混合集成電路裝調(diào)工題庫(kù)（初級(jí)工）

中國(guó)兵器工業(yè)集團(tuán)職業(yè)技能等級(jí)認(rèn)定

混合集成電路裝調(diào)工種初級(jí)工

理論知識(shí)試題庫(kù)

一、選擇題

1.厚膜HIC的主要制造工藝包括：（。

）A制版、網(wǎng)印、調(diào)阻、健合、封蓋、測(cè)試

B成膜、調(diào)阻、組裝（粘片、鍵合或表面貼裝）、封裝

C光繪制版、網(wǎng)印燒結(jié)、激光微調(diào)、粘片鍵合、平行縫焊、測(cè)試篩選

2.下列材料中屬于厚腴HIC用直接材料的是：（）

A陶瓷基片、厚膜漿料、導(dǎo)電環(huán)氯、芯片、硅鋁絲、外殼。

B網(wǎng)版、基片、漿料、探針、環(huán)氧、電容、芯片、金絲、瓷蓋、引線。

C基片、漿料、酒精、氟油、環(huán)氧樹脂、片式電容、IC芯片、金絲、外殼。

3.首件三檢的主要目的是：（）。

A保證所加工的第1只電路的正確性

B使人、機(jī)、料、法、環(huán)處于受控狀態(tài)

C防止產(chǎn)品出現(xiàn)批次性質(zhì)量問(wèn)題

4.對(duì)于厚膜HIC用的有限壽命材料?，（）。

A達(dá)到規(guī)定的有效貯存期限，就不能再投入使用

B雖超過(guò)了有效貯存期限，但沒(méi)有變壞，就可以繼續(xù)使用下去

C雖達(dá)到有效貯存期限，但經(jīng)過(guò)一次及時(shí)的過(guò)期復(fù)驗(yàn)且是合格的，則可以適度延長(zhǎng)其

使用期限

5.厚膜HIC工藝線中，有暗室或避光要求的工作間有：（）。

A制版、網(wǎng)印、鍵合、測(cè)試

B光繪、制版、激光、中測(cè)

C篩選評(píng)價(jià)、制版、激光、鍵合、SMT

6.厚膜HTC工藝線中，有防靜電要求的工藝包括：（）

A篩選評(píng)價(jià)、有源微調(diào)、粘片鍵合、表面貼裝、中測(cè)成測(cè)。

B光繪、直描、網(wǎng)印、鍵合、測(cè)試

C篩選評(píng)價(jià)、網(wǎng)印燒結(jié)、激光調(diào)阻、粘片鍵合、SMTo

7.在工藝加工或之前，發(fā)現(xiàn)了產(chǎn)品在上一工序的質(zhì)量問(wèn)題時(shí)，（）。

A應(yīng)及時(shí)送交上一工序的檢驗(yàn)員或操作員，讓其進(jìn)行有效的處理或挑選剔除不合格品

后，再繼續(xù)或開(kāi)始本工序的加工

B應(yīng)停止或不進(jìn)行加工，靖線組長(zhǎng)來(lái)協(xié)調(diào)處理

C應(yīng)停止或不進(jìn)行加工并填寫產(chǎn)品''質(zhì)量信息單”交質(zhì)管員，等待處理意見(jiàn)

8.淺腔蓋板式金屬外殼封裝厚膜HIC的簡(jiǎn)要組裝、封裝加工流程一般為：（）o

A粘片一鍵合一封蓋一測(cè)試

B外貼元器件與基片粘接一內(nèi)引線鍵合一電路襯底與外殼粘接一外引線鍵合一中間測(cè)

試一平行縫焊一細(xì)、粗檢漏一成品測(cè)試。

C清洗基片、外殼一基片與外殼粘接一粘片一內(nèi)、外引線鍵合一修片一平行縫焊一電

測(cè)試一七室篩選。

9.測(cè)某一電路時(shí)需要60V的直流電源，但實(shí)驗(yàn)室只有兩臺(tái)輸出電壓最大為35V的直流電源。

應(yīng)將這兩臺(tái)電源（）使用以獲得60V的直流電源。

A并聯(lián)B串聯(lián)C串聯(lián)或并聯(lián)

1（）.在檢修電子設(shè)備時(shí).，通過(guò)測(cè)量電路中各晶體管三個(gè)甩吸對(duì)地電壓來(lái)判別管子的工作狀態(tài)。

請(qǐng)選出下列哪個(gè)管子（NPN管）工作在放大區(qū)（）。

AVb=2.73V、Ve=2.0V\Vc=2.3VBVb=2.73V、Ve=2.0V\Vc=10.OV

CVb-2.73V,Vc-3.DV、Vc-15VDVb-2.73V,VL2.73V、Vc-5V

11.正弦交流信號(hào)的有效值等于峰值的（）倍。

A1/2B0.707C9/10

12.厚膜HIC工藝加工依據(jù)的主要文件資料是：（）o

A工藝規(guī)程和檢驗(yàn)規(guī)程

B產(chǎn)品圖冊(cè)、工藝文件、檢驗(yàn)文件、工藝規(guī)程、檢驗(yàn)規(guī)程

C版圖、工藝流程圖、詳細(xì)規(guī)范、工藝規(guī)程、檢驗(yàn)規(guī)程

13.厚膜HIC包裝要求做到的四防主要是：（）。

A防摔、防火、防潮濕、防泄漏

B防震、防潮、防腐蝕、防靜電

C防混裝、防丟失、防松動(dòng)、防損傷

14.操作過(guò)程中，防止污染和損傷產(chǎn)品外觀的最有效方法是：（）。

A取片前凈手

B帶上干凈的乳膠指套或白色汗布手套操作

C用不銹鋼鐐子央取電路

15.GJb548A中規(guī)定，與元件脫離基板相反的方向是：（）。

AXI方向BY1方向CY2方向

16.厚膜HIC工藝加工的“受控環(huán)境”是指：（）。

A除最大允許相對(duì)濕度（RH）不超過(guò)65%外，與1000級(jí)潔凈環(huán)境要求相符合的環(huán)境

B通高純度氮?dú)獾姆忾]環(huán)境

C溫度、濕度、潔凈度受控且有防靜電措施的環(huán)境

17.型號(hào)為CT41G-X7R-0805-50VT03-J片式電容器的容直、容差（精度）分別為:（）

AlX103pF.±5%。BlOOOOpF.±10%。C0.01±5%o

18.厚膜HIC包裝要求做到的四防主要是：（）o

A防摔、防火、防潮濕、防泄漏B防震、防潮、防腐蝕、防靜電

C防混裝、防丟失、防松動(dòng)、防損傷

19.用HZ2790型LCR數(shù)字電橋測(cè)試1PF以上電解電容時(shí)，電橋的頻率檔位和串、并聯(lián)設(shè)置

分別為：（）

A100Hz.串聯(lián)B100Hz、并聯(lián)C1kHz、串聯(lián)

20.在電路參數(shù)均相同的情況下，試比較共射、共集、共基三種基本電路的高頻性能（）。

A共射電路高頻性能最好B共集電路高頻性能最好C共基電路高頻性能最好

21.當(dāng)對(duì)PCb金屬化孔質(zhì)量有疑義時(shí)，除開(kāi)鏡檢外，要用萬(wàn)用表（）檔來(lái)測(cè)量。

A直流電壓B交流電壓C電流D電阻

22.PCb表面布線，導(dǎo)線斷裂寬度不超過(guò)（）線寬可接收。

A50%B25%C75%

23.立式元件插裝，元件底部應(yīng)離焊盤高度在（）

A0.5?1.5mmB1.0?2.0mmC0.4?1.5mm

24.立式元件插裝傾斜度不超過(guò)15°或器件底面和板子面最小距離不小于（）,最大距離

不大于（）o

A0.3,1.0mmB1.0,3.0mmC0.25,2.0mm

25.厚膜電阻激光切割后，功率電阻有效寬度晅與設(shè)計(jì)寬度W相比W（）WK

AW121/2WBW1WI/2WCW-1/2W

26.人在相對(duì)■濕度為10?20%的地毯上行走，會(huì)產(chǎn)生大約（）V電壓。

A35000B12000C6000

27.芯片鏡檢是集成電路生產(chǎn)過(guò)程中（）內(nèi)容之一。

A技術(shù)管理B生產(chǎn)管理C質(zhì)量管理

28.按GJB548A—96方法2010A規(guī)定，半導(dǎo)體芯片鏡檢（外來(lái)物質(zhì)除外）顯微鏡放大倍數(shù)為

倍（）。

A30-60B75?130C160-300

29.中測(cè)打點(diǎn)印跡暴裂脫落其原因?yàn)楹嫫瑫r(shí)間（）O

A過(guò)長(zhǎng)或溫度過(guò)高B不夠或溫度過(guò)高C過(guò)長(zhǎng)或溫度不夠

30.二進(jìn)制無(wú)符號(hào)數(shù)（10101）轉(zhuǎn)換成十進(jìn)制數(shù)為（）.

A11B21C31

31.塑料封裝屬于（）封裝。

A非氣密性封裝B半氣密性封裝C氣密性封裝

32.靜電電場(chǎng)的能量達(dá)到一定程度后，擊穿其間介質(zhì)而進(jìn)行放電的現(xiàn)象是（）＜,

A靜電B靜電放電（ESD）C靜電敏感度D靜電敏感器件（SSD）

33.表面電阻在108~1014。/口之間的材料是以下哪種材料（）。

A靜電導(dǎo)體B抗靜電材料C導(dǎo)電材料D絕緣材料

34.靜電敏感器件安全電壓為（）V。

A100B200C300

35.中測(cè)時(shí)大圓片上針跡過(guò)大或過(guò)深是由于（）.

A針尖離圓片表面太遠(yuǎn)或針尖過(guò)粗B針尖離圓片表面太近或針尖過(guò)粗

C針尖離圓片表面太近或針尖過(guò)細(xì)

36.成品電路測(cè)試工藝規(guī)范規(guī)定，高（或低）溫測(cè)試時(shí)，從高（或低）溫箱中逐個(gè)取出的電

路應(yīng)在（）秒內(nèi)測(cè)試完畢。

A15B20C30

37.成品電路測(cè)試工藝規(guī)范規(guī)定，高（或低）溫測(cè)試時(shí)，電路應(yīng)在高（或低）溫箱中恒溫（）

分鐘才能測(cè)試。

A20B30C40

38.成品電路內(nèi)包裝要求做到的四防主要是：（）

A防摔、防火、防潮濕、防泄漏B防震、防潮、防腐蝕、防靜電

C防混裝、防丟失、防松動(dòng)、防損傷

39.電路測(cè)試過(guò)程中的“受控環(huán)境”是指：（）

A與10000級(jí)潔凈環(huán)境要求相符合的環(huán)境。

B通高純度氮?dú)獾姆忾]環(huán)境。

C溫度、濕度、潔凈度與要求相符合，且采取防靜電措施的環(huán)境。

40.關(guān)于測(cè)試注意事項(xiàng)，下列敘述不正確的是：（）

A測(cè)試儀器、設(shè)備外殼應(yīng)可靠接地，工作臺(tái)面應(yīng)鋪防靜電膠墊。

B測(cè)試儀表不用時(shí)應(yīng)將其量程及旋鈕均置于最小檔位。

C測(cè)試內(nèi)含CMOS芯片的電路，應(yīng)配戴可靠接地的防靜電腕帶。

41.要測(cè)試電路的工作電流，一般電流表接在（）

A電源和電路電源端之間B電源和電路輸入端之間C電源和電路輸出端之間

42.在公稱單位中，除基本單位外，常用一個(gè)字母加基本單位的方式代表不同級(jí)別的單位，

以卜.字母按由大到小量級(jí)排列順序正確的是：（）

Ak,G,m,M,n,P,p

BG,k,M,m,n,u,p

CG,k,m?M,n,u,p

I）G,M,k,m,,n,p

43.平行縫焊屬于（）封裝。

A非氣密性封裝B半氣密性封裝C氣密性封裝

44.場(chǎng)效應(yīng)管中用來(lái)調(diào)控溝道電阻的電極（）。

A柵B集電極C漏I）源

45.科研項(xiàng)目和工藝課題等項(xiàng)目在鑒定（驗(yàn)收）后的（）個(gè)工作口內(nèi)完善文件材料的修改，

并按歸檔要求辦理完畢檔案“預(yù)立卷”的移交手續(xù)，檔案部門應(yīng)在30個(gè)工作日內(nèi)完成檔案

組卷、上架等工作。

A20B30C60D10

46.試樣產(chǎn)品需要編制技術(shù)要求或技術(shù)協(xié)議書、采購(gòu)清單、電路原理圖和版圖、工藝指導(dǎo)書

等文件外，還包括（）：

A詳細(xì)規(guī)范B老煉文件C測(cè)試規(guī)程I）檢驗(yàn)文件

47.表面電阻在105?10EQ/口范圍的物體是（）

A靜電導(dǎo)體B抗靜電材料C導(dǎo)電材料D絕緣材料

48.體電阻率不大于108Q?cm或者表面電阻在1X105Q/口以下的材料是（

A靜電導(dǎo)體B抗靜電材料C導(dǎo)電材料D絕緣材料

49.以下哪種封裝形式的電路需要做密封試驗(yàn)（）

A塑封B環(huán)氧樹脂灌封C平行縫焊封裝D前面三種都不需要

50.以下哪個(gè)是頻率的單位（）

AABSCVDHz

51.PN結(jié)的溫度特性為隨著溫度升高，PN結(jié)的正向電壓減小，其溫度系數(shù)為（）。

ATmV/℃左右B-2mV/℃左右C-3仙/℃左右D-4mV/℃左右。

52.晶體三極管具有放大作用的外部條件是（）。

A發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均正偏B發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏

C發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏【）發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均反偏

53.場(chǎng)效應(yīng)管除了具有輸入電阻大以外，還具有一種特殊性質(zhì)，該特殊性質(zhì)指的是（）。

A零溫度特性B負(fù)溫度特性C正溫度特性

54.試比較NPN三極管反向擊穿電壓BVCBO、BVEBO、BVCE0的大小（）,.

ABVCBO^BVEBO^BVCEOBBVEBO^BVUEO^BVCBO

CBVCEO^BVCBO>BVEBODBVCBO>BVCEO^BVEBO

55.在電路參數(shù)均相同的情況卜，試比較共射、共集、共基三種基本電路的高頻性能（）。

A共射電路高頻性能最好B共集電路高頻性能最好C共基電路高頻性能最好。

56.在檢修電子設(shè)備時(shí)，通過(guò)測(cè)量電路中各晶體管三個(gè)電吸對(duì)?地電壓來(lái)判別管子的工作狀態(tài)。

請(qǐng)選出下列哪個(gè)管子（NPN管）工作在放大區(qū)（）。

AVb=2.73V>Ve=2.0V\Vc=2.3VBVb=2.73V、Ve=2.0V>Vc=10.0V

CVb=2.73V、Ve=3.0V、Vc=15VDVb=2.73V、Ve=2.73V、Vc=5V

57.某一運(yùn)算放大器的開(kāi)環(huán)增益為105倍，用db（公貝）表示，等于（）db0

A100B200C300

58.測(cè)某一電路時(shí)需要6（）V的直流電源,但實(shí)驗(yàn)室只有兩臺(tái)輸出電壓最大為35V的直流電源。

應(yīng)將這兩臺(tái)電源（）使用以獲得60V的直流電源。

A并聯(lián)B串聯(lián)C串聯(lián)或并聯(lián)

59.正弦交流信號(hào)的有效值等于峰值的（〉倍。

A1/2B0.707C9/10

60.運(yùn)算放大器電路的-3db帶寬實(shí)際上是使增益下降至直流增益的（）倍時(shí)的頻率。

A0.5B0.607C0.707

61.在運(yùn)算放大器應(yīng)用中，負(fù)反饋的共同特點(diǎn)是（工

A反相端輸入信號(hào)B反饋接在反相端C反饋網(wǎng)絡(luò)由線性元件組成

62.二階高通濾波器的幅頻特性中，帶外衰減值為（）。

A+40dB/+倍數(shù)B+20dB/+倍數(shù)C-40dB/+倍數(shù)D-20dB/+倍數(shù)

63.示波器探頭中的微調(diào)電容可用于調(diào)節(jié)信號(hào)高頻特性補(bǔ)償量，使用時(shí)，可用示波器自身輸

出的良好的示波信號(hào)加到示波器，若補(bǔ)償良好，應(yīng)顯示下圖波形（）。

64.（）比例放大電路中集成運(yùn)算放大器的反相輸入端為虛地點(diǎn)。

A相同B反相

65.下列器件中，有源器件是（）。

A電阻B電容C晶體管

66.放大電路中輸出的電壓和電流是（）提供的。

A電源的能量B有源器件

67.下列數(shù)字代碼中，何種代碼不是雙極性代碼。（）

ABCD碼B偏移二進(jìn)制碼C2的補(bǔ)碼

68.在采樣定埋中，采樣頻率fs與最大信號(hào)頻率fimax的關(guān)系為（）。

Afs=fimaxBfsW2fimaxCfs^2fimax

69.在T型網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器中，網(wǎng)絡(luò)電阻是由下列兩種電阻組成。（）

AR與RBR與2RCR與3RI）2R與3R

70.8位D/A轉(zhuǎn)換器的分辨率為（）。

A1/8B1/16C1/255D1/256。

71.在數(shù)字系統(tǒng)中，經(jīng)常要用到可以存放數(shù)碼的部件叫什么？（）

A數(shù)碼寄存器B移位寄存器C緩沖器

72.脈沖數(shù)字電路中最基本的單元電路是什么？（）

A邏輯門電路B三極管開(kāi)關(guān)電路C放大電路

73.數(shù)字電路是利用晶體管的那種特性？（）

A截止區(qū)和放大區(qū)B截止區(qū)和飽和區(qū)C放大區(qū)和飽和區(qū)

74.有兩個(gè)TTL與非門組件，請(qǐng)選擇抗干擾能力強(qiáng)的組件是（）。

A關(guān)門電平為1.IV、開(kāi)門電平為L(zhǎng)3VB關(guān)門電平為0.9V、開(kāi)門電平為L(zhǎng)7V

75.電路具有通路（負(fù)載）、短路、開(kāi)路（空載）三種狀態(tài)，三種狀態(tài)下的電源端電壓分別是

（）。

AU=E-IRo,U=E,U=0BU=E-IRo,U=0,U=ECU=E,U=E-IRo,U=0

76.靜電系統(tǒng)必須有獨(dú)立可靠的接地裝備，接地電阻應(yīng)小于（）

AIQB10QC100QDIkQ

77.設(shè)備和工作臺(tái)的接地應(yīng)采用截面積不小于（）的多股敷塑導(dǎo)線。

A100mm2B6mm2C1.25mm2；Dlmm2

78.防靜電工作區(qū)環(huán)境相對(duì)濕度不低于（）

A25%；B35%；C45%；D60%

79.導(dǎo)電環(huán)氧除了具有粘接（物理連接）的功效外，還具有（）功能。

A電學(xué)連接B絕緣C灌封

8（）.球形引線健合方式是

A金絲B硅鋁絲C合金絲

81.電阻H星單位，1MC等于（

A10B100C1000D10000

82.PED單管測(cè)試MOS管電路時(shí),BE間應(yīng)串接（）電阻

AIMB100KC10KI)IK

83.中測(cè)對(duì)針跡的要求：不能超過(guò)壓焊點(diǎn)寬度的（）

A四分之一B三分之一C一半D四分之三

84.成品測(cè)試工房相對(duì)濕度要求（）

A35%?aB45%?75%C40%?60%D43%?80、

85.進(jìn)行高、低溫測(cè)試時(shí)，將電路放入箱內(nèi)恒溫（）分鐘后，才可進(jìn)行測(cè)試。

A15B30C60D120

86.標(biāo)準(zhǔn)樣片（樣品電路）每（）必須進(jìn)行復(fù)驗(yàn)。

A1個(gè)月B3個(gè)月C6個(gè)月D12個(gè)月

87.一般情況下，錯(cuò)材料二極管正向?qū)妷涸冢ǎ┳笥?/p>

A0.3VB0.5VC0.7V1）IV

88.硅材料二極管正向?qū)妷涸冢ǎ┳笥摇?/p>

A0.3VB0.5VC0.7VDIV

89.電流計(jì)量單位，1A等于（）yAo

A103B106C109

90.通常情況下，二極管管芯的襯底為（）極

APBCCN

91.三極管管芯的襯底為-）極。

APBCCN

92.觸發(fā)器最重要的用途之一是構(gòu)成（）電路。

A開(kāi)關(guān)B計(jì)算C存儲(chǔ)D計(jì)數(shù)

93.防靜電腕帶對(duì)地電阻應(yīng)在（）之間。

A1MQB10MQC1KQD1Q

94.電容容值換算，68nF=（）uF。

A6.8B0.0068C0.68D0.068

95、檢驗(yàn)時(shí)，芯片表面有劃傷，使得鋁條寬度小于設(shè)計(jì)值的（）與為不合格。

A25B50C70D80

96.封裝工藝環(huán)境潔凈度的要求最低（）級(jí)

A千B萬(wàn)C10萬(wàn)D100萬(wàn)

97.在工藝加工或之前，發(fā)現(xiàn)了產(chǎn)品在上一工序的質(zhì)量問(wèn)題時(shí)，（）。

A應(yīng)及時(shí)送交上一工序的檢驗(yàn)員或操作員，讓其進(jìn)行有效的處理或挑選剔除不合格品

后，再繼續(xù)或開(kāi)始本工序的加工。

B應(yīng)停止或不進(jìn)行加工，請(qǐng)線組長(zhǎng)來(lái)協(xié)調(diào)處理。

C應(yīng)停止或不進(jìn)行加工并填寫產(chǎn)品“質(zhì)量信息單”交質(zhì)管員，等待處理意見(jiàn)。

98.原始記錄填寫錯(cuò)誤后，應(yīng)當(dāng)：（）。

A擦除錯(cuò)誤后重寫B(tài)重新填一份記錄C杠除錯(cuò)處，補(bǔ)填正確，就近簽署

99.操作過(guò)程中，防止污染和損傷產(chǎn)品外觀的最有效方法是：（）。

A取片前凈手B帶上干凈的乳膠指套或白色汗布手套操作。

C用不銹鋼鐐子央取電路

100.生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)管理的重點(diǎn)是：（）

A作業(yè)現(xiàn)場(chǎng)B設(shè)計(jì)室C辦公室D環(huán)境

101.關(guān)鍵工序應(yīng)由（）部門確定。

A設(shè)計(jì)B工藝C計(jì)劃D質(zhì)量

102.設(shè)備維修保養(yǎng)中的“二?！狈謩e由（）負(fù)責(zé)。

A操作工人B維修工人C設(shè)備主管

103.生產(chǎn)管理的總體目標(biāo)是（）

A生產(chǎn)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品B降低產(chǎn)品成本

C保證交貨日期D實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)合理化

104.下面哪一種器件最易受到靜電傷害（）

A二極管B三極管C場(chǎng)效應(yīng)管D電阻E電容

105.兩只l（）uF和40uF電容，并聯(lián)后容值是（）

A50HFB30UFCIOHFD40UF

106.兩只電容的耐壓值分別是16V和25V,并聯(lián)使用后耐壓值是（）

A16VB25VC40V

107.某恒壓恒流直流電源的輸出電流最大限制在10A,電壓輸出設(shè)為10V,若負(fù)載電阻是0.5

按下電源輸出按紐后，實(shí)際輸出電壓應(yīng)為（）

A10VB5VC0V

108.QCI是指：（）

A合格制造廠目錄。B合格產(chǎn)品目錄。C質(zhì)量一致性檢驗(yàn)。

109.“方法1010A溫度循環(huán)”條件B是如下哪一種條件？（）

A-55℃?85℃,10次B-55℃?125℃,15次C-55c?125C,10次

110.“方法2020A粒子碰撞噪聲檢測(cè)試驗(yàn)”的目的是用于檢測(cè)空封電路腔體內(nèi)是否存在

（）。

A可動(dòng)多余物B不可動(dòng)多余物C可動(dòng)和不可動(dòng)多余物

111.“方法2010A內(nèi)部目檢”適用于（）的內(nèi)部目檢。

AHICBSICCSIC和HIC

112.成品電路測(cè)試工藝規(guī)范規(guī)定，高（或低）溫測(cè)試時(shí)，從高（或低）溫箱中逐個(gè)取出的電

路應(yīng)在（）秒內(nèi)測(cè)試完畢。

A15B20C30

113.下列試驗(yàn)（）是破壞性試驗(yàn)。

AX射線照相BPINDC耐濕I）外部目檢

114.對(duì)于存放成品庫(kù)房的電路存放（）需對(duì)其功能進(jìn)行重新檢驗(yàn)。

A36個(gè)月B24個(gè)月C12個(gè)月

115.當(dāng)質(zhì)量記錄出現(xiàn)筆誤時(shí)應(yīng)采?。ǎ┓绞?。

A粘貼B刮擦C剪除D劃改

116.外部目檢時(shí)，對(duì)于玻璃密封器件應(yīng)在（）的放大鏡下檢查。

A1.5?10倍B3?10倍C7?10倍

117.半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)使用的純水電阻率要求達(dá)（）。

A18兆歐B17兆歐

118.高純氫氣中的水含量應(yīng)該是

A小于3PpMB小于2.6PPMC小于2.OPPM

119.我們一般指三相四線制交流電系統(tǒng)中，380V的電壓是（）。

A線電壓B相電壓

120.通常所指的低壓交流電壓為380、220是指它的（）。

A平均值B有效值C最大值I）瞬時(shí)值

12L一個(gè)輸出電壓幾乎不變的設(shè)備有載運(yùn)行，當(dāng)負(fù)載增大時(shí)，是指（）

A負(fù)載電阻增大B負(fù)載電阻減小C電源輸出的電流增大

122.目前我國(guó)城市居民供電網(wǎng)提供照明用的相電壓和線電壓分別為（）

A220V240VB220V380VC240V220VD380V220V

123.我國(guó)規(guī)定的安全電壓額定值分為幾個(gè)等級(jí)？（）

A3個(gè)E4個(gè)C5個(gè)D6個(gè)

124.交流異步電動(dòng)機(jī)的短路保護(hù)一般采用（）。

A熱繼電器B熔斷器C交流接觸器

125.氟碳化合物粗檢漏時(shí)，加壓氟碳油應(yīng)該是（）。

A低沸點(diǎn)氟碳油B高沸點(diǎn)氟碳油C高沸點(diǎn)和低沸點(diǎn)氟碳油都可以

126.GJb548中規(guī)定，與元件脫離基板相反的方向是：（）

AXI方向BY1方向CY2方向

127.“方法5004A篩選程序”適用于下列哪類軍品（）?

AHICBSICCMCM

128.“方法2015A耐溶劑性”屬于哪類試驗(yàn)項(xiàng)目（）？

A環(huán)境試驗(yàn)B電學(xué)試驗(yàn)C機(jī)械試驗(yàn)

129.若無(wú)其它規(guī)定，在常溫測(cè)試過(guò)程中器件溫度應(yīng)穩(wěn)定在（）。

A20c?28cB15℃-30℃C10℃-30℃

130.“方法5008A混合和多片微電路的試驗(yàn)程序”已被（）所代替。

AGJB597ABGJB548ACGJB2438A

131.對(duì)于軍用IIIC,當(dāng)提交做QCI的批不滿足A、B、C利D組試驗(yàn)的任一分組時(shí)，可以對(duì)該

分組重新提交一次。重新提交的樣品數(shù)應(yīng)是首次檢驗(yàn)樣品數(shù)的（）倍。

A1B3C2

132.低放大倍數(shù)是指（）。

A10?30倍B30?60倍C20?50倍

133.當(dāng)管殼內(nèi)腔體積為2。.4cm3時(shí)，進(jìn)行細(xì)檢漏的加壓條件為（）。

A壓力4Kg、時(shí)間2hB壓力4Kg、時(shí)間4hC壓力2Kg、時(shí)間2h

134.不能防止空翻的觸發(fā)器有（

A主從觸發(fā)器B維持阻塞觸發(fā)器C力沿觸發(fā)器DRS觸發(fā)器

135.在一交流電路中，用電流表測(cè)量RC并聯(lián)電路的電流，若電流表的讀數(shù)R支路此同時(shí)為

4A,C支路為3A,則電路的總電流為（）。

A5AB7AC12A

136.某金屬材料制成的導(dǎo)線長(zhǎng)10M,對(duì)折后兩端分別連接起來(lái)，其總電阻值是原阻值的（）

倍。

A1/4B4C2

137.兩個(gè)額定電壓為220V的燈泡，若D燈的額定功率為100W,E燈的額定功率為6

0W,兩個(gè)燈串聯(lián)接在電壓為220V的電路中，此時(shí)構(gòu)個(gè)燈的實(shí)際功率為（）。

APD>PEBPD<PECPD=PE

138.在下面電路中，若開(kāi)關(guān)SI斷開(kāi)，S2閉合，電壓表電流表的讀數(shù)分別為（）。

A3V,1ABIV,3ACIV,1ADOV,3AE3V,3A

Sic

V

IQ2Q30

-----------------------------------

S2

3V

4----------------ifA

139.在下面電路中，若開(kāi)關(guān)S1閉合，S2斷開(kāi)，電壓表電流表的讀數(shù)分別為（）。

A3V,1AB1V3ACIV,1ADOV,3AE3V,3A

140.在下面電路中,若開(kāi)關(guān)SI、S2都斷開(kāi),電壓表電流表的讀數(shù)分別為（）。

A3V,1ABIV,3ACIV,1ADOV,3AE3V,3A

141.在下面電路中,若開(kāi)關(guān)SI,S2都閉合，電壓表電流表的讀數(shù)分別為（

A3V,1ABIV,3ACIV,1ADOV,3AE3V,3A

142.在某一電路中，如果某二點(diǎn)間的電壓高是指（）.

A這二點(diǎn)的電位高B這二點(diǎn)的間的電位差大C這二點(diǎn)的電位都大于零

143.提高功率因數(shù)的目的是（）。

A增加電動(dòng)機(jī)的輸出功率B提高電動(dòng)機(jī)的效率C減少無(wú)功功率，提高電源利

用率。

144.在單相橋式整流電路中，若有一個(gè)管子開(kāi)路，則會(huì)造成電路（）?

A管子燒壞B半波輸出C全波輸出

145.線圈通過(guò)交流電就會(huì)產(chǎn)生自感電動(dòng)勢(shì)，這個(gè)電動(dòng)勢(shì)的方向永遠(yuǎn)同外加的電流方向（）。

A相同B相反

146.下圖中為一交流電路,交流電壓不變，而電源的頻率升高，則A燈泡的亮度變化是（）。

A變亮B無(wú)變化C變暗

1

ABC

一夕0

X,

147.以下絕緣體是（）。

A.玻璃B.硫酸C.銘D.鋁

148.以下導(dǎo)體是（）

A.紙張B.硫酸C.錯(cuò)D.坡境

149.以下半導(dǎo)體是（）。

A.紙張B.硫酸C.硅D.玻璃

150.電荷之間的相互作用是同種電荷相互（）。

A.吸引B.排斥C.無(wú)作用

151,穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在（）。

A正向?qū)˙反向截止C反向擊穿

152.集成運(yùn)放的輸入級(jí)采用差分放大電路是因?yàn)榭梢裕ǎ?/p>

A減小溫漂B增大放大倍數(shù)C提高輸入電阻

153.欲從信號(hào)源獲得更大的電壓，并穩(wěn)定輸出電流，應(yīng)在放大電路中引入（）。

A電壓串聯(lián)負(fù)反饋B電壓并聯(lián)負(fù)反饋

C電流串聯(lián)負(fù)反饋D電流并聯(lián)負(fù)反饋

154.為了避免50Hz電網(wǎng)電壓的干擾進(jìn)入放大器，應(yīng)選用（）濾波電路。

A帶阻B帶通C低通D有源

155.制作頻率非常穩(wěn)定的測(cè)試用信號(hào)源，應(yīng)選用（）o

ARC橋式正弦波振蕩電路BLC正弦波振蕩電路C石英晶體正弦波振蕩電路

156.欲將方波電壓轉(zhuǎn)換成尖頂波電壓，應(yīng)選用（）。

A反相比例運(yùn)算電路B同相比例運(yùn)算電路

C積分運(yùn)算電路D微分運(yùn)算電路

157.用恒流源取代長(zhǎng)尾式差分放大電路中的發(fā)射極電阻Re,將使電路的（）o

A差模放大倍數(shù)數(shù)值增大B抑制共模信號(hào)能力增強(qiáng)C差模輸入電阻增大

158.功率放大電路的最大輸出功率是在輸入電壓為正弦波時(shí)，輸出基本不失真情況下，負(fù)

載上可能獲得的最大（）。

A交流功率B直流功率C平均R率

159.在單相橋式整流電路中，若有一只整流管接反，則（）。

A輸出電壓約為2UDB變?yōu)榘氩ㄖ绷鰿整流管將因電流過(guò)大而燒壞

160.當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為（）。

A前者反偏、后者也反偏B前者正偏、后者反偏C前者正偏、后者也正偏

161.放大電路在高頻信號(hào)作用時(shí)放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是（）0

A耦合電容和旁路電容的存在B半導(dǎo)體管極間電容和分布電容的存在

C半導(dǎo)體管的非線性I）放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)不合適

162.為增大電壓放大倍數(shù)，集成運(yùn)放的中間級(jí)多采用（）。

A共射放大電路B共集放大電路C共基放大電路

163.當(dāng)信號(hào)頻率等于放大電路的fL或fH時(shí)，放大電踢的增益下降（）。

A3dBB4dBC5dBD2dB

164.欲減小電路從信號(hào)源索取的電流，增大帶負(fù)載能力，應(yīng)在放大電路中引入（

A電壓串聯(lián)負(fù)反饋B電壓并聯(lián)負(fù)反饋

C電流串聯(lián)負(fù)反饋I）電流并聯(lián)負(fù)反饋

165.已知輸入信號(hào)的頻率為10kHz?12kHz,為了防止干擾信號(hào)的混入，應(yīng)選用（）濾波

電路。

A帶阻B帶通C低通D有源

166.欲將三角波轉(zhuǎn)換成正弦波，應(yīng)選用（）。

A高通濾波電路B低通濾波電路

C帶通濾波電路D帶阻'濾波電路

】67.功率放大電路的最大輸出功率是在輸入電壓為正弦波時(shí)，輸出基本不失真情況下，負(fù)載

上可能獲得的最大（）。

A交流功率B直流功率C平均功率

168.直流穩(wěn)壓電源中濾波電路的目的是（

A將交流變?yōu)橹绷鰾將高頻變?yōu)榈皖lC洛交、直流混合量中的交流成分濾掉

169.欲從信號(hào)源獲得更大的電流，并穩(wěn)定輸出電流，應(yīng)在放大電路中引入（）。

A電壓串聯(lián)負(fù)反饋B電壓并聯(lián)負(fù)反饋

C電流串聯(lián)負(fù)反饋D電流并聯(lián)負(fù)反饋

170.互補(bǔ)輸出級(jí)采用共能形式是為了使（）。

A電壓放大倍數(shù)大B不失真輸出電壓大C帶負(fù)載能力強(qiáng)

171.在OCL乙類功放電路中，若最大輸出功率為1W,則電路中功放管的集電極最大功耗約

為（）o

A1WB0.5WC0.2W

172.PN結(jié)加正向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)將（）。

A變窄B基本不變C變寬

173.欲得到電流一電壓轉(zhuǎn)換電路，應(yīng)在放大電路中引入（）。

A電壓串聯(lián)負(fù)反饋B電壓并聯(lián)負(fù)反饋

C電流串聯(lián)負(fù)反饋D電流并聯(lián)負(fù)反饋

174.功率放大電路的轉(zhuǎn)換效率是指（）。

A輸出功率與晶體管所消耗的功率之比

B最大輸出功率與電源提供的平均功率之比

C晶體管所消耗的功率與電源提供的平均功率之比

175.若要組成輸出電壓可調(diào)、最大輸出電流為3A的直流穩(wěn)壓電源，則應(yīng)采用（）。

A電容濾波穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路B電感濾波穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路

C電容濾波中聯(lián)型穩(wěn)壓電路D電感濾波中聯(lián)型穩(wěn)壓電路

176.集成運(yùn)放制造工藝使得同類半導(dǎo)體管的（）。

A指標(biāo)參數(shù)準(zhǔn)確B參數(shù)不受溫度影響C參數(shù)一致性好

177.對(duì)于單管共射放大電路，當(dāng)f=fL時(shí)，輸出力與輸入”相位關(guān)系是（）。

A+45°B-90°C-135°

??

178.對(duì)于單管共射放大電珞，當(dāng)4fH時(shí)，輸出力與輸入4相位關(guān)系是（）。

A-45°B-135°C-225°

179.欲從信號(hào)源獲取盡量大的信號(hào)電壓，增大帶負(fù)載能力，應(yīng)在放大電路中引入（）。

A電壓串聯(lián)負(fù)反饋B電壓并聯(lián)負(fù)反饋

C電流串聯(lián)負(fù)反饋D電流并聯(lián)負(fù)反饋

180.差分放大電路是為了（）而設(shè)置的。

A穩(wěn)定AuB放大信號(hào)C抑制零點(diǎn)漂移

181.兩級(jí)共射阻容耦合放大電路的通頻帶與其中任何一級(jí)的通頻帶相比較，兩級(jí)的通頻帶

A更窄一些B更寬一些

C與其中較窄的一級(jí)相同I）以上都不對(duì)

182.電路如圖所示，R1引入的反饋為（）。

A電壓串聯(lián)B電壓并聯(lián)

C電流串聯(lián)I）電流并聯(lián)

183.電路如圖所示,該電路為（）濾波電路。

A低通B高通C帶通D帶阻

184.圖示電路屬于哪種功放？（）。

AOCLBOTLCBTLD以上都不對(duì)

185.射極輸出器是（）,

A串聯(lián)電壓負(fù)反饋電路

B串聯(lián)電流負(fù)反饋電路

C并聯(lián)電壓負(fù)反饋電路

D以上都不對(duì)

186.整流電路如圖所示，變壓器副邊電壓“的有效值是10V,若忽略濾波電感L的電阻,

則負(fù)載電壓生的平均值■是（）。

187.單相半波整流濾波電路如圖所示，其中C=100〃F,當(dāng)開(kāi)關(guān)S閉合時(shí)，直流電壓表V的

讀數(shù)是1（）V,開(kāi)關(guān)斷開(kāi)后，電壓表的讀數(shù)是（）。（設(shè)電壓表的內(nèi)阻為無(wú)窮大）

A10VB12VC14.1VD4.5V

188.整流電路如圖所示，設(shè)變壓器副邊電壓有效值為6,輸出電壓平均值為華,則二極

管所承受的最高反向電壓是（

A%B近％c4D短U°

189.測(cè)量放大電路的通頻帶，應(yīng)用（）。

A通頻帶內(nèi)某一頻率的交流小信號(hào)

B頻率很低（如10Hz）且幅值足夠大的三角波或鋸齒波

C固定的小幅值且足夠頻率范圍的交流小信號(hào)

D足夠幅值的階躍信號(hào)

190.共射極放大電路的交流輸出波形頂部失真時(shí)為（）失真。

A飽和B截止C交越I）頻率

191.三端集成穩(wěn)壓器CXX7805的輸出電壓是（）。

A5vB9vC12v

192.單相橋式整流電容波電路輸出電壓平均在Uo=（）U2。

A0.45B0.9C1.2

193.PN結(jié)加正向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)將（）o

A變窄B基本不變C變寬

194.穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在（）,,

A正向?qū)˙反向截止C反向擊穿

195.當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電反應(yīng)為（）。

A前者反偏、后者也反偏B前者正偏、后者反偏C前者正偏、后者也正偏

196.當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將（）。

A增大B不變C減小

197.工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)IB從1211A增大到22nA時(shí),IC從1mA變?yōu)?mA,

那么它的B約為（）。

A83B91C100

198.當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管的漏極直流電流ID從2mA變?yōu)?mA時(shí)，它的低頻跨導(dǎo)且《1將（）。

A增大B不變C減小

199.直接耦合放大電路存在零點(diǎn)漂移的原因是（工

A電阻阻值有誤差B晶體管參數(shù)的分散性C晶體管參數(shù)受溫度影響

200.直接耦合放大電路存在零點(diǎn)漂移的原因是（）o

A電阻阻值有誤差B晶體管參數(shù)的分散性C電源電壓不穩(wěn)定

201.集成放大電路采用直接耦合方式的原因是（

A便于設(shè)計(jì)B放大交流信號(hào)C不易制作大容量電容

202.選用差分放大電路的原因是（）。

A克服溫漂B提高輸入電阻C穩(wěn)定放入倍數(shù)

203.差分放大電路的差模信號(hào)是兩個(gè)輸入端信號(hào)的（

A差B和C平均值

204.共模信號(hào)是兩個(gè)輸入湍信號(hào)的（）。

A差B和C平均值

205.用恒流源取代長(zhǎng)尾式差分放大電路中的發(fā)射極電阻Re,將使電路的（）。

A差模放大倍數(shù)數(shù)值增大B抑制共模信號(hào)能力增強(qiáng)C差模輸入電阻增大

206.互補(bǔ)輸出級(jí)采用共集形式是為了使（

A電壓放大倍數(shù)大B不失真輸出電壓大C帶負(fù)載能力強(qiáng)

207.集成運(yùn)放電路采用直接耦合方式是因?yàn)椋ǎ?/p>

A可獲得很大的放大倍數(shù)B可使溫漂小C集成工藝難于制造大容量電容

208.通用型集成運(yùn)放適用于放大（）。

A高頻信號(hào)B低頻信號(hào)C任何頻率信號(hào)

209.集成運(yùn)放制造工藝使得同類半導(dǎo)體管的（）。

A指標(biāo)參數(shù)準(zhǔn)確B參數(shù)不受溫度影響C參數(shù)一致性好

210.集成運(yùn)放的輸入級(jí)采用差分放大電路是因?yàn)榭梢裕ǎ?

A減小溫漂B增大放大倍數(shù)C提高輸入電阻

211.為增大電壓放大倍數(shù)，集成運(yùn)放的中間級(jí)多采用（）。

A共射放大電路B共集放大電路C共基放大電路

212.測(cè)試放大電路輸出電壓幅值與相位的變化，可以得到它的頻率響應(yīng)，條