半導(dǎo)體制造技術(shù)知到智慧樹章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋上海工程技術(shù)大學(xué)

半導(dǎo)體制造技術(shù)知到智慧樹章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋上海工程技術(shù)大學(xué)第一章單元測(cè)試

“摩爾定律”是（）提出的？

A:1958年B:1960C:1965年D:1970年

答案:1965年第一個(gè)晶體管是（）材料晶體管？

A:碳B:硅C:鍺

答案:鍺戈登摩爾是（）科學(xué)家。

A:美國(guó)B:法國(guó)C:德國(guó)D:英國(guó)

答案:美國(guó)第一個(gè)集成電路在（）被研制。

A:1965B:1958C:1955D:1960

答案:1958（）被稱為中國(guó)“芯片之父”。1、

A:吳德馨B:鄧中翰C:許居衍D:沈緒榜

答案:鄧中翰

第二章單元測(cè)試

硅在地殼中的儲(chǔ)量為（）。

A:第二B:第三C:第四D:第一

答案:第二脫氧后的沙子主要以（）的形式。

A:二氧化硅B:碳化硅C:硅

答案:二氧化硅半導(dǎo)體級(jí)硅的純度（）。

A:99.999999％B:99.9999999％C:99.999％D:99.99999％

答案:99.9999999％西門子工藝制備得到的硅為單晶硅。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)一片硅片只有一個(gè)定位邊。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)晶面指數(shù)（m1m2m3）：m1、m2、m3分別為晶面在X、Y、Z軸上截距的倒數(shù)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第三章單元測(cè)試

通過薄膜淀積方法生長(zhǎng)薄膜不消耗襯底的材料。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)熱氧化法在硅襯底上制備二氧化硅需要消耗硅襯底。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)二氧化硅可以與氫氟酸發(fā)生反應(yīng)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)薄膜的密度越大，表明致密性越低。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)電阻率，表征導(dǎo)電能力的參數(shù)，同一種物質(zhì)的電阻率在任何情況下都是不變的。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

第四章單元測(cè)試

光刻本質(zhì)上是光刻膠的光化學(xué)反應(yīng)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)一個(gè)透鏡的數(shù)值孔徑越大就能把更少的衍射光會(huì)聚到一點(diǎn)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)使用正膠進(jìn)行光刻時(shí)，晶片上所得到的圖形與掩膜版圖形相同。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)使用負(fù)膠進(jìn)行光刻時(shí)，晶片上得到的圖形與掩膜版上的圖形相反。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)正性光刻膠經(jīng)過曝光后，可以溶解于顯影液。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)負(fù)性光刻膠經(jīng)過曝光后，可以溶解于顯影液。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

第五章單元測(cè)試

刻蝕是用化學(xué)方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)濕法刻蝕是各向同性腐蝕。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)干法刻蝕有各向同性腐蝕，也有各向異性腐蝕。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)選擇比指在不同刻蝕條件下，刻蝕一種材料對(duì)另一種材料的刻蝕速率之比。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)同一晶體不同晶面的原子鍵密度不一樣，導(dǎo)致刻蝕速率不一樣。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第六章單元測(cè)試

雜質(zhì)摻雜只能改變半導(dǎo)體的類型，不能改變其電阻率。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)擴(kuò)散是一種人為現(xiàn)象，是微觀粒子熱運(yùn)動(dòng)的形式，結(jié)果使其濃度趨于均勻。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)菲克第一擴(kuò)散定律中的負(fù)號(hào)代表從高濃度向低濃度運(yùn)動(dòng)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)半導(dǎo)體常用的摻雜方式有擴(kuò)散和離子注入。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)離子注入摻雜是物理過程。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第七章單元測(cè)試

選擇比指在同樣的條件下對(duì)兩種無(wú)圖形覆蓋材料拋光速率的比值。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)尖楔現(xiàn)象是鋁硅接觸時(shí)，較多的鋁溶解到硅中形成尖刺的現(xiàn)象。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)雙大馬士革中采用CMP，銅需要被刻蝕。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)高溫回流：一般是在高溫下進(jìn)行，可適用于所有金屬層間介質(zhì)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)肖特基接觸在某種條件下可以轉(zhuǎn)變?yōu)闅W姆接觸（高摻雜）。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第八章單元測(cè)試

物質(zhì)有三種形態(tài)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)霜是有水汽直接在地面或近地面的物體上凝華形成的。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)半導(dǎo)體制造工藝中用的氣體可以隨便運(yùn)輸。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)工藝腔是指一個(gè)受控的常壓環(huán)境。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)等離子體是不導(dǎo)電的。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第九章單元測(cè)試

芯片測(cè)試完成時(shí)，合格的芯片用墨水標(biāo)出。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)芯片成品率等于合格芯片數(shù)占總芯片數(shù)的百分比。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)半導(dǎo)體制造工藝中不同硅片之間測(cè)試數(shù)據(jù)差別過大是可以接受的。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)泊松模型