知識(shí)產(chǎn)權(quán)公共服務(wù)機(jī)構(gòu)信息服務(wù)成果共享報(bào)告集-信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)分冊(cè)

知識(shí)產(chǎn)權(quán)公共服務(wù)機(jī)構(gòu)信息服務(wù)成果共享報(bào)告集信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)分冊(cè)2024年1本報(bào)告集由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公共服務(wù)司組織編寫。相果報(bào)告由各省知識(shí)產(chǎn)權(quán)局收集和推薦。經(jīng)項(xiàng)目組發(fā)布報(bào)告。報(bào)告集分為信息技術(shù)、新能源、新材料、生物醫(yī)藥、化學(xué)、創(chuàng)新研究6個(gè)分冊(cè)，共14項(xiàng)成果報(bào)告。報(bào)告集充分考慮了信息的安全性與適宜性，主要內(nèi)容為縮編后的精簡(jiǎn)成果，并對(duì)部分章節(jié)內(nèi)容進(jìn)行了必要的刪減本次成果匯集和發(fā)布，旨在推廣知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息利用成戰(zhàn)略價(jià)值，進(jìn)一步強(qiáng)化知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息服務(wù)對(duì)科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)優(yōu)化升級(jí)的支撐作用。衷加強(qiáng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)公共服務(wù)機(jī)構(gòu)之間專業(yè)交流與互鑒，能夠有力化、協(xié)同化，促進(jìn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息利用和服務(wù)規(guī)范化發(fā)展，編輯組2半導(dǎo)體光刻膠專利分析研究報(bào)告 1集成電路產(chǎn)業(yè)碳化硅技術(shù)專利分析研究報(bào)告 陜西省傳感器產(chǎn)業(yè)專利導(dǎo)航報(bào)告 半導(dǎo)體光刻膠專利分析研究報(bào)告江蘇省知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)中心(江蘇省專利信息服務(wù)中心)南京工業(yè)大學(xué)原報(bào)告定稿時(shí)間：2024年4月12王亞利江蘇省知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)中心主任正高工程師趙乃瑄南京工業(yè)大學(xué)館長(zhǎng)研究館員鮑志彥南京工業(yè)大學(xué)科長(zhǎng)副研究館員李杉杉南京工業(yè)大學(xué)副研究館員許思嫻南京工業(yè)大學(xué)館員沈玲玲南京工業(yè)大學(xué)館員程琳南京工業(yè)大學(xué)館員王凱南京工業(yè)大學(xué)館員龔躍鵬江蘇省知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)中心知識(shí)產(chǎn)權(quán)高級(jí)工程師孟彥娟江蘇省知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)中心知識(shí)產(chǎn)權(quán)高級(jí)工程師張靜文江蘇省知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)中心341.1半導(dǎo)體光刻膠產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀g線)、深紫外光刻膠(ArF,193nm、KrF,248nm)、極紫外光刻膠(EUV,1.2國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠產(chǎn)業(yè)政策5日期發(fā)改委指出要發(fā)展高端專用化學(xué)品，包括KrF(248納米)光刻膠和ArF光刻膠(193納米),為大型技術(shù)領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項(xiàng)規(guī)劃》明確將深紫外光刻膠列為極大規(guī)模集成電路制造技術(shù)創(chuàng)新生態(tài)體系建設(shè)與發(fā)展。規(guī)劃(2016-2020工信部指出要發(fā)展集成電路用電子化學(xué)品，重點(diǎn)發(fā)展KrF(248納米)和ArF(193納米)光刻膠，推進(jìn)中國(guó)電子化學(xué)品行業(yè)發(fā)展。明確將高分辨率光刻膠及配套化學(xué)品列入“精細(xì)國(guó)務(wù)院發(fā)光刻膠、大尺寸硅片等關(guān)鍵材料，加強(qiáng)集成電元器件“十一五”專項(xiàng)規(guī)劃》工信部指出要重點(diǎn)支持國(guó)內(nèi)6英寸及以上集成電路生產(chǎn)所有的248納米及以下光刻膠、引線框架等1.3半導(dǎo)體光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成(1)上游分析67中游圖1-1中國(guó)光刻膠行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈1.4半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)技術(shù)熱點(diǎn)。目前，193nm浸沒(méi)式光刻與多重圖形曝光技術(shù)已經(jīng)被證明可用于89第2章半導(dǎo)體光刻膠全球?qū)＠暧^分析年進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，梳理從1947年至今全球半導(dǎo)體光刻膠專利技術(shù)的申請(qǐng)年度變化趨勢(shì) 第一階段(1947年-1979年)為萌芽期。該階段屬于半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)積累階第二階段(1980年-1994年)為成長(zhǎng)期。在全球集成電路行業(yè)集成度不斷提高線光刻技術(shù)進(jìn)入開(kāi)發(fā)期，并逐步取代了g線光刻膠。此外，隨著KrF(248nm)、ArF(193nm)等稀有氣體鹵化物準(zhǔn)分子激發(fā)態(tài)激光光源技術(shù)的發(fā)展，20世紀(jì)80年年間專利申請(qǐng)回落的主要原因。第三階段(1995年至今)為快速發(fā)展期。隨著21世紀(jì)的到來(lái)，集成電路產(chǎn)業(yè)提高，迫切需要新一代替代技術(shù)的出現(xiàn)。2010年來(lái)，以極紫外(EUV)光刻膠為代動(dòng)全球光刻膠技術(shù)專利申請(qǐng)又出現(xiàn)了進(jìn)一步的回升。0圖2-1半導(dǎo)體光刻膠全球?qū)＠暾?qǐng)趨勢(shì)(1947-2024)2.1.1.2全球?qū)＠暾?qǐng)區(qū)域分析對(duì)半導(dǎo)體光刻膠全球?qū)＠暾?qǐng)區(qū)域進(jìn)行分析(如表2-1),排名前10的國(guó)家/地交的專利申請(qǐng)總量的97.35%。專利申請(qǐng)數(shù)(件)1日本2美國(guó)3韓國(guó)4中國(guó)56中國(guó)臺(tái)灣7德國(guó)8英國(guó)9法國(guó)其他國(guó)家和地區(qū)2.1.2半導(dǎo)體光刻膠全球?qū)＠夹g(shù)來(lái)源國(guó)與目標(biāo)市場(chǎng)分析 (4751件),韓國(guó)申請(qǐng)量為1345項(xiàng)(2225件),分別占全球總申請(qǐng)量的18.51%和10.13%。中國(guó)專利申請(qǐng)為570項(xiàng)(617件),排名第四，占全球總申請(qǐng)量的法國(guó)0.47%_荷蘭0.32%_其他國(guó)家和地區(qū)中國(guó)臺(tái)灣1.48%英國(guó)126%法國(guó)0.47%_荷蘭0.32%_其他國(guó)家和地區(qū)中國(guó)4.30%韓國(guó)10.13%日本57.86%美國(guó)18.51%2.1.2.2技術(shù)目標(biāo)市場(chǎng)分析關(guān)聯(lián)分析圖2-3為半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)來(lái)源排名前5的國(guó)家/地區(qū)，即日本、美國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)和德國(guó)在全球十大主要技術(shù)目標(biāo)國(guó)的專利分布?xì)馀輬D?？梢钥闯?，日本作為該領(lǐng)域?qū)＠暾?qǐng)第一的國(guó)家，非常重視在本土的布局，本土布局?jǐn)?shù)量達(dá)到5967件。除本土以外，依次在韓國(guó)、美國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣、歐洲、中國(guó)都有相當(dāng)數(shù)量的布局，專利布局?jǐn)?shù)量分別為1665件、1311件、930件、651件和608件。這說(shuō)明，日本的專利申請(qǐng)人在扎根于本土的專利布局外，也相當(dāng)重視對(duì)于全球其他區(qū)域的技術(shù)占領(lǐng)。美國(guó)作為第二大技術(shù)來(lái)源國(guó)，主要在美國(guó)本土和日本進(jìn)行布局，布局?jǐn)?shù)量分別為693件和797件，其次是韓國(guó)(514件)、歐洲(557件)和中國(guó)(346件)。相對(duì)于日本和美國(guó)，韓國(guó)、中國(guó)、德國(guó)則更加側(cè)重于本土的專利布局。韓國(guó)除了在本土申請(qǐng)的1108件專利外，在美國(guó)、日本和中國(guó)均進(jìn)行了一定程度的布局，布局?jǐn)?shù)量分比為254件、249件和219件，這說(shuō)明美國(guó)、日本和中國(guó)是韓國(guó)企業(yè)的主要海外技術(shù)目標(biāo)市場(chǎng)。中國(guó)在本土的專利公開(kāi)數(shù)量為564件，而與此相對(duì)的是來(lái)源于中國(guó)的專利在美國(guó)公開(kāi)數(shù)量?jī)H為17件，在其他國(guó)家該數(shù)量則更低，這一方面說(shuō)明中國(guó)的專利申請(qǐng)人更加側(cè)重于在本國(guó)布局，對(duì)于海外市場(chǎng)的重要性的認(rèn)識(shí)偏低，另一方面也說(shuō)明目前中國(guó)的專利申請(qǐng)人在該領(lǐng)域的技術(shù)相對(duì)落后，暫時(shí)不具備向發(fā)達(dá)國(guó)家輻射技術(shù)影響力的能力。因此，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新日益白熱化的浪潮中，中國(guó)的專利申請(qǐng)人一方面要提高全球布局的意識(shí)，另一方面更要增強(qiáng)自身的技術(shù)實(shí)力，縮小與全球領(lǐng)主要技術(shù)來(lái)源國(guó)圖2-3半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域主要技術(shù)來(lái)源國(guó)/技術(shù)目標(biāo)國(guó)專利申請(qǐng)數(shù)量分布2.1.3半導(dǎo)體光刻膠全球?qū)＠夹g(shù)分析圖2-4展示了全球半導(dǎo)體光刻膠各主要技術(shù)分支的專利申請(qǐng)占比，如圖所示，產(chǎn)業(yè)成熟技術(shù)的專利申請(qǐng)7386件，占全球半導(dǎo)體光刻膠專利集合的33.78%,由于成熟技術(shù)研發(fā)歷程較長(zhǎng)，專利積累數(shù)量較多，所以專利占比較多。產(chǎn)業(yè)主流技術(shù)的專利申請(qǐng)6760件，占全球半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域?qū)＠系?0.91%,主要包括KrF、ArF等深紫外光刻膠技術(shù)。主流技術(shù)是目前半導(dǎo)體光刻膠中市場(chǎng)需求最為旺盛的，但發(fā)展歷程較成熟技術(shù)短，因此專利占比略低于成熟技術(shù)占比。前沿替代技術(shù)專利申請(qǐng)7722件，占全球半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域?qū)＠系?5.31%,主要涉及EUV光刻膠、電子束光刻膠等前沿技術(shù)，這些前沿技術(shù)是未來(lái)尖端光刻膠的發(fā)展趨勢(shì)，近年來(lái)的研究熱度急劇上升，三者的專利申請(qǐng)總和甚至超越了成熟技術(shù)和主流技術(shù)，需要引起足夠的重視。2.1.4半導(dǎo)體光刻膠全球主要?jiǎng)?chuàng)新主體分析對(duì)全球半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域的前10位申請(qǐng)人進(jìn)行了專利族申請(qǐng)統(tǒng)計(jì)(圖2-5),專利族申請(qǐng)量排前10的依次是富士膠片、信越化學(xué)、東京應(yīng)化、住友化學(xué)、JSR、三菱公司、日立公司、三星電子、IBM和陶氏化學(xué)。申請(qǐng)量排名前10公司的申請(qǐng)量總和占全球總申請(qǐng)量的42.51%,在該領(lǐng)域呈現(xiàn)明顯的巨頭化態(tài)勢(shì)。其中，全球?qū)＠暾?qǐng)量排名前7的巨頭富士膠片、信越化學(xué)、東京應(yīng)化、住友化學(xué)和JSR、三菱公司、日立公司均為日本企業(yè)，日本在該領(lǐng)域的壟斷地位可見(jiàn)一斑。富士膠片是該領(lǐng)域?qū)＠暾?qǐng)數(shù)量最多的公司，達(dá)到了1244項(xiàng)(1963件),其次為信越化學(xué)、東京應(yīng)化、住友(1063件)、577項(xiàng)(891件)、485項(xiàng)(698件)。值得注意的是，美國(guó)的陶氏化日立2.97%東京應(yīng)化468%信越化學(xué)585%2.2.1半導(dǎo)體光刻膠中國(guó)專利申請(qǐng)態(tài)勢(shì)分析截止2024年4月30日，半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域中國(guó)專利申請(qǐng)總量為2037件，其中中國(guó)本土專利申請(qǐng)705件，占比34.61%,國(guó)外來(lái)華專利1332件，占比第一階段為萌芽期(1990年-1996年):這一階段專利申請(qǐng)總量為15件，年申第三階段為波動(dòng)發(fā)展期(2007年-2015年):進(jìn)入21世紀(jì)，半導(dǎo)體光刻膠的目 圖2-7半導(dǎo)體光刻膠中國(guó)專利申請(qǐng)趨勢(shì)北京專利申請(qǐng)量為100項(xiàng)，居于全國(guó)首位，占國(guó)內(nèi)專利申請(qǐng)980總量北京江蘇廣東上海浙江山東安徽四川河南湖北2.2.3半導(dǎo)體光刻膠中國(guó)技術(shù)分析前沿替代技術(shù)相關(guān)的專利申請(qǐng)量在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域占的比例最小，產(chǎn)業(yè)成熟技術(shù)占比最大，說(shuō)明我國(guó)生產(chǎn)能力主要集中于g線、i線光刻膠等中低端產(chǎn)品。雖然EUV光刻、嵌段聚合物大分子自組裝及電子束等高端光刻膠2.2.4半導(dǎo)體光刻膠中國(guó)專利主要?jiǎng)?chuàng)新主體分析由圖2-10可見(jiàn)，中國(guó)本土專利申請(qǐng)量的前5名分別為京東方、中科院化學(xué)所、蘇州瑞紅、常州強(qiáng)力、華星光電。國(guó)內(nèi)本土專利前10的申請(qǐng)人中，有7家來(lái)自企業(yè)，這表明國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠企業(yè)在國(guó)內(nèi)具有一定的研發(fā)實(shí)力和技術(shù)儲(chǔ)備，且目前我國(guó)半在中國(guó)本土申請(qǐng)人方面，隨著國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大力投入，國(guó)內(nèi)企業(yè)也開(kāi)始加大對(duì)半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)的研發(fā)并取得了一些成果，尤其涌現(xiàn)了一批優(yōu)秀的光刻膠公司及科研院所，旨在突破國(guó)內(nèi)高端光刻膠受制于人的局面，使光刻膠國(guó)產(chǎn)化由低端走向高端。中國(guó)本土專利申請(qǐng)人中，排名第一的是京東方，近年來(lái)京東方大力發(fā)展光刻膠有限公司作為京東方全資子公司，是國(guó)內(nèi)較早涉足光刻膠的企業(yè)，實(shí)力強(qiáng)勁，國(guó)內(nèi)面板用光刻膠的主要供應(yīng)商之一。排名第二的是中科院化學(xué)所，中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所是以基礎(chǔ)研究為主，有重點(diǎn)地開(kāi)展國(guó)家急需的、有重大戰(zhàn)略目標(biāo)的高新技術(shù)創(chuàng)新研究，其參與了(02專項(xiàng))“極的主營(yíng)光刻膠產(chǎn)品及其配套試劑的公司，生產(chǎn)光刻膠20多年。于2013年驗(yàn)收了公司，并且在2019年成為TCL的子公司，華星光電擁有LCD和AMOLED等產(chǎn)業(yè)，北師大(14項(xiàng))、中科院理化所(14項(xiàng))、北京科華(14項(xiàng))、西迪光電(13項(xiàng))、南大光電(11項(xiàng)),排名相對(duì)靠后，申請(qǐng)量相差較小。可以第3章半導(dǎo)體光刻膠產(chǎn)業(yè)成熟技術(shù)——近紫外光刻膠專利分析3.1g線光刻膠全球?qū)＠麘B(tài)勢(shì)分析3.1.1g線光刻膠全球?qū)＠暾?qǐng)趨勢(shì)及區(qū)域分析趨勢(shì)。1952年-1983年間，g線光刻膠技術(shù)共有316件專利申請(qǐng)，1952年至70圖3-1g線光刻膠全球?qū)＠暾?qǐng)趨勢(shì)來(lái)，集成電路產(chǎn)業(yè)獲得快速發(fā)展，g線光刻膠技術(shù)開(kāi)發(fā)已較為成熟，技術(shù)創(chuàng)新空間已十分狹小，更先進(jìn)的i線、ArF、KrF以及EU對(duì)g線光刻膠全球?qū)＠暾?qǐng)的目標(biāo)國(guó)/地區(qū)進(jìn)行分析(圖3-2),排名前5的國(guó)家/地區(qū)依次為日本、美國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)、歐洲專利局(EPO),占全球?qū)＠暾?qǐng)總量的90.38%。其中在日本布局的專利為1520件，占全球?qū)＠暾?qǐng)總量的比例38.87%,排名第二和第三的國(guó)家分別為美國(guó)和韓國(guó)，布局在美國(guó)的專利數(shù)為704件，占比為18.01%,布局韓國(guó)的專利數(shù)為575件，占比為14.71%。在中國(guó)布局的專利數(shù)為371件，占比為9.5%。在歐洲布局的專利數(shù)為364件，占比為9.31%。3.1.2g線光刻膠全球?qū)＠夹g(shù)來(lái)源國(guó)及目標(biāo)市場(chǎng)分析主要技術(shù)目標(biāo)國(guó)主要技術(shù)目標(biāo)國(guó)從技術(shù)來(lái)源國(guó)的角度進(jìn)行分析(圖3-3),來(lái)源于日本的專利申請(qǐng)最多，申請(qǐng)專利達(dá)為17.91%,韓國(guó)申請(qǐng)專利數(shù)為217項(xiàng)，占比為7.59%。中國(guó)專利申請(qǐng)為125項(xiàng)，中國(guó)德國(guó)歐洲英國(guó)日本韓國(guó)中國(guó)臺(tái)灣美國(guó)日本美國(guó)韓國(guó)中國(guó)美國(guó)作為全球第二大技術(shù)來(lái)源國(guó)，非常重視海外專利市場(chǎng)，除了在美國(guó)本土申請(qǐng)了和美國(guó)的IBM。而前10名的申請(qǐng)人中，沒(méi)有來(lái)自中國(guó)的企業(yè)，可見(jiàn)中國(guó)本土企業(yè)與國(guó)別專利族(項(xiàng))專利申請(qǐng)數(shù)(件)1日本2東京應(yīng)化日本3日立公司日本4富士膠片日本5富士通日本國(guó)別專利族(項(xiàng))專利申請(qǐng)數(shù)(件)韓國(guó)7日本8日本9日本美國(guó)利，占比28.57%,其余均為國(guó)外來(lái)華申請(qǐng)專利。對(duì)371件中國(guó)g線光刻內(nèi)專利申請(qǐng)總量的13.21%,蘇州瑞紅申請(qǐng)專利6項(xiàng)，占比5.66%,中科院化學(xué)所申請(qǐng)專利5項(xiàng)，占比4.72%,北京科華申請(qǐng)專利4項(xiàng)，占比3.77%,華星光電申圖3-8為g線光刻膠領(lǐng)域國(guó)內(nèi)排名前5的申請(qǐng)人2004年至2024年的年度申但在2011年之后沒(méi)有專利申請(qǐng)；京東方于2007年開(kāi)始進(jìn)入該領(lǐng)域，并在2015甲請(qǐng)量/件甲請(qǐng)量/件1952年至今全球i線光刻膠技術(shù)的專利申請(qǐng)趨勢(shì)圖(圖3-9)。件專利，于1987年突破100件，1990年出現(xiàn)第一個(gè)申請(qǐng)高峰，高達(dá)191件。在性組織提交的申請(qǐng)專利量共計(jì)4090件，占到全球范圍內(nèi)提交的專利申請(qǐng)總量的比為17.41%;布局韓國(guó)的專利為687件，占比為17.33%;在中國(guó)布局的專利為465件，占比為9.70%;布局歐專局的專利有419件，占比為8.74%。專利申請(qǐng)數(shù)(件)1日本2美國(guó)3韓國(guó)4中國(guó)5歐專利局6中國(guó)臺(tái)灣7德國(guó)8英國(guó)93.2.2i線光刻膠全球技術(shù)來(lái)源及目標(biāo)市場(chǎng)分析從技術(shù)來(lái)源國(guó)的角度進(jìn)行分析(表3-3)可以看出，日本在全球占據(jù)了絕對(duì)的地位，來(lái)源于日本的專利申請(qǐng)最多，申請(qǐng)量達(dá)1966項(xiàng)專利，占全球申請(qǐng)總量的公司，包括東京應(yīng)化、JSR、富士膠片、信越化學(xué)等光刻膠龍頭企業(yè)。美國(guó)申請(qǐng)了601項(xiàng)專利，韓國(guó)申請(qǐng)了235項(xiàng)專利，分別占全球申請(qǐng)總量的18.5%和7.24%,美、韓存在較大差距。德國(guó)申請(qǐng)了103項(xiàng)專利，占全球申請(qǐng)的3.18%,位列第五。專利族數(shù)(項(xiàng))專利申請(qǐng)數(shù)(件)1日本2美國(guó)3韓國(guó)4中國(guó)5德國(guó)67英國(guó)8英屬維爾京群島9中國(guó)臺(tái)灣盧森堡7請(qǐng)以外，在美國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)、歐專局和中國(guó)臺(tái)灣等國(guó)家和地區(qū)的專利布局均超過(guò)局之外，在歐專局、日本、韓國(guó)和中國(guó)分別布局了163件、151件、106件和64具備向發(fā)達(dá)國(guó)家輻射技術(shù)影響力的能力。中國(guó)臺(tái)灣主要目標(biāo)市場(chǎng)主要技術(shù)來(lái)源國(guó)圖3-10i線光刻膠主要技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)技術(shù)目標(biāo)國(guó)的專利布局對(duì)全球i線光刻膠領(lǐng)域的前10位申請(qǐng)人進(jìn)行了專利族申請(qǐng)統(tǒng)計(jì)(表3-4),專利國(guó)別專利族數(shù)(項(xiàng))專利申請(qǐng)數(shù)(件)日本2日本東京應(yīng)化3日本日立公司4日本富士膠片5日本6日本富士通7科萊恩8日本瑞翁9韓國(guó)美國(guó)業(yè)1家，韓國(guó)企業(yè)1家，瑞士企業(yè)1家，說(shuō)明日本企業(yè)該領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。全球?yàn)?98項(xiàng)、174項(xiàng)、157項(xiàng)和96項(xiàng)。來(lái)源于瑞士的科萊恩申請(qǐng)了78項(xiàng)專利，來(lái)3.2.4i線光刻膠中國(guó)專利態(tài)勢(shì)分析北京是我國(guó)i線光刻膠專利申請(qǐng)量最多的省份，共申請(qǐng)了30項(xiàng)專利，占國(guó)內(nèi)本申請(qǐng)量項(xiàng)申請(qǐng)量項(xiàng)對(duì)106件中國(guó)本土專利申請(qǐng)進(jìn)行申請(qǐng)人分析(圖3-13),專利申請(qǐng)量排名前5知識(shí)產(chǎn)權(quán)公共服務(wù)機(jī)構(gòu)信息服務(wù)成果共享報(bào)圖3-14顯示了i線光刻膠中國(guó)專利本土申請(qǐng)排名前5位的國(guó)內(nèi)申請(qǐng)人從2004年至今的專利申請(qǐng)趨勢(shì)。從圖中看出，中科院理化所是最早開(kāi)始研發(fā)i線光刻膠技術(shù)的機(jī)構(gòu)，但目前其技術(shù)研發(fā)主要方向是針對(duì)極紫外光刻膠的研發(fā)，在i線光刻膠技術(shù)領(lǐng)域只有零星申請(qǐng)，且不連貫。北京科華和蘇州瑞紅幾乎于同期開(kāi)始涉足該領(lǐng)域，兩家企業(yè)的專利申請(qǐng)趨勢(shì)較為一致，這兩家企業(yè)都是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先光刻膠企業(yè)，特別是在中高端光刻膠技術(shù)領(lǐng)域同樣具備較強(qiáng)的研發(fā)實(shí)力。常州強(qiáng)力進(jìn)入該領(lǐng)域較晚，2018年開(kāi)始出現(xiàn)專利申請(qǐng)。第4章半導(dǎo)體光刻膠產(chǎn)業(yè)主流技術(shù)一深紫外光刻膠專利分析由于i線光刻膠的主要成分酚醛樹脂在248nm的曝光光源處不透明，與產(chǎn)酸劑存在競(jìng)爭(zhēng)吸收關(guān)系，光敏性較差，無(wú)法應(yīng)用于248nm光刻工藝中，人們開(kāi)始了適用于248nmKrF光源光刻膠的相關(guān)研究。經(jīng)檢索，KrF光刻膠全球?qū)＠暾?qǐng)共計(jì)3239件，其中日本專利申請(qǐng)883件，占比27.26%,排名第一；韓國(guó)、美國(guó)專利申請(qǐng)分別為752件(占比23.22%)和604件(占比18.65%),分列第二和第三(如圖4-1所示),中國(guó)專利申請(qǐng)302件，中國(guó)臺(tái)灣專利申請(qǐng)291件，分列第四第五，與日本、韓國(guó)和美國(guó)相比，還是存在較大的差距。對(duì)檢索到的3239件專利申請(qǐng)按照申請(qǐng)年進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，梳理從1983年至今KrF光刻膠全球?qū)＠暾?qǐng)年度變化趨勢(shì)(見(jiàn)圖4-2)、中、美、日、韓四國(guó)專利申請(qǐng)趨勢(shì) (見(jiàn)圖4-3),大致分為四個(gè)階段：第一階段(1983年-1986年)為萌芽期，KrF光刻膠行業(yè)起步于1983年，從1983年起到1986年屬于零星申請(qǐng)階段，年均申請(qǐng)量不超過(guò)5件且申請(qǐng)不連貫，說(shuō)明該時(shí)期的KrF技術(shù)尚處于前期探索、積累階段，整體技術(shù)發(fā)展速度緩慢。結(jié)合圖美國(guó)IBM公司是KrF光刻膠的開(kāi)創(chuàng)者，于1983年首先研發(fā)出使用KrF激光器產(chǎn)生第二階段(1987年-1997年)為初步發(fā)展期，光刻膠作為半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)中的上漲。但由于該時(shí)期半導(dǎo)體行業(yè)龍頭英特爾公司的制程僅僅從3μm深入到了第三階段(1998年-2006年)為快速發(fā)展期，隨著半導(dǎo)體工藝制程進(jìn)入請(qǐng)量幾乎全部在150件以上，在2003年更是達(dá)到了巔峰的225件。從圖4-3中第四階段(2007年至今)為成熟期，這個(gè)階段KrF光刻膠相關(guān)專利年度申請(qǐng)量04.1.2KrF光刻膠技術(shù)來(lái)源國(guó)及目標(biāo)市場(chǎng)分析于日本的專利申請(qǐng)最多，達(dá)到了1992件申請(qǐng)(985項(xiàng)專利族),占全球總申請(qǐng)量的四，與日韓美還存在著相當(dāng)?shù)牟罹?。中?guó)臺(tái)灣申請(qǐng)的專利族為27項(xiàng)，排名第五。此專利族數(shù)(項(xiàng))(件)1日本2韓國(guó)3美國(guó)4中國(guó)5中國(guó)臺(tái)灣6德國(guó)7盧森堡58英國(guó)799日本作為該領(lǐng)域?qū)＠暾?qǐng)第一大國(guó)，其第一專利布局目標(biāo)國(guó)是日本本土，數(shù)量達(dá)到目標(biāo)市場(chǎng)目標(biāo)市場(chǎng)技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)對(duì)全球KrF光刻膠領(lǐng)域的前10位申請(qǐng)人進(jìn)行了專利族統(tǒng)計(jì)(表4-2),專利族韓國(guó)企業(yè)2家，美國(guó)企業(yè)1家。全球?qū)＠迳暾?qǐng)量排名前5的公司中SK海力士來(lái)松下電器，分別為213項(xiàng)、138項(xiàng)、102項(xiàng)和89項(xiàng)，僅這五大公司的專利族申請(qǐng)應(yīng)化以及韓國(guó)的三星電子，均超過(guò)40項(xiàng)。前10名的申請(qǐng)人中沒(méi)有來(lái)自中國(guó)的申請(qǐng)國(guó)別(項(xiàng))(件)1日本2韓國(guó)3富士膠片日本4陶氏化學(xué)美國(guó)5日本6日本7三菱公司日本8日本9韓國(guó)東京應(yīng)化日本4.1.4KrF光刻膠核心專利分析公開(kāi)號(hào)12フォトレジスト下層膜形成材料おょびパターン形成方法3Resistcompositionwithpol4A遠(yuǎn)紫外光吸収材料及びこれを用いたパターン56Maleimideoralicyclicolefin-bamonomersandphotore78Chemicallyamplifiedpositiveresist91Monomersforphotoresist,polymersthereof,andphotoresistフォトレジスト単量體、フォトレジスト共重び、半導(dǎo)體素子0品化的248nm光刻膠中普遍使用的光致產(chǎn)酸劑為碘鹽和硫鹽。248nm光刻膠成不溶的表皮層或出現(xiàn)剖面為T型的圖形(俗稱T-top圖形公開(kāi)號(hào)被引1スルホニウム塩化合物富士膠片2polymercompound,and錦湖石化3信越化學(xué)4スルホ二ウム塩及びその用途住友化學(xué)5ランク、並びにパターン形成方法信越化學(xué)6陶氏化學(xué)7信越化學(xué)8AMPLIFIEDRESISTCOMPOSITI信越化學(xué)9スルホニウム塢住友化學(xué)酸発生剤用の塩及びレジスト組成物住友化學(xué)4.2ArF光刻膠專利全球態(tài)勢(shì)分析4.2.1ArF光刻膠全球?qū)＠暾?qǐng)趨勢(shì)分析及區(qū)域分析和818件(占比18.50%),分列第二和第三(如圖4-7所示)。中國(guó)專利申請(qǐng)395其他570B00光刻膠全球?qū)＠暾?qǐng)年度變化趨勢(shì)(見(jiàn)圖4-8)、中、美、日、韓四國(guó)專利申請(qǐng)趨勢(shì) 第一階段(1982年-1994年)為萌芽期，ArF光刻膠起步于1982年，從1982年到1994年屬于ArF光刻膠技術(shù)積累階段，申請(qǐng)零星年IBM設(shè)計(jì)出甲基丙烯酸甲酯(MMA)、甲基丙烯酸丁酯(TBMA)和甲基丙烯酸 半導(dǎo)體工業(yè)制程尚未進(jìn)入KrF光刻領(lǐng)域，較之更先進(jìn)的ArF光刻膠自然也沒(méi)有用武第二階段(1995年-1997年)為初步發(fā)展期。隨著集成電路的發(fā)展，這一時(shí)期第三階段(1998年-2006年)為快速發(fā)展期，這一時(shí)期半導(dǎo)體行業(yè)飛速發(fā)展，1.5倍以上，足可見(jiàn)光刻膠行業(yè)對(duì)于ArF光刻膠技術(shù)的重視程度。尤其是2002年第四階段(2007年至今)為成熟期，這個(gè)階段ArF光刻膠專利年度申請(qǐng)量維持0初展期達(dá)到了2594件(1305項(xiàng)專利族),占全球總申請(qǐng)量的58.25%,再次證實(shí)了日本四，中國(guó)臺(tái)灣申請(qǐng)的專利族為31項(xiàng)，排名第五。此外瑞士、英國(guó)、德國(guó)等國(guó)家在專利族數(shù)(項(xiàng))專利申請(qǐng)數(shù)(件)1日本2韓國(guó)3美國(guó)4中國(guó)5中國(guó)臺(tái)灣67英國(guó)8德國(guó)9目標(biāo)市場(chǎng)目標(biāo)市場(chǎng)對(duì)全球ArF光刻膠領(lǐng)域的前10位申請(qǐng)人進(jìn)行了專利族統(tǒng)計(jì)(表4-6),專利族片、陶氏化學(xué)和三星電子，分別為236項(xiàng)、227項(xiàng)、144項(xiàng)和102項(xiàng)，僅這五大公國(guó)別專利族數(shù)(項(xiàng))專利申請(qǐng)數(shù)(件)1信越化學(xué)日本2SK海力士韓國(guó)3富士膠片日本4陶氏化學(xué)美國(guó)5韓國(guó)6日本7日本8美國(guó)9日本電氣日本日本和美國(guó)在該領(lǐng)域具有較高的技術(shù)認(rèn)可度，相比KrF光刻膠成膜樹脂的研發(fā)更加多頭化，業(yè)內(nèi)公司都在積極開(kāi)發(fā)成膜樹脂材料。這些專利的申請(qǐng)時(shí)間主要集中在初步發(fā)展期和快速發(fā)展期，橫向上比KrF光刻膠成膜樹脂研發(fā)的平均時(shí)間晚兩年，但從被引證次數(shù)來(lái)看，ArF光刻膠的關(guān)注度遠(yuǎn)超KrF光刻膠。目前ArF光刻膠主要的成膜樹脂有三種，分別是聚(甲基)丙烯酸酯類、脂環(huán)聚合物(聚環(huán)烯烴)以及環(huán)烯烴-馬來(lái)酸酐共聚物(COMA)體系。公開(kāi)號(hào)1ラクトン構(gòu)造を有する(メタ)アクリレート誘導(dǎo)體、重合體、フォトレジスト組成物、及び日本電氣2energy-sensitiveresistmaterial美國(guó)電報(bào)3フッ素含有重合體及び精製方法並びに感放射45ポジ型感光性組成物富士膠片6レジスト材料及びレジストパターンの形成方法富士通7Photoresistcross-linkerandphotoresistSK海力士8新規(guī)なポリマー及びそれらを含有してなるフオトレジスト組成物陶氏化學(xué)9ネガ型レジスト組成物東京應(yīng)化Chemicalamplificationtype1.聚(甲基)丙烯酸酯類聚(甲基)丙烯酸酯相對(duì)于聚羥基苯乙烯在193nm高度透明因而成為首選材料，但由于其線型結(jié)構(gòu)、抗刻蝕能力很差，無(wú)法實(shí)用化。直到1992年，人們發(fā)現(xiàn)含有多脂環(huán)的聚合物如帶有雙環(huán)或者三環(huán)的脂肪環(huán)類聚甲基丙烯酸酯可以像芳香族聚合物一樣耐等離子蝕刻。之后，帶有酸敏脂環(huán)側(cè)鏈基團(tuán)的聚(甲基)丙烯酸酯成了193nm光刻膠的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)，常見(jiàn)結(jié)構(gòu)如圖4-11所示。一般而言，聚甲基丙烯酸酯的支鏈至少有三種類型，分別是酸致脫基團(tuán)-離去基團(tuán)、內(nèi)脂基團(tuán)和極化基團(tuán)，其中，193nm2.脂環(huán)聚合物(聚環(huán)烯烴)告了一種用在聚合物長(zhǎng)鏈(包括聚冰片烯)的光刻膠，成為環(huán)烯烴，該聚合物與常規(guī)圖4-12環(huán)烯烴-馬來(lái)酸酐共聚物體系光刻膠中，PAG的產(chǎn)酸效率比248nm低。193nm光刻膠需要具有高光敏性的PAG,公開(kāi)號(hào)1劑並びにこれを用いたレジスト材料及びパタ信越化學(xué)2スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン信越化學(xué)3スルホニウム塩化合物富士膠片4剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパタ信越化學(xué)5日本電氣6compositions,andpatterningpr信越化學(xué)7Photosensitiveresincompositionuseful日本電氣8スルホニウム塩化合物、フォトレジスト組成日本電氣9Fluorine-ContainingSulfonatesPolymerizableAnionsFluorine-ContainingCompositions,andPatternMethodUsingSame中央硝子compound,chemicallyamplifiedcompound,andmethod第5章半導(dǎo)體光刻膠前沿替代技術(shù)專利分析5.1EUV光刻膠全球?qū)＠麘B(tài)勢(shì)分析5.1.1EUV光刻膠全球?qū)＠暾?qǐng)趨勢(shì)分析及區(qū)域分析0圖5-1EUV光刻膠全球?qū)＠暾?qǐng)趨勢(shì)146件，2011年后專利申請(qǐng)?jiān)龇M(jìn)一步增大，突破230件，2012年專利申請(qǐng)達(dá)到布局美國(guó)的專利為907件，占比為22.65%。在中國(guó)臺(tái)灣布局的專利為577件，占比為14.41%。布局中國(guó)大陸的專利有279件，占比為6.97%。專利申請(qǐng)數(shù)(件)日本2韓國(guó)3美國(guó)4中國(guó)臺(tái)灣5中國(guó)6歐專局7德國(guó)8英國(guó)專利申請(qǐng)數(shù)(件)9法國(guó)從技術(shù)來(lái)源國(guó)的角度進(jìn)行分析(申請(qǐng)人國(guó)別分析，表5-2)可以看出，EUV光刻專利族數(shù)(項(xiàng))專利申請(qǐng)數(shù)(件)1日本2美國(guó)3韓國(guó)4中國(guó)臺(tái)灣5中國(guó)6德國(guó)7英國(guó)89芬蘭3盧森堡3主要目標(biāo)國(guó)/地區(qū)主要目標(biāo)國(guó)/地區(qū)了148件專利，在日本、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣和中國(guó)大陸分別布局了92件、80件、57韓國(guó)作為第三大技術(shù)來(lái)源國(guó)，在韓國(guó)本土布局了232件專利，占總申請(qǐng)量的分別布局了1件專利。這一方面說(shuō)明中國(guó)專利申請(qǐng)人在EUV光刻膠技術(shù)發(fā)展初期非日本韓國(guó)美國(guó)中國(guó)臺(tái)灣中國(guó)德國(guó)英國(guó)法國(guó)新加坡主要技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)圖5-2EUV光刻膠主要技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)技術(shù)目標(biāo)國(guó)的專利數(shù)量分布5.1.3EUV光刻膠全球主要?jiǎng)?chuàng)新主體分析來(lái)看，申請(qǐng)量排名前10位的申請(qǐng)人中有5家日本企業(yè)、2家美國(guó)企業(yè)、2家韓國(guó)企學(xué)排名第二，申請(qǐng)了392項(xiàng)(997件)專利；JSR排名第三，申請(qǐng)了110項(xiàng)(173件)專利；東京應(yīng)化排名第四，申請(qǐng)了90項(xiàng)(203件)專利；韓國(guó)的SK海力士排名第五，申請(qǐng)了76項(xiàng)(100件)專利?？梢钥闯?，排名前5的巨頭企業(yè)的同族專利排名六到十位的企業(yè)依次為臺(tái)積電92項(xiàng)(70件)、陶氏化學(xué)61項(xiàng)(156件)、三菱公司56項(xiàng)(164件)、IBM27項(xiàng)(41件)和三星電子25項(xiàng)(28件),其中陶國(guó)別專利族數(shù)(項(xiàng))專利申請(qǐng)數(shù)(件)1日本富士膠片2日本信越化學(xué)3日本4日本東京應(yīng)化5韓國(guó)SK海力士6中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)積電國(guó)別專利族數(shù)(項(xiàng))專利申請(qǐng)數(shù)(件)7美國(guó)陶氏化學(xué)8日本三菱公司9美國(guó)韓國(guó)圖5-3專利CN103304385A中苯多中溶解，具有較高的熔點(diǎn)和玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(熔點(diǎn)均高于100℃),能夠滿足光刻技 于2009年、2010年申請(qǐng)的US20090004596A1和2009申請(qǐng)的專利US20090286180A1中提出一種抗蝕劑組合物，包含至少一個(gè)稠合的多環(huán)部分、至少一個(gè)用酸不穩(wěn)定保護(hù)基團(tuán)保護(hù)的堿可溶性官能團(tuán)的分子玻璃基底以及光敏產(chǎn)酸劑，該組合物對(duì)氧化物反應(yīng)離子刻蝕(RIE)工藝的刻蝕劑(例如CF?)具有高耐刻蝕性。為獲得同時(shí)滿足靈敏度、分辨率和線邊緣粗糙度要求的EUV光刻膠，錦湖石化在2009年申請(qǐng)的專利KR1020110040143A中，提出了聚縮醛樹脂基底的光刻膠組合物，該組合物具有高靈敏度、高分辨率、高抗蝕刻性和低脫氣特性等優(yōu)點(diǎn)，并且可公開(kāi)號(hào)1三菱公司2其制備方法和應(yīng)用中科院3康奈爾大學(xué)4CalixareneBlendedMolecularGlassPhotoresistsandProces56photoresistcompositioncomp陶氏化學(xué)7性光刻膠、正性光刻膠涂層及其應(yīng)用中科院8Calixareneandphotores陶氏化學(xué)9正色調(diào)有機(jī)溶劑顯像的化學(xué)增強(qiáng)抗蝕劑Calixareneandphotores陶氏化學(xué)85.2電子束光刻膠專利技術(shù)分析5.2.1電子束光刻膠全球?qū)＠暾?qǐng)趨勢(shì)分析及區(qū)域分析(見(jiàn)圖5-5)。及高分子抗蝕劑化合物來(lái)刻蝕圖案的方法，1967年IBM公司在其申請(qǐng)專利申請(qǐng)量/件申請(qǐng)量/件對(duì)電子束光刻膠全球?qū)＠暾?qǐng)區(qū)域進(jìn)行分析(如表5-5),排名前10的國(guó)家/地專利申請(qǐng)數(shù)(件)1日本2美國(guó)3韓國(guó)45中國(guó)6德國(guó)7英國(guó)8中國(guó)臺(tái)灣9法國(guó)其他國(guó)家和地區(qū)5.2.2電子束光刻膠全球?qū)＠夹g(shù)來(lái)源國(guó)及目標(biāo)市場(chǎng)分析從技術(shù)來(lái)源的角度進(jìn)行分析(表5-6),日本在全球占據(jù)了絕對(duì)領(lǐng)先的地位，來(lái)源于日本的專利族數(shù)量達(dá)1533項(xiàng)(2021件專利),占全球?qū)＠暾?qǐng)總量的76.12%。專利族數(shù)(項(xiàng))專利申請(qǐng)數(shù)(件)1日本2美國(guó)3德國(guó)4韓國(guó)5中國(guó)6英國(guó)7法國(guó)889其它9越化學(xué)等。美國(guó)申請(qǐng)了262項(xiàng)專利族(575件專利),德國(guó)申請(qǐng)了62項(xiàng)專利族 (116件),韓國(guó)申請(qǐng)了61項(xiàng)專利族(100件專利),分別占全球?qū)＠迳暾?qǐng)總量的13.01%、3.08%和3.03%,列居第二、三、四位。中國(guó)申請(qǐng)的專利族為39項(xiàng) 知識(shí)產(chǎn)權(quán)公共服務(wù)機(jī)構(gòu)信息服務(wù)成果共享報(bào)告集——信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)分冊(cè)美國(guó)德國(guó)韓國(guó)中國(guó)英國(guó)法國(guó)瑞士日本美國(guó)EPO中國(guó)主要技術(shù)目標(biāo)國(guó)日本主要技術(shù)來(lái)源國(guó)綜上所述，日本、美國(guó)作為兩大電子束光刻膠技術(shù)大國(guó)，其專利布局在立足本土對(duì)全球電子束光刻膠領(lǐng)域的前10位申請(qǐng)人進(jìn)行了專利族統(tǒng)計(jì)(表5-7),專利族球申請(qǐng)總量的52.68%,可見(jiàn)在該領(lǐng)域呈現(xiàn)明顯的巨頭化態(tài)勢(shì)。從申請(qǐng)人的國(guó)別來(lái)看，在專利族申請(qǐng)量排名前10位的申請(qǐng)人中，日本企業(yè)9家，束光刻膠領(lǐng)域的壟斷地位。富士膠片是該領(lǐng)域?qū)＠暾?qǐng)數(shù)量最多的公司，達(dá)到了250項(xiàng)(349件),其次為富士通、信越化學(xué)、日立公司和三菱公司，分別為170項(xiàng)(192件)、159項(xiàng)(267件)、97項(xiàng)(104件)和83項(xiàng)(112件),五大公司的下集團(tuán)，美國(guó)的IBM、日本的東京應(yīng)化和日本信話，均超過(guò)40項(xiàng)。前10名的申請(qǐng)國(guó)別專利族數(shù)(項(xiàng))專利申請(qǐng)數(shù)(件)1富士膠片日本2富士通日本3日本4日立公司日本5三菱公司日本6日本7松下集團(tuán)日本8美國(guó)9東京應(yīng)化日本日本信話日本5.2.4電子束光刻技術(shù)核心專利分析表5-8展示了電子束光刻技術(shù)領(lǐng)域的高被引專利(按年均被引頻次進(jìn)行排序),發(fā)劑如芳基重氮，二芳基碘或三芳基銃金屬鹵化物混合，制備對(duì)電子束輻射敏感與樹脂基材結(jié)合，可提升電子束輻射的靈敏度。信越化學(xué)于1999年申請(qǐng)的專利JP2000159758A公開(kāi)了一種含內(nèi)酯化合物，該化合物由重均分子量為1000-熱點(diǎn)主要是解決以下幾個(gè)問(wèn)題：(1)絕緣襯底電子束曝光的電荷積累問(wèn)題；(2)高寬公開(kāi)號(hào)年均被引122Ahighpolymericcompou信越化學(xué)93A三菱公司54A三菱公司65Aormultipledevelopmentpat富士膠片06Chemicalamplificationtype87Agenerator,resistcom中央硝子88Electricallyconductivepo99Basiccompound,resistmateriala信越化學(xué)AA富士膠片6.1主要分析結(jié)論6.1.1半導(dǎo)體光刻膠的全球?qū)＠艣r度持續(xù)上升。截止2024年4月30日，共檢索到半導(dǎo)體光刻膠相關(guān)專利申請(qǐng)22062件(專利族14704項(xiàng)),其中發(fā)明專利授權(quán)14794件，其中，從1980年- 6.1.4半導(dǎo)體光刻膠產(chǎn)業(yè)主流技術(shù)的發(fā)展情況當(dāng)集成電路制造工藝發(fā)展到90nm節(jié)點(diǎn)時(shí)，ArF光刻技術(shù)(193nm)逐步發(fā)展1982年ArF光刻膠同樣是被美國(guó)IBM公司發(fā)明，日本的東京應(yīng)化也在2001年推出了ArF光刻膠產(chǎn)品，1995年開(kāi)始至1997年間ArF光刻作為可預(yù)見(jiàn)的下一代光刻技術(shù)，相關(guān)研發(fā)的熱度也是持續(xù)上升，隨后ArF光刻膠進(jìn)入應(yīng)化，技術(shù)高峰期和布局策略并不相同。1995年后日、韓、美逐步將研發(fā)重心從KrF轉(zhuǎn)移至ArF,三分天下齊頭并進(jìn)。2004年后日本率先攻克浸沒(méi)式ArF光刻，美6.1.5半導(dǎo)體光刻膠前沿替代技術(shù)的發(fā)展情況 (1984年-2007年)后快速增長(zhǎng)趨勢(shì)(2008年至今),專利申請(qǐng)?jiān)瓌?chuàng)國(guó)家/地區(qū)以及專利申請(qǐng)人也呈現(xiàn)出較為集中的狀態(tài)，主要來(lái)自富士膠本)、SK海力士(韓國(guó))、JSR(日本)、東京應(yīng)化(日本)、臺(tái)積電(中國(guó)臺(tái)灣)、陶氏化學(xué)(美國(guó))、三菱公司(日本)、IBM(美國(guó))和三星電子(韓國(guó))等，日本仍在高3057件，自1996年以來(lái)快速發(fā)展，尤其是在2001年專利申請(qǐng)達(dá)到峰值146件，6.2產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議6.2.1對(duì)國(guó)家政策的建議6.2.2對(duì)半導(dǎo)體光刻膠行業(yè)的建議2.集智攻關(guān)，布局核心技術(shù)“專利池”集成電路產(chǎn)業(yè)碳化硅技術(shù)專利分析研究報(bào)告江蘇省知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)中心(江蘇省專利信息服務(wù)中心)中國(guó)專利技術(shù)開(kāi)發(fā)公司原報(bào)告定稿時(shí)間：2024年6月王亞利江蘇省知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)中心主任正高工程師于家伶中國(guó)專利技術(shù)開(kāi)發(fā)有限公司室主任副研究員龔躍鵬江蘇省知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)中心知識(shí)產(chǎn)權(quán)高級(jí)工程師鄧博遠(yuǎn)江蘇省知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)中心安宇中國(guó)專利技術(shù)開(kāi)發(fā)有限公司分類員副研究員呼海春中國(guó)專利技術(shù)開(kāi)發(fā)有限公司分類員副研究員劉華中國(guó)專利技術(shù)開(kāi)發(fā)有限公司分類員助理知識(shí)產(chǎn)權(quán)師宋曉中國(guó)專利技術(shù)開(kāi)發(fā)有限公司分類員助理知識(shí)產(chǎn)權(quán)師第1章碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展概述536OM5■電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施M■鐵路(包括輔助電源)■風(fēng)力發(fā)電■其他(石油和天然氣、國(guó)防、研發(fā))啟動(dòng)第三代半導(dǎo)體襯底及器件的多個(gè)發(fā)展計(jì)劃和研發(fā)項(xiàng)目，推動(dòng)本國(guó)(地區(qū))第三代年就制訂了“國(guó)防與科學(xué)計(jì)劃”,確立了發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體的目標(biāo)；隨后美國(guó)又在2002年啟動(dòng)和實(shí)施了寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)計(jì)劃(WBGSTI),成為加速提升SiC等寬禁帶半導(dǎo)體特性的重要“催化劑”;2014年初美國(guó)成立了以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，并宣布將全力支持以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，計(jì)劃主要針對(duì)下一代電子電力制造業(yè)。2022年8月，美國(guó)《芯片和科學(xué)法案》正式成法生效，該法案提出采取給美本土芯片行業(yè)提供巨額補(bǔ)貼、給半導(dǎo)體和設(shè)備制造提供投資稅收發(fā)展計(jì)劃計(jì)劃美國(guó)能源部藝，提高能量密度，加快開(kāi)關(guān)頻率，增強(qiáng)溫度控制，使電力電子技術(shù)成本更低，效率更高，降低電NEXT計(jì)劃研究項(xiàng)目局研發(fā)能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)極高速度和電壓的氮化鎵器件制歐盟委員會(huì)突破碳化硅器件技術(shù)，發(fā)展下一代碳化硅基電力電耐壓目標(biāo)1.7kV和10kV以上鎵材料項(xiàng)目歐盟委員會(huì)突破高可靠性且高成本效益的技術(shù)，使歐洲成為世界高能效功率芯片研究并商業(yè)化應(yīng)用的最前沿歐洲防務(wù)局聯(lián)合德國(guó)、法國(guó)、意大利、瑞典和英國(guó)，強(qiáng)化歐洲碳化硅襯底和氮化鎵外延片區(qū)域內(nèi)供應(yīng)能力，降低對(duì)歐洲以外國(guó)家的依賴性，形成服務(wù)于國(guó)防工業(yè)的實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)的新一代功率電子項(xiàng)目日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)研發(fā)低成本碳化硅電力電子器件和功率模組，應(yīng)用于新能源汽車、鐵路列車等領(lǐng)域SiC開(kāi)關(guān)器件德國(guó)聯(lián)邦研究部技部863計(jì)劃2002年啟動(dòng)的“碳化硅單晶襯底制備”項(xiàng)目、2006年啟動(dòng)的“2英知識(shí)產(chǎn)權(quán)公共服務(wù)機(jī)構(gòu)信息服務(wù)成果共享報(bào)告集——信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)分冊(cè)中超芯星當(dāng)5K外延襯底加工器件設(shè)計(jì)模塊封裝應(yīng)用CETcCETcInatftute2and55andshantrstemic器寫原科天潤(rùn)BASic會(huì)NIO⑩Loape在器件層面，我國(guó)企業(yè)相對(duì)較晚進(jìn)入市場(chǎng)。鑒于市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，我國(guó)多個(gè)關(guān)于SiC器件廠的項(xiàng)目正在推進(jìn)，主要以首先生產(chǎn)650VSiC金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)為目標(biāo)，以滿足新能源汽車等領(lǐng)域需求。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計(jì)，2023年國(guó)內(nèi)共有近40項(xiàng)SiC相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目啟動(dòng)，其中不乏天科合達(dá)、晶盛機(jī)電、同光股份、科友半導(dǎo)體天域半導(dǎo)體、中車時(shí)代半導(dǎo)體、比亞迪半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)頭部廠商的身影。從擴(kuò)產(chǎn)內(nèi)容來(lái)在碳化硅襯底方面，碳化硅襯底供應(yīng)一直緊缺，為此龍頭企業(yè)大多與其供應(yīng)商簽上世紀(jì)90年代末，美國(guó)CREE公司(Wolfspeed公司前身)已成功研制出4英寸碳化硅晶片，并于2001年成功研制首個(gè)商用碳化硅SBD產(chǎn)品。隨著碳化硅襯底和器件制備技術(shù)的成熟和不斷完善，以及下游應(yīng)用的需求增長(zhǎng)，國(guó)際碳化硅龍頭企業(yè)在保持技術(shù)和市場(chǎng)占有率的情況下，不斷加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)布局，主要措施包括：(1)繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能。如美國(guó)Wolfspeed公司斥資10億美元擴(kuò)大碳化硅晶片生產(chǎn)能力；(2)加強(qiáng)與上下游產(chǎn)業(yè)鏈的聯(lián)合，通過(guò)合同、聯(lián)盟或其他造企業(yè)的部分產(chǎn)品在核心參數(shù)上已經(jīng)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，與海外Wolfspeed、表1-4展示了全球主要N型SiC晶片廠商2021年和(估算)2022年收入情化硅襯底制造商，2021年市場(chǎng)占有率高達(dá)47.9%;其次是SiCrystal和Coherent1.2.2碳化硅器件市場(chǎng)概況一定壟斷地位。市場(chǎng)份額由海外巨頭意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)、英飛凌表1-5全球主要SiC功率器件廠商2021年和(估算)2022年收入情況RankCompany20212022123456789第2章產(chǎn)業(yè)專利數(shù)據(jù)分析2.1全球?qū)＠麘B(tài)勢(shì)分析專利出現(xiàn)，在1975年達(dá)到11項(xiàng)，1996年達(dá)到81項(xiàng)。這段時(shí)期共產(chǎn)出755項(xiàng)業(yè)的年專利申請(qǐng)量由90年代末期的114余項(xiàng)躍升到2011年的486項(xiàng)。在技術(shù)發(fā)展期，日本專利申請(qǐng)總量達(dá)到2511項(xiàng)，占比61.0%,占據(jù)絕對(duì)的技術(shù)主導(dǎo)地位；2012年全球?qū)＠暾?qǐng)量為602項(xiàng)，2016年增至811項(xiàng)，2019年突破1000達(dá)到1003項(xiàng)，2023年躍升至1919項(xiàng)，2012-2023年平均增長(zhǎng)率高達(dá)11.1%。在2.2中國(guó)專利態(tài)勢(shì)分析分布來(lái)看，大部分專利集中在2-9年這個(gè)區(qū)間，共計(jì)2818件，占有效專利總量的65.4%。而超過(guò)15年的長(zhǎng)壽命專利占比相對(duì)較少，僅91件，占比2.1%。展期(2012-2019年)和快速發(fā)展期(2020-2023年)。其中，中國(guó)碳化硅利申請(qǐng)量由90年代初的1件增至2011年的82件，2012年突破百件，達(dá)到194件，2023年達(dá)到歷史峰值1958件。中國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)專利授權(quán)數(shù)量，從1992年的2件增至2012年的99件，2013年突破百件達(dá)到125件，2023年再創(chuàng)新一一專利授權(quán)數(shù)量專利申請(qǐng)199019921994199619982000200220042006200820102012201420請(qǐng)量為7067件，占中國(guó)專利申請(qǐng)總量的79.2%;國(guó)外申請(qǐng)人在華專利申請(qǐng)量為1854件，占中國(guó)專利申請(qǐng)總量的20.8%。其中，日本在華專利申請(qǐng)量居首位，達(dá)德國(guó)，146,8%2.3專利區(qū)域分布分析碳化硅產(chǎn)業(yè)全球?qū)＠暾?qǐng)來(lái)源于共計(jì)52個(gè)國(guó)家或地區(qū)，主要來(lái)源于中國(guó)、日本、美國(guó)、韓國(guó)、德國(guó)。由中日美韓德五個(gè)國(guó)家申請(qǐng)的專利總量達(dá)到16648項(xiàng)，約占全球總申請(qǐng)量的96.0%。其中，中國(guó)以7039項(xiàng)專利申請(qǐng)排在第一位，占全球申請(qǐng)總量的40.1%。日本作為碳化硅產(chǎn)業(yè)的技術(shù)強(qiáng)國(guó)，其專利申請(qǐng)量達(dá)到6755項(xiàng)，占比達(dá)到38.5%。美國(guó)以1552項(xiàng)排名第三，占比為8.9%。韓國(guó)以809項(xiàng)排名第四，占比為4.6%。德國(guó)專利申請(qǐng)量為493項(xiàng)，占比為2.8%。整體來(lái)看，碳化硅產(chǎn)業(yè)全球?qū)＠暾?qǐng)國(guó)地域分布較為集中，主要來(lái)自中國(guó)和日本，由中、日兩國(guó)申請(qǐng)人提出的專利申請(qǐng)量占全球?qū)＠暾?qǐng)總量的78.7%,其他主要專利申請(qǐng)來(lái)源國(guó)基本都是現(xiàn)代工業(yè)強(qiáng)國(guó)，如美國(guó)、韓國(guó)、德國(guó)等。圖2-展示了碳化硅產(chǎn)業(yè)全球?qū)＠饕暾?qǐng)國(guó)一中國(guó)、日本、美國(guó)、韓國(guó)、德國(guó)的專利申請(qǐng)趨勢(shì)?？傮w來(lái)看，各國(guó)專利申請(qǐng)量均在穩(wěn)步增長(zhǎng)。1952195619601964196819721976198019841988199219962000200420041113095圖2-5全球?qū)＠饕暾?qǐng)國(guó)/地區(qū)二級(jí)技術(shù)分布大的差距。2.4專利技術(shù)主題分析碳化硅器件技術(shù)分支下的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)分表2-6碳化硅產(chǎn)業(yè)全球?qū)＠夹g(shù)分布一級(jí)專利申請(qǐng)量二級(jí)專利申請(qǐng)量三級(jí)專利申請(qǐng)量四級(jí)專利申請(qǐng)量硅產(chǎn)業(yè)襯底晶體生長(zhǎng)高溫化學(xué)氣相沉積法其他生長(zhǎng)工藝及設(shè)備襯底加工襯底切割襯底研磨襯底外延化學(xué)氣相沉積外延分子束外延液相法外延其他外延工藝及設(shè)備肖特基二極管PIN二極管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管絕緣柵雙極性晶體管高電子遷移率晶體管關(guān)鍵工藝離子注入刻蝕金屬化應(yīng)用電力變壓器功率放大器7件、肖特基二極管和高電子遷移率晶體管分別以1283件、899件、759件、696件354項(xiàng)、276項(xiàng)、172項(xiàng)，依次位列全球第7、第13和第19。這三家中國(guó)企業(yè)近申請(qǐng)人申請(qǐng)量排名所在國(guó)申請(qǐng)量近五年申請(qǐng)量占比碳化硅襯底應(yīng)用住友公司1日本6三菱公司2日本電裝公司3日本5富士電機(jī)4日本5豐田公司5日本0西安電子科技大學(xué)6中國(guó)3中國(guó)電科7中國(guó)3昭工電工8日本0中國(guó)科學(xué)院9中國(guó)2日立公司日本4日本制鐵公司日本10Wolfspeed公司美國(guó)中國(guó)30東芝公司日本德國(guó)5日本2羅姆公司日本7松下集團(tuán)日本01中國(guó)0迪斯科公司日本0值得注意的是，有7位日本申請(qǐng)人近五年申請(qǐng)量占比低于20%,顯示出較低的3.1物理氣相傳輸法技術(shù)路線分析生成SiC(US20020020342A1),之后美國(guó)的Cree公司利用硅源和烴反應(yīng)生成改進(jìn)。山東天岳將其發(fā)展為從原料角度增大生長(zhǎng)區(qū)，將原料承載裝置設(shè)置為可升降為籽晶的生長(zhǎng)面(DE3915053C2)。1997年，豐田中央研究所將與c軸的夾角為2005年，Cree公司進(jìn)一步研究晶體的c軸與熱梯度的方向形成0°-2°夾角的同時(shí)，將生長(zhǎng)方向與熱梯度方向形成70°-89.5°的夾角以提高晶體的質(zhì)量和尺寸北同光利用小尺寸籽晶進(jìn)行拼接后黏貼到籽晶托上，最終能夠生長(zhǎng)得到直徑為的反應(yīng)氣體的濃度以控制螺旋位錯(cuò)的產(chǎn)生區(qū)域，由此實(shí)現(xiàn)螺旋位錯(cuò)區(qū)域的控制生長(zhǎng)變，調(diào)控第一階段和第三階段的壓力為0.13kPa-2.6kPa,第二階段的壓力為粉料坩堝結(jié)構(gòu)籽晶設(shè)置生長(zhǎng)參數(shù)生產(chǎn)碳化硅的單晶生產(chǎn)碳化硅的單晶單晶的制造方法用于相控升華的升碳化硅粉末及制造碳化硅單晶的方法一種碳化硅單晶的4H制造方法碳化硅單晶生產(chǎn)方法制備碳化硅單晶用高純度碳化硅粉末的方法和單晶碳化硅單晶制備碳化硅單晶用高純度碳化硅粉末的方法和單晶碳化硅單晶碳化硅單晶生產(chǎn)方法一種高純碳化硅單晶的生長(zhǎng)方法碳化硅單晶的制造方法和裝置碳化硅單晶的制造方法和裝置物理氣相傳輸生長(zhǎng)碳化硅單晶的方法和裝置碳化硅單晶生產(chǎn)緣碳化硅單晶的生長(zhǎng)裝置一種長(zhǎng)晶裝置及其應(yīng)用一種高質(zhì)量碳化硅晶體生長(zhǎng)的方法生長(zhǎng)單晶的方法和碳化硅單晶生產(chǎn)方法碳化硅單晶制造方法和裝置大直徑高品質(zhì)的SiC單晶、方法和設(shè)備碳化硅單晶錠，碳化硅單晶的制造方法SiC單晶制造裝置和SiC單晶的制造方法單晶碳化硅的生長(zhǎng)單晶的制造方法碳化硅單晶生長(zhǎng)用籽晶、單晶錠及制法用于生長(zhǎng)高質(zhì)量碳化硅單晶的籽晶和夾持器碳化硅單晶生產(chǎn)方法籽晶、碳化硅單晶的生產(chǎn)方法和碳化硅單晶錠一種快速制備大尺寸SiC單晶晶棒的方法一種直徑8英寸及以上尺寸高質(zhì)量SiC籽晶的制備方法低缺陷密度碳化硅的生長(zhǎng)方法碳化硅單晶錠的制造方法位錯(cuò)控制籽晶制備碳化硅單晶的方法碳化硅單晶基板及其制法碳化硅單晶的制備方法一種抑制碳化硅單晶中碳包裹體缺陷的生長(zhǎng)方法3.2MOSFET器件技術(shù)路線分析SiCMOSFET的發(fā)展歷史相當(dāng)長(zhǎng)遠(yuǎn)，全球SiC產(chǎn)業(yè)龍頭Wolfspeed的前身上生成MOS電容器結(jié)構(gòu)的專利(US4875083A),這項(xiàng)專利后來(lái)被視為促成提交的專利申請(qǐng)US5170231A,描述了一種具有不對(duì)稱源/漏電導(dǎo)率的SiC2004年，Cree公司申請(qǐng)了涉及垂直碳化硅MO其柵絕緣膜位于4H型SiC的{03-38}晶面上，其相對(duì)于{03-38}晶面的偏離角范圍在10°以內(nèi)，相比于傳統(tǒng)的SiC功率器件所采用的{0001}晶面，{03-38}晶面上絕緣膜位于SiC相對(duì)于{11-20}晶面具有偏向{000-1}晶面約10-20°范圍的晶面上，2003年，S.H.Ryu申請(qǐng)的專利US20040119076A1中介紹了一種SiC垂直2009年，三菱公司申請(qǐng)了專利JP2011049267A,其在基區(qū)和漂移層之間形成SiC功率器件在實(shí)際運(yùn)用中由于SiC材料的寬禁帶特性，會(huì)使得SiCMO同年2016,香港科技大學(xué)JinWei等人在專利GB254成垂直溝道與水平溝道的雙溝道MOSFET結(jié)構(gòu)(TP-MOS),相比于傳統(tǒng)的VDMOSFET結(jié)構(gòu)，由于溝道密度的增加，其導(dǎo)通電阻從3.13mQ·cm2降低到了MOS具有比VDMOSFET與UMOSFET都要低的柵漏電容，其高頻優(yōu)值(high-2018年，美國(guó)電力學(xué)會(huì)KijeongHan,B.JayantBaliga等人在專利US10355132B2中披露了一種緩沖柵VDMOSFET,該結(jié)構(gòu)將傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中的柵極減分的擊穿電壓。在具有內(nèi)置肖特基二極管的Si11圖3-2絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)技術(shù)路線圖3.3未來(lái)技術(shù)發(fā)展預(yù)測(cè)對(duì)碳化硅產(chǎn)業(yè)各級(jí)技術(shù)分支，從整體申請(qǐng)趨勢(shì)、國(guó)家/地區(qū)申請(qǐng)熱點(diǎn)、重點(diǎn)申請(qǐng)人研發(fā)熱點(diǎn)、協(xié)同創(chuàng)新熱點(diǎn)、專利運(yùn)營(yíng)熱點(diǎn)(專利訴訟、專利許可、專利轉(zhuǎn)讓、專利質(zhì)押)等方面進(jìn)行進(jìn)一步分析，綜合評(píng)價(jià)各個(gè)技術(shù)分支的發(fā)展趨勢(shì)，如表3-3所示。地區(qū)熱點(diǎn)重點(diǎn)協(xié)同熱點(diǎn)專利訴訟專利許可專利轉(zhuǎn)讓專利質(zhì)押底晶體★★★★★★★√高溫化學(xué)氣★★★★√其他生長(zhǎng)工藝及設(shè)備★5襯底襯底切割★5襯底研磨★★★★★襯底外延積外延★★★★★5分子束外延★液相法外延★★★√其他外延工藝及設(shè)備★肖特基二極管★級(jí)技術(shù)分支地區(qū)熱點(diǎn)重點(diǎn)協(xié)同熱點(diǎn)結(jié)論專利訴訟專利許可專利轉(zhuǎn)讓專利質(zhì)押件★★√★√★√★件★關(guān)鍵工藝離子注入★★★★√★★5★★應(yīng)用器★電力器★★功率器★器★器★整體申請(qǐng)趨勢(shì)，反映的是該分支近五年(2019-2023年)全球?qū)＠暾?qǐng)量的年增國(guó)家/地區(qū)申請(qǐng)熱點(diǎn)，反映的是近十年(2014-2023年)中美歐日韓五局在某分第4章發(fā)展建議術(shù)攻關(guān)，提高大尺寸襯底的量產(chǎn)效率和良率，加快推進(jìn)進(jìn)度，持續(xù)提升6英寸襯底的量產(chǎn)能力，為中下游企業(yè)自主創(chuàng)新夯實(shí)基礎(chǔ)。參考表熱點(diǎn)/重點(diǎn)技術(shù)方向晶體生長(zhǎng)昭工電工、電裝公司、山東天岳、三安光電、同光半導(dǎo)體、晶元、通威微電子有限公司、北京晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司襯底外延液相法外延高厚度均勻性日本制鐵公司、東洋炭素、日本關(guān)西學(xué)院4.3企業(yè)培育招商路徑建議陜西省傳感器產(chǎn)業(yè)專利導(dǎo)航報(bào)告西安市市場(chǎng)監(jiān)督管理局高新區(qū)分局原報(bào)告定稿時(shí)間：2023年6月樂(lè)華西安市市場(chǎng)監(jiān)督管理局高新區(qū)分局知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理科科長(zhǎng)康凱西安億諾專利代理有限公司執(zhí)行董事余芳西安億諾專利代理有限公司項(xiàng)目部經(jīng)理張青青西安億諾專利代理有限公司專利代理師知識(shí)產(chǎn)權(quán)公共服務(wù)機(jī)構(gòu)信息服務(wù)成果共享報(bào)告集——信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)分冊(cè)第1章傳感器產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展現(xiàn)狀傳感器作為現(xiàn)代科技的前沿技術(shù)，是現(xiàn)代信息技術(shù)的三大支柱之一，也是國(guó)內(nèi)外公認(rèn)的最具發(fā)展前途的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)。自動(dòng)化專家指出，傳感器技術(shù)直接關(guān)系到我國(guó)自動(dòng)化產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，“傳感器技術(shù)強(qiáng)，則自動(dòng)化產(chǎn)業(yè)強(qiáng)”,其對(duì)推動(dòng)國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展具有十分重要的意義。截至2022年2月25日，全球傳感器領(lǐng)域?qū)＠暾?qǐng)達(dá)600萬(wàn)以上。其中下游傳感器應(yīng)用數(shù)據(jù)達(dá)579萬(wàn)，通過(guò)統(tǒng)計(jì)主要應(yīng)用領(lǐng)域?qū)＠急雀艣r，目前傳感器的應(yīng)用以工業(yè)電子(占下游應(yīng)用的26%)、消費(fèi)電子(占下游應(yīng)用的11%)、通訊電子(占下游應(yīng)用的9%)、汽車電子(占下游應(yīng)用的8%)、醫(yī)療(占下游應(yīng)用的4%)應(yīng)用比重較大。傳感器產(chǎn)業(yè)相關(guān)專利技術(shù)的布局自1918年開(kāi)始，產(chǎn)業(yè)的發(fā)展為技術(shù)研發(fā)和專利申請(qǐng)起到巨大的推動(dòng)作用，全球傳感器產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)104年的發(fā)展，目前處于快速發(fā)展的階段，并將保持其增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，圖1-1為全球傳感器產(chǎn)業(yè)上中下游的專利申請(qǐng)趨勢(shì)，從專利申請(qǐng)量來(lái)看，下游應(yīng)用涉及產(chǎn)業(yè)范圍廣泛，下游應(yīng)用相關(guān)專利申請(qǐng)占據(jù)霸主地位，并帶動(dòng)傳感器制造、上游材料的研發(fā)投入，促進(jìn)中上游的發(fā)展。醫(yī)療醫(yī)療針對(duì)上述情況，本項(xiàng)目檢索邊界為產(chǎn)業(yè)鏈上游、中游以及下游汽車電子領(lǐng)域應(yīng)用進(jìn)行分析，不對(duì)下游其他應(yīng)用領(lǐng)域分析，其原因有兩方面，具體為：第一、由于傳感1.1傳感器產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展，專利上升趨勢(shì)明顯其中發(fā)明專利共計(jì)506506,占比85.5%,含授權(quán)專利211829件，授權(quán)率達(dá)到第一階段(1918-1958年):萌芽期：這一時(shí)期長(zhǎng)達(dá)40年，該時(shí)期的專利申請(qǐng)第四個(gè)階段(2009-至今):二次發(fā)展期，在該時(shí)期中，中國(guó)開(kāi)始走入了人們的視實(shí)用新型0圖1-2全球/中國(guó)專利申請(qǐng)趨勢(shì)圖我國(guó)仍保持正向快速增長(zhǎng)。知識(shí)產(chǎn)權(quán)公共服務(wù)機(jī)構(gòu)信息服務(wù)成果共享報(bào)告集信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)分冊(cè)對(duì)傳感器產(chǎn)業(yè)的技術(shù)來(lái)源國(guó)和目標(biāo)市場(chǎng)國(guó)進(jìn)行分析，了解傳感器產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵技術(shù)的圖1-4顯示了傳感器產(chǎn)業(yè)全球前十技術(shù)來(lái)源國(guó)和市場(chǎng)國(guó)，由圖中可以看出，傳感器產(chǎn)業(yè)前十的技術(shù)來(lái)源國(guó)依次為日本、中國(guó)、美國(guó)、德國(guó)、韓國(guó)、法國(guó)、英國(guó)、俄羅斯、瑞典和瑞士，日本作為主要的技術(shù)來(lái)源國(guó)，主要在于日本擁有佳能、豐田、歐姆和利用傳感器技術(shù)相當(dāng)重視并列為國(guó)家重點(diǎn)發(fā)展6大核心技術(shù)之一，20世紀(jì)90年代重點(diǎn)科研項(xiàng)目70個(gè)課題中有18項(xiàng)是與傳感器密切相關(guān)，且研發(fā)方面日本約有方面始終處于領(lǐng)先地位，材料領(lǐng)域、傳感器制造領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)跑于全球；而日本早在子和汽車電子領(lǐng)域?qū)鞲衅鞯男枨笠泊碳ち似湓趥鞲衅鳟a(chǎn)業(yè)各個(gè)領(lǐng)域的全面發(fā)展；中國(guó)德國(guó)材料敏感元件制造測(cè)試封裝汽車電子圖1-5傳感器產(chǎn)業(yè)強(qiáng)國(guó)發(fā)展特色本(9家)、德國(guó)(7家)、美國(guó)(2家)、韓國(guó)(2家)。德國(guó)的博世集團(tuán)申請(qǐng)量位居全席位，占比45%,日本申請(qǐng)人中，豐田以8830件專利申請(qǐng)位居首位，電裝公司、日本-豐田日本-電裝公司日本-日產(chǎn)公司日本-本田德國(guó)-大陸公司德國(guó)-大眾公司全球前30申請(qǐng)人吉利北汽日本-豐田日本-電裝公司東風(fēng)臺(tái)積電上汽制造/汽車電子長(zhǎng)安日本-日產(chǎn)公司制造/汽車電子安徽江淮汽車集團(tuán)股份有限公司電子中國(guó)電子科技集團(tuán)公司日本-本田德淮半導(dǎo)體有限公司中航工業(yè)德國(guó)-大陸公司制造/汽車電子德國(guó)-大眾公司制造/汽車電子制造/汽車電子廣汽制造/汽車電子制造/汽車電子京東方科技集團(tuán)股份有限公司比亞迪制造/汽車電子濰柴動(dòng)力公司制造/汽車電子中國(guó)重汽北京萬(wàn)集科技股份有限公司制造/汽車電子百度公司歌爾微電子有限公司制造/汽車電子江蘇多維科技有限公司韓國(guó)-萬(wàn)都公司制造/汽車電子國(guó)機(jī)集團(tuán)中芯國(guó)際陜汽制造/汽車電子萬(wàn)向集團(tuán)制造/汽車電子孝感華工高理電子有限公司制造/汽車電子武漢飛恩微電子有限公司1.5傳感器從全球分工向產(chǎn)業(yè)鏈整合趨勢(shì)發(fā)展1918-19381939-19591960-19801■材料■數(shù)感元件■制造■封裝■測(cè)試■汽車電子■材料■敏感元件■制造■封裝■測(cè)試■汽車電子敏感元件敏感元件1918-19381939-19591960-1980材料材料■美國(guó)■德國(guó)■日本■韓國(guó)■中國(guó)1918-19381939-19591960-19801918-19381939-19591960-1980測(cè)試1918-19381939-1959196圖1-7傳感器產(chǎn)業(yè)主要國(guó)家二級(jí)技術(shù)分支轉(zhuǎn)移趨勢(shì)02.1集群化成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展主趨勢(shì)2.2傳感器產(chǎn)業(yè)發(fā)展呈區(qū)域聚集趨勢(shì)表2-1全國(guó)各省市區(qū)二級(jí)分支專利申請(qǐng)數(shù)量及排名專利專利專利專利專利江蘇1211161廣東412322633833北京354434上海245245山東56967安徽97756湖北78778四川989陜西68611天津999專利專利專利排名專利專利555遼寧893457廣西1江西9山西657云南貴州8984211223614澳門213汽車電子領(lǐng)域的企業(yè)數(shù)量前4均被江蘇、廣東、浙江和上海省市名江蘇1251111廣東21223225433633上海4334245北京3745754安徽7677566湖北338987山東6936878四川88597天津79重慶19陜西959河南41遼寧3吉林942河北94湖南33江西88廣西21臺(tái)灣46黑龍江4山西7貴州77云南4香港2321內(nèi)蒙古2914515寧夏111222澳門1半導(dǎo)體材料金屬材料敏感材料陶瓷材料有機(jī)材料光數(shù)元件輻射敏元件氣敏元件力數(shù)元件熱敏元件溫?cái)?shù)元件結(jié)型傳感薄膜類傳感器厚膜類傳感器傳陶瓷類傳國(guó)器電極類傳系統(tǒng)封裝晶園級(jí)封裝倒裝封裝注塑封裝機(jī)械測(cè)試電氣測(cè)試熱力學(xué)測(cè)試75873899843223343山東228112562814948陜西348454四川856233355234251214228265335582555422553332116783222383925山西6臺(tái)灣32