傳感器與傳感電路技術(shù)項目1習(xí)題及答案

項目練習(xí)一、單項選擇題1.某色環(huán)電阻器的色環(huán)標志為黃、紫、紅、金，其標稱阻值和允許偏差分別為（）。A4.7KΩ，±1%B4.7Ω，±5%C4.7KΩ，±5%D47Ω，±5%2.某色環(huán)電阻器的色環(huán)標志為紅、紅、黑、銀、棕，其標稱阻值和允許偏差分別為（）。A2.2Ω，±1%B220Ω，±1%C22Ω，±2%D220Ω，±2%3.某電阻器標志為5Ω1J，其標稱阻值和允許偏差分別為（）。A5Ω，±1%B5.1Ω，±10%C5Ω，±5%D5.1Ω，±5%4.某電阻器標志為6R2K，其標稱阻值和允許偏差分別為（）。A2KΩ，±6%B6.2Ω，±10%C62Ω，±10%D6Ω，±2%5.某貼片電阻器標志為104，其標稱阻值為（）。A104ΩB100KΩC10KΩD104KΩ6.用指針式萬用表測量電阻值，若量程為“×10”擋，指針指示5.1，則電阻值為（）。A5.1ΩB51ΩC510ΩD0.51Ω7.硅和鍺二極管的導(dǎo)通壓降分別為（）。A0.7V，0.3VB0.3V，0.7VC0.5V，0.1VD0.1V，0.5V8.硅和鍺二極管的閾值電壓分別為（）。A0.7V，0.3VB0.3V，0.7VC0.5V，0.1VD0.1V，0.5V9.利用二極管的（），可使二極管起整流作用。A反向擊穿特性B放大特性C單向?qū)щ娦訢光敏性10.利用二極管的反向擊穿特性，可使二極管起（）。A整流作用B穩(wěn)壓作用C開關(guān)作用D放大作用11.圖1-43所示電路中，UF=（）。A0VB3VC0.7VD3.7V圖1-圖1-441.12題圖圖1-431.11題圖12.圖1-44所示電路中，UF=（）。A0VB3VC0.7VD3.7V13.識別塑料封裝晶體管的極性時，可面向文字標識面（平面），從左至右分別是（）。AC-B-EBE-B-CCB-C-EDC-E-B14.硅晶體管飽和導(dǎo)通時，UBE和UCE分別為（）。A0.7V，0.3VB0.3V，0.7VC0.5V，0.1VD0.1V，0.5V15.鍺晶體管飽和導(dǎo)通時，UBE和UCE分別為（）。A0.7V，0.3VB0.3V，0.7VC0.5V，0.1VD0.1V，0.5V16.測量晶體管型號時，若黑表筆接基極測得的極間電阻值小于紅表筆接基極測得的極間電阻值，則為（）。APNP型BNPN型CN溝道DP溝道17.圖1-45所示硅晶體管反相器電路中，UI=3V時，輸出UO不超過圖圖1-45晶體管反相器18.集成運算放大器的“虛短”特性是指（）。A同相輸入端電位與反相輸入端電位近似相等B同相輸入端電位與反相輸入端電位近似等于0C同相輸入端電流與反相輸入端電流近似相等D同相輸入端電流與反相輸入端電流近似為0二、判斷題（正確：T，錯誤：F）1.串聯(lián)的電阻器能夠分壓，每個電阻器所分得的電壓與其阻值成反比。（）2.光敏電阻的電極常采用梳狀圖案，是為了獲得更高的靈敏度。（）3.發(fā)光二極管的電極有長短之分，其中長的電極為陰極。（）4.硅晶體管飽和導(dǎo)通時，其集-射極電壓不超過0.7V。（）5.集成運算放大器的“虛斷”特性是指在電路參數(shù)選擇合適時，同相輸入端的電流與反相輸入端的電流近似為0。（）6.當電壓比較器的同相輸入端電位高于反相輸入端時，輸出為高電平。（）7.光敏電阻在光照強度大于100LX時的電阻值稱為亮阻。（）8.當晶體管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正向偏置時，晶體管飽和導(dǎo)通。（）9.電磁繼電器的常開觸點是指在線圈得電時才閉合的觸點。（）10.續(xù)流二極管使用時需與電磁性器件反向并聯(lián)。（）三、填空題1.用數(shù)字式萬用表20Ω擋測量色環(huán)標識為橙、橙、黑、金、棕的電阻時，顯示值可能為。2.二極管的核心結(jié)構(gòu)是，二個電極分別為極和極。3.二極管具有性。4.二極管正向偏置時,反向偏置時。5．圖1-46所示電路中，X1、X2、X3、X4存儲的信息分別是、、、。6.晶體管的三個電極分別是極、極和極。圖1-圖1-46二極管只讀存儲電路圖1-47晶體管只讀存儲電路7．圖1-47所示電路中，X1、X2、X3、X4存儲的信息內(nèi)容分別是、、、。8.影響電容充放電快慢的是。9.圖1-36所示電路，當光線變暗時，光敏電阻的阻值變，其所分得的電壓uR1變，當達到晶體管VT的電壓時，VT，VL10.圖1-37所示電路，當光線變亮?xí)r，光敏電阻的阻值變，電壓比較器A的同相輸入端（INA+）電壓變，當時，電壓比較器輸出低電平