材料科學(xué)基礎(chǔ)知到智慧樹章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋哈爾濱工程大學(xué)

材料科學(xué)基礎(chǔ)知到智慧樹章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋哈爾濱工程大學(xué)第一章單元測(cè)試

以離子鍵為主的晶體所具有的特點(diǎn)包括：（）。

A:塑性差

B:熔點(diǎn)高

C:硬度低

D:導(dǎo)電性差

答案:塑性差

；熔點(diǎn)高

；導(dǎo)電性差

空間點(diǎn)陣是由（）在空間作有規(guī)律的重復(fù)排列。

A:分子

B:幾何點(diǎn)

C:離子

D:原子

答案:幾何點(diǎn)

常見金屬的晶體結(jié)構(gòu)有體心立方、面心立方和密排六方，均屬于14種布拉菲點(diǎn)陣中的空間點(diǎn)陣類型。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)立方晶系中，具有相同指數(shù)的晶向與晶面（）。

A:45°相交

B:相互平行

C:夾角不確定

D:相互垂直

答案:相互垂直

已知面心立方Cu的點(diǎn)陣常數(shù)為0.361nm，其密排面的晶面間距為（）。

A:0.1276nm

B:0.2084nm

C:0.1042nm

D:0.361nm

答案:0.2084nm

下列具有密排六方結(jié)構(gòu)的金屬有：()。

A:Zn

B:Mg

C:Fe

D:Al

答案:Zn

；Mg

已知γ-Fe的點(diǎn)陣常數(shù)為0.3633nm，則其原子半徑為（）。

A:0.1284nm

B:0.2568nm

C:0.3633nm

D:0.1573nm

答案:0.1284nm

下列相中，其晶體結(jié)構(gòu)與組成元素的晶體結(jié)構(gòu)均不相同的為：（）。

A:正常價(jià)化合物

B:間隙固溶體

C:間隙化合物

D:置換固溶體

答案:正常價(jià)化合物

；間隙化合物

固溶體中的溶質(zhì)原子都是混亂隨機(jī)的占據(jù)固溶體的晶格陣點(diǎn)或間隙位置。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)尺寸因素化合物主要受（）尺寸因素控制。

A:電子

B:原子

C:分子

D:化合物

答案:原子

第二章單元測(cè)試

晶體中由于點(diǎn)缺陷的存在，使其性能發(fā)生變化，包括：（）。

A:密度減小

B:電阻增大

C:電阻減小

D:密度增大

答案:密度減小

；電阻增大

因?yàn)槲诲e(cuò)的晶格畸變區(qū)是一條幾何線，所以將位錯(cuò)稱為線缺陷。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)以下關(guān)于柏氏矢量的描述中，錯(cuò)誤的是：（）。

A:柏氏矢量越大，位錯(cuò)導(dǎo)致的點(diǎn)陣畸變?cè)絿?yán)重

B:當(dāng)位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)時(shí)，其柏氏矢量會(huì)發(fā)生變化

C:多個(gè)位錯(cuò)交匯于一點(diǎn)時(shí)，流入節(jié)點(diǎn)的位錯(cuò)與流出節(jié)點(diǎn)的位錯(cuò)的柏氏矢量和相等

D:柏氏回路的起點(diǎn)不同，則得到的柏氏矢量方向也不同

答案:當(dāng)位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)時(shí)，其柏氏矢量會(huì)發(fā)生變化

；柏氏回路的起點(diǎn)不同，則得到的柏氏矢量方向也不同

不管是刃型位錯(cuò)，還是螺型位錯(cuò)，當(dāng)它們?cè)谝粋€(gè)滑移面上運(yùn)動(dòng)受阻時(shí)，都可能發(fā)生交滑移。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)當(dāng)位錯(cuò)在某一個(gè)滑移面上滑移時(shí)，如果與其它位錯(cuò)相遇，可能會(huì)形成（）。

A:割階

B:無影響

C:其他選項(xiàng)都有可能發(fā)生

D:扭折

答案:其他選項(xiàng)都有可能發(fā)生

下列選項(xiàng)中屬于面心立方晶體全位錯(cuò)的是（）。

A:

B:

C:

D:

答案:

以下關(guān)于肖克萊不全位錯(cuò)的描述，錯(cuò)誤的是（）。

A:可能是刃型、螺型或混合型位錯(cuò)

B:位錯(cuò)線為平面曲線

C:既可以滑移，也可以攀移

D:位錯(cuò)線、柏氏矢量、滑移面共面

答案:既可以滑移，也可以攀移

面心立方晶體的（111）晶面按ABCABCACABCABC……順序堆垛時(shí)，其中含有（）。

A:一片插入型層錯(cuò)

B:一片抽出型層錯(cuò)

C:其他選項(xiàng)都不是

D:一片插入或抽出型層錯(cuò)

答案:一片抽出型層錯(cuò)

兩肖克萊不全位錯(cuò)的柏氏矢量之間呈60°角，這兩個(gè)位錯(cuò)之間（）。

A:相互吸引

B:其他選項(xiàng)都可能發(fā)生

C:沒有相互作用

D:相互排斥

答案:相互排斥

下列不屬于晶體中內(nèi)界面缺陷的是（）。

A:層錯(cuò)

B:孿晶界

C:晶界

D:相界

答案:層錯(cuò)

第三章單元測(cè)試

對(duì)于純金屬來說，實(shí)際冷卻曲線上的水平臺(tái)就是該金屬的理論結(jié)晶溫度。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)純金屬凝固時(shí)，當(dāng)形成的晶胚半徑等于臨界晶核半徑時(shí)，體系的自由能變化為（）。

A:無法判斷

B:等于零

C:大于零

D:小于零

答案:大于零

某純金屬結(jié)晶時(shí)的臨界形核功為△G*，其臨界晶核表面能為△G，則△G*和△G的關(guān)系為（）。

A:△G=△G*

B:△G=3△G*

C:△G=2/3△G*

D:△G=1/3△G*

答案:△G=3△G*

純金屬結(jié)晶時(shí)，形核和晶核長(zhǎng)大都需要過冷，過冷度增大通常使臨界晶核半徑、臨界形核功減小，形核過程容易，形核率增加，晶粒細(xì)化。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)關(guān)于純金屬凝固過程中的非均勻形核，下列描述正確的是：（）。

A:形狀因子f(θ)的大小影響形核的難易程度

B:晶胚和基底之間的晶體結(jié)構(gòu)越接近，越易形核

C:晶胚與基底之間的界面張力越小，越有利于形核

D:相同的曲率半徑和潤(rùn)濕角時(shí)，凸曲面上容易形核，凹曲面上不易形核

答案:形狀因子f(θ)的大小影響形核的難易程度

；晶胚和基底之間的晶體結(jié)構(gòu)越接近，越易形核

；晶胚與基底之間的界面張力越小，越有利于形核

純金屬結(jié)晶過程中，影響晶核形成和成長(zhǎng)速率的因素是（）。

A:過熱度

B:過熱度和未溶雜質(zhì)

C:過冷度和未溶雜質(zhì)

D:未溶雜質(zhì)

答案:過冷度和未溶雜質(zhì)

非金屬、亞金屬或化合物等材料的晶體主要是以（）的方式長(zhǎng)大。

A:螺型位錯(cuò)長(zhǎng)大機(jī)制

B:垂直長(zhǎng)大機(jī)制

C:二維晶核長(zhǎng)大機(jī)制

D:刃型位錯(cuò)長(zhǎng)大機(jī)制

答案:螺型位錯(cuò)長(zhǎng)大機(jī)制

；二維晶核長(zhǎng)大機(jī)制

晶體的固-液界面分為光滑界面和粗糙界面，按照長(zhǎng)大速度由慢到快，其長(zhǎng)大方式依次為晶體缺陷長(zhǎng)大、二維晶核長(zhǎng)大和垂直長(zhǎng)大。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)純金屬鑄錠凝固時(shí)，如果絕大部分結(jié)晶潛熱是通過固相散出，那么固-液界面一般以（）向前推進(jìn)。

A:平面狀和樹枝狀的混合形態(tài)

B:平面狀

C:樹枝狀

D:平面狀或樹枝狀

答案:平面狀

對(duì)于小型或薄壁的鑄件，可以采用下列方法細(xì)化晶粒：（）。

A:低溫慢速澆注

B:變質(zhì)處理

C:采用導(dǎo)熱性好的金屬模具

D:在凝固過程中實(shí)施機(jī)械振動(dòng)

答案:低溫慢速澆注

；變質(zhì)處理

；采用導(dǎo)熱性好的金屬模具

；在凝固過程中實(shí)施機(jī)械振動(dòng)

第四章單元測(cè)試

根據(jù)Cu-Ni勻晶相圖，含40wt.%Cu的液態(tài)合金平衡冷卻到凝固進(jìn)行一半時(shí)，固相中Cu的含量為（）。

A:大于40%

B:等于40%

C:小于40%

D:不能確定

答案:小于40%

固溶體合金凝固時(shí)，除了需要結(jié)構(gòu)起伏和能量起伏外，還需要有成分起伏。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)對(duì)于二元合金中的枝晶偏析，下列描述正確的是：（）。

A:平衡凝固會(huì)產(chǎn)生枝晶偏析

B:枝晶偏析是在非平衡凝固過程中產(chǎn)生的，可以采用均勻化退火減弱或消除

C:枝晶偏析不能消除

D:枝晶偏析是顯微偏析

答案:枝晶偏析是在非平衡凝固過程中產(chǎn)生的，可以采用均勻化退火減弱或消除

；枝晶偏析是顯微偏析

若一根k0＞1的合金棒從左到右順序凝固，凝固完畢后，溶質(zhì)原子在右端（）。

A:保持原來的濃度

B:貧化

C:富集

D:濃度為零

答案:貧化

在實(shí)際工業(yè)生產(chǎn)中，固溶體在結(jié)晶過程中產(chǎn)生宏觀偏析最小的工藝條件為（）。

A:其他選項(xiàng)都不是

B:中速結(jié)晶

C:緩慢結(jié)晶

D:快速結(jié)晶

答案:快速結(jié)晶

共晶成分的合金在共晶反應(yīng)L→α+β剛結(jié)束時(shí)，其組成相為（）。

A:L+α+β

B:(α+β)

C:α+β+(α+β)

D:α+β

答案:α+β

包晶成分的合金在平衡凝固時(shí)發(fā)生包晶轉(zhuǎn)變，L+α→β，在轉(zhuǎn)變過程中，（）。

A:高熔點(diǎn)組元由α向β內(nèi)擴(kuò)散

B:高熔點(diǎn)組元由L相向β內(nèi)擴(kuò)散

C:低熔點(diǎn)組元由L相向β內(nèi)擴(kuò)散

D:低熔點(diǎn)組元由L相向α內(nèi)擴(kuò)散

答案:高熔點(diǎn)組元由α向β內(nèi)擴(kuò)散

；低熔點(diǎn)組元由L相向β內(nèi)擴(kuò)散

鐵碳合金平衡組織中二次滲碳體可能達(dá)到的最大含量為（）。

A:2.26%

B:77.4%

C:22.6%

D:55.2%

答案:22.6%

鐵素體與奧氏體的根本區(qū)別在于碳在鐵中的固溶度不同。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)可引起鋼的缺陷組織中出現(xiàn)“白點(diǎn)”的雜質(zhì)元素是：（）。

A:磷

B:氮

C:硫

D:氫

答案:氫

第五章單元測(cè)試

材料彈性變形的特點(diǎn)包括（）

A:彈性變形是可逆的，即卸除外加載荷后，材料能夠恢復(fù)到原來的狀態(tài)。

B:在彈性變形階段，應(yīng)力和應(yīng)變之間的關(guān)系始終保持線性關(guān)系。

C:有些材料的彈性應(yīng)變量可以超過100%。

D:彈性變形的應(yīng)變量與時(shí)間無關(guān)。

答案:彈性變形是可逆的，即卸除外加載荷后，材料能夠恢復(fù)到原來的狀態(tài)。

；有些材料的彈性應(yīng)變量可以超過100%。

金屬的塑性變形主要是通過滑移和孿生來進(jìn)行的，高溫變形時(shí)還會(huì)發(fā)生擴(kuò)散蠕變和晶界滑動(dòng)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)一般來說，金屬晶體的滑移面是原子面密度最大的晶面，滑移方向是原子線密度最大的方向。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)下列晶向與晶面的組合中，哪個(gè)不可能是立方晶系中的滑移系統(tǒng)：（）

A:

B:

C:

D:

答案:

多晶體發(fā)生塑性變形時(shí)，其主要特點(diǎn)不包括（）

A:單滑移

B:多方式

C:變形不均勻

D:多滑移

答案:單滑移

下列說法錯(cuò)誤的是（）。

A:多晶體塑性變形中，每個(gè)晶粒至少要有2個(gè)獨(dú)立的滑移系同時(shí)開動(dòng)。

B:室溫變形時(shí)，晶界的強(qiáng)度高于晶內(nèi)，使得每個(gè)晶粒的變形是不均勻的。

C:密排六方金屬的滑移系較多，塑性變形能力好。

D:一般情況下鋁合金較鎂合金具有更好的塑性變形能力。

答案:多晶體塑性變形中，每個(gè)晶粒至少要有2個(gè)獨(dú)立的滑移系同時(shí)開動(dòng)。

；密排六方金屬的滑移系較多，塑性變形能力好。

扭折帶的形成有利于晶粒間的變形協(xié)調(diào)，引起晶體的再取向，促進(jìn)晶體的變形。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)金屬的塑性變形會(huì)導(dǎo)致材料的性能發(fā)生變化，下列描述錯(cuò)誤的是（）。

A:金屬經(jīng)過冷變形后，其塑形變形能力下降。

B:金屬經(jīng)過冷變形后，其耐蝕性提高。

C:金屬經(jīng)過冷變形后，其強(qiáng)度提高。

D:金屬經(jīng)過冷變形后，其導(dǎo)電性下降。

答案:金屬經(jīng)過冷變形后，其耐蝕性提高。

下列關(guān)于形變織構(gòu)的說法，錯(cuò)誤的是（）

A:拔絲變形過程中形成的絲織構(gòu)的特點(diǎn)是，各晶粒的某一個(gè)晶面大致與拔絲方向平行。

B:形變織構(gòu)的產(chǎn)生是晶粒在外力作用下發(fā)生轉(zhuǎn)動(dòng)，導(dǎo)致各晶粒取向趨于一致的結(jié)果。

C:軋制過程中形成的板織構(gòu)，其特點(diǎn)是各晶粒的某一晶面與軋制面平行，某一晶向與軋制時(shí)的主形變方向平行。

D:材料的形變織構(gòu)會(huì)導(dǎo)致材料的性能出現(xiàn)各向異性。

答案:拔絲變形過程中形成的絲織構(gòu)的特點(diǎn)是，各晶粒的某一個(gè)晶面大致與拔絲方向平行。

下列關(guān)于孿生變形的描述中，正確的是（）。

A:孿生變形中，變形區(qū)域內(nèi)的晶體發(fā)生了均勻的切變。

B:孿生改變了晶體形變部分的位向關(guān)系。

C:孿生變形所需要的臨界分切應(yīng)力遠(yuǎn)大于滑移的臨界分切應(yīng)力。

D:在應(yīng)力應(yīng)變曲線上，孿生變形部分表現(xiàn)為光滑的曲線。

答案:孿生變形中，變形區(qū)域內(nèi)的晶體發(fā)生了均勻的切變。

；孿生改變了晶體形變部分的位向關(guān)系。

；孿生變形所需要的臨界分切應(yīng)力遠(yuǎn)大于滑移的臨界分切應(yīng)力。

第六章單元測(cè)試

冷變形金屬在加熱至0.5Tm溫度附近時(shí)，隨時(shí)間的延長(zhǎng)，組織發(fā)生的變化不包括（）。

A:回復(fù)

B:晶粒長(zhǎng)大

C:重結(jié)晶

D:再結(jié)晶

答案:重結(jié)晶

在金屬回復(fù)過程中，材料的硬度和電阻率均急劇降低。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)在低溫回復(fù)時(shí)，點(diǎn)缺陷的密度會(huì)發(fā)生顯著地下降。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)在回復(fù)過程中，不涉及的缺陷運(yùn)動(dòng)有（）

A:大角晶界的遷移

B:位錯(cuò)的滑移和攀移

C:亞晶界的形成

D:空位和間隙原子向晶界和位錯(cuò)處運(yùn)動(dòng)而消失

答案:大角晶界的遷移

下列對(duì)于回復(fù)過程動(dòng)力學(xué)的描述，錯(cuò)誤的是（）

A:不同溫度下，回復(fù)的機(jī)制不同，其激活能也可能不同。

B:回復(fù)溫度越高，回復(fù)速率越快，達(dá)到相同的軟化效果所需的時(shí)間越短。

C:冷變形金屬回復(fù)過程的驅(qū)動(dòng)力是變形儲(chǔ)能。

D:回復(fù)過程中，需要一定的孕育期。

答案:回復(fù)過程中，需要一定的孕育期。

下列關(guān)于再結(jié)晶形核機(jī)制的描述，錯(cuò)誤的是（）

A:變形量較大時(shí)，高層錯(cuò)能金屬通過亞晶轉(zhuǎn)動(dòng)、聚合成核。

B:變形量較小時(shí)，通過晶界弓出形核，由高密度位錯(cuò)區(qū)向低密度位錯(cuò)區(qū)弓出。

C:再結(jié)晶核心是無畸變的。

D:變形量較大時(shí)，低層錯(cuò)能金屬通過亞晶界遷移、亞晶長(zhǎng)大成核。

答案:變形量較小時(shí)，通過晶界弓出形核，由高密度位錯(cuò)區(qū)向低密度位錯(cuò)區(qū)弓出。

影響再結(jié)晶溫度的因素有哪些？（）

A:原始晶粒尺寸

B:材料的純度

C:第二相粒子

D:預(yù)變形程度

答案:原始晶粒尺寸

；材料的純度

；第二相粒子

；預(yù)變形程度

關(guān)于晶粒長(zhǎng)大的描述，正確的是（）

A:雜質(zhì)元素在晶界的偏聚將使晶界遷移速率下降。

B:溫度越高，晶粒長(zhǎng)大速度越快。

C:彌散分布的第二相質(zhì)點(diǎn)，可以使晶粒長(zhǎng)大受到抑制。

D:小角晶界的界面遷移速度低。

答案:雜質(zhì)元素在晶界的偏聚將使晶界遷移速率下降。

；溫度越高，晶粒長(zhǎng)大速度越快。

；彌散分布的第二相質(zhì)點(diǎn)，可以使晶粒長(zhǎng)大受到抑制。

；小角晶界的界面遷移速度低。

如果熱加工過程中的真應(yīng)力-應(yīng)變曲線出現(xiàn)應(yīng)力峰值高于穩(wěn)態(tài)流變應(yīng)力的情況，說明存在動(dòng)態(tài)再結(jié)晶。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)熱加工過程中，某些夾雜物或第二相粒子隨變形的進(jìn)行而沿著變形方向分布，形成“帶狀組織”。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第七章單元測(cè)試

如果固體中不存在擴(kuò)散流，則說明原子沒有擴(kuò)散。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)由于固體原子每次跳動(dòng)方向是隨機(jī)的，因此在任何情況下擴(kuò)散通量為零。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)下列表述中不正確的是（）。

A:菲克第一定律和第二定律本質(zhì)上是一個(gè)定律，均表明擴(kuò)散的過程是使不均勻體系均勻化的過程

B:間隙固溶體的擴(kuò)散激活能小于置換固溶體的擴(kuò)散激活能

C:對(duì)于規(guī)定濃度的滲層深度，擴(kuò)散層深度增加一倍，則擴(kuò)散時(shí)間要增加3倍

D:在滲碳過程中，若要增加滲層深度，只能延長(zhǎng)滲碳時(shí)間

答案:在滲碳過程中，若要增加滲層深度，只能延長(zhǎng)滲碳時(shí)間

在擴(kuò)散退火過程中，擴(kuò)散驅(qū)動(dòng)力與濃度降低的方向一致。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)下列情況中不能發(fā)生上坡擴(kuò)散的是（）。

A:擴(kuò)散退火過程中的擴(kuò)散

B:彈性應(yīng)力作用下的擴(kuò)散

C:晶界的內(nèi)吸附

D:電場(chǎng)作用下的擴(kuò)散

答案:擴(kuò)散退火過程中的擴(kuò)散

固溶體中溶質(zhì)原子的偏聚表現(xiàn)為（）。

A:下坡擴(kuò)散

B:化學(xué)位梯度與濃度梯度方向相同

C:上坡擴(kuò)散

D:化學(xué)位梯度與濃度梯度方向相反

答案:上坡擴(kuò)散

；化學(xué)位梯度與濃度梯度方向相反

柯肯達(dá)爾實(shí)驗(yàn)過程中發(fā)生了：（）。

A:等量擴(kuò)散

B:空位擴(kuò)散

C:間隙擴(kuò)散

D:非等量擴(kuò)散

答案:空位擴(kuò)散

；非等量擴(kuò)散

自擴(kuò)散現(xiàn)象可以用空位擴(kuò)散機(jī)制解釋。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)下列因素中不利于提高擴(kuò)散速度的是（）。

A:提高溫度

B:在二元合金中加入能形成穩(wěn)定化合物的第三元素

C:軋制

D:細(xì)化晶粒

答案:在二元合金中加入能形成穩(wěn)定化合物的第三元素

與晶內(nèi)原子相比，晶界處原子具有更高的遷移能力，因此晶界擴(kuò)散系數(shù)明顯高于晶內(nèi)擴(kuò)散系數(shù)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第八章單元測(cè)試

下列表述中正確的是（）。

A:固態(tài)相變的相變阻力比液態(tài)結(jié)晶的相