半導(dǎo)體物理與器件知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院

半導(dǎo)體物理與器件知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院第一章單元測試

半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能介于金屬材料和絕緣材料之間。（）

A:錯B:對

答案:對電中性原子失去電子后帶正電。（）

A:錯B:對

答案:對半導(dǎo)體硫化銀的電阻具有負的溫度系數(shù)是因為？（）

A:當(dāng)硫化銀受熱時產(chǎn)生了更少的電子參與定向運動B:當(dāng)硫化銀受熱時產(chǎn)生了更多的電子參與定向運動

答案:當(dāng)硫化銀受熱時產(chǎn)生了更多的電子參與定向運動常溫下，半導(dǎo)體材料的電阻率在什么范圍？（）

A:＜10-3Ω·cmB:＞1010Ω·cmC:＞109Ω·cmD:10-3Ω·cm~109Ω·cm

答案:10-3Ω·cm~109Ω·cm是誰首先提出：將電、磁、光統(tǒng)歸為電磁場現(xiàn)象的麥克斯韋方程組？（）

A:赫茲B:麥克斯韋C:安培D:奧斯特

答案:麥克斯韋

第二章單元測試

中子是帶正電的。（）

A:對B:錯

答案:錯中子是帶負電的。（）

A:對B:錯

答案:錯核外的電子是分布在能量的軌道上的（）

A:不連續(xù)B:連續(xù)

答案:不連續(xù)核外電子的能量是被量子化的，每份能量的大小由公式hυ確定，h是，υ表示。（）

A:普朗克常量，波的頻率B:波的頻率，普朗克常量

答案:普朗克常量，波的頻率一個主量子數(shù)是不能精確確定電子的軌道的，每個軌道里面還可以再細分，即還有分殼層，它用表示的。（）

A:數(shù)字，例如1，2，3，…B:字母，例如s，p，d，…

答案:字母，例如s，p，d，…

第三章單元測試

N型半導(dǎo)體主要靠自由電子運動導(dǎo)電，也稱為電子半導(dǎo)體。（）

A:對B:錯

答案:對P型半導(dǎo)體主要靠空穴運動導(dǎo)電，也稱為空穴半導(dǎo)體。（）

A:對B:錯

答案:對PN結(jié)中載流子的運動是這樣的：P型半導(dǎo)體中的多子空穴向N區(qū)擴散，留下不可移動的負離子；N型半導(dǎo)體的多子電子向P區(qū)擴散，留下不可移動的正離子。（）

A:對B:錯

答案:對在硅或鍺的晶體中摻入少量的5價雜質(zhì)元素，如磷、銻、砷等，可以構(gòu)成。（）

A:N型半導(dǎo)體B:P型半導(dǎo)體

答案:N型半導(dǎo)體在硅或鍺的晶體中摻入少量的3價雜質(zhì)元素，如硼、鎵、銦等，可以構(gòu)成。（）

A:P型半導(dǎo)體B:N型半導(dǎo)體

答案:P型半導(dǎo)體

第四章單元測試

將兩個背靠背的PN結(jié)連接在一起的三明治結(jié)構(gòu)，可以形成雙極結(jié)型晶體管，它有兩種不同的結(jié)構(gòu)，一種是NPN結(jié)構(gòu)，另一種是PNP結(jié)構(gòu)。（）

A:對B:錯

答案:對將兩個PN結(jié)以非背靠背方式連接在一起的四層結(jié)構(gòu)，可以形成晶閘管。（）

A:對B:錯

答案:對晶體管發(fā)射極(emitter)e用于收集載流子。（）

A:錯B:對

答案:錯晶體管的電流放大倍數(shù)等于集電極電流變化量ΔIC與基極電流變化量ΔIB的比值。（）

A:錯B:對

答案:對將晶體管三個區(qū)的摻雜濃度按從高到低順序排序，正確的順序是：。（）

A:集電區(qū)＞發(fā)射區(qū)＞基區(qū)B:發(fā)射區(qū)＞集電區(qū)＞基區(qū)C:發(fā)射區(qū)＞集電區(qū)＞基區(qū)D:發(fā)射區(qū)＞基區(qū)＞集電區(qū)

答案:發(fā)射區(qū)＞集電區(qū)＞基區(qū)

第五章單元測試

三極管是由電流來控制實現(xiàn)功能的。（）

A:錯B:對

答案:對MOSFET管是由電流來控制實現(xiàn)功能的。（）

A:對B:錯

答案:錯MOSFET管是由電場來控制實現(xiàn)功能的。（）

A:錯B:對

答案:對增強型NMOS管中，兩個重摻雜的N區(qū)分別稱為源區(qū)Source和漏區(qū)Drain。（）

A:對B:錯

答案:對溝道電壓、柵極電壓和漏極電壓三者之間的關(guān)系是什么？（）

A:柵極電壓=柵極電壓—漏極電壓B:柵極電壓=柵極電壓＋漏極電壓

答案:柵極電壓=柵極電壓—漏極電壓

第六章單元測試

CMOS是互補金屬氧化物半導(dǎo)體（ComplementaryMetalOxideSemiconductor）的簡寫。（）

A:對B:錯

答案:對CMOS中的字母M代表Metal金屬的意思。（）

A:對B:錯

答案:對CMOS中的字母O代表Oxide氧化物的意思。（）

A:對B:錯

答案:對N阱CMOS工藝中第六次光刻是為了制作接觸孔。（）

A:錯B:對

答案:對N阱CMOS工藝中第七次光刻是為了制作金屬互聯(lián)線。（）

A:對B:錯

答案:對

第七章單元測試

金屬和半導(dǎo)體接觸又稱為歐姆接觸。（）

A:對B:錯

答案:對結(jié)面積較大的二極管適用于低頻線路。（）

A:錯B:對

答案:對半導(dǎo)體有四種基本結(jié)構(gòu)分別為：（）

A:MS結(jié)構(gòu)B:MOS結(jié)構(gòu)C:PN結(jié)構(gòu)D:異質(zhì)結(jié)構(gòu)

答案:MS結(jié)構(gòu)；MOS結(jié)構(gòu)；PN結(jié)構(gòu)；異質(zhì)結(jié)構(gòu)二極管按材料，可分為哪兩大類？（）

A:整流管B:硅管C:鍺管D:LED

答案:硅管；鍺管晶體管主要分為哪兩類？（）

A:穩(wěn)壓管B:雙極結(jié)型晶體管C:二極管D:場效應(yīng)晶體管

答案:雙極結(jié)型晶體管；場效應(yīng)晶體管

第八章單元測試

摩爾定律是物理定律，這種說法是否正確。（）

A:錯B:對

答案:錯摩爾定律不是物理定律，這種說法是否正確。（）

A:錯B:對

答案:對22nm到5nm的工藝節(jié)點的芯片采用FinFET鰭狀場效應(yīng)管工藝制作。（）

A:錯B:對

答案:對新型半導(dǎo)體器件的三大發(fā)展方向是什么？（）

A:深度摩爾（MoreMoore）B:超越摩爾（BeyondMoore）C:擴展摩爾（MorethanMoore）

答案:深度摩爾（Mo