電力電子技術(shù)復(fù)習(xí)題庫

電力電子技術(shù)復(fù)習(xí)題庫

一、判斷題

1.當(dāng)品閘管所加正向電壓達(dá)到一定值時，即使門板不加觸發(fā)電壓，晶閘管也會導(dǎo)

通，所以門極觸發(fā)電壓不是晶閘管導(dǎo)通的必要條件。（B）

A.對B.錯

2.晶閘管加正向電壓后，既可以通過門極觸發(fā)導(dǎo)通也可以〃硬開通〃，所以晶閘管

是半控型元件。（B）

A.對B.錯

3.只要晶閘管的陽極電位低于陰極電位就可以使晶閘管關(guān)斷。（A）

A對B專音

4：當(dāng)晶閘管導(dǎo)通后，若斷開門極觸發(fā)電壓，則晶閘管就會自行關(guān)斷。（B）

A.對B.錯

5.晶閘管導(dǎo)通后，門極觸發(fā)電壓應(yīng)繼續(xù)保持存在。（B）

A.對B.錯

6.晶閘管只要加上正向陽極電壓就會導(dǎo)通，加上反向陽極電壓則阻斷，所以晶閘

管具有單向?qū)щ娞匦浴＃˙）

A.對B.錯

7.晶閘管導(dǎo)通后，要使其阻斷，只要使門極電壓為零或加負(fù)電壓即可。（B）

A.對B.錯

8.晶閘管導(dǎo)通后，去掉門極電壓或加負(fù)的門極電壓，晶閘管仍然導(dǎo)通。（A）

A.對B.錯

9.晶閘管導(dǎo)通后，當(dāng)陽極甩流小于維持電流時晶閘管必然自行關(guān)斷。（A）

A.對B.錯

10.品閘管的額定電流就是通過其電流的有效值。（B）

A.對B.錯

11.晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓大于其正向不重復(fù)峰值電壓。（A）

A.對B.錯

12.額定電流相同的晶閘管，通態(tài)平均電壓越小，則晶閘管越好。（A）

A.對B.錯

13.晶閘管的額定電壓就是將其正反向重復(fù)峰值電壓中較小的那個值按百位取整

后的數(shù)值。（A）

A.對B.錯

14.品閘管合格證上標(biāo)明了觸發(fā)電壓0.2V<UGr<3.0V,表示在該品閘管門極所加觸

發(fā)電壓的幅值不能大于3.OVo（B）

A.對B.錯

15.當(dāng)門極被加入毫安級的電流或兒伏電壓時，就可以控制陽極安培級的電流，

所以晶閘管和晶體管一樣具有放大功能。（B）

A.對B.錯

16.晶閘管具有可以控制的單向?qū)щ娦裕铱刂菩盘柡苄?，陽極回路被控電流

可以很大。（A）

A.對B.錯

17.造成晶閘管誤導(dǎo)通的原因有兩個:一是干擾信號加于門極，二是加到晶閘管上

的電壓上升率過大。（A）

A.對B.錯

18.通過晶閘管的電流平均值，只要不超過晶閘管的額定電流值，就是符合使用

要求的。（B）

A.對B.錯

19.晶閘管加正向電壓，觸發(fā)電流越大，越容易導(dǎo)通。（B）

A.對B.錯

20.功率MOSFET電壓不能太高、電流容量也不能太大，所以目前只適用于小功率

電力電子裝置。（A）

A.對B.錯

21.MOSFET是壓控型器件，其門極控制信號是電流。（B）

A.對B.錯

22.普通晶閘管通過門吸控制開通和控制關(guān)斷，所以是全控型器件。（B）

A.對B.錯

23.單相橋式全控整流電路，接電阻性負(fù)載或電感性負(fù)載，晶閘管均在電源電壓

過零時關(guān)斷。（B）

A.對B.錯

24.晶間管可控整流實際上是控制晶閘管的導(dǎo)通時間。（A）

A.對B.錯

25.晶閘管在反向擊穿電壓作用下，有限流電阻也能工作。（B）

A.對B.錯

26.晶閘管整流裝置觸發(fā)系統(tǒng)性能的調(diào)整，如，定相、調(diào)零、調(diào)節(jié)幅值、開環(huán)、

閉環(huán)、過流保護(hù)等，瓦根據(jù)調(diào)試儀器的使用情況任意進(jìn)行。（B）

A.對B.錯

27.在晶閘管整流電路中，導(dǎo)通角越大，則輸出電壓的平均值越小。（B）

A.對B.錯

28.單相半波整流電路若接電動機(jī)負(fù)載，需在負(fù)教側(cè)并接續(xù)流二極管才能正常工

作。（A）

A.對B.錯

29.單相半控橋整流電路，晶閘管整流二極管和續(xù)流二極管均承受相同的正反向

電壓。（A）

A.對B.錯

30.電阻性負(fù)載單相半控橋式整流電路中，當(dāng)a>90。時，晶閘管承受的最大反向電

壓小于五U2。（B）

A.對B.錯

31.對于單相橋式全控整流電路，晶閘管VTI無論是短路還是斷路，電路都可作

單和半波整流電路工作。（R）

A.對B.錯

32.在單相半控橋整流電路中，晶閘管的額定電壓應(yīng)取口。（B）

A.對B.錯

33.在半控橋整流帶大電感負(fù)載不加續(xù)流二極管電路中，如電路有故障時會出現(xiàn)

失控現(xiàn)象。（A）

A.對B.錯

34.在單相全控橋整流電路中，晶閘管的額定電壓應(yīng)取U20（B）

A.對B.錯

35.在變壓器二次電壓和負(fù)載電阻相同的情況下，橋式整流電路的輸出電流是半

波整流電路輸出電流的2倍。（B）

A.對B.錯

36.若U,為電源變壓器二次電壓的有勢值，則半波整流電容濾波電路和全波整流

電容濾波2電路在空載時的輸出電壓為同2。（A）

A.對B.錯

37.三相半波可控整流電路，若為電阻性負(fù)載，當(dāng)控制角"60。時，輸出波形仍能

連續(xù)。（B）

A.對B.錯

38.三相半控整流電路對觸發(fā)脈沖的要求與三相半波可控整流相同，一個周期需

間隔為120。的三個觸發(fā)脈沖。（A）

A.對B.錯

39.三相全控橋和三和半控橋都是由兩組三相半波可控整流電路串聯(lián)組合而成。

（B）

A.對B.錯

40.在三相半波可控整流電路中，電路輸出電壓波形的脈動頻率為300Hz。（B）

A.對B.錯

41.三相全控橋整流電路中，輸出電壓的脈動頻率為150Hz。（B）

A.對B.錯

42.三相半波可控整流電路，既不需要用大于60。小于120。的寬脈沖觸發(fā)，也不

需要相隔60。的雙脈沖觸發(fā)，只用符合要求的相隔120。的三組脈沖觸發(fā)就能正常

工作。（A）

A.對B.錯

43.在橋式半控整流電路中，帶大電感負(fù)載，不帶續(xù)流二極管時，輸出電壓波形

中沒有負(fù)面積。（A）

A.對B.錯

44.三相半波可控整流電路中，如果三個晶閘管采用同一組觸發(fā)裝置.，則a的移

相范圍只有120°（B）

A.對B.錯

45.三相半波可控整流電路必須采用雙窄脈沖觸發(fā)。（B）

A.對B.錯

46.在三相橋式全控整流電路中，采用雙窄脈沖觸發(fā)晶閘管元件時，電源相序還

要滿足觸發(fā)電路相序要求才能正常工作。（A）

A.對B.錯

47.只要采用雙窄脈沖觸發(fā)三相橋式全控整流電路的晶閘管，電路就能正常工作。

（B）

A.對B.錯

48.三相半波可控整流電路的接法有兩種，一種是共陰極接法，另-種是共陽極接

法。（A）

A.對B.錯

49.三相全控橋式整流主電路，實質(zhì)上是由共陰極組（1、3、5）與共陽極組（2、4、

6）兩組電路并聯(lián)組成。（B）

A.對B.錯

50.在三相全控橋式整流電路中，晶閘管導(dǎo)通順序

是：6.131.2玲2.3玲3.4）4.5玲5.6玲6.1。（B）

A.對B.錯

51.續(xù)流二極管只起到了及時關(guān)斷晶閘管的作用，對輸出電壓值、電流值沒有任

何影響。（B）

A.對B.錯

52.為保證晶閘管都能可靠導(dǎo)通，其門極觸發(fā)電壓和電流可以在短時間內(nèi)超過額

定值。（A）

A.對B.錯

53.由于一般晶閘管的導(dǎo)通時間為6ns,所以觸發(fā)脈沖的寬度只要在6Hs以上即可

保證晶閘管可靠導(dǎo)通。（B）

A.對B.錯

54.同一型號的晶閘管其門極觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流是一致的。（A）

A.對B.錯

55.晶閘管觸發(fā)電路的漏電壓越小越好。（A）

A.對B.錯

56.同一電路不同的負(fù)載對晶閘管觸發(fā)脈沖的寬度要求也不同。（A）

A.對B.錯

57.電路中觸發(fā)信號的移相范圍是根據(jù)負(fù)載的要求確定的。（A）

A.對B.錯

58.任何形式的觸發(fā)信號對于晶閘管的門極和陰極來說必須是正向的。（A）

A.對B.錯

59.單結(jié)晶體管由一個發(fā)射極、一個基極、一個集電極組成。（B）

A.對B.錯

60.單結(jié)晶體管只要發(fā)射極電壓高過谷點電壓就可導(dǎo)通。（B）

A.對B.錯

61.用穩(wěn)壓管削波的梯形波給單結(jié)晶體管自激振蕩電路供電，目的是為了使觸發(fā)

脈沖與晶閘管主電路實現(xiàn)同步。（A）

A.對B.錯

62.在單結(jié)晶體管觸發(fā)電路中，穩(wěn)壓管削波的作用是為了擴(kuò)大脈沖的移相范圍°

（B）

A.對B.錯

63.在電路中接入單結(jié)晶體管時，如果把'、b?接反了，就會燒壞管子。（B）

A.對B.錯

64.單結(jié)晶體管觸發(fā)電路輸出的觸發(fā)脈沖比較窄。（A）

A.對B.錯

65.單結(jié)晶體管的第一基極b?與發(fā)射極e之間的電阻為固定電阻。（B）

A.對B.錯

66.當(dāng)單結(jié)晶體管的發(fā)射極電壓增加至峰點電壓巴時，單結(jié)晶體管就導(dǎo)通。（A）

A.對B.錯

67.當(dāng)單結(jié)晶體管的發(fā)射極電壓降低到谷點電壓Uv以下時，單結(jié)晶體管則截止。

（A）

A.對B.錯

68.單結(jié)晶體管自激振蕩電路中，電阻R2,是溫度補償電阻，作用是保持振蕩頻率

的穩(wěn)定。（A）

A.對B.錯

69.同步電壓為鋸齒波的觸發(fā)電路，輸出脈沖幾乎不受電網(wǎng)電壓波動的影響。（A）

A.對B.錯

70.同步電壓為鋸齒波的觸發(fā)電路，其產(chǎn)生的鋸齒波線性度較好，抗干擾能力強。

（A）

A.對B,錯

71.根據(jù)教材圖3-8所示，由于采用了恒流源給電容C2充電，所以鋸齒波線性度

較好。（A）

A.對B.錯

72.晶閘管觸發(fā)電路采用強觸發(fā)的目的是為了縮短晶閘管的開通時間，提高系統(tǒng)

的可靠性。（A）

A.對B.錯

73.司步電壓為鋸齒波的觸發(fā)電路，采用了強觸發(fā)環(huán)節(jié)后，輸出的脈沖幅值更高,

前沿更陡。（A）

A.對B.錯

74.同步電壓為鋸齒波的觸發(fā)電路，由于沒有采用強觸發(fā)環(huán)節(jié)，所以其輸出秋沖

為方脈沖。（A）

A.對B.錯

75.KC04既適用于單相，又適用于三相全控橋整流裝置中作晶閘管的雙路觸發(fā)脈

沖。（A）

A.對B.錯

76.用KC04組成的三相全控橋集成觸發(fā)電路，因主電路有6只晶閘管，所以需要

6塊KC04集成塊。（B）

A.對B.錯

77.KC04的內(nèi)部電路與分立元件組成的鋸齒波觸發(fā)電路相似。（A）

A.對B.錯

78.用KC04、KC41C組成的三相全控橋集成觸發(fā)電路，經(jīng)KC41輸出的雙窄脈沖需

要進(jìn)一步放大才能觸發(fā)大功率的晶閘管。（A）

A.對B.錯

79.晶閘管觸發(fā)電路與主電路的同步，主要是通過同步變壓器的不同接線方式來

實現(xiàn)的。（A）

A.對B.錯

80.在三相變流裝置中，由于觸發(fā)電路是弱電，主電路是強電，所以觸發(fā)電路電

源與主電路電源不能取自同一電網(wǎng)。（B）

A.對B.錯

81.三相全控橋式整流電路觸發(fā)電路中，同步電壓的相序必須和主電路的相序保

持一致。（A）

A.對B,錯

82.在觸發(fā)電路中采用脈沖變壓器可以保障人員和設(shè)備的安全。（A）

A.對B.錯

83.快速熔斷器必須與其他過電流保護(hù)措施同時使用。（A）

A.對B.錯

84.造成晶閘管誤導(dǎo)通的主要原因是干擾信號侵入門極網(wǎng)路引起的。（A）

A.對B.錯

85.大功率的晶閘管可以通過很大的電流，所以它的抗過我能力很強，一般不容

易損環(huán)。（B）

A.對B.錯

86.在發(fā)電機(jī)一電動機(jī)組中，當(dāng)電流自發(fā)電機(jī)流向電動機(jī)時，電動機(jī)處于發(fā)電制

動狀態(tài)。（B）

A.對B.錯

87.有源逆變是電能從沒備向電網(wǎng)回饋。（A）

A.對B.錯

88.半控橋或有續(xù)流二吸管的電路不能實現(xiàn)有源逆變。（A）

A.對B.錯

89.a和p是從兩個方向表示晶閘管的觸發(fā)導(dǎo)通時刻，表示的是不同的觸發(fā)點。

(B)

A.對B.錯

90.逆變時，要有直流電動勢，其極性和晶閘管導(dǎo)通方向一致，且其值大于變流

器直流側(cè)平均電壓，才能提供逆變能量。(A)

A.對B.錯

二、選擇題

1.在電力電子裝置中，電力晶體管一般工作在⑻狀態(tài)。

A.放大B.截止C.飽和D.開關(guān)

2.晶閘管導(dǎo)通后，在其門極加反向電壓，則該晶閘管(A)

A.繼續(xù)導(dǎo)通B.飽和C.狀態(tài)不定D.關(guān)斷

3.晶體管內(nèi)部具有(C)PN結(jié)。

A1個B2個C3個D4個

4：普通品閘將由中間P層引出防電極是(B)。

A.陽極B.門極C.陰極D.無法確定

5.晶閘管具有(B)性。

A.單向?qū)щ夿.可控單向?qū)щ奀.電流放大D.負(fù)阻效應(yīng)

6.晶間管硬開通是在⑹情況下發(fā)生的。

A.陽極反向電壓小于反向擊穿電壓

B.陽極正向電壓小于正向轉(zhuǎn)折電壓

0.陽極正向電壓大于正向轉(zhuǎn)折電壓

D.陰極加正壓，門極加反壓

7.晶閘管的通態(tài)電流(額定電流)是用電流的(C)來表示的。

A.有效值B.最大值C.平均值

8.下面給出的四個圖形符號中，(B)是可關(guān)斷晶閘管的圖形符號。

9.(A)廣泛應(yīng)用于電力機(jī)車的逆變器、大功率直流斬波器調(diào)速裝置中。

A.GTOB.CTRC.MOSFETD.IGBT

10.ICBT是20世紀(jì)80年代發(fā)展起來的復(fù)合型電力電子器件，它將(B)結(jié)合于一

體。

A.GTO和GTRB.MOSFET和GTRC.MOSFETflGTOD.MOSFET、GTR和GTO

11.單相半成可控整流電路中，顯閘管可能承受的反向峰值電壓為(B)。

A.U2B.V2U2C.2V2UZD.V6U2

12.單相半控橋電感性負(fù)載電路中，在負(fù)載兩端并聯(lián)一個續(xù)流二極管的目的是

(D)o

A.增加晶閘管的導(dǎo)電能力B.抑制溫漂

C.增加輸出電壓穩(wěn)定性D.防止失控現(xiàn)象的產(chǎn)生

13.單相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中，控制角a的最大移相范圍是(D)。

A.90°B.120°C.150°D.180°

14.單相全控橋式整流大電感負(fù)載電路中，控制角a的移相范圍是(A)o

A.0°~90°B.0°"180°C.90°"180°D.180°~360°

15.單相全控橋整流電路L負(fù)載，負(fù)載電流L=10A,安全裕量取2,晶閘管的通態(tài)

平均電流LAY應(yīng)為(A)。

A9AB5AC45AD20A

心三相小波可隹越流電◎各，電阻性負(fù)載，當(dāng)控制角(B)時，整流輸出電壓與電流

波形斷續(xù)。

A.O0<0^30°B.30°<a^l50°C.60°<a<180°D.90°<a<180°

17.三相橋式全控整流電路，大電感負(fù)載，當(dāng)a=(C)時，整流平均電壓口加。

A.30°B.60°C.90°D.120°

18.三相橋式全控整流電路，電阻性負(fù)載時的移相范圍為(C)。

A.0°"180°B.0°~150°C.0°120°D.0°~90°

19.當(dāng)a為(C)時，三相半波可控整流電路，電阻性負(fù)載輸出的電壓波形處于連續(xù)

和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。

A.0°B.60°C.30°D.120°

20.三相半波可控整流電路的自然換相點是(B)。

A.交流相電壓的過零點

B.本相相電壓與相鄰相相電壓正、2周的交點處

C.比三相不控整流電路的自然換木口點超前30°

D.比三相不控整流電路的自然換力目點滯后60°

21.當(dāng)好(B)時，三相全控橋式整流電路帶電阻負(fù)載電路，輸出負(fù)載電壓波形處

于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。

A.0°B.60°C.30°D.120°

22.三相半波可控整流電阻性負(fù)載電路，如果三個晶閘管采用同一相觸發(fā)脈沖，a

的移相范圍為(D)。

A.0°飛0°B.0°~90°C.0°~120°D.0°"150°

23.在單相橋式全控整流電路中，大電感負(fù)載時,控制角a的有效移相范圍是(A)o

A.0°~90°B.0°~180°C.90°~180°

24.三相全控橋式整流電路帶電阻負(fù)載，當(dāng)觸發(fā)角a=0°時，輸出的負(fù)載電壓平

均值為(D)。

A.0.45&B.0.9U2C.1.17U2D.2.34U2

25.三相全控橋式整流電路帶大電感負(fù)載時，控制角a的有效移相范圍是3)。

A.0°~90°B.30°"120°C.60°~150°D.90°"150°

26.三相半波可控整流電路中，如果三個晶閘管采用同一組觸發(fā)裝置來觸發(fā)，a

的移相范圍是(D)。

A.O0?60°B.0°~90°C.0°"120°D.0°"150°

27.三和半波可控整流電路各相觸發(fā)脈沖相位差為(C)o

A.60°B.90°C.120°D.180°

28.三相全控橋在一個周期內(nèi)，每個整流器件的導(dǎo)通時間是負(fù)載電流通過時間的

(B)o

A.1/2B.1/3C.1/6D.1/8

29.三相半波共陰極可掙整流電路L負(fù)載，負(fù)載電流L=100A,不考慮安全裕量,

晶閘管的通態(tài)平均電流ITAV應(yīng)取(C)。

A.20AB.30AC.36.8AD.10A

30.三相半波共陰極可控整流電路R負(fù)載，觸發(fā)延遲角最大移相范圍是(A)。

A.150°B.120°C.90°D.180°

31.單結(jié)晶體管自激振蕩電路輸出的脈沖幅值為(D)。

A.單結(jié)晶體管發(fā)射結(jié)正向電壓B.電容器上充電電壓

C.電容器充電電壓的峰值D.單結(jié)晶體管的峰點電壓減去谷點電壓的值

32.當(dāng)單結(jié)晶體管的發(fā)射極電壓Ue升高到(A)時,就會導(dǎo)通。

A.峰點電壓B.谷點電壓C.兩基極間電壓D.不確定

33.一旦單結(jié)晶體管導(dǎo)通后，就呈現(xiàn)負(fù)阻特性，即隨Ie增大，必將(B)。

A.變大B.變小C.不變D.不確定

34.單結(jié)晶體管自激振蕩電路中，R,上的脈沖電壓的寬度取決于(D)。

A.R的大小B.電容C的大小

C.R?的大小D.電容C的放電時間常數(shù)

35.單結(jié)晶體管自激振蕩電路中，R上的脈沖電壓的幅值取決于(A)。

A.R的大小B.電容C的大小

C.R?的大小D.電容C的放電時間常數(shù)

36.單結(jié)晶體管振蕩電路是利用單結(jié)晶體管(B)的工作特性設(shè)計的。

A.截止區(qū)B.負(fù)阻區(qū)C.飽和區(qū)D.任意區(qū)域

37.單結(jié)晶體管觸發(fā)電路輸出的觸發(fā)信號是(B)0

A.方脈沖B.尖脈沖C.強觸發(fā)脈沖D.脈沖列

38.脈沖變壓器傳遞的是(C)電壓。

A.直流B.正弦波C.脈沖波

39.在同步電壓為鋸齒波的晶體管觸發(fā)電路中，通過改變(B)的大小，使輸出脈沖

產(chǎn)生相位移動，達(dá)到移相控制的目的。

A.同步電壓B.控制電壓C.脈沖變壓器變比

40.同步電壓為鋸齒波的晶體管觸發(fā)電路，以鋸齒波電壓為基準(zhǔn)，再疊加(B)控制

晶襪管狀態(tài)。

A.交流控制電壓B.直流控制電壓C.脈沖信號D.任意波形電壓

41.關(guān)于同步電壓為鋸齒波的晶體管觸發(fā)電路，下列敘述正確的是(B)。

A.產(chǎn)生的觸發(fā)功率最大B,適用于大容量晶閘管

C.鋸齒波線性度最好D.適用于較小容量晶閘管

42.帶強觸發(fā)環(huán)節(jié)的，同步電壓為鋸齒波的晶體管觸發(fā)電路，輸出的觸發(fā)信號是

(C)O

A.方脈沖B.尖脈沖C.強觸發(fā)脈沖D.脈沖列

43.晶閘管兩端并聯(lián)一個R-C電路的作用是(C)。

A.分流B.降壓C.過電壓保護(hù)D.過電流保護(hù)

44.壓敏電阻在晶閘管整流電路中主要作用是用來(C)。

A.分流B.降壓C.過電壓保護(hù)D.過電流保護(hù)

45.抑制晶閘管回路電流上升率過大的方法通常是在回路中串聯(lián)一個(A)。

A.電感B.壓敏電阻C.R-C電路D.硒堆

46.能夠?qū)崿F(xiàn)有源逆變的電路是(A)。

A.全控橋式電路B.半控橋式電路

C.全控橋式帶續(xù)流二極管電路D.二極管單相整流電電路

47.逆變時，晶閘管的控制角a(A)。

B.A.大于90。B.小于90。C.等于90。D.大于或小于90。

48.二相半波野逆變時,廣晶閘管承強的最大正反向電壓為(A)o

A.V6n2R.<3n2C.J2&D.V5U2

49.下列情況中，會造成逆變失敗的是(D)。

A.負(fù)載電流增大B.晶閘管逆變角增大

C.單觸發(fā)脈沖改為雙窄脈沖D.觸發(fā)脈沖丟失

50.逆變角B太小，換流失敗的原因是(C)。

A.該關(guān)斷的晶閘管已關(guān)斷B.該關(guān)斷的晶閘管的丟脈沖

C.該關(guān)斷的晶閘管沒關(guān)斷D.該關(guān)斷的晶洞管過載

51.若要增大SPWM逆變器的輸出電壓，可采用的控制方法是(D)

A.增大三角波頻率B.增大三角波幅值

C.增大正弦控制電壓頻率D.增大正弦控制電壓幅值

52.三相全控橋式整流電路中，晶閘管可能承受的最大反向電壓峰值為(其中

民為變壓器二次側(cè)相電壓有效值)(C)

A.26LB.2V2U2C.76U2D.V3U2

53.按器件的可控性分類，普通晶閘管屬于(B)

A.全控型器件B.半控型器件C.不控型器件D.電壓型器件

54.三相全控橋式變流電路工作于有源逆變狀態(tài)，其逆變角B的變化范圍為(A)。

A.0°~90°B.0°~120°C.90°~180°D.0°"150°

55.三相橋式不控整流電路交流側(cè)三相相電壓正半周波的三個自然換相點互相間

隔(C)

A.60°B.90°C.120°D.180°

56.單相半控橋式無續(xù)流二極管帶阻感性負(fù)載的整流電路中，整流品閘管的導(dǎo)通

角為。(D)

A.60°B.90°C.120°D.180°

57.單相半控橋式帶續(xù)流二極管阻感性負(fù)載電路，設(shè)觸發(fā)角為a,則整流晶詞管

導(dǎo)通角為。(A)

A.n-aB.-n-aC.--aD.--a

632

58.在晶閘管應(yīng)用電路中，為了防止誤觸發(fā)應(yīng)將幅值限制在不觸發(fā)區(qū)的信號是(A)

A.干擾信號B.觸發(fā)電壓信號

C.觸發(fā)電流信號D.干擾信號和觸發(fā)信號

59.在三相不控整流電路中，在自然換相點R與U間，整流輸出電壓s為［B）

A.4匕B.C.u&cD.泣c

60.單相全控橋式帶電阻性負(fù)載電路中，控制角a的最大移相范圍是（D）

A.90°B.120°C.150°D.180°

61.下面給出的四個電力半導(dǎo)體器件中，哪個是全控型電力半導(dǎo)體器件（C）

A.二極管B.品閘管C.功率晶體管D.逆導(dǎo)晶閘管

62.逆變電路的功能是將直流電能轉(zhuǎn)換為（B）

A.直流電B.交流電能C.磁場能D.化學(xué)能

63.在規(guī)定的條件下，額定電流為1000A的晶閘管，所允許連續(xù)通過的正弦半波

電流的最大平均值為（B）

A.陰AB.1000AC.100()x>/2AD.1000x7-FA

V22

64.晶閘管導(dǎo)通后，在其門極加反向電壓，則該晶閘管（A）

A.繼續(xù)導(dǎo)通B,截止C.狀態(tài)不定D.關(guān)斷

65.普通晶閘管由中間P層引出的電極是（B）

A.陽極B.門極C.陰極D.無法確定

66.在大電感負(fù)載單和全控橋式整流電路中，當(dāng)。=0°時，整流輸出電壓平均值

為（設(shè)整流輸入電壓有效值為U2）<,（C）

A.0B.—C.—U,D.—U,

nnTC

67.在三相全控橋式整流電路帶大電感負(fù)載時，控制角a的有效移相范圍是（A）

A.0°?90°B.30°?120°

C.60°?150c口.90°?150°

68.單相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中，控制角Q的最大移相范圍是（D）

A.90°B.120°C.150°D.180°

69.單相半波可控整流電路中，晶閘管可能承受的正向峰值電壓為（B）

A.U2B.V2U2C.2V2U2D.76U2

70.三相全控橋式整流電路中，共陰極組的三個晶閘管的觸發(fā)脈沖相位互差（C）

A.60°B.90°C.120°D.150°

71、單相半控橋整流電路的兩只晶閘管的觸發(fā)脈沖依次應(yīng)相差（A）度。

A、180°B、60°C、360°D、120°

72、。為度時，三相半波可控整流電路，電阻性負(fù)載輸出的電壓波形，

處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。（C）

A、0度B、60度C、30度D、120度

73、晶閘管觸發(fā)電路中，若改變的大小，則輸出脈沖產(chǎn)生相位移動，達(dá)

到移相控制的目的。（B）

A、同步電壓B、控制電壓

C、脈沖變壓器變比D、電流

74、如某晶閘管的正向阻斷峰值電壓為745V,反向峰值電壓為825V,則該晶閘

管的額定電壓應(yīng)為（A）

A、700VB、750VC、800VD、850V

75.單相半控橋電感性負(fù)載電路中，在負(fù)載兩端并聯(lián)一個續(xù)流二極管的目的是（D）

A.增加晶閘管的導(dǎo)電能力B.抑制溫漂

C.增加輸出電壓穩(wěn)定性D.防止失控現(xiàn)象的產(chǎn)生

76.單結(jié)晶體管觸發(fā)電路輸出的觸發(fā)信號是（B）

A.方脈沖B.尖脈沖C.強觸發(fā)脈沖D.脈沖列

77.電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路，當(dāng)控制角時，整流輸出電壓

平均值等于零。（C）

A.90°B.120°C.150°D.180°

78.對于三相半波可控整流電路，換相重疊角與哪幾個參數(shù)有關(guān)（設(shè)&為

整流輸入電壓有效值，a為控制角，L為負(fù)載電流，Xc為變壓器漏抗）。（A）

A.a、L以及XcB.a以及Id

C.a以及口D.a、U2及Xc

79.晶閘管在正常工作中，觸發(fā)控制信號應(yīng)加在［C）

A.陽極氏陰極C.門極D.漏極

80.晶閘管的伏安特性是指（C）

A.陽極電壓與門極電流的美系B.門極電壓與門極電流的美系

C.陽極電壓與陽極電流的關(guān)系D.門極電壓與陽極電流的關(guān)系

81、按照器件內(nèi)部電子和空穴兩種液子參與導(dǎo)電的情況，屬于單極型電力電子器

件有：肖特基二極管、電力MOSFET和（A）。

A.SITB.IGBTC.GTRD.SITH

82、按照器件內(nèi)部電子和空穴兩種液子參與導(dǎo)電的情況，屬于復(fù)合型電

力電子器件有：（B）、SITH、MCT

A.SITB.IGBTC.GTRD.SITH

83.全波整流電路中，a移相范圍為（C）

A.0°~150°B.0°~120"C.0°~180°D.（T~90°

84、全波整流電路中，整流電壓平均值Ud=（D）

A.0.24U2B.3.24U2C.2.34U2D.0.9U2

85.單相全波可控整流電路中，晶閘管承受的最大電壓為（A）

A.2如B.3血C.2聞D.2電

86.三相半波可控整流電路，電阻性負(fù)載時。角移相范圍為（B）

A.0°~180°B.0°~150°C.0°-120°D.0°~90°

87.（C）是電力電子電路中出現(xiàn)最早的一種、它的作田是將交流電能變

為直流電能供給置流用電設(shè)備。

A.有源逆變電路B.無源逆變電路

C.整流電路D.降壓斬波電路

88.當(dāng)交流側(cè)和電網(wǎng)連接時，這種逆變電路稱為（D）。

A.降壓斬波電路B.無源逆變電路

C.整流電路D.有源逆變電路

89.借助于外部手段（電網(wǎng)電壓或負(fù)載電壓）來實現(xiàn)換流的，他們屬（A）。

A.外部換流B.內(nèi)部換流C.局部換流D.以上都是

90.降壓斬波電路中，已知電源電壓E=16V,導(dǎo)通占空比a二"三”

則負(fù)載電壓Uo=(B)o

A.18VB.12VC.16VD.6V

91.一般認(rèn)為交交變頻輸出的上限頻率約為電網(wǎng)頻率的(C)o

A.0-1/3B.1/2-3/4C.1/2-1/3D.1/4-1/3

92.一般認(rèn)為交交變頻輸出的上限頻率約為(D)

A.10HZB.50HZC.6HZD.20HZ

93.目前實際應(yīng)用的PWM逆變電路幾乎都是(A)電路。

A.電壓型B.電流型C.電壓電流型D.以上都是

94.電子技術(shù)包括(B)兩大分支，通常所說的模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子

技術(shù)就屬于前者。

A.高頻電子技術(shù)和電力電子技術(shù)

氏信息電子技術(shù)和電力電子技術(shù)

C.高頻電子技術(shù)和低頻電子技術(shù)

D.信息電子技術(shù)和低頻電子技術(shù)

95.1904年出現(xiàn)了(C)、它能在真空中對電子流進(jìn)行控制、并應(yīng)用于

通信和無線電、從而開啟了電子技術(shù)用于電力領(lǐng)域的先河。

A.二極管B.晶間管C.電子管D.三極管

96.普通晶閘管的管心由(D)層雜質(zhì)半導(dǎo)體組成。

A.1B.2C.3D.4

97.晶閘管外部的電極數(shù)目為(C)個。

A.1B.2C.3D.4

98.單向晶閘管內(nèi)部有⑻個PN結(jié)。

A.2B.3C.4D.多于4

99.普通晶閘管由中間P層引出的電極是(B)。

A.陽極B.門極C.陰極D.無法確定

100.下列屬于晶閘管導(dǎo)通必備的條件為(B)。

A.陰極加正向電壓

B.陽極加正向電壓同時在門極上加正向電壓

C.同時在門極上加反向電壓

D.以上都對

101.晶閘管導(dǎo)通后通過晶閘管的電流決定于(0o

A.電路的負(fù)載B.晶閘管的電流容量

C.晶閘管陽極和陰極之間的電壓D.門極電流

102.觸發(fā)導(dǎo)通的晶間管，當(dāng)用極電流減小到低于維持電流以下時，品閘管的狀態(tài)

是⑻。

A.繼續(xù)維持導(dǎo)通B.轉(zhuǎn)為關(guān)斷

C.陽極一陰極間有正向電壓，管子能繼續(xù)導(dǎo)通D.不確定

103.允許重復(fù)加在晶閘管陽極和陰極之間的電壓為(B)。

A.正反向轉(zhuǎn)折電壓的有效值

B.正反向轉(zhuǎn)折電壓的峰值減去100V

C.正反向轉(zhuǎn)折電壓的峰值

104.晶閘管硬開通是在(C)情況下發(fā)生的。

A.陽極反向電壓小于反向擊穿電壓

B.陽極正向電壓小于正向轉(zhuǎn)折電壓

C.陽極正向電壓大于正向轉(zhuǎn)折電壓

D.陰極加正向電壓，門極加反向電壓

105.晶閘管具有(B)性。

A.單向?qū)щ夿.可控的單向?qū)щ?/p>

C.電流放大D.負(fù)阻效應(yīng)

106.關(guān)于晶閘管，下面敘述不正確的是(D)。

A.具有反向阻斷能力B.具有正向阻斷能力

C.導(dǎo)通后門極失去作用D.導(dǎo)通后門極仍起作用

107.晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)榻刂挂獫M足(D)條件。

A.升高陽極電壓B.降低陰極電壓

C.斷開控制電路D.正向電流小于最小維持電流

108.要使晶閘管導(dǎo)通，必須同時滿足(B)。

A.陽極和陰極間加正向電壓，門極加適當(dāng)?shù)姆聪螂妷?/p>

B.陽極和陰極間加正向電壓，門極加適當(dāng)?shù)恼螂妷?/p>

C.陽極和陰極間加反向電壓，門極加適當(dāng)?shù)姆聪螂妷?/p>

D.陽極和陰極間加反向電壓，門極加適當(dāng)?shù)恼螂妷?/p>

109.觸發(fā)導(dǎo)通的品閘管，當(dāng)陽極電流減小到維持電流I”以下時，晶閘管的狀態(tài)

(B)o

A.繼續(xù)維持導(dǎo)通B.轉(zhuǎn)為關(guān)斷

C.只要陽極、陰極間有正向電壓，管子能繼續(xù)導(dǎo)通D.不確定

110.三相橋式可控整流電路電阻性負(fù)載的輸出電壓波形，在控制角a=(C)時，有

電壓輸出部分等于無電壓輸出部分。

A、30°B、60°C、90°D、120°

111.用萬用表測試好的單向晶閘管時，A、K極間的正反向電阻應(yīng)(A)。

A.一大一小B,都很小C.都很大D,都不大

112.晶閘管整流電路輸出電壓的改變是通過(A)實現(xiàn)的。

A.調(diào)節(jié)控制角B.調(diào)節(jié)觸發(fā)電壓大小

C.調(diào)節(jié)陽極電壓大小D.調(diào)節(jié)觸發(fā)電流大小

113.晶閘管的導(dǎo)通角越大，則控制角(A)。

A.越小B.越大C.不改變D.均不是

114.單相半波可控整流電路，電阻性負(fù)載，輸入電壓Uz=220V,輸出電壓UL=50V,

其控制角為⑴)。

A.45°B.90°C.120°D.22.5°

115.在可控整流電路中，輸出電壓隨控制角的變大而(B)。

A.變大B.變小C.不變D.無規(guī)律

116.單相半波可控整流電路的直流輸出電壓平均值是交流輸入電壓有效值的(C)

倍。

A.0.9B.0.45C.00.45D.00.9

117.單相半波可控整流電路，若負(fù)載平均電流為10mA,則實際通過晶閘管的平

均電流為(C)mA。

A.5B.OC.10D.2

118.單相半波可控整流電路，變壓器次級電壓為20V,則晶閘管實際承受的最高

反向電壓為(B)V。

A.20B.20V2C.18D.9

119.三相平波可控整流電路，若負(fù)載平均電流為18A,則每個晶閘管實際通過的

平均電流為(C)

A.18B.9C.6D.3

120.三相半波可控整流電路，若變壓器的次級電壓為％當(dāng)0°<a<30°,則輸出

平均電壓為(A)。

A.1.17U2cosaB.0.9U2C0SaC.0.45U2cosaD.1.17U2

121.三相半波可控整流電路，若觸發(fā)脈沖加于自然換相點之前，則輸出電壓將

(C)o

A.很大B.很小C,出現(xiàn)缺相現(xiàn)象D.為0

122.三相半波可控整流電路的輸出直流電壓波形在(B)的范圍內(nèi)是連續(xù)的。

A.a<60°B.a<30°C.30°<a<150°D.a>30°

123.三相半控橋式整流電路，剛好維持輸出電壓波形連續(xù)的控制角a是(B)。

A.30°B.60°C.120°D.90°

124.在三相半控橋式整流電路中，要求共陰極組晶閘管的觸發(fā)脈沖之間的相位差

為(B)o

A.60°B.120°C.150°D.180°

125.在三相半控橋式整流電路中，每只晶閘管承受最高正反向電壓為變壓器二次

相電壓的(D)倍。

A.1B.V2C.V3D.76

126.三相半控橋式整流電路的移相范圍為(A)。

A.a=0°480°B.a=0°*90°C.a=0°420°D.0=0°450°

127.感性負(fù)載可控整流電路中續(xù)流二極管接反時，電路(C)。

A.能正常工作B.會造成開路C.會造成短路

rt

128.單相半控橋式整流電路，電阻性負(fù)載，a=30,UL=100V,若將負(fù)載換成直

流電動機(jī)，控制角不變，則輸出電壓為(A).

A.大于100VB.小于100V

C.100VD.因失控不能工作

129.帶續(xù)流二極管的單相半控橋式大電感負(fù)載整流電路，當(dāng)觸發(fā)延遲角a等于(D)

時，流過續(xù)流二極管電流的平均值等于流過晶閘管電流的平均值。

A.90°B.120°C.150°D.60°

130.帶感性負(fù)載的可控整流電路加入續(xù)流二極管后，晶閘管的導(dǎo)通角比沒有接續(xù)

流二極管前減小了，此時電路的功率因數(shù)(A)。

A.提高rB,減小了C.小變化D.尢關(guān)

131.如果對可控整流電路的輸出電流波形質(zhì)量要求較高，最好采用(A)濾波。

A.串平波電抗器B.并大電容

C.串大電阻D.并小電阻

132.為防止晶閘管電流上升速度過快，可采取(A)。

A.串接一個扼流圈

B.通過一個RC串聯(lián)電路與負(fù)載并聯(lián)

C.通過一個續(xù)流二極管與晶閘管并聯(lián)

D.均可

133.晶閘管的保護(hù)主要是針對下列(A)。

A.過壓保護(hù)B.短路保護(hù)

C.失壓保護(hù)D.欠流保護(hù)

134.晶閘管的電壓和電流參數(shù)是按其最大工作數(shù)值的(C)倍以上進(jìn)行選擇。

C.1.52D.0.52

135.下列不屬于單結(jié)晶體管電極的是(C)。

A.第一基極B.第二基極C.集電極D.發(fā)射極

136.單結(jié)晶體管的發(fā)射極電壓高于(B)電壓時就導(dǎo)通。

A.額定B.峰點C.谷點D.安全

137.單結(jié)晶體振蕩電路是利用單結(jié)晶體管(C)的工作特性設(shè)計的。

A.截止區(qū)B.飽和區(qū)C.負(fù)阻區(qū)D.任意區(qū)域

138.單結(jié)晶體管觸發(fā)電路中，調(diào)小電位器的阻值，會使晶閘管導(dǎo)通角(A)。

A.增大B.減小C.不變D.無關(guān)

139.單結(jié)晶體管觸發(fā)電路輸出觸發(fā)脈沖的幅值取決于(D)。

A.發(fā)射極電壓U°B.電容CC.電阻RD.分壓比n

140.單結(jié)晶體管觸發(fā)電路輸出脈沖的頻取決于(B；。

A.振蕩器中充電回路的時間常數(shù)B.單結(jié)晶體管的分壓比

C.直流電源電壓D.笫一和第二基極電陽

141.把(C)的裝置稱為逆變器。

A.交流電變換為直流電B,交流電壓升高或降低

C.直流電變換為交流電D.直流電壓升高或降低

142.可實現(xiàn)有源逆變的電路為(C)o

A.三相半波可控整流電路B.三相半控橋整流電路

C.單相全控橋接續(xù)流二極管電路D.單相半控橋整流電路

143.在一般可逆電路中，最小逆變角選在下面哪一種范圍合理(A)。

A.30°~35°B.10°45°C.0°-10°D.0°

144.在有源逆變電路中，逆變角B的移相范圍應(yīng)選(C)為最好。

A.8=90°~180°B.P=35°~90°C.P=0°~90°

145.晶閘管逆變器輸出交流電的頻率由(D)來決定。

A.一組晶閘管的導(dǎo)通時間B.兩組晶閘管的導(dǎo)通時間

C.一組晶閘管的觸發(fā)脈沖頻率D.兩組晶閘管的觸發(fā)脈沖頻率

146.晶閘管觸發(fā)電路所產(chǎn)生的觸發(fā)脈沖信號必須要(A)。

A、有一定的電抗B、有一定的移相范圍

C、有一定的電位D、有一定的頻率

147.鋸齒波觸發(fā)電路由鋸齒波產(chǎn)生與相位控制、⑴)、強觸發(fā)與輸出、雙窄執(zhí)沖

產(chǎn)生等四個環(huán)節(jié)組成。

A、矩形波產(chǎn)生與移相B、脈沖形成與放大

C.尖脈沖產(chǎn)生與移相D、三角波產(chǎn)生與移相

148.鋸齒波觸發(fā)電路中雙窄脈沖產(chǎn)生環(huán)節(jié)可在一個周期內(nèi)發(fā)生間隔(A)的兩個窄

脈沖。

A、60°B、90°C、180°D、120°

149.三相半波可控整流電路電阻負(fù)載，每個晶閘管電流平均值是輸出電流平均

值的(A)。

A、1/3B、1/2C、1/6D、1/4

150.三相半波可控整流電路大電感負(fù)載無續(xù)流管的控制角a移相范圍是(C)。

A、0"120°B、0^150°C、0~90°D、0~60°

151.三相半控橋式整流電路由三只共陰極晶閘管和三只⑻功率二極管組成。

A、共陰極B、共陽極C、共基極D、共門極

152.三相半控橋式整流電路電阻性負(fù)載晶閘管承受的最高電壓是相電壓口的(C)

倍。

A、后B.V3C、瓜

153.三相全控橋式整流電路由三只共陰極晶閘管與三只共陽極(D)組成。

A、場效應(yīng)管B、二極管C、三極管D、晶閘管

154.三相全控橋式整流電路電阻性負(fù)載，控制角a的移相范圍是(D)o

A、0~30°B、。飛0°C、0~90°D、0~120°

155.三相可控整流觸發(fā)電路調(diào)試時，要使每相輸出的兩個窄脈沖(雙脈沖)之間相

差(A)。

A、60°B、120°C、90°D、180°

156.單相橋式可控整流電路電感性負(fù)載無續(xù)流管，控制角好30。時，輸出電壓波

形中(D)

A、不會出現(xiàn)最大值部分B、會出現(xiàn)平直電壓部分

C、不會出現(xiàn)負(fù)電壓部分D、會出現(xiàn)負(fù)電壓部分

157.單相橋式可控整流電路大電感性負(fù)載有續(xù)流管的輸出電壓波形中，在控制角

a=(A)時，有輸出電壓的部分等于沒輸出電壓的部分。

A、90°B、120C、150°D、180°

158.三相全控橋式整流電路電阻負(fù)載，控制角a增大，輸出電壓(A)。

A、減小B、增大C、不變D、不定

159.三相全控橋式整流電路電阻負(fù)載，控制角a移相范圍是(D)。

A、0~30°B、0~60°C、0~90D、0~120°

160.三相半波可控整流電路電感性負(fù)載無續(xù)流管，晶閘管電流有效值是輸出電流

平均值的(B)倍。

A、0、333B、0、577C、0、707D、0、9

161.三相全控橋式整流電路電感性負(fù)載無續(xù)流管，輸出電壓平均值的計算公式是

(Oo

A、Ud=2.34U2cosa(0°<=a<=30°)

<>

B、Ud=2.34U2cosa(00<=a<=60)

C、Ud=2.34U2cosa(00<=a<=90°)

D、Ud=2.34U2cosa(0°<=a<=120°)

162.三相全控橋式整流電路電感性負(fù)載無續(xù)流管，晶閘管電流有效值是輸出電流

平均值的⑻倍。

A、1.414B、1.732、C、0.707D、0.577

163.出雙相可熱靛意社發(fā)電調(diào)試時，首先要檢查三相同步電壓波形，再檢查(C),

最后檢查輸出雙脈沖的波形。

A、整流變壓器的輸出波形B.同步變壓器的輸出波形

C、三相鋸齒波波形D、晶閘管兩端的電壓波形

164.單相橋式可控整流電路電阻性負(fù)載的輸出電壓波形中一個周期內(nèi)會出現(xiàn)(A)

個波峰。

A、2B、1C、4D、3

165.(A)適用于8~50kHz頻率范圍。

A、1GBTB、SITC.MOSFETD、MOSFET

166.三相半波可控整流電路其最大移向范圍位150。,每個晶閘管最大導(dǎo)通角為(C)

A、60°B、90C、120°D、150°

167.如果(A)個整流元件全采用晶閘管，就成了三相橋式全控整流電路。

A、六B、五C、四D、三

168.(C)屬于無源逆變。

A、繞線式異步電動機(jī)串級調(diào)速B、高壓直流輸電

C、交流電動機(jī)變速調(diào)速D、直流電動機(jī)可逆調(diào)速

169.三相半波有源逆變運行時，為計算方便，引入逆變角B=(D)

A、90°+aB、180°+aC、900-aD、1800-a

170.三相橋式逆變電路脈動小，變壓器利用率高，晶閘管工作電壓低，電抗器比

三相半波電路小，在(D)容量可逆系統(tǒng)中廣泛使用。

A、小B、中、小C、大D、大、中

171.可逆電路從控制方式分可分為有(D)可逆系統(tǒng)。

A、并聯(lián)和無并聯(lián)B、并聯(lián)和有環(huán)流

C,并聯(lián)和無環(huán)流D、環(huán)流和無環(huán)流

172.脈動環(huán)流產(chǎn)生的原因是整流電壓和逆變電壓⑻不等。

A、平均值B、瞬時值C、有效值D、最大值

173.關(guān)斷晶閘管構(gòu)成高性施的變速調(diào)速系統(tǒng)。但目前由于元件的制造水平，只限

于()容量。(D)

A、大、中B、大C、中、小D、較小

174.三相半波可控整流電路電阻負(fù)載的導(dǎo)通角e的變化范圍是(O。

A、0~90°B、0、100℃、0~120°D、0^150°

175.三相全控橋式整洸電路電感性負(fù)載有續(xù)流管，控制角a的移相范圍是(D)。

A、0~30°B、0~60°C、0~90°D、0^120°

176.三相半波可控整流電路電感性負(fù)載有續(xù)流二極管時，若控制角a為(A),則

晶閘管電流平均值等于續(xù)流二極管電流平均值。

A、60°B、90°C、120°D、30°

177.三相可控整流觸發(fā)電路調(diào)試時，要使三相鋸齒波的波形高度一致，斜率相同，

相位互差(B)。

A、60°B>120℃、90D、180

178.單相橋式可控整流點路電阻性負(fù)載的輸出電流波形(C)o

A、只有正弦波的正半周部分B、正電流部分大于負(fù)電流部分

C、與輸出電壓波形相似D、是一條近似水平線

179.三相半波可控整流電路電感性負(fù)載無續(xù)流管的輸出電壓波形在控制角⑹時

出現(xiàn)負(fù)電壓部分。

A、a>60°B.B、a>4C、a>30°D>a>90°

180.三相半波可控整流電路電阻性負(fù)載的輸出電流波形在控制角a>(C)時出現(xiàn)

斷續(xù)。A、90°B、45°C、30°D>15°

三、多選題

1.按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度,可以將電力電子器件分

為（ABC）

A.半控型器件

B,全控型器件

C.不可控型器件

D.半導(dǎo)體器件

2.不可控整流電路目前最常用的是（AB）兩種接法。

A.單相橋式

B.三相橋式

C.單項半控

D,三相全控

3.電子技術(shù)包括（AC）兩大分支,通常所說的模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)就屬

于前者。

A.信息電子技術(shù)

B.模擬電子技術(shù)

C.電力電子技術(shù)

D.數(shù)字電子技術(shù)

4.整流電路按交流輸入相數(shù)可分為（CD）o

A.兩相電路

B.五相電路

C.單相電路

D.多相電路

5.帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路，在電解電鍍等工業(yè)應(yīng)用中，經(jīng)常需要

（AD）的直流電源。

A.低電壓

B.高電壓

C.小電流

D.人電流

6.根據(jù)三相聯(lián)結(jié)形式的不同，三相交流調(diào)壓電路分為（ABC）o

A.星形聯(lián)結(jié)

B.支路控制三角形聯(lián)結(jié)

C.中點控制三角形聯(lián)結(jié)

D.三角形聯(lián)結(jié)

7.（BD）是電流驅(qū)動型器件。

A.MOSFET

B.GTR

C.1GBT

D.GTO

8.典型全控器件包括（ABCD）

A.GTO

B.GTR

C電力MOSFET

D.IGBTo

9.換流的方式可分為（ABCD）

A.器件換流

流

網(wǎng)換

B.電

流

載換

C.負(fù)

流

容換

D.電

種。

C)三