專項(xiàng)訓(xùn)練晶胞中正四面體空隙的判斷（原卷版）

專項(xiàng)訓(xùn)練晶胞中正四面體空隙的判斷（解析版）一、單選題1．幾種離子晶體的晶胞如圖所示，下列說(shuō)法正確的是A．熔沸點(diǎn)：NaCl<CsClB．NaCl晶胞中，做面心立方最密堆積，填充正四面體空隙C．若ZnS的晶胞邊長(zhǎng)為apm，則與之間的最近距離為D．上述三種晶胞中，陽(yáng)離子的配位數(shù)：ZnS<NaCl<CsCl2．金剛砂與金剛石具有相似的晶體結(jié)構(gòu)，硬度為9.5，熔點(diǎn)為2700℃，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法正確的是A．該晶體屬于共價(jià)晶體，熔點(diǎn)比金剛石高B．C位于Si構(gòu)成的正四面體空隙中C．C—Si的鍵長(zhǎng)為apm，則晶胞邊長(zhǎng)為2apmD．金剛砂中C原子周圍等距且最近的C原子數(shù)為63．某種離子型鐵的氧化物晶胞如圖所示，它由A、B方塊組成。已知該晶體的密度為，阿伏加德羅常數(shù)的值為，下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是A．該鐵的氧化物化學(xué)式為 B．距離Fe3+最近的有6個(gè)C．晶體中的只能構(gòu)成正四面體空隙 D．晶胞的邊長(zhǎng)為4．某離子品體中品體結(jié)構(gòu)最小的重復(fù)單元如圖所示，其中白色大球?yàn)锳，灰色小球?yàn)锽，分別在頂點(diǎn)和面心，則下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．B離子采取了面心立方密堆積 B．A填入B形成的四面體空隙中C．B離子的配位數(shù)是4 D．一個(gè)晶胞中有4個(gè)B離子5．鈉元素和硒元素可組成一種對(duì)蛋白質(zhì)的合成和糖代謝有保護(hù)作用的無(wú)機(jī)化合物，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。已知和的半徑分別為anm和bnm，晶胞參數(shù)為cnm。下列有關(guān)說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．該晶體的化學(xué)式為B．與距離最近且相等的數(shù)目為8C．該晶胞的空間利用率為D．位于由構(gòu)成的四面體空隙中，位于由構(gòu)成的六面體空隙中6．Cu、Au能形成多種組成固定的合金，其中一種晶體的晶胞結(jié)構(gòu)(立方體)如圖所示，下列說(shuō)法正確的是A．該晶體的化學(xué)組成可表示為CuAuB．與1個(gè)Cu原子距離最近的Au原子是4個(gè)C．Au填充了由與之距離最近的Cu原子構(gòu)成的正四面體空隙D．根據(jù)圖中信息，銅原子a的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0.5，0.5，0.5)7．某銅的氯化物常作工業(yè)催化劑，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞中C、D兩原子核間距為298pm。設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為，則下列說(shuō)法正確的是A．Cu的+2價(jià)比+1價(jià)穩(wěn)定，是因?yàn)樽钔鈱与娮舆_(dá)到半充滿結(jié)構(gòu)B．此氯化物的化學(xué)式為C．晶胞中Cu位于Cl形成的四面體空隙D．Cu與Cl的核間距為棱長(zhǎng)的倍8．已知γAgI晶體屬立方晶系，其晶胞截面如圖所示(晶胞參數(shù)為620pm，設(shè)阿伏伽德羅常數(shù)的值為NA)，則下列關(guān)于γAgI晶胞的描述錯(cuò)誤的是

A．與的配位數(shù)均為4B．與距離最近且相等的有12個(gè)C．填充在構(gòu)成的四面體空隙中，其空隙填充率為50%D．該晶體的摩爾體積9．氧化鈰(CeO2)是一種重要的光催化材料，光催化過(guò)程中立方晶胞的組成變化如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．氧元素位于元素周期表中的p區(qū)B．CeO2晶體中與Ce4+相鄰且最近的Ce4+有12個(gè)C．O2占據(jù)所有四面體空隙D．每個(gè)CeO2x晶胞中Ce4+個(gè)數(shù)為12x10．磷青銅晶體的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，若晶體密度為，下列說(shuō)法正確的是A．磷青銅晶體化學(xué)式為B．磷原子位于由銅原子形成的四面體空隙中C．與銅原子距離相等且最近的錫原子有4個(gè)D．相鄰銅原子間的最短距離為nm11．有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．NaCl與CsCl均為離子晶體，晶格能：NaCl＜CsClB．NaCl晶體中，Na+位于最近的Cl形成的正八面體空隙中C．金剛砂晶體中，Si、C的雜化方式均為sp3雜化D．CuS晶胞中，Cu2+填充在S2形成的四面體空隙中，其填充率為50%12．鈉離子電池充電時(shí)，從正極脫嵌，經(jīng)過(guò)電解質(zhì)嵌入負(fù)極，放電時(shí)則相反。是一種鈉離子電池正極材料，充放電過(guò)程中正極材料立方晶胞(示意圖)的組成變化如圖所示，晶胞內(nèi)未標(biāo)出因放電產(chǎn)生的0價(jià)Cu原子。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．當(dāng)轉(zhuǎn)化為NaCuSe時(shí)，產(chǎn)生B．1molNaCuSe晶胞完全轉(zhuǎn)化為晶胞時(shí)，伴隨著脫嵌C．每個(gè)晶胞完全轉(zhuǎn)化為晶胞，轉(zhuǎn)移的電子數(shù)為D．晶胞中處于四面體空隙的有8mol13．一種光催化材料的晶胞如圖，屬于立方晶系，其晶胞參數(shù)為anm。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．晶體的化學(xué)式為CeO2B．晶體中與Ce距離最近且相等的O有6個(gè)C．氧原子位于Ce構(gòu)成的四面體空隙中D．晶體密度為g?cm314．AlN具有耐高溫、抗沖擊等優(yōu)良品質(zhì)，廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)、陶瓷工業(yè)，其晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．AlN晶體中N原子的雜化類型為 B．Al原子位于N原子形成的四面體空隙C．AlN晶體中含有配位鍵 D．AlN晶體屬于離子晶體15．一種光催化材料的晶胞如圖，屬于立方晶系，其晶胞參數(shù)為。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．晶體的化學(xué)式為B．晶體中與距離最近且相等的有6個(gè)C．氧原子位于構(gòu)成的四面體空隙中D．晶體密度為16．螢石是制作光學(xué)玻璃的原料之一，其主要成分氟化鈣的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．Ca位于元素周期表s區(qū)B．每個(gè)周圍距離最近且等距的有4個(gè)C．位于構(gòu)成的四面體空隙D．基態(tài)氟原子核外電子的原子軌道有四種伸展方向17．AlN具有耐高溫、抗沖擊等優(yōu)良品質(zhì)，廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)、陶瓷工業(yè)，其晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．基態(tài)Al原子的價(jià)電子排布式為 B．Al原子位于N原子形成的四面體空隙C．AlN晶體中含有配位鍵 D．AlN晶體屬于離子晶體二、多選題18．ZrO2的晶胞如圖所示。已知：晶胞邊長(zhǎng)為apm，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法正確的是A．Zr4+的配位數(shù)為4B．O位于Zr構(gòu)成的正四面體空隙中C．Zr4+周圍距離最近且相等的Zr4+有12個(gè)D．該晶胞的密度為19．對(duì)晶胞的研究有助于我們了解整個(gè)晶體的結(jié)構(gòu)。Cu晶胞的結(jié)構(gòu)如圖1所示(晶胞參數(shù)為apm)，CuSe晶胞的結(jié)構(gòu)如圖2所示，設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說(shuō)法正確的是A．Cu晶胞的密度為B．圖1中最近的兩個(gè)Cu之間的距離為C．填充在形成的正四面體空隙中D．圖2中1個(gè)晶胞含14個(gè)20．六氟磷酸鋰、六氟錫酸鋰常用作鋰離子電池的電解質(zhì)，晶胞結(jié)構(gòu)分別為圖a、圖b．兩種晶胞中陰離子均采取面心立方最密堆積方式，中心原子與氟原子均