東卷,17節(jié)選)以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。四方晶系CdSnAs2的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞棱邊夾角均為90°,晶胞中部分原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)如下表所示。坐標(biāo)原子xyzCd000Sn000.5As0.250.250.125一個(gè)晶胞中有個(gè)Sn,找出距離Cd(0,0,0)最近的Sn(用分?jǐn)?shù)坐標(biāo)表示)。CdSnAs2晶體中與單個(gè)Sn鍵合的As有個(gè)。解析:由四方晶系CdSnAs2晶胞及原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)可知,有4個(gè)Sn位于棱上,6個(gè)Sn位于面上,則屬于一個(gè)晶胞的Sn的個(gè)數(shù)為4×14+6×12=4。與Cd(0,0,0)最近的Sn原子為如圖所示的a、b兩個(gè)Sn原子,a位置的Sn的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0.5,0,0.25),b位置的Sn的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0.5,0.5,0)。CdSnAs答案:4(0.5,0,0.25)、(0.5,0.5,0)43.(2021·廣東卷,20節(jié)選)理論計(jì)算預(yù)測(cè),由汞(Hg)、鍺(Ge)、銻(Sb)形成的一種新物質(zhì)X為潛在的拓?fù)浣^緣體材料。X的晶體可視為Ge晶體(晶胞如圖a所示)中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成。(1)圖b為Ge晶胞中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成的一種單元結(jié)構(gòu),它不是晶胞單元,理由是

。

(2)圖c為X的晶胞,X的晶體中與Hg距離最近的Sb的數(shù)目為;該晶胞中粒子個(gè)數(shù)比Hg∶Ge∶Sb=。

(3)設(shè)X的最簡(jiǎn)式的式量為Mr,則X晶體的密度為g·cm-3(列出算式)。

解析:(1)題圖b中上、下兩個(gè)面的面心原子分別為Hg和Ge,晶胞結(jié)構(gòu)不對(duì)稱,不符合晶胞平移后重合的特性,因此不是晶胞單元。(2)由題圖c可知,X的晶體中與Hg距離最近的Sb的數(shù)目為4;該晶胞中Hg原子數(shù)為4×14+6×12=4,Ge原子數(shù)為8×18+4×12+1=4,Sb原子數(shù)為8,故Hg、Ge、Sb粒子個(gè)數(shù)比為4∶4∶8=1∶1∶2。(3)該晶胞的組成為Hg4Ge4Sb8,由于最簡(jiǎn)式的式量為Mr,則晶胞的質(zhì)量為4MrNAg,晶胞的體積為x2y×10-21cm3,則晶體的密度為4cm-3。答案:(1)圖b中上、下兩個(gè)面的面心原子在上、下平移過(guò)程中不能重合(2)41∶1∶2(3)44.(2021·湖南卷,18節(jié)選)下圖是Mg、Ge、O三種元素形成的某化合物的晶胞示意圖。(1)已知化合物中Ge和O的原子個(gè)數(shù)比為1∶4,圖中Z表示原子(填元素符號(hào)),該化合物的化學(xué)式為。

(2)已知該晶胞的晶胞參數(shù)分別為anm、bnm、cnm,α=β=γ=90°,則該晶體的密度ρ=g·cm-3(設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,用含a、b、c、NA的代數(shù)式表示)。

解析:(1)由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知,1個(gè)晶胞中,對(duì)于X原子,8個(gè)位于頂點(diǎn)、4個(gè)位于棱上、6個(gè)位于面上、3個(gè)位于晶胞內(nèi),故1個(gè)晶胞中含有X的數(shù)目為8×18+4×14+6×12+3=8;對(duì)于Y原子,4個(gè)Y原子均位于晶胞內(nèi);對(duì)于Z原子,16個(gè)Z原子均位于晶胞內(nèi)。其中Ge和O的原子個(gè)數(shù)比為1∶4,則X為Mg,Y為Ge,Z為O。由上述分析可知,該化合物的化學(xué)式為Mg2GeO4。(2)1個(gè)晶胞的質(zhì)量=24×8+73×4+16×16NAg=740NAg,1個(gè)晶胞的體積=abc×10-21cm3,則晶體的密度ρ=740答案:(1)OMg2GeO4(2)75.(2021·河北卷,17節(jié)選)分別用、表示H2PO4-和K+,KH2PO4晶體的四方晶胞如圖(a)所示,圖(b)、圖(c)分別顯示的是H2PO4-、K(1)若晶胞底邊的邊長(zhǎng)均為apm、高為cpm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,晶體的密度為g·cm-3(寫出表達(dá)式)。(2)晶胞在x軸方向的投影圖為(填標(biāo)號(hào))。

解析:(1)由題給KH2PO4晶體的四方晶胞圖可知,每個(gè)晶胞中,K+個(gè)數(shù)為6×12+4×14=4,H2PO4-個(gè)數(shù)為8×18+4×12+1=4,則1個(gè)KH2PO4晶體的四方晶胞中有4個(gè)KH2PO4,晶體密度等于晶胞質(zhì)量除以晶胞體積,晶胞體積為a2c×10-30cm3,晶胞的質(zhì)量為4×136N答案:(1)4×136a題號(hào)知識(shí)易中難原子坐標(biāo)的確定45原子半徑、粒子間距的計(jì)算2,36,7晶體密度的計(jì)算8空間利用率、NA等其他的計(jì)算1一、選擇題(每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題意)1.金晶體是面心立方最密堆積,已知立方體的每個(gè)面上5個(gè)金原子緊密堆積,金原子的半徑為rcm,則金晶體的空間利用率為(B)A.43π(22)C.4×43π(2)解析:面心立方最密堆積原子在晶胞中的位置關(guān)系如圖。金晶體為面心立方最密堆積,則晶胞面對(duì)角線為金原子半徑的4倍,金原子的半徑為rcm,則晶胞的邊長(zhǎng)為4r×22cm=22rcm,每個(gè)金晶胞中含有4個(gè)原子,則金原子總體積為4×43πr3cm3,金晶胞體積為(22rcm)3,故空間利用率為4×432.(2021·湖北新高考適應(yīng)性考試,13)已知NixMg1-xO晶體屬立方晶系,晶胞棱長(zhǎng)為a。將Li+摻雜到該晶胞中,可得到一種高性能的p型太陽(yáng)能電池材料,其結(jié)構(gòu)單元如圖所示。假定摻雜后的晶胞參數(shù)不發(fā)生變化,下列說(shuō)法正確的是(B)A.該結(jié)構(gòu)單元中O原子數(shù)為3B.Ni和Mg間的最短距離是22C.Ni的配位數(shù)為4D.該物質(zhì)的化學(xué)式為L(zhǎng)i0.5Mg1.12Ni2.38O4解析:O在12條棱的棱心和體心,因此O原子數(shù)為12×14+1=4,A項(xiàng)錯(cuò)誤;由圖可知,Ni與Mg的最短距離為晶胞面對(duì)角線的12,即22a,B項(xiàng)正確;由晶胞結(jié)構(gòu)可知,Ni的配位數(shù)為6,C項(xiàng)錯(cuò)誤;晶胞中各微粒的個(gè)數(shù)為N(Li)=1×0.5=0.5,N(Mg)=1×18+2×12N(Ni)=7×18+3×12=2.375,N(O)=4,因此該物質(zhì)的化學(xué)式為L(zhǎng)i0.5Mg1.125Ni2.375O3.(2021·遼寧葫蘆島二模)FeO晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,其摩爾質(zhì)量為Mg/mol,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,晶體的密度為dg/cm3,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是(A)A.Fe位于第四周期第ⅧB族,屬于d區(qū)B.Fe2+的電子排布簡(jiǎn)式為[Ar]3d6C.該晶體中,距Fe2+最近的O2-形成正八面體D.該晶體中兩個(gè)距離最近的同種離子的核間距為22解析:Fe位于第四周期第Ⅷ族,不帶B符號(hào),故A錯(cuò)誤;Fe是26號(hào)元素,Fe失去最外層2個(gè)電子生成Fe2+,Fe2+的電子排布簡(jiǎn)式為[Ar]3d6,故B正確;該晶體中,距Fe2+最近的O2-有6個(gè),形成正八面體,故C正確;設(shè)晶胞邊長(zhǎng)為acm,根據(jù)均攤原則,每個(gè)晶胞含有4個(gè)FeO,則d=4Ma=34Md4.以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。氧化鎳原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0),B為(1,1,1),則C的坐標(biāo)參數(shù)為(D)A.(12,12,12) B.(C.(12,1,12) D.(1,12解析:由氧化鎳原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0)和B為(1,1,1)可知,晶胞的邊長(zhǎng)為1,由晶胞結(jié)構(gòu)可知,C點(diǎn)位于右側(cè)正方形的面心,則C的坐標(biāo)參數(shù)為(1,12,12二、選擇題(每小題有一個(gè)或兩個(gè)選項(xiàng)符合題意)5.以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。如圖中原子1的坐標(biāo)為(12,12,1A.原子2為(12,12,0) B.原子2為(0,12C.原子3為(1,0,12) D.原子3為(0,0,1解析:原子1的坐標(biāo)為(12,12,12),則坐標(biāo)系為,原子2在晶胞底面的中心,原子2的坐標(biāo)為(12,12,0),故A正確;原子3在坐標(biāo)系z(mì)軸所在棱的一半,原子3的坐標(biāo)為(6.SiO2是合成“中國(guó)藍(lán)”的重要原料之一。如圖是SiO2晶胞中Si原子沿z軸方向在xy平面的投影圖(即俯視投影圖,O原子略去),Si原子旁標(biāo)注的數(shù)字是Si原子位于z軸的高度,則SiA與SiB的距離是(B)A.d2 B.22d C.3解析:根據(jù)題圖可知,Si原子在SiO2晶胞中的位置如圖,,其中A、B、C、D四個(gè)Si原子形成正四面體結(jié)構(gòu),且A、B距離等于C、D距離,A、B距離在底面投影為底面面對(duì)角線的一半,則SiA與SiB的距離為12×2d=22三、非選擇題7.(2021·河北邯鄲三模改編)主族元素能形成多種化合物,它們是探測(cè)器、激光器、微波器的重要材料。(1)過(guò)渡金屬Q(mào)與鑭(La)形成的合金也是一種儲(chǔ)氫材料,其中基態(tài)Q原子