YD T 4862-2024 WDM-TAP-PD光電混合光組件

ICS33.180.01

CCSM33

YD

中華人民共和國(guó)通信行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

YD/TXXXX—202X

WDM/TAP-PD光電混合光組件

WDM/TAP-PDphotoelectrichybridassembly

（報(bào)批稿）

202X-XX-XX發(fā)布202X-XX-XX實(shí)施

中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布

YD/TXXXX-202X

前??言

本文件按照GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定

起草。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。

本文件由中國(guó)通信標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(huì)提出并歸口。

本文件起草單位：深圳市東彥通信科技有限公司、中國(guó)信息通信科技集團(tuán)有限公司、中國(guó)信息通信

研究院、朗美通通訊技術(shù)（深圳）有限公司、深圳市迅特通信技術(shù)有限公司、深圳市萬(wàn)和科技股份有限

公司、深圳市中興新地技術(shù)股份有限公司。

本文件主要起草人：徐秋霜、宋夢(mèng)洋、劉德強(qiáng)、馬廣鵬、魏志堅(jiān)、曹東升、孔祥君、徐航宇。

II

YD/TXXXX—202X

WDM/TAP-PD光電混合光組件

1范圍

本文件界定了具備波長(zhǎng)選擇功能或光監(jiān)控功能的光電混合光組件（WDM/TAP-PD）的術(shù)語(yǔ)和定義、

縮略語(yǔ)，規(guī)定了其光電特性、外觀以及環(huán)保符合性等技術(shù)要求，描述了相應(yīng)的測(cè)試方法，規(guī)定了檢驗(yàn)規(guī)

則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存等。

本文件適用于單模WDM/TAP-PD（以下簡(jiǎn)稱為“混合組件”）光電混合光組件產(chǎn)品設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、

生產(chǎn)和檢驗(yàn)，多模TAP-PD光電混合光組件和其它類型的光監(jiān)控產(chǎn)品也可參照使用。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T191包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志

GB/T2828.1計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部份：按接收質(zhì)量限（AQL）檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T9771（所有部分）通信用單模光纖

GB/T12357（所有部分）通信用多模光纖

GB/T20440-2004密集波分復(fù)用器/解復(fù)用器技術(shù)條件

GB/T24365-2009通信用光電探測(cè)器組件測(cè)試方法

GB/T26572電子電氣產(chǎn)品中限用物質(zhì)的限量要求

GB/T39560（所有部分）電子電氣產(chǎn)品中某些物質(zhì)的測(cè)定

SJ/T11364-2014電子電氣產(chǎn)品有害物質(zhì)限制使用標(biāo)識(shí)要求

ANSI/ESDA/JEDECJS-001-2017靜電放電敏感度試驗(yàn)-人體放電模型（HBM）組成等級(jí)（For

ElectrostaticDischargeSensitivityTesting-HumanBodyModel(HBM)ComponentLevel）

TelcordiaGR-468-CORE：2004電信設(shè)備用光電子器件通用可靠性保證要求(Generic

ReliabilityAssuranceRequirementsforOptoelectronicDevicesUsedinTelecommunications

Equipment)

3術(shù)語(yǔ)和定義

GB/T24366-2009界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。

3.1

光電混合光組件photoelectrichybridassembly

集成光無(wú)源器件功能的光電探測(cè)器。

注：結(jié)構(gòu)示意圖見(jiàn)圖1。

1

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標(biāo)引序號(hào)說(shuō)明：

1——光電探測(cè)器

2——WDM/Tap濾光片

3——準(zhǔn)直透鏡

4——光纖插針

5——光纖

6----護(hù)套

圖1光電混合光組件結(jié)構(gòu)示意圖

3.2

光監(jiān)控組件opticaltapmonitorassembly

集成光監(jiān)控功能的光電探測(cè)器

4縮略語(yǔ)

下列縮略語(yǔ)適用于文件。

APD雪崩二極管（AvalanchePhotoDiode）

AQL接收質(zhì)量限（AverageQualityLimit）

BER比特差錯(cuò)率（BitErrorRatio）

ER消光比（ExtinctionRatio）

ESD靜電放電（Electro-StaticDischarge）

NRZ非歸零（NonReturntoZero）

OMA光調(diào)制幅度（OpticalModulationAmplitude）

PD光電二極管（PhotoDiode）

PINP型-本征-N型（‘P-type’-Intrinsic-’N-type’）

PRBS偽隨機(jī)比特序列（Pseudo-RandomBitSequence）

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WDM光波分復(fù)用器（WavelengthDivisionMultiplexer）

5分類

5.1光學(xué)功能

光電混合組件按其光學(xué)功能可分為：

——TAP-PD：具備光監(jiān)控功能的光電混合光組件；

——WDM-PD：具備波長(zhǎng)選擇功能的光電混合光組件。

5.2管芯類型

光電混合組件按光電探測(cè)器的管芯類型可分為：

——PIN光電混合組件；

——APD光電混合組件。

5.3應(yīng)用類型

光電混合組件按光電探測(cè)器的應(yīng)用類型可分為：

——數(shù)字應(yīng)用光電混合組件；

——模擬應(yīng)用光電混合組件。

6技術(shù)要求

6.1光纖類型

光電混合組件所使用的光纖應(yīng)符合GB/T9771（所有部分）和GB/T12357（所有部分）的相關(guān)規(guī)

定。

6.2極限工作條件

光電混合組件的極限工作條件見(jiàn)表1。

表1光電混合組件的極限工作條件

參數(shù)名稱最小值最大值單位

PIN光電混合組件

貯存溫度-40+85℃

商業(yè)級(jí)-5+75

工作管殼溫度℃

工業(yè)級(jí)-40+85

相對(duì)濕度595%

焊接溫度-260a℃

PIN反偏電壓-0.5+20.0V

最大輸入光功率-3dBm

ESD閾值-100bV

尾纖彎曲半徑c530mm

尾纖抗拉強(qiáng)度9.8-N

3

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表1（續(xù)）

參數(shù)名稱最小值最大值單位

APD光電混合組件

貯存溫度-40+85℃

商業(yè)級(jí)-5+75

工作管殼溫度℃

工業(yè)級(jí)-40+85

相對(duì)濕度595%

APD反偏電壓0VBRV

最大輸入光功率-0dBm

ESD閾值-300bV

尾纖彎曲半徑c530mm

尾纖抗拉強(qiáng)度9.8-N

模擬應(yīng)用的光電混合組件

貯存溫度-40+85℃

工作管殼溫度-40+85V

相對(duì)濕度595%

工作電壓-10V

最大輸入光功率-500mW

ESD閾值-200bV

尾纖彎曲半徑c530mm

尾纖抗拉強(qiáng)度9.8-N

a焊接時(shí)間小于10s。

b基于標(biāo)準(zhǔn)人體放電模型。

c尾纖的彎曲半徑應(yīng)考慮與其光纖類型相對(duì)應(yīng)。

6.3光電特性要求

6.3.1WDM-PD光電混合組件光電特性要求

WDM-PD光電混合組件光電特性應(yīng)符合表2的要求。

表2WDM-PD光電混合組件光電特性要求

參數(shù)名稱測(cè)試條件最小值最大值單位

工作波長(zhǎng)范圍-11001700nm

光插入損耗--0.35dB

PIN光電探測(cè)器組件

2.48832GBd，PRBS：223-1，BER：10-10，ER：10dB--18dBm

靈敏度

10.3125GBd，PRBS：231-1，BER：10-12，ER：5dB--12.8dBm

2.48832GBd，PRBS：223-1，BER：10-10，ER：10dB-3-dBm

過(guò)載光功率

10.3125GBd，PRBS：231-1，BER：10-12，ER：5dB0.5-dBm

OMA加壓靈敏度10.3125GBd，PRBS：231-1，BER：10-12，ER：5dB--10.5dBm

光回波損耗a波長(zhǎng)根據(jù)需求40-dBm

4

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表2（續(xù)）

參數(shù)名稱測(cè)試條件最小值最大值單位

2.48832GBd應(yīng)用1.25-GHz

帶寬（-3dB）

10.3125GBd應(yīng)用5-GHz

APD探測(cè)器

反偏電壓為：0.90VBR～0.98VBR、波長(zhǎng)為1310nm、輸入光

光倍增因子315-

功率1μW

光回波損耗a波長(zhǎng)根據(jù)需求--26dB

2.48832GBd，PRBS：223-1，BER：10-10，ER：10dB--28dBm

10.3125GBd，PRBS：231-1，BER：10-12，ER：10dB--24dBm

靈敏度

25.78GBd，PRBS：231-1，BER：5×10-5，ER：4.5dB—-18.8dBm

26.5625GBd，PRBS31QPAM4，BER：2.4×10-4，ER：4.5dB—-15.1dBm

2.48832GBd，PRBS：223-1，BER：10-10，ER：10dB-8-dBm

10.3125GBd，PRBS：231-1，BER：10-12，ER：10dB-7-dBm

過(guò)載光功率

25.78GBd，PRBS：231-1，BER：5×10-5，ER：4.5dB-4—dBm

26.5625GBd，PRBS31QPAM4，BER：2.4×10-4，ER：4.5dB-3.4—dBm

擊穿電壓（VBR）暗電流為10μA1575V

擊穿溫度系數(shù)--0.2V/℃

10.3125GBd應(yīng)用5-GHz

-3dB帶寬

25.78GBd應(yīng)用12.5-GHz

模擬PD探測(cè)器

響應(yīng)度波長(zhǎng)0.8-mA/mW

b

最小可探測(cè)光功率反偏電壓為5V，V1，V2，調(diào)制速率--60dBm

光回波損耗波長(zhǎng)30-dB

暗電流反偏電壓為5V，無(wú)光-1nA

反向電壓-015V

-3dB帶寬反偏電壓為5V，輸入光功率為-30dBm0.3-GHz

頻響平坦度反偏電壓為5V-3dB

c

二階交調(diào)失真反偏電壓為5V，輸入光功率為0dBm,f1和f2-70-dBc

c

三階交調(diào)失真反偏電壓為5V，輸入光功率為0dBm,f1和f2-80-dBc

a適用時(shí)；

b

V1和V2應(yīng)符合GB/T24365-20094.3.2的要求，調(diào)制速率根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景需要選擇；

c

f1和f2應(yīng)符合GB/T24365-20094.3.13和4.3.14的需求。

6.3.2TAP-PD光電混合組件光電特性要求

TAP-PD光電混合組件光電特性應(yīng)符合表3的要求。

表3TAP-PD光電混合組件光電特性要求

參數(shù)名稱測(cè)試條件最小值最大值單位

工作波長(zhǎng)范圍短波長(zhǎng)-4001100nm

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表3（續(xù)）

參數(shù)名稱測(cè)試條件最小值最大值單位

工作波長(zhǎng)范圍長(zhǎng)波長(zhǎng)-11001700nm

1%812

2%1619

TAP分光比對(duì)應(yīng)響應(yīng)度3%2428mA/W

5%4048

10%8098

1%-0.3

2%-0.35

光插入損耗3%-0.4dB

5%-0.45

10%-0.7

模擬PD探測(cè)器

最小可探測(cè)光功率--50-dBm

光回波損耗-35-dB

暗電流反偏電壓為5V，無(wú)光-2nA

反向電壓--5V

反偏電壓為5V，輸入光功率為

二階交調(diào)失真-70-dBc

a

0dBm,f1和f2

反偏電壓為5V，輸入光功率為

三階交調(diào)失真-80-dBc

a

0dBm,f1和f2

APD探測(cè)器

4001100

光響應(yīng)波長(zhǎng)-nm

11001700

反偏電壓為：0.90VBR～0.98VBR、

光倍增因子310-

波長(zhǎng)1310nm、輸入光功率1μW

最小可探測(cè)光功率--70-dBm

過(guò)載光功率--0dBm

光回波損耗波長(zhǎng)25-dB

擊穿電壓（VBR）暗電流=10μA-75V

擊穿溫度系數(shù)--0.2V/℃

注1：TAP-PD光電混合組件是微小光信號(hào)或檢測(cè)信號(hào)探測(cè)組件，測(cè)試條件不考慮反偏電壓、波長(zhǎng)、PRBS碼型、速

率、誤碼率和NRZ等。

注2：除非另有規(guī)定，TCASE=25℃。

a

f1和f2應(yīng)符合GB/T24365-20094.3.13和4.3.14的需求。

6.4封裝形式

光電混合組件的封裝形式見(jiàn)附錄A。

6.5外觀要求

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光電混合組件的外觀應(yīng)平滑、潔凈、無(wú)油漬、無(wú)傷痕及裂紋，整個(gè)器件牢固，尾纖無(wú)松動(dòng)或與連接

器插拔平順。標(biāo)志清晰牢固，標(biāo)志內(nèi)容符合11.1的要求；標(biāo)志貼放位置符合GB/T191中相關(guān)要求。

6.6環(huán)保符合性

光電混合組件組成材料按照GB/T26572的規(guī)定進(jìn)行分類，限用物質(zhì)含量按照GB/T39560（所有部分）

規(guī)定的方法進(jìn)行試驗(yàn)。檢測(cè)單元盡可能拆分成均質(zhì)材料，各均質(zhì)材料中限用物質(zhì)的含量應(yīng)符合表4中的

限值要求。

表4表光電混合組件中各均質(zhì)材料限用物質(zhì)的含量限值

限用物質(zhì)種類限用物質(zhì)名稱含量限值

鉛≤0.1%

汞≤0.1%

重金屬

鎘≤0.01%

六價(jià)鉻≤0.1%

多溴聯(lián)苯≤0.1%

有機(jī)溴代物

多溴二苯醚≤0.1%

鄰苯二甲酸二（2-乙基己基）酯≤0.1%

鄰苯二甲酸甲苯基丁酯≤0.1%

鄰苯二甲酸酯

鄰苯二甲酸二丁基酯≤0.1%

鄰苯二甲酸二異丁酯≤0.1%

7參數(shù)測(cè)試

7.1測(cè)試環(huán)境要求

測(cè)試環(huán)境要求如下：

——溫度：15℃～35℃；

——相對(duì)濕度：45%～75%；

——大氣壓力：86kPa～106kPa。

當(dāng)不能在標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下進(jìn)行測(cè)試時(shí)，應(yīng)在測(cè)試報(bào)告上寫(xiě)明測(cè)試環(huán)境條件。

7.2測(cè)試儀器要求

測(cè)試所用的儀器儀表應(yīng)在規(guī)定的有效校準(zhǔn)期內(nèi)，如無(wú)特殊說(shuō)明，其精度應(yīng)高于所測(cè)參數(shù)精度至少一

個(gè)數(shù)量級(jí)。

7.3光電混合光器件的參數(shù)測(cè)試

7.3.1光響應(yīng)度

按GB/T24365-2009中4.3.1的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。

7.3.2靈敏度（最小可探測(cè)光功率）

按GB/T24365-2009中4.3.2的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。

7

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7.3.3過(guò)載光功率和動(dòng)態(tài)范圍

按GB/T24365-2009中4.3.3的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。

7.3.4OMA加壓靈敏度

按GB/T24365-2009中4.3.4的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。

7.3.5光回波損耗

按GB/T24365-2009中4.3.5的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。

7.3.6-3dB帶寬

按GB/T24365-2009中4.3.6的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。

7.3.7APD光電倍增因子

按GB/T24365-2009中4.3.7的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。

7.3.8APD擊穿電壓

按GB/T24365-2009中4.3.8的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。

7.3.9APD擊穿電壓溫度系數(shù)

按GB/T24365-2009中4.3.9的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。

7.3.10響應(yīng)度

按GB/T24365-2009中4.3.10的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。

7.3.11暗電流

按GB/T24365-2009中4.3.11的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。

7.3.12頻響平坦度

按GB/T24365-2009中4.3.12的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。

7.3.13二階互調(diào)失真

按GB/T24365-2009中4.3.13的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。

7.3.14三階互調(diào)失真

按GB/T24365-2009中4.3.14的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。

7.3.15插入損耗

按GB/T20440-2004中5.4.2的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。

8可靠性試驗(yàn)

8.1可靠性試驗(yàn)環(huán)境要求

8

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可靠性試驗(yàn)環(huán)境要求同7.1。

8.2可靠性試驗(yàn)要求

可靠性試驗(yàn)按照表5的規(guī)定執(zhí)行。

表5光電混合組件可靠性試驗(yàn)要求

試驗(yàn)抽樣要求

試驗(yàn)項(xiàng)目引用標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)條件

類別LTPDaSSaCa

Telcordia——不要求蒸汽老化，焊槽法

可焊性bGR-468-CORE:2004——浸入時(shí)間：5s20110

物理

3.2.10.5——溫度：255℃±5℃

特性

試驗(yàn)ANSI/ESDA/JEDEC

ESD等級(jí)標(biāo)準(zhǔn)人體放電模型6-0

JS-001-2017

試驗(yàn)條件A

Telcordia——加速度：500g

機(jī)械沖擊GR-468-CORE:2004——脈沖持續(xù)時(shí)間：1.0ms20110

3.3.1.1.1——沖擊次數(shù)：5次/軸向

——方向：X1、X2、Y1、Y2、Z1、Z2

試驗(yàn)條件A

——頻率：20Hz～2000Hz

Telcordia

——加速度：20g

變頻振動(dòng)GR-468-CORE:200420110

——掃頻速率：4min/循環(huán)

3.3.1.1.2

——循環(huán)次數(shù)：4循環(huán)/軸向，方向：X、Y、

Z

Telcordia

機(jī)械

熱沖擊cGR-468-CORE:2004ΔT=100℃0℃～100℃循環(huán)次數(shù)：10次20110

完整

3.3.1.2

性試

Telcordia

驗(yàn)內(nèi)部水汽

GR-468-CORE:2004<5000ppm20110

含量c

3.2.10.1.1

——涂覆層或緊套、松套光纖：負(fù)載：4.9N，

扭轉(zhuǎn)角度：90°～-90°～0°，循環(huán)次數(shù)：10次，

Telcordia

光纖扭折點(diǎn)離器件：3cm

GR-468-CORE:200420110

扭轉(zhuǎn)d——增強(qiáng)型光纖：負(fù)載：9.8N，扭轉(zhuǎn)角度：

3.3.1.3.1

90°～-90°～0°，循環(huán)次數(shù)：10次，扭折點(diǎn)離

器件：3cm

——涂覆層或緊套光纖：拉力：2.45N，90°，

Telcordia

光纖距離光纖保護(hù)套22cm～28cm

GR-468-CORE:200420110

側(cè)拉力d——松套或增強(qiáng)型光纖：拉力4.9N，90°，距

3.3.1.3.2

離光纖保護(hù)套22cm～28cm

9

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表5（續(xù)）

試驗(yàn)抽樣要求

試驗(yàn)項(xiàng)目引用標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)條件

類別LTPDaSSaCa

機(jī)械——涂覆層或緊套光纖：拉力：4.9N，保持

Telcordia

完整光纖時(shí)間：1min，光纖尾端起10cm處

GR-468-CORE:200420110

性試保持力d——松套或增強(qiáng)型光纖：拉力：9.8N，保持

3.3.1.3.3

驗(yàn)時(shí)間：1min，距光纖尾端10cm處

Telcordia

高溫儲(chǔ)存GR-468-CORE:2004溫度：85℃，時(shí)間：2000h20110

3.3.2.1

Telcordia

低溫貯存GR-468-CORE:2004溫度：-40℃，時(shí)間：72h20110

非工

3.3.2.1

作環(huán)

——溫度范圍：–40℃～+85℃

境試Telcordia

——溫度變化速率：>10℃/min

驗(yàn)溫度循環(huán)GR-468-CORE:200420110

——極限溫度下的停留時(shí)間：>10min

3.3.2.2

——循環(huán)次數(shù)：500次

Telcordia

恒定濕熱GR-468-CORE:2004溫度：85℃，相對(duì)濕度：85%，時(shí)間：500h20110

3.3.2.3

工作Telcordia最高工作溫度和正常工作條件下，時(shí)間：

壽命（高

環(huán)境GR-468-CORE:20042000h20110

溫）

試驗(yàn)3.3.3.1

aC——允許失效數(shù)，LTPD——批允許不合格品率，SS——最小樣品數(shù)；

b不要求參數(shù)測(cè)試，可用參數(shù)不合格的產(chǎn)品進(jìn)行；

c僅適用于氣密性封裝的產(chǎn)品；

d僅適用于尾纖型產(chǎn)品。

8.3失效判據(jù)

各項(xiàng)試驗(yàn)完成后，在相同測(cè)試條件下，出現(xiàn)下列故障中的任意一種情況即判定為不合格：

——外殼破裂或有裂紋，內(nèi)部元器件發(fā)生脫落；

——參數(shù)不滿足表2、表3的要求。

9檢驗(yàn)規(guī)則

9.1檢驗(yàn)分類

檢驗(yàn)分為出廠檢驗(yàn)和型式檢驗(yàn)。出廠檢驗(yàn)分為常規(guī)檢驗(yàn)和抽樣檢驗(yàn)。

9.2出廠檢驗(yàn)

9.2.1常規(guī)檢驗(yàn)

常規(guī)檢驗(yàn)應(yīng)百分之百進(jìn)行，檢驗(yàn)項(xiàng)目如下：

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YD/TXXXX—202X

a）外觀：目測(cè)，符合6.5要求。

b）性能：按7.3規(guī)定的測(cè)試方法，結(jié)果符合表2、表3的規(guī)定。

c）高溫電老化

老化條件：在最大工作溫度下，光電混合組件處于正常工作狀態(tài)，老化時(shí)間至少24h；

恢復(fù)：在正常大氣條件下恢復(fù)1h后按7.3規(guī)定的測(cè)試方法進(jìn)行測(cè)試；

失效判據(jù)：性能參數(shù)不滿足表2、表3要求。

d）溫度循環(huán)

溫循條件：非工作狀態(tài)，極限溫度-40℃、+85℃，溫度變化速率不超過(guò)10℃/min，極限

溫度下的停留時(shí)間不小于10min，循環(huán)次數(shù)10次；

恢復(fù)：在正常大氣條件下恢復(fù)1h后按7.3規(guī)定的測(cè)試方法進(jìn)行測(cè)試；

失效判據(jù)：性能參數(shù)不滿足表2、表3要求。

9.2.2抽樣檢驗(yàn)

從批量生產(chǎn)中生產(chǎn)的同批或若干批產(chǎn)品中，按GB/T2828.1規(guī)定，取一般檢查水平Ⅱ，接收質(zhì)量

限（AQL）和檢驗(yàn)項(xiàng)目如下：

a）外觀：

AQL取1.5；

檢驗(yàn)方法：目測(cè)，其結(jié)果符合6.5的要求。

b）外形尺寸：

AQL取1.5；

檢驗(yàn)方法：用滿足精度要求的量度工具測(cè)量，其結(jié)果符合設(shè)計(jì)文件中的要求。

c）性能檢測(cè)：

AQL取0.4；

檢驗(yàn)方法：按7.3的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試，其結(jié)果符合表2、表3的規(guī)定。

9.3型式檢驗(yàn)

9.3.1型式檢驗(yàn)條件

光電混合組件有下列情況之一時(shí)，應(yīng)進(jìn)行型式檢驗(yàn)：

——產(chǎn)品定型時(shí)或已定型產(chǎn)品轉(zhuǎn)場(chǎng)時(shí)；

——正式生產(chǎn)后，如果結(jié)構(gòu)、材料、工藝有較大改變，可能影響產(chǎn)品性能時(shí)；

——產(chǎn)品長(zhǎng)期停產(chǎn)12個(gè)月后，恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)；

——出廠檢驗(yàn)結(jié)果與定型時(shí)的型式檢驗(yàn)有較大差別時(shí)；

——正常生產(chǎn)24個(gè)月后；

——國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督機(jī)構(gòu)提出進(jìn)行型式檢驗(yàn)要求時(shí)。

9.3.2檢驗(yàn)要求

在進(jìn)行型式檢驗(yàn)前，按7.3的規(guī)定，對(duì)樣品的性能參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，并記錄測(cè)試結(jié)果。

9.3.3檢驗(yàn)項(xiàng)目及抽樣方案

型式檢驗(yàn)的檢驗(yàn)項(xiàng)目及抽樣方案見(jiàn)表5。

9.3.4樣品的使用規(guī)則

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YD/TXXXX-202X

樣品的使用規(guī)則如下:

a)凡經(jīng)受了型式檢驗(yàn)的樣品，一律不能作為合格品交付使用；

b)在不影響檢驗(yàn)和試驗(yàn)結(jié)果的條件下，一組樣品可用于其他分組的檢驗(yàn)和試驗(yàn)。

9.3.5產(chǎn)品的不合格判定

各項(xiàng)試驗(yàn)完成后，不合格判定按8.3規(guī)定執(zhí)行，若其中任何一項(xiàng)試驗(yàn)不符合要求時(shí)，則判該批不合

格。

9.3.6不合格批的重新提交

當(dāng)提交型式檢驗(yàn)的任一檢驗(yàn)批不符合表5中規(guī)定的任一分組要求時(shí)，應(yīng)根據(jù)不合格原因，采取糾

正措施后，對(duì)不合格的檢驗(yàn)分組重新提交檢驗(yàn)。重新檢驗(yàn)應(yīng)采用加嚴(yán)抽樣方案。若重新檢驗(yàn)仍有失效，

則該批拒收。如通過(guò)檢驗(yàn)，則判為合格。但重新檢驗(yàn)不得超過(guò)2次，并應(yīng)清楚標(biāo)明為重新檢驗(yàn)批。

9.3.7檢驗(yàn)批的構(gòu)成

提交檢驗(yàn)的批，可由一個(gè)生產(chǎn)批構(gòu)成，或由符合下述條件的幾個(gè)生產(chǎn)批構(gòu)成：

——這些生產(chǎn)批是在相同材料、工藝、設(shè)備等條件下制造出來(lái)的；

——若干個(gè)生產(chǎn)批構(gòu)成一個(gè)檢驗(yàn)批的時(shí)間不超過(guò)1個(gè)月。

10標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存

10.1標(biāo)志

10.1.1標(biāo)志內(nèi)容

每個(gè)產(chǎn)品應(yīng)標(biāo)明產(chǎn)品型號(hào)、規(guī)格、編號(hào)、批的識(shí)別代碼及安全等標(biāo)志。

10.1.2標(biāo)志要求

進(jìn)行全部試驗(yàn)后，標(biāo)志應(yīng)保持清晰。標(biāo)志不清晰及標(biāo)志損傷的產(chǎn)品應(yīng)重新打印標(biāo)志，以保證發(fā)貨之

前標(biāo)志的清晰。

10.1.3污染控制標(biāo)志

產(chǎn)品的污染控制標(biāo)志應(yīng)按SJ/T11364-2014第5章規(guī)定，在包裝盒或產(chǎn)品上打印上電子電氣產(chǎn)品

污染控制標(biāo)志。

10.2包裝

產(chǎn)品應(yīng)有良好的包裝及防靜電措施，避免在運(yùn)輸過(guò)程中受到損壞。包裝盒上應(yīng)標(biāo)有產(chǎn)品名稱、型號(hào)

和規(guī)格、生產(chǎn)廠家、產(chǎn)品執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)號(hào)、防靜電標(biāo)識(shí)、激光防護(hù)標(biāo)志等。

包裝盒內(nèi)應(yīng)有產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)。說(shuō)明書(shū)內(nèi)容包括：產(chǎn)品名稱、型號(hào)、簡(jiǎn)要工作原理和主要技術(shù)指標(biāo)、極

限工作條件、安裝尺寸和管腳排列、使用注意事項(xiàng)等。

10.3運(yùn)輸

包裝好的產(chǎn)品可用常用的交通工具運(yùn)輸，運(yùn)輸過(guò)程中應(yīng)避免雨雪的直接淋襲、烈日曝曬和猛烈撞

擊。

12

YD/TXXXX—202X

10.4貯存

產(chǎn)品應(yīng)貯存在環(huán)境溫度為-10℃～+45℃，相對(duì)濕度不大于80%且無(wú)腐蝕性氣體、液體的倉(cāng)庫(kù)里。

貯存期超過(guò)12個(gè)月的產(chǎn)品，出庫(kù)前，應(yīng)按7.3規(guī)定的方法進(jìn)行參數(shù)測(cè)試，測(cè)試結(jié)果符合表2、表3要求方

可出庫(kù)。

13

YD/TXXXX-202X

A

附錄A

（資料性）

WDM/TAP-PD封裝

WDM/TAP-PD封裝外形及尺寸參見(jiàn)圖A.1，圖A.2和表A.1。

L

P

D

圖A.1GNDN

圖A.2常規(guī)WDM/TAP-PD封裝外形圖

圖A.3迷你型WDM/TAP-PD封裝外形圖

表A.1外形尺寸