《環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測(cè)試方法》

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T/ZJBDT

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/ZJBDTXXXXX—XXXX

環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測(cè)試方法

（征求意見稿）

XXXX-XX-XX發(fā)布XXXX-XX-XX實(shí)施

浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)布

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環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測(cè)試方法

1范圍

本文件規(guī)定了環(huán)境光傳感器芯片的開路_短路測(cè)試、輸入漏電測(cè)試、IIC_讀寫測(cè)試、輸入高低電平

測(cè)試、輸出高低電平測(cè)試、Efuse判斷測(cè)試、基準(zhǔn)頻率測(cè)試、待機(jī)功耗測(cè)試、靜態(tài)功耗測(cè)試、動(dòng)態(tài)功耗

測(cè)試、暗光校準(zhǔn)測(cè)試、Efuse燒寫測(cè)試、基準(zhǔn)頻率檢查測(cè)試、暗光校準(zhǔn)檢查測(cè)試、固定光強(qiáng)校準(zhǔn)檢查測(cè)

試等測(cè)試方法。

本文件適用于環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測(cè)試。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T34069-2017《物聯(lián)網(wǎng)總體技術(shù)智能傳感器特性與分類》

GB/T30269.801-2017《信息技術(shù)傳感器網(wǎng)絡(luò)第801部分：測(cè)試：通用要求》

GB/T7665-2005《傳感器通用術(shù)語》

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件。

SPEC：芯片規(guī)格表。

PIN：芯片管腳。

VDD：器件電源管腳。

IIC：Inter-IntegratedCircuit，集成電路總線。

Efuse：electronicfuse，電子熔絲。

燒寫：對(duì)一次性可編程存儲(chǔ)器對(duì)應(yīng)位進(jìn)行熔斷，達(dá)到配置芯片非易失性存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)的目的。

暗光：芯片處于完全無光的環(huán)境下。

Lux：勒克斯（法定符號(hào)lx），是照度的單位。

ATE：自動(dòng)測(cè)試設(shè)備，用于半導(dǎo)體芯片測(cè)試。

DPS：ATE測(cè)試機(jī)臺(tái)中的器件電源供給板卡。

PE：ATE測(cè)試機(jī)臺(tái)中的數(shù)字測(cè)試板卡。

3.1

開路_短路Open_Short

測(cè)試芯片內(nèi)部相關(guān)引腳對(duì)地和對(duì)電源的二極管壓降，判斷值是否符合標(biāo)準(zhǔn)。

3.2

輸入漏電測(cè)試IIH/IIL

芯片上電，對(duì)芯片輸入管腳分別配置高低電平，測(cè)量輸入電流，判斷值是否符合標(biāo)準(zhǔn)。

3.3

IIC_讀寫測(cè)試

1

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芯片上電，通過IIC接口對(duì)芯片可讀寄存器進(jìn)行指定寄存器回讀，判斷回讀內(nèi)容是否與預(yù)期默認(rèn)值

一致。

對(duì)芯片可讀寫寄存器進(jìn)行0x00、0x55、0xAA、0xFF內(nèi)容寫讀測(cè)試，判斷讀內(nèi)容是否與寫內(nèi)容一致。

3.4

輸入高低電平VIH/VIL

芯片上電，針對(duì)輸入管腳，通過功能向量，進(jìn)行輸入高低電平加嚴(yán)，觀測(cè)向量是否通過。

3.5

輸出高低電平測(cè)試

芯片上電，針對(duì)輸出和輸入/輸出管腳，在功能向量中的指定周期中施加電流負(fù)載，并測(cè)試電壓，

判斷值是否符合標(biāo)準(zhǔn)。

3.6

Efuse判斷測(cè)試

芯片上電，讀取Efuse相關(guān)寄存器的值，判斷芯片是否已經(jīng)進(jìn)行過燒寫動(dòng)作。

3.7

基準(zhǔn)頻率測(cè)試

芯片上電，配置芯片后，在基準(zhǔn)頻率輸出管腳上進(jìn)行頻率測(cè)試，根據(jù)基準(zhǔn)目標(biāo)計(jì)算差值，記錄對(duì)應(yīng)

的碼字。

3.8

待機(jī)功耗測(cè)試

芯片上電，配置芯片進(jìn)入待機(jī)模式，測(cè)試電源管腳的電流，判斷值是否符合標(biāo)準(zhǔn)。

3.9

靜態(tài)功耗測(cè)試

芯片上電，配置芯片進(jìn)入靜態(tài)模式，測(cè)試電源管腳的電流，判斷值是否符合標(biāo)準(zhǔn)。

3.10

動(dòng)態(tài)功耗測(cè)試

芯片上電，配置芯片進(jìn)入動(dòng)態(tài)模式，測(cè)試電源管腳的電流，判斷值是否符合標(biāo)準(zhǔn)。

3.11

暗光校準(zhǔn)測(cè)試

芯片上電，將芯片置于暗光環(huán)境下，配置芯片后，測(cè)量芯片光感讀值，根據(jù)基準(zhǔn)目標(biāo)計(jì)算差值，記

錄對(duì)應(yīng)的碼字，對(duì)芯片感光能力進(jìn)行校準(zhǔn)與補(bǔ)償。

3.12

Efuse燒寫測(cè)試

芯片上電,根據(jù)基準(zhǔn)頻率和暗光校準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)得到的偏差碼字，進(jìn)行對(duì)應(yīng)燒寫。

3.13

基準(zhǔn)頻率檢查測(cè)試

芯片上電，配置芯片后，在基準(zhǔn)頻率輸出管腳上進(jìn)行頻率測(cè)試，判斷值是否符合標(biāo)準(zhǔn)。

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3.14

暗光校準(zhǔn)檢查測(cè)試

芯片上電，配置芯片后，測(cè)量芯片在暗光環(huán)境下進(jìn)行校準(zhǔn)和補(bǔ)償后的光感讀值，即傳感器的零點(diǎn)輸

出，判斷值是否符合標(biāo)準(zhǔn)。

3.15

固定光強(qiáng)校準(zhǔn)檢查測(cè)試

芯片上電，配置芯片后，測(cè)量芯片在固定光強(qiáng)環(huán)境下光感讀值，判斷值是否符合標(biāo)準(zhǔn)。

4總則

4.1環(huán)境要求

4.1.1除另有規(guī)定外，電測(cè)試環(huán)境條件如下：

a)環(huán)境溫度：15℃～35℃；

b)環(huán)境氣壓：86kPa～106kPa。

4.1.2如果環(huán)境濕度對(duì)試驗(yàn)有影響，應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中規(guī)定。

4.2注意事項(xiàng)

4.2.1環(huán)境或參考點(diǎn)溫度偏離規(guī)定值的范圍應(yīng)符合器件詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定。

4.2.2在測(cè)試需要配置IIC參數(shù)的測(cè)試項(xiàng)時(shí)，電源供電電壓和IIC配置的具體參數(shù)應(yīng)按照生產(chǎn)廠家詳

細(xì)規(guī)范規(guī)定。

4.2.3在測(cè)試暗光校準(zhǔn)檢查測(cè)試項(xiàng)時(shí)，判斷芯片感應(yīng)暗光功能(傳感器零點(diǎn)輸出)是否正常的標(biāo)準(zhǔn)由生

產(chǎn)廠家詳細(xì)規(guī)范規(guī)定。

4.2.4在測(cè)試固定光強(qiáng)校準(zhǔn)檢查測(cè)試項(xiàng)時(shí)，判斷芯片感應(yīng)光強(qiáng)功能是否正常的標(biāo)準(zhǔn)由生產(chǎn)廠家詳細(xì)規(guī)

范規(guī)定。

4.2.5測(cè)試期間應(yīng)避免震動(dòng)等外界干擾對(duì)測(cè)試精度的影響，測(cè)試設(shè)備引起的測(cè)試誤差應(yīng)滿足器件詳細(xì)

規(guī)范的要求。

4.2.6測(cè)試期間，加到被測(cè)器件的電參量的精度應(yīng)符合器件詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定。

4.2.7被測(cè)器件與測(cè)試系統(tǒng)連接或斷開時(shí)，不應(yīng)超過器件的使用極限條件。

4.2.8測(cè)試用例的測(cè)量結(jié)果準(zhǔn)確度，與所用ATE測(cè)試機(jī)的對(duì)應(yīng)儀器資源的測(cè)試精度強(qiáng)相關(guān)。

4.3電參數(shù)符號(hào)

本規(guī)范采用的電參數(shù)文字符號(hào)按表1的規(guī)定。

表1電參數(shù)文字符號(hào)

符號(hào)電參數(shù)

VDDtyp電源管腳典型工作電壓

VDDmin電源管腳最小工作電壓

VDDmax電源管腳最大工作電壓

Iforce施加電流

Vforce施加電壓

Imeasure測(cè)量電流

Vmeasure測(cè)量電壓

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符號(hào)電參數(shù)

Idd電源管腳工作電流

5參數(shù)測(cè)試

5.1開路_短路

5.1.1目的

測(cè)試芯片引腳的內(nèi)部連接關(guān)系。

5.1.2測(cè)試原理圖

圖1開路_短路測(cè)試圖

5.1.3測(cè)試程序

測(cè)試程序如下：

a)將器件接入系統(tǒng)中；

b)器件電源腳輸入電壓0V；

c)在芯片涉及內(nèi)部二極管的PIN上分別施加Iforce-100uA；

d)讀取這些PIN的電壓Vmeasure，記為測(cè)量結(jié)果OS_VSS(內(nèi)部VSS端的二極管)；

e)在芯片涉及內(nèi)部二極管的PIN上分別施加Iforce100uA；

f)讀取這些PIN的電壓Vmeasure，記為測(cè)量結(jié)果OS_VDD(內(nèi)部VDD端的二極管)；

g)根據(jù)SPEC進(jìn)行測(cè)試判決,判斷測(cè)試值是否滿足要求，落在門限范圍內(nèi)，結(jié)果為通過。

5.1.4測(cè)試條件

詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：

a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；

b)管腳輸入電流。

5.1.5注意事項(xiàng)

5.1.5.1電源輸入電壓為0V。

5.1.5.2管腳輸入電流可根據(jù)不同器件和工藝要求做調(diào)整。

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5.1.5.3二極管壓價(jià)值與門限值，遵從器件SPEC。

5.1.5.4需要在測(cè)試PIN施加電流延遲毫秒級(jí)時(shí)間后，再去讀取測(cè)試PIN的電壓。

5.1.5.5各個(gè)PIN間串行測(cè)試，可檢測(cè)被測(cè)PIN間是否有短路問題。

5.2輸入漏電測(cè)試IIH/IIL

5.2.1目的

測(cè)試芯片輸入管腳在輸入高低電平時(shí)的漏電流是否正常。

5.2.2測(cè)試原理圖

圖2輸入漏電測(cè)試圖

測(cè)試程序如下：

a)將器件接入系統(tǒng)中；

b)器件電源腳輸入電壓VDDtyp；

c)在芯片輸入PIN/雙向PIN上施加邏輯高電平電壓；

d)讀取輸入PIN的電流Imeasure，記為測(cè)量結(jié)果IIH；

e)在芯片輸入PIN/雙向PIN上施加邏輯低電平電壓；

f)讀取輸入PIN的電流Imeasure，記為測(cè)量結(jié)果IIL；

g)器件電源管腳下電；

h)根據(jù)SPEC進(jìn)行測(cè)試判決,判斷測(cè)試值是否滿足要求，落在門限范圍內(nèi)，結(jié)果為通過。

5.2.3測(cè)試條件

詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：

a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；

b)電源輸入電壓使用VDDmax；

c)邏輯高電平和邏輯低電平值。

5.2.4注意事項(xiàng)

5.2.4.1電源輸入電壓，及被測(cè)管腳邏輯高/低電平值，以及門限值遵從器件SPEC。

5.2.4.2電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長(zhǎng)度取決于器件VDDPIN外圍電容值。

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5.2.4.3測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。

不下電。

5.3IIC_讀寫測(cè)試

5.3.1目的

測(cè)試芯片IIC讀寫功能是否正常。

5.3.2測(cè)試原理圖

圖3IIC_讀寫測(cè)試圖

5.3.3測(cè)試程序

測(cè)試程序如下：

a)將器件接入系統(tǒng)中；

b)器件電源腳輸入電壓VDDtyp；

c)IIC數(shù)據(jù)管腳施加動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，上拉數(shù)據(jù)管腳輸出電平至所需電壓

d)通過IIC接口(SCL和SDAPIN)讀取指定寄存器值，判斷回讀內(nèi)容是否與預(yù)期默認(rèn)值一致；

e)通過IIC接口對(duì)芯片可讀寫寄存器進(jìn)行0x00內(nèi)容寫讀測(cè)試，判斷讀內(nèi)容是否與寫內(nèi)容一致；

f)通過IIC接口對(duì)芯片可讀寫寄存器進(jìn)行0x55內(nèi)容寫讀測(cè)試，判斷讀內(nèi)容是否與寫內(nèi)容一致；

g)通過IIC接口對(duì)芯片可讀寫寄存器進(jìn)行0xAA內(nèi)容寫讀測(cè)試，判斷讀內(nèi)容是否與寫內(nèi)容一致；

h)通過IIC接口對(duì)芯片可讀寫寄存器進(jìn)行0xFF內(nèi)容寫讀測(cè)試，判斷讀內(nèi)容是否與寫內(nèi)容一致；

i)e-h的四條測(cè)試判決,測(cè)量結(jié)果均為真后，測(cè)試結(jié)果才為通過；

j)器件電源管腳下電；

5.3.4測(cè)試條件

詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：

a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；

b)電源輸入電壓使用VDDtyp；

c)IIC數(shù)據(jù)管腳上拉電壓；

d)IIC數(shù)據(jù)管腳動(dòng)態(tài)負(fù)載電流。

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5.3.5注意事項(xiàng)

5.3.5.1電源輸入電壓遵從器件SPEC。

5.3.5.2IIC數(shù)據(jù)上拉電壓，遵從器件SPEC。

5.3.5.3IIC動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，需要根據(jù)器件IIC上拉電阻及上拉電壓計(jì)算。

5.3.5.4電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長(zhǎng)度取決于器件VDDPIN外圍電容值。

5.3.5.5測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。

5.4輸入高低電平

5.4.1目的

測(cè)試器件識(shí)別輸入高低電平的能力。

5.4.2測(cè)試原理圖

圖4輸入高低電平測(cè)試圖

5.4.3測(cè)試程序

測(cè)試程序如下：

a)將器件接入系統(tǒng)中；

b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；

c)加嚴(yán)輸入管腳的高低電平值；

d)運(yùn)行功能向量；

e)觀測(cè)測(cè)量結(jié)果(向量運(yùn)行結(jié)果)是否通過來進(jìn)行測(cè)試判決，結(jié)果為真時(shí)，測(cè)試結(jié)果為通過；

f)器件斷電。

5.4.4測(cè)試條件

詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：

a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；

b)電源輸入電壓VDDtyp；

c)輸入管腳高低電平VIH，VIL。

5.4.5注意事項(xiàng)

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5.4.5.1電源輸入電壓，遵從器件SPEC。

5.4.5.2輸入高低電平，遵從器件SPEC。

5.4.5.3功能向量通常是IIC對(duì)于特定寄存器的讀寫，隨器件定制。

5.4.5.4電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長(zhǎng)度取決于器件VDDPIN外圍電容值。

5.4.5.5測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。

5.5輸出高低電平測(cè)試

5.5.1目的

測(cè)試器件輸出管腳的驅(qū)動(dòng)能力是否達(dá)標(biāo)。

5.5.2測(cè)試原理圖

圖5輸出高低電平測(cè)試圖

5.5.3測(cè)試程序

測(cè)試程序如下：

a)將器件接入系統(tǒng)中；

b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；

c)在芯片輸出管腳上施加動(dòng)態(tài)負(fù)載電流；

d)設(shè)置輸出儀器數(shù)字通道的高低比較電平VOH和VOL；

e)運(yùn)行功能向量；

f)觀測(cè)測(cè)量結(jié)果(向量運(yùn)行結(jié)果)是否通過來進(jìn)行測(cè)試判決，結(jié)果為真時(shí)，測(cè)試結(jié)果為通過；

g)器件斷電。

5.5.4測(cè)試條件

詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：

a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；

b)電源輸入電壓VDDtyp；

c)動(dòng)態(tài)負(fù)載電流ActiveLoad；

d)輸出高低電平VOH和VOL。

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5.5.5注意事項(xiàng)

5.5.5.1電源輸入電壓，遵從器件SPEC。

5.5.5.2動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，遵從器件SPEC。

5.5.5.3輸出高低電平，遵從器件SPEC。

5.5.5.4功能向量通常是IIC對(duì)于特定寄存器的讀寫，隨器件定制。

5.5.5.5電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長(zhǎng)度取決于器件VDDPIN外圍電容值。

5.5.5.6測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。

5.6Efuse判斷測(cè)試

5.6.1目的

測(cè)試芯片是否進(jìn)行過燒寫動(dòng)作。

5.6.2測(cè)試原理圖

圖6Efuse判斷測(cè)試圖

5.6.3測(cè)試程序

測(cè)試程序如下：

a)將器件接入系統(tǒng)中；

b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；

c)IIC數(shù)據(jù)管腳施加動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，上拉數(shù)據(jù)管腳輸出電平至所需電壓；

d)通過IIC接口(SCL和SDAPIN)讀取燒寫狀態(tài)寄存器值，判斷芯片是否被燒寫過；

e)若芯片燒寫寄存器回讀值為未燒寫狀態(tài)，則芯片為未燒寫芯片。若芯片燒寫寄存器回讀值為已

燒寫狀態(tài)，則芯片為已燒寫芯片；

f)程序中記錄芯片燒寫標(biāo)志位，并通過燒寫標(biāo)志位的回讀狀態(tài)；

g)器件電源管腳下電；

5.6.4測(cè)試條件

詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：

a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；

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b)電源輸入電壓使用VDDtyp；

c)IIC數(shù)據(jù)管腳上拉電壓；

d)IIC數(shù)據(jù)管腳動(dòng)態(tài)負(fù)載電流。

5.6.5注意事項(xiàng)

5.6.5.1電源輸入電壓，遵從器件SPEC。

5.6.5.2IIC數(shù)據(jù)上拉電壓，遵從器件SPEC。

5.6.5.3IIC動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，需要根據(jù)器件IIC上拉電阻及上拉電壓計(jì)算。

5.6.5.4燒寫狀態(tài)寄存器的讀取流程及值的意義，遵從器件SPEC。

5.6.5.5電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長(zhǎng)度取決于器件VDDPIN外圍電容值。

5.6.5.6測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。

5.7基準(zhǔn)頻率測(cè)試

5.7.1目的

測(cè)試芯片的內(nèi)部基準(zhǔn)頻率是否正常。

5.7.2測(cè)試原理圖

圖7基準(zhǔn)頻率測(cè)試圖

5.7.3測(cè)試程序

測(cè)試程序如下：

a)將器件接入系統(tǒng)中；

b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；

c)配置芯片進(jìn)入基準(zhǔn)頻率輸出狀態(tài)；

d)在TEST管腳測(cè)量頻率值，計(jì)算并記錄與目標(biāo)基準(zhǔn)頻率的偏差，記為測(cè)量結(jié)果；

e)將測(cè)量結(jié)果進(jìn)行測(cè)試判決，落在門限范圍內(nèi)，結(jié)果為通過；

f)器件斷電。

5.7.4測(cè)試條件

詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：

10

T/ZJBDTXXXXX—XXXX

a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；

b)電源輸入電壓VDDtyp；

c)基準(zhǔn)頻率輸出狀態(tài)的配置向量。

5.7.5注意事項(xiàng)

5.7.5.1僅當(dāng)芯片燒寫標(biāo)志位狀態(tài)為未燒寫時(shí)，執(zhí)行此測(cè)試項(xiàng)。

5.7.5.2電源輸入電壓，及門限值遵從器件SPEC。

5.7.5.3測(cè)量管腳，隨器件定制。

5.7.5.4基準(zhǔn)頻率輸出狀態(tài)的配置向量，隨器件定制。

5.7.5.5與目標(biāo)基準(zhǔn)頻率的差值，在后續(xù)測(cè)試項(xiàng)內(nèi)作為補(bǔ)償值會(huì)燒寫入芯片，保證芯片基準(zhǔn)頻率精確。

5.7.5.6電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長(zhǎng)度取決于器件VDDPIN外圍電容值。

5.7.5.7測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。

5.8待機(jī)功耗測(cè)試

5.8.1目的

測(cè)試芯片在待機(jī)模式下功耗是否正常。

5.8.2測(cè)試原理圖

圖8待機(jī)功耗測(cè)試圖

5.8.3測(cè)試程序

測(cè)試程序如下：

a)將器件接入系統(tǒng)中；

b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；

c)配置芯片進(jìn)入待機(jī)模式；

d)在電源管腳測(cè)量電流，記為測(cè)量結(jié)果；

e)進(jìn)行測(cè)試判決，落在門限范圍內(nèi)，結(jié)果為通過；

f)器件斷電。

5.8.4測(cè)試條件

11

T/ZJBDTXXXXX—XXXX

詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：

a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；

b)電源輸入電壓VDDtyp；

c)芯片待機(jī)模式的配置向量。

5.8.5注意事項(xiàng)

5.8.5.1電源輸入電壓，及門限值遵從器件SPEC。

5.8.5.2芯片待機(jī)模式的配置向量，隨器件定制。

5.8.5.3電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長(zhǎng)度取決于器件VDDPIN外圍電容值。

5.8.5.4測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。

5.9靜態(tài)功耗測(cè)試

5.9.1目的

測(cè)試芯片在靜態(tài)模式下功耗是否正常。

5.9.2測(cè)試原理圖

圖9靜態(tài)功耗測(cè)試圖

5.9.3測(cè)試程序

測(cè)試程序如下：

a)將器件接入系統(tǒng)中；

b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；

c)配置芯片進(jìn)入靜態(tài)模式；

d)在電源管腳測(cè)量電流，記為測(cè)量結(jié)果；

e)進(jìn)行測(cè)試判決，落在門限范圍內(nèi)，結(jié)果為通過；

f)器件斷電。

5.9.4測(cè)試條件

詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：

a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；

12

T/ZJBDTXXXXX—XXXX

b)電源輸入電壓VDDtyp；

c)芯片靜態(tài)模式的配置向量。

5.9.5注意事項(xiàng)

5.9.5.1電源輸入電壓，及門限值遵從器件SPEC。

5.9.5.2芯片靜態(tài)模式的配置向量，隨器件定制。

5.9.5.3電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長(zhǎng)度取決于器件VDDPIN外圍電容值。

5.9.5.4測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。

5.10動(dòng)態(tài)功耗測(cè)試

5.10.1目的

測(cè)試芯片在動(dòng)態(tài)模式下功耗是否正常。

5.10.2測(cè)試原理圖

圖10動(dòng)態(tài)功耗測(cè)試圖

5.10.3測(cè)試程序

測(cè)試程序如下：

a)將器件接入系統(tǒng)中；

b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；

c)配置芯片進(jìn)入動(dòng)態(tài)模式；

d)在電源管腳測(cè)量電流，記為測(cè)量結(jié)果；

e)進(jìn)行測(cè)試判決，落在門限范圍內(nèi)，結(jié)果為通過；

f)器件斷電。

5.10.4測(cè)試條件

詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：

a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；

b)電源輸入電壓VDDtyp；

c)芯片動(dòng)態(tài)模式的配置向量。

13

T/ZJBDTXXXXX—XXXX

5.10.5注意事項(xiàng)

5.10.5.1電源輸入電壓，及門限值遵從器件SPEC。

5.10.5.2芯片動(dòng)態(tài)模式的配置向量，隨器件定制。

5.10.5.3電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長(zhǎng)度取決于器件VDDPIN外圍電容值。

5.10.5.4測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。

5.11暗光校準(zhǔn)測(cè)試

5.11.1目的

測(cè)試芯片在暗光環(huán)境下，感光輸出值是否正常。

5.11.2測(cè)試原理圖

圖11暗光校準(zhǔn)檢查測(cè)試圖

5.11.3測(cè)試程序

測(cè)試程序如下：

a)將器件接入系統(tǒng)中；

b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；

c)IIC數(shù)據(jù)管腳施加動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，上拉數(shù)據(jù)管腳輸出電平至所需電壓；

d)配置芯片進(jìn)入感光模式；

e)通過指定寄存器值回讀，計(jì)算芯片感光值，計(jì)算并記錄與目標(biāo)基準(zhǔn)值的偏差，記為測(cè)量結(jié)果；

f)進(jìn)行測(cè)試判決，符合器件門限值規(guī)定的，結(jié)果為通過；

g)器件斷電。

5.11.4測(cè)試條件

詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：

a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；

b)電源輸入電壓VDDtyp；

c)芯片感光模式的配置向量。

5.11.5注意事項(xiàng)

14

T/ZJBDTXXXXX—XXXX

5.11.5.1電源輸入電壓，及門限值遵從器件SPEC。

5.11.5.2芯片感光模式的配置向量，隨器件定制。

5.11.5.3IIC數(shù)據(jù)上拉電壓，遵從器件SPEC。

5.11.5.4IIC動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，需要根據(jù)器件IIC上拉電阻及上拉電壓計(jì)算。

5.11.5.5本測(cè)試項(xiàng)芯片傳感器需要置于完全無環(huán)境光影響的密閉暗場(chǎng)環(huán)境內(nèi)。

5.11.5.6與目標(biāo)基準(zhǔn)值的差值，在后續(xù)測(cè)試項(xiàng)內(nèi)會(huì)作為補(bǔ)償值燒寫入芯片，保證芯片暗光感光值精確。

5.11.5.7電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長(zhǎng)度取決于器件VDDPIN外圍電容值。

5.11.5.8測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。

5.12Efuse燒寫測(cè)試

5.12.1目的

將基準(zhǔn)偏差燒寫入芯片，補(bǔ)償芯片的基準(zhǔn)頻率、暗光感光數(shù)值保證對(duì)應(yīng)輸出的精確性。

5.12.2測(cè)試原理圖

圖12Efuse燒寫測(cè)試圖

5.12.3測(cè)試程序

測(cè)試程序如下：

a)將器件接入系統(tǒng)中；

b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；

c)IIC數(shù)據(jù)管腳施加動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，上拉數(shù)據(jù)管腳輸出電平至所需電壓；

d)根據(jù)燒寫流程，將基準(zhǔn)頻率偏差與暗光光感偏差的碼字，寫入對(duì)應(yīng)寄存器，并將燒寫標(biāo)志位置

為真；

e)回讀燒寫標(biāo)志位記為測(cè)量結(jié)果；

f)進(jìn)行測(cè)試判決，標(biāo)志位為真時(shí)，測(cè)試通過；

g)器件斷電。

5.12.4測(cè)試條件

詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：

a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；

15

T/ZJBDTXXXXX—XXXX

b)電源輸入電壓VDDtyp；

c)芯片燒寫流程。

5.12.5注意事項(xiàng)

5.12.5.1電源輸入電壓，遵從器件SPEC。

5.12.5.2芯片燒寫流程，隨器件定制。

5.12.5.3燒寫狀態(tài)寄存器的讀取流程及值的意義，遵從器件SPEC。

5.12.5.4IIC數(shù)據(jù)上拉電壓，遵從器件SPEC。

5.12.5.5IIC動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，需要根據(jù)器件IIC上拉電阻及上拉電壓計(jì)算。

5.12.5.6電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長(zhǎng)度取決于器件VDDPIN外圍電容值。

5.12.5.7測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。

5.13基準(zhǔn)頻率檢查測(cè)試

5.13.1目的

測(cè)試燒寫后，芯片的基準(zhǔn)頻率輸出值是否正常。

5.13.2測(cè)試原理圖

圖13基準(zhǔn)頻率檢查測(cè)試圖

5.13.3測(cè)試程序

測(cè)試程序如下：

a)將器件接入系統(tǒng)中；

b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；

c)配置芯片進(jìn)入基準(zhǔn)頻率輸出狀態(tài)；

d)在TEST管腳測(cè)量頻率值，記為測(cè)量結(jié)果；

e)進(jìn)行測(cè)試判決，符合器件門限值規(guī)定的，結(jié)果為通過；

f)器件斷電。

5.13.4測(cè)試條件

詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：

16

T/ZJBDTXXXXX—XXXX

a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；

b)電源輸入電壓VDDtyp；

c)基準(zhǔn)頻率輸出狀態(tài)的配置向量。

5.13.5注意事項(xiàng)

5.13.5.1電源輸入電壓，及門限值遵從器件SPEC。

5.13.5.2測(cè)量管腳，隨器件定制。

5.13.5.3基準(zhǔn)頻率輸出狀態(tài)的配置向量，隨器件定制。

5.13.5.4電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長(zhǎng)度取決于器件VDDPIN外圍電容值。

5.13.5.5測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。

5.14暗光校準(zhǔn)檢查測(cè)試

5.14.1目的

測(cè)試燒寫后，芯片在暗光環(huán)境下，感光輸出值是否正常。

5.14.2測(cè)試原理圖

圖14暗光校準(zhǔn)檢查測(cè)試圖

5.14.3測(cè)試程序

測(cè)試程序如下：

a)將器件接入系統(tǒng)中；

b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；

c)IIC數(shù)據(jù)管腳施加動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，上拉數(shù)據(jù)管腳輸出電平至所需電壓；

d)配置芯片進(jìn)入感光模式；

e)通過指定寄存器值回讀，計(jì)算芯片感光值，記為測(cè)量結(jié)果；

f)進(jìn)行測(cè)試判決，符合器件門限值規(guī)定的，結(jié)果為通過；

g)器件斷電。

5.14.4測(cè)試條件

詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：

17

T/ZJBDTXXXXX—XXXX

a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；

b)電源輸入電壓VDDtyp；

c)芯片感光模式的配置向量。

5.14.5注意事項(xiàng)

5.14.5.1電源輸入電壓，及門限值遵從器件SPEC。

5.14.5.2芯片感光模式的配置向量，隨器件定制。

5.14.5.3IIC數(shù)據(jù)上拉電壓，遵從器件SPEC。

5.14.5.4IIC動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，需要根據(jù)器件IIC上拉電阻及上拉電壓計(jì)算。

5.14.5.5本測(cè)試項(xiàng)芯片傳感器需要置于完全無環(huán)境光影響的密閉暗場(chǎng)環(huán)境內(nèi)。

5.14.5.6電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長(zhǎng)度取決于器件VDDPIN外圍電容值。

5.14.5.7測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。

5.15固定光強(qiáng)校準(zhǔn)檢查測(cè)試

5.15.1目的

測(cè)試芯片在指定光強(qiáng)環(huán)境下的感光數(shù)值是否正常。

5.15.2測(cè)試原理圖

圖15固定光強(qiáng)校準(zhǔn)檢查測(cè)試圖

5.15.3測(cè)試程序

測(cè)試程序如下：

a)將器件接入系統(tǒng)中；

b)控制外設(shè)光源給芯片施加指定xxLux強(qiáng)度的光；

c)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；

d)IIC數(shù)據(jù)管腳施加動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，上拉數(shù)據(jù)管腳輸出電平至所需電壓；

e)配置芯片進(jìn)入感光模式；

f)通過指定寄存器值回讀，計(jì)算芯片感光值，記為測(cè)量結(jié)果；

g)進(jìn)行測(cè)試判決，符合器件門限值規(guī)定的，結(jié)果為通過；

h)器件斷電。

18

T/ZJBDTXXXXX—XXXX

5.15.4測(cè)試條件

詳細(xì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：

a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；

b)電源輸入電壓VDDtyp；

c)芯片感光模式的配置向量。

5.15.5注意事項(xiàng)

5.15.5.1電源輸入電壓，及門限值遵從器件SPEC。

5.15.5.2芯片感光模式的配置向量，隨器件定制。

5.15.5.3外設(shè)光源施加的光強(qiáng)度，及波長(zhǎng)值，均隨器件定制。

5.15.5.4IIC數(shù)據(jù)上拉電壓，遵從器件SPEC。

5.15.5.5IIC動(dòng)態(tài)負(fù)載電流，需要根據(jù)器件IIC上拉電阻及上拉電壓計(jì)算。

5.15.5.6電源上電后，等待合適延時(shí)后再進(jìn)行測(cè)試，延時(shí)長(zhǎng)度取決于器件VDDPIN外圍電容值。

5.15.5.7測(cè)試完畢后，器件是否下電，取決于測(cè)試需求，驗(yàn)證測(cè)試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測(cè)試優(yōu)先選擇。

本標(biāo)準(zhǔn)未約束流程必須包含固定光通量多點(diǎn)條件下的校準(zhǔn)測(cè)試，用戶可根據(jù)不同產(chǎn)品要求自行增加固定

光通量點(diǎn)條件下的測(cè)試與校準(zhǔn)，并在補(bǔ)償碼字燒寫后，在檢查階段擬合出最終的校準(zhǔn)曲線，加嚴(yán)對(duì)芯片

光感性能的卡控。

19

《環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測(cè)試方法（征求意見稿）》團(tuán)體標(biāo)

準(zhǔn)編制說明

1項(xiàng)目背景

隨著現(xiàn)代化的發(fā)展，光學(xué)傳感器已經(jīng)成為我們生活中不可缺少的

部分，受到智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)字相機(jī)、汽車、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)

域的需求推動(dòng)，市場(chǎng)目前正處于快速增長(zhǎng)階段。光學(xué)傳感器芯片在圖

像處理、物體識(shí)別、環(huán)境檢測(cè)等方面的應(yīng)用也越來越廣泛。其中環(huán)境

光傳感器（AmbientLightSensor,縮寫為ALS,可簡(jiǎn)稱為光感）作為

重要產(chǎn)品，可以感知周圍光線情況，并告知處理芯片自動(dòng)調(diào)節(jié)顯示器

背光亮度，降低產(chǎn)品的功耗，在終端傳感器領(lǐng)域有著重要的地位。

2022年全球集成接近和環(huán)境光傳感器市場(chǎng)銷售額達(dá)到了19億元，

預(yù)計(jì)2030年將達(dá)到28億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）為6.3%（2024-2030）。

根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2023-2028年集成環(huán)境光和接

近傳感器行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及投資前景預(yù)測(cè)分析報(bào)告》顯示，2022

年我國(guó)集成環(huán)境光和接近傳感器市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)9.4億元，同比增長(zhǎng)

6.7%。當(dāng)前在全球電子產(chǎn)業(yè)向中國(guó)轉(zhuǎn)移趨勢(shì)不斷攀升背景下，我國(guó)已

逐步成為全球集成環(huán)境光和接近傳感器主要消費(fèi)國(guó)。

環(huán)境光傳感器芯片是一種通過感知周圍光照強(qiáng)度，實(shí)時(shí)輸出電信

號(hào)的一種傳感芯片，具有暗電流小，低照度響應(yīng)，靈敏度高，電流隨

光照度增強(qiáng)呈線性變化等特性。伴隨環(huán)境光傳感器領(lǐng)域未來的持續(xù)發(fā)

展，必將給環(huán)境光傳感器芯片相關(guān)產(chǎn)業(yè)帶來巨大的商機(jī)，為整個(gè)產(chǎn)業(yè)

鏈帶來非?？捎^的收益。

目前，環(huán)境光感芯片國(guó)外的測(cè)試解決方案，整體成本高昂，產(chǎn)品

交付周期長(zhǎng)；國(guó)產(chǎn)其他測(cè)試解決方案測(cè)試并行數(shù)量低，無法高效完成

量產(chǎn)測(cè)試。故在國(guó)內(nèi)針對(duì)環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)的測(cè)試方法進(jìn)行對(duì)應(yīng)

研究，研制具有較高可靠性和可重復(fù)性的測(cè)試方法，幫助測(cè)試人員更

好地組織和管理測(cè)試工作，提高測(cè)試效率和效果，在實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代、

技術(shù)先進(jìn)性、經(jīng)濟(jì)性、商業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力等維度都有其重要性和必要性。杭

州朗迅科技股份有限公司聯(lián)合省內(nèi)外集成電路上下游企業(yè)、研究所院

校共同編制《環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測(cè)試方法》協(xié)會(huì)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。

2項(xiàng)目來源

本項(xiàng)目根據(jù)浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)浙半?yún)f(xié)〔2024〕6號(hào)文件《浙

江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)關(guān)于〈環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測(cè)試方法〉團(tuán)體標(biāo)

準(zhǔn)立項(xiàng)的通知》，由杭州朗迅科技股份有限公司、浙江大學(xué)、杭州芯

云半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、浙江科技大學(xué)、浙江機(jī)電職業(yè)技術(shù)學(xué)院、西

安電子科技大學(xué)杭州研究院等主導(dǎo)起草，項(xiàng)目周期為6個(gè)月。

3標(biāo)準(zhǔn)制定工作概況

3.1標(biāo)準(zhǔn)制定相關(guān)單位及人員

3.1.1本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：杭州朗迅科技股份有限公司、浙江大學(xué)、

杭州芯云半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、浙江科技大學(xué)、浙江機(jī)電職業(yè)技術(shù)學(xué)

院、西安電子科技大學(xué)杭州研究院、杭州友旺電子有限公司、杭州士

蘭微電子股份有限公司、芯云半導(dǎo)體（諸暨）有限公司、杭州芯海半

導(dǎo)體技術(shù)有限公司等。

3.1.2本標(biāo)準(zhǔn)起草人為：徐振、丁勇、趙達(dá)君、李志凱、丁盛峰、

李其朋、卓婧、陳冰、張志忠、姜飛帆。

3.2主要工作過程

3.2.1前期準(zhǔn)備工作

標(biāo)準(zhǔn)提案：在1月底召開的理事長(zhǎng)會(huì)議上，決定編制環(huán)境光傳

感器芯片參數(shù)測(cè)試方法的協(xié)會(huì)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，為爭(zhēng)取浙江省地方

標(biāo)準(zhǔn)奠定基礎(chǔ)

召開啟動(dòng)、研討會(huì)：2月13日，以線上線下結(jié)合的方式召開第

一次研討會(huì)，標(biāo)準(zhǔn)起草單位的相關(guān)負(fù)責(zé)同志參加此次會(huì)議，

初步確定標(biāo)準(zhǔn)名稱、標(biāo)準(zhǔn)框架、起草單位，表明本標(biāo)準(zhǔn)編制

工作正式啟動(dòng)。

標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)：3月份協(xié)會(huì)下達(dá)了標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)文件。

組建工作組：組建了協(xié)會(huì)和主要企業(yè)相關(guān)負(fù)責(zé)人參加的標(biāo)準(zhǔn)

編寫工作組，明確了編制任務(wù)，擬定了編制工作計(jì)劃。

3.2.2標(biāo)準(zhǔn)草案研制

收集國(guó)內(nèi)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)：收集到GB/T34069-2017《物聯(lián)網(wǎng)總體技

術(shù)智能傳感器特性與分類》、GB/T30269.801-2017《信息

技術(shù)傳感器網(wǎng)絡(luò)第801部分：測(cè)試：通用要求》和GB/T

7665-2005《傳感器通用術(shù)語》及其編制說明，為編制該標(biāo)準(zhǔn)

取得了重要依據(jù)和參考。

開展企業(yè)調(diào)研：到南京天易合芯電子有限公司等地進(jìn)行了實(shí)

地調(diào)研，然后設(shè)計(jì)了《〈環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測(cè)試方法〉

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)調(diào)研表》，向省內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)、封測(cè)企業(yè)了

解環(huán)境光傳感器芯片的關(guān)鍵參數(shù)和設(shè)計(jì)使用時(shí)需要情況。

咨詢行業(yè)研究專家：與浙江大學(xué)、西安電子科技大學(xué)杭州研

究院專家進(jìn)行了連線，就有關(guān)問題進(jìn)行了交流、請(qǐng)教，取得

了一些有益的意見。

編寫標(biāo)準(zhǔn)草案及其編制說明：根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)編制原則，經(jīng)反復(fù)研

究，確定了標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容，編制了標(biāo)準(zhǔn)草案及其編制說明。

3.2.3標(biāo)準(zhǔn)研討會(huì)

2024年3月15日,召開了標(biāo)準(zhǔn)啟動(dòng)會(huì)暨研討會(huì)。會(huì)上，編制組

向與會(huì)專家作了標(biāo)準(zhǔn)的編制說明，匯報(bào)了標(biāo)準(zhǔn)編制的進(jìn)展。與會(huì)專家

和代表對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試范圍和方法細(xì)節(jié)行了研討，提出了具體的修改意

見，并提出四大問題：

1.進(jìn)一步明確本標(biāo)準(zhǔn)界定的測(cè)試用例范疇，確定是否將燒寫相關(guān)

測(cè)試項(xiàng)納入標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測(cè)試范圍。

2.環(huán)境溫度與環(huán)境氣壓作為影響環(huán)境光傳感器芯片電性能測(cè)試

的關(guān)鍵因素，是否需要進(jìn)一步細(xì)化修訂。

3.進(jìn)一步明確電流/頻率基準(zhǔn)、暗光、通光等相關(guān)用例與燒寫用

例之間的物理關(guān)系及實(shí)施目的。

4.標(biāo)準(zhǔn)中涉及的相關(guān)術(shù)語，需與傳感器通用術(shù)語標(biāo)準(zhǔn)要求保持一

致。

會(huì)后，標(biāo)準(zhǔn)工作組與生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)行了深入的溝通，取得了更加詳

細(xì)的實(shí)際能耗數(shù)據(jù)，結(jié)合專家和代表的意見對(duì)標(biāo)準(zhǔn)草案進(jìn)行了修改完

善，特別是對(duì)能耗限額各等級(jí)作了放寬處理，最終形成標(biāo)準(zhǔn)征求意見

稿及其編制說明。

3.2.4征求意見

X月X日開始，向11個(gè)相關(guān)單位和個(gè)人發(fā)送電子版標(biāo)準(zhǔn)征求意

見稿進(jìn)行征求意見。同時(shí)在省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)官網(wǎng)上廣泛征求意見。

近一個(gè)月內(nèi)共回收到15家單位和個(gè)人回復(fù)，回收意見6條，標(biāo)準(zhǔn)工

作組經(jīng)逐條分析研究，2條部分采納（詳見標(biāo)準(zhǔn)征求意見匯總表）。

標(biāo)準(zhǔn)工作組對(duì)標(biāo)準(zhǔn)文本和編制說明再次進(jìn)行修改完善，形成了標(biāo)準(zhǔn)送

審稿。

3.2.5專家評(píng)審

X月X日，省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)組織專家在杭州召開標(biāo)準(zhǔn)評(píng)審會(huì)。

標(biāo)準(zhǔn)工作組介紹了標(biāo)準(zhǔn)編制說明；專家組對(duì)標(biāo)準(zhǔn)送審稿及編制說明進(jìn)

行質(zhì)詢、討論。專家組一致同意通過該標(biāo)準(zhǔn)的評(píng)審，并形成了《浙江

省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)〈環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測(cè)試方法〉評(píng)審

意見》。

3.2.6標(biāo)準(zhǔn)報(bào)批

標(biāo)準(zhǔn)工作組按照專家評(píng)審意見，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)送審稿及其編制說明進(jìn)行

了修改，形成了標(biāo)準(zhǔn)報(bào)批稿及其編制說明，報(bào)浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)

批準(zhǔn)發(fā)布。

4標(biāo)準(zhǔn)編制原則、主要內(nèi)容確定依據(jù)

4.1編制原則

4.1.1協(xié)調(diào)性原則

本標(biāo)準(zhǔn)作為環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測(cè)試指導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)，其內(nèi)容應(yīng)符合

國(guó)家現(xiàn)行的方針、政策、法律、法規(guī)，同時(shí)還應(yīng)與行業(yè)發(fā)展技術(shù)水平

相協(xié)調(diào)，以促進(jìn)行業(yè)技術(shù)升級(jí)。

4.1.2適用性原則

技術(shù)要求指標(biāo)的確定，不僅要考慮科學(xué)性、先進(jìn)性，還要考慮適

用性，滿足使用要求，確?？刹僮餍?。

4.1.3規(guī)范性原則

本標(biāo)準(zhǔn)在編制過程中嚴(yán)格按照GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則

第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》GB/T34069-2017《物聯(lián)網(wǎng)

總體技術(shù)智能傳感器特性與分類》、GB/T30269.801-2017《信息技

術(shù)傳感器網(wǎng)絡(luò)第801部分：測(cè)試：通用要求》和GB/T7665-2005《傳

感器通用術(shù)語》規(guī)定的基本原則和要求進(jìn)行編寫。

4.2主要內(nèi)容確定依據(jù)

標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容包括環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測(cè)試方法的范圍、規(guī)范

性引用文件、術(shù)語和定義、總則、參數(shù)測(cè)試項(xiàng)等。

4.2.1范圍

根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容和適用對(duì)象確定范圍。

4.2.2規(guī)范性引用文件

根據(jù)實(shí)際所引用的規(guī)范性文件按規(guī)定要求排列。

4.2.3術(shù)語和定義

為了便于使用者對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的理解和使用，對(duì)各種測(cè)試項(xiàng)進(jìn)行定義，

包括“開路_短路Open_Short”、“輸入漏電測(cè)試IIH/IIL”、“IIC_

讀寫測(cè)試”、“輸入高低電平VIH/VIL”等。

4.2.4環(huán)境光傳感器類別歸屬

根據(jù)國(guó)標(biāo)GB/T34069-2017《物聯(lián)網(wǎng)總體技術(shù)智能傳感器特性

與分類》的規(guī)定，按傳感器檢測(cè)的對(duì)象對(duì)其進(jìn)行分類，環(huán)境光傳感器

屬于物理量傳感器中的光學(xué)量傳感器分支，隸屬于可見光傳感器分支。

圖1按傳感器檢測(cè)對(duì)象分類

從智能化角度對(duì)智能傳感器進(jìn)行分類，環(huán)境光傳感器芯片屬于集

成式智能傳感器。集成式智能傳感器采用大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)，

將傳感器敏感元件、信號(hào)調(diào)理電路、接口電路和微處理器等集成在同

一塊芯片上，如下圖所示。

圖2集成式智能傳感器框圖

4.2.4傳感器芯片參數(shù)測(cè)試用例的要求

目前，國(guó)內(nèi)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)只查閱到國(guó)標(biāo)GB/T30269.801-2017《信息

技術(shù)傳感器網(wǎng)絡(luò)第801部分：測(cè)試：通用要求》。該標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)參數(shù)測(cè)

試用例的結(jié)構(gòu)做了明確要求，至少包含以下內(nèi)容：

——測(cè)試名稱

——測(cè)試目的

——測(cè)試描述

——測(cè)試設(shè)備

——初始條件

——測(cè)試準(zhǔn)備

——測(cè)試步驟

——測(cè)試判決

但并未查詢有對(duì)環(huán)境光傳感器芯片的測(cè)試用例范圍做出明確規(guī)

定的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。

4.2.5環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測(cè)試用例的相關(guān)技術(shù)要求

本標(biāo)準(zhǔn)針對(duì)環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測(cè)試用例中所包含的具體測(cè)

試要素，做了明確且詳細(xì)的規(guī)定。可指導(dǎo)該類別芯片產(chǎn)品的工程驗(yàn)證

及量產(chǎn)測(cè)試的開發(fā)工作。

4.2.6標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)術(shù)語要求

參照GB/T7665-2005《傳感器通用術(shù)語》，在環(huán)境光傳感器芯

片參數(shù)測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)中涉及的相關(guān)部分術(shù)語方面，與《傳感器通用術(shù)

語》的要求保持一致，主要涉及以下相關(guān)部分：

測(cè)量結(jié)果：由測(cè)量所得到的賦予被測(cè)量的值。

準(zhǔn)確度：測(cè)量結(jié)果與被測(cè)量的真值之間的一致程度。

零點(diǎn)輸出：在規(guī)定條件下，所加被測(cè)量為零時(shí)傳感器的輸出

校準(zhǔn)：在規(guī)定的條件下，通過一定的試驗(yàn)方法記錄相應(yīng)的輸入-

輸出數(shù)據(jù)，以確定傳感器性能的過程。

校準(zhǔn)曲線：根據(jù)校準(zhǔn)數(shù)據(jù)所繪制出的表征傳感器輸入-輸出關(guān)系

的曲線。

偏差：一個(gè)值減去其參考值。

補(bǔ)償：利用附加器件、電路或特殊材料抵消已知誤差(源)的措施

5標(biāo)準(zhǔn)先進(jìn)性體現(xiàn)

當(dāng)前查閱到的國(guó)內(nèi)傳感器類相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，包含GB/T34069-2017《物

聯(lián)網(wǎng)總體技術(shù)智能傳感器特性與分類》、國(guó)標(biāo)GB/T30269.801-2017

《信息技術(shù)傳感器網(wǎng)絡(luò)第801部分：測(cè)試：通用要求》、以及GB/T

7665-2005《傳感器通用術(shù)語》等，只對(duì)傳感器的分類，集成式智能

傳感器(芯片)的測(cè)試用例架構(gòu)以及測(cè)試對(duì)應(yīng)的術(shù)語做了規(guī)定與要求，

但在環(huán)境光傳感器芯片的具體參數(shù)介紹，測(cè)試方法的規(guī)定和指導(dǎo)上并

未提出明確要求。本標(biāo)準(zhǔn)針對(duì)這一細(xì)分空缺領(lǐng)域，進(jìn)行了相應(yīng)的補(bǔ)全

和細(xì)化，使該類傳感器芯片在測(cè)試中能得到全面且量化的測(cè)量結(jié)果，

確保了測(cè)試的先進(jìn)性和準(zhǔn)確性。

6與現(xiàn)行相關(guān)法律、法規(guī)、規(guī)章及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)調(diào)性

6.1目前未查閱到同類國(guó)內(nèi)環(huán)境光傳感器產(chǎn)品的相關(guān)參數(shù)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。

6.2本標(biāo)準(zhǔn)與相關(guān)法律、法規(guī)、規(guī)章、強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)無沖突。

6.3本標(biāo)準(zhǔn)引用了以下標(biāo)準(zhǔn)：

GB/T34069-2017《物聯(lián)網(wǎng)總體技術(shù)智能傳感器特性與分類》、

GB/T30269.801-2017《信息技術(shù)傳感器網(wǎng)絡(luò)第801部分：測(cè)試：

通用要求》

GB/T7665-2005《傳感器通用術(shù)語》

7社會(huì)效益

隨著現(xiàn)代化的發(fā)展，光學(xué)傳感器已經(jīng)成為我們生活中不可缺少的

部分，市場(chǎng)目前正處于快速增長(zhǎng)階段，其中環(huán)境光傳感器作為重要

IP，在終端傳感器領(lǐng)域有著重要的地位。伴隨該未來的持續(xù)發(fā)展，其

芯片相關(guān)產(chǎn)業(yè)無疑蘊(yùn)含著巨大的商機(jī)，將為整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈帶來非?？捎^

的收益。通過本標(biāo)準(zhǔn)的制定，一是為該類芯片在半導(dǎo)體研究實(shí)驗(yàn)端提

供了技術(shù)參考方案，更好地推動(dòng)科研項(xiàng)目的閉環(huán)。二是通過對(duì)該類傳

感器芯片的測(cè)試流程與方法所做的明確規(guī)定，為相關(guān)芯片的工程及量

產(chǎn)活動(dòng)的開展提供了有力的支撐。三是提升了該類國(guó)產(chǎn)芯片在產(chǎn)品量

產(chǎn)端的質(zhì)量，降低應(yīng)用失效率，整體提高了該類芯片商用的品質(zhì)，提

升其與國(guó)外相應(yīng)芯片爭(zhēng)奪市場(chǎng)時(shí)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。綜上所述，本標(biāo)準(zhǔn)的

制定在經(jīng)濟(jì)性、商業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力等維度都有其重要性和必要性，可以實(shí)現(xiàn)

較好的社會(huì)經(jīng)濟(jì)效果。

8重大分歧意見的處理經(jīng)過和依據(jù)

無。

9廢止現(xiàn)行相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的建議

無。

10提出標(biāo)準(zhǔn)強(qiáng)制實(shí)施或推薦實(shí)施的建議和理由

本標(biāo)準(zhǔn)為浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，為推薦性標(biāo)準(zhǔn)，建議

在協(xié)會(huì)會(huì)員中推廣使用。經(jīng)協(xié)會(huì)同意，也可供其他企業(yè)使用。

11貫徹標(biāo)準(zhǔn)的要求和措施建議

標(biāo)準(zhǔn)文本在浙江省半導(dǎo)體協(xié)會(huì)官方網(wǎng)站上全文公布，供社會(huì)免費(fèi)

查閱。協(xié)會(huì)適時(shí)組織開展標(biāo)準(zhǔn)的宣貫工作。

12其他應(yīng)予說明的事項(xiàng)

無。

《環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測(cè)試方法》

標(biāo)準(zhǔn)編制工作組

2024年3月20日

《環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測(cè)試方法（征求意見稿）》團(tuán)體標(biāo)

準(zhǔn)編制說明

1項(xiàng)目背景

隨著現(xiàn)代化的發(fā)展，光學(xué)傳感器已經(jīng)成為我們生活中不可缺少的

部分，受到智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)字相機(jī)、汽車、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)

域的需求推動(dòng)，市場(chǎng)目前正處于快速增長(zhǎng)階段。光學(xué)傳感器芯片在圖

像處理、物體識(shí)別、環(huán)境檢測(cè)等方面的應(yīng)用也越來越廣泛。其中環(huán)境

光傳感器（AmbientLightSensor,縮寫為ALS,可簡(jiǎn)稱為光感）作為

重要產(chǎn)品，可以感知周圍光線情況，并告知處理芯片自動(dòng)調(diào)節(jié)顯示器

背光亮度，降低產(chǎn)品的功耗，在終端傳感器領(lǐng)域有著重要的地位。

2022年全球集成接近和環(huán)境光傳感器市場(chǎng)銷售額達(dá)到了19億元，

預(yù)計(jì)2030年將達(dá)到28億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）為6.3%（2024-2030）。

根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2023-2028年集成環(huán)境光和接

近傳感器行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及投資前景預(yù)測(cè)分析報(bào)告》顯示，2022

年我國(guó)集成環(huán)境光和接近傳感器市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)9.4億元，同比增長(zhǎng)

6.7%。當(dāng)前在全球電子產(chǎn)業(yè)向中國(guó)轉(zhuǎn)移趨勢(shì)不斷攀升背景下，我國(guó)已

逐步成為全球集成環(huán)境光和接近傳感器主要消費(fèi)國(guó)。

環(huán)境光傳感器芯片是一種通過感知周圍光照強(qiáng)度，實(shí)時(shí)輸出電信

號(hào)的一種傳感芯片，具有暗電流小，低照度響應(yīng)，靈敏度高，電流隨

光照度增強(qiáng)呈線性變化等特性。伴隨環(huán)境光傳感器領(lǐng)域未來的持續(xù)發(fā)

展，必將給環(huán)境光傳感器芯片相關(guān)產(chǎn)業(yè)帶來巨大的商機(jī)，為整個(gè)產(chǎn)業(yè)

鏈帶來非?？捎^的收益。

目前，環(huán)境光感芯片國(guó)外的測(cè)試解決方案，整體成本高昂，產(chǎn)品

交付周期長(zhǎng)；國(guó)產(chǎn)其他測(cè)試解決方案測(cè)試并行數(shù)量低，無法高效完成

量產(chǎn)測(cè)試。故在國(guó)內(nèi)針對(duì)環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)的測(cè)試方法進(jìn)行對(duì)應(yīng)

研究，研制具有較高可靠性和可重復(fù)性的測(cè)試方法，幫助測(cè)試人員更

好地組織和管理測(cè)試工作，提高測(cè)試效率和效果，在實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代、

技術(shù)先進(jìn)性、經(jīng)濟(jì)性、商業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力等維度都有其重要性和必要性。杭

州朗迅科技股份有限公司聯(lián)合省內(nèi)外集成電路上下游企業(yè)、研究所院

校共同編制《環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測(cè)試方法》協(xié)會(huì)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。

2項(xiàng)目來源

本項(xiàng)目根據(jù)浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)浙半?yún)f(xié)〔2024〕6號(hào)文件《浙

江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)關(guān)于〈環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測(cè)試方法〉團(tuán)體標(biāo)

準(zhǔn)立項(xiàng)的通知》，由杭州朗迅科技股份有限公司、浙江大學(xué)、杭州芯

云半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、浙江科技大學(xué)、浙江機(jī)電職業(yè)技術(shù)學(xué)院、西

安電子科技大學(xué)杭州研究院等主導(dǎo)起草，項(xiàng)目周期為6個(gè)月。

3標(biāo)準(zhǔn)制定工作概況

3.1標(biāo)準(zhǔn)制定相關(guān)單位及人員

3.1.1本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：杭州朗迅科技股份有限公司、浙江大學(xué)、

杭州芯云半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、浙江科技大學(xué)、浙江機(jī)電職業(yè)技術(shù)學(xué)

院、西安電子科技大學(xué)杭州研究院、杭州友旺電子有限公司、杭州士

蘭微電子股份有限公司、芯云半導(dǎo)體（諸暨）有限公司、杭州芯海半

導(dǎo)體技術(shù)有限公司等。

3.1.2本標(biāo)準(zhǔn)起草人為：徐振、丁勇、趙達(dá)君、李志凱、丁盛峰、

李其朋、卓婧、陳冰、張志忠、姜飛帆。

3.2主要工作過程

3.2.1前期準(zhǔn)備工作

標(biāo)準(zhǔn)提案：在1月底召開的理事長(zhǎng)會(huì)議上，決定編制環(huán)境光傳

感器芯片參數(shù)測(cè)試方法的協(xié)會(huì)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，為爭(zhēng)取浙江省地方

標(biāo)準(zhǔn)奠定基礎(chǔ)

召開啟動(dòng)、研討會(huì)：2月13日，以線上線下結(jié)合的方式召開第

一次研討會(huì)，標(biāo)準(zhǔn)起草單位的相關(guān)負(fù)責(zé)同志參加此次會(huì)議，

初步確定標(biāo)準(zhǔn)名稱、標(biāo)準(zhǔn)框架、起草單位，表明本標(biāo)準(zhǔn)編制

工作正式啟動(dòng)。

標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)：3月份協(xié)會(huì)下達(dá)了標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)文件。

組建工作組：組建了協(xié)會(huì)和主要企業(yè)相關(guān)負(fù)責(zé)人參加的標(biāo)準(zhǔn)

編寫工作組，明確了編制任務(wù)，擬定了編制工作計(jì)劃。

3.2.2標(biāo)準(zhǔn)草案研制

收集國(guó)內(nèi)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)：收集到GB/T34069-2017《物聯(lián)網(wǎng)總體技

術(shù)智能傳感器特性與分類》、GB/T30269.801-2017《信息

技術(shù)傳感器網(wǎng)絡(luò)第801部分：測(cè)試：通用要求》和GB/T

7665-2005《傳感器通用術(shù)語》及其編制說明，為編制該標(biāo)準(zhǔn)

取得了重要依據(jù)和參考。

開展企業(yè)調(diào)研：到南京天易合芯電子有限公司等地進(jìn)行了實(shí)

地調(diào)研，然后設(shè)計(jì)了《〈環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測(cè)試方法〉

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)調(diào)研表》，向省內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)、封測(cè)企業(yè)了

解環(huán)境光傳感器芯片的關(guān)鍵參數(shù)和設(shè)計(jì)使用時(shí)需要情況。

咨詢行業(yè)研究專家：與浙江大學(xué)、西安電子科技大學(xué)杭州研

究院專家進(jìn)行了連線，就有關(guān)問題進(jìn)行了交流、請(qǐng)教，取得

了一些有益的意見。

編寫標(biāo)準(zhǔn)草案及其編制說明：根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)編制原則，經(jīng)反復(fù)研

究，確定了標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容，編制了標(biāo)準(zhǔn)草案及其編制說明。

3.2.3標(biāo)準(zhǔn)研討會(huì)

2024年3月15日,召開了標(biāo)準(zhǔn)啟動(dòng)會(huì)暨研討會(huì)。會(huì)上，編制組

向與會(huì)專家作了標(biāo)準(zhǔn)的編制說明，匯報(bào)了標(biāo)準(zhǔn)編制的進(jìn)展。與會(huì)專家

和代表對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試范圍和方法細(xì)節(jié)行了研討，提出了具體的修改意

見，并提出四大問題：

1.進(jìn)一步明確本標(biāo)準(zhǔn)界定的測(cè)試用例范疇，確定是否將燒寫相關(guān)

測(cè)試項(xiàng)納入標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測(cè)試范圍。

2.環(huán)境溫度與環(huán)境氣壓作為影響環(huán)境光傳感器芯片電性能測(cè)試

的關(guān)鍵因素，是否需要進(jìn)一步細(xì)化修訂。

3.進(jìn)一步明確電流/頻率基準(zhǔn)、暗光、通光等相關(guān)用例與燒寫用

例之間的物理關(guān)系及實(shí)施目的。

4.標(biāo)準(zhǔn)中涉及的相關(guān)術(shù)語，需與傳感器通用術(shù)語標(biāo)準(zhǔn)要求保持一

致。

會(huì)后，標(biāo)準(zhǔn)工作組與生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)行了深入的溝通，取得了更加詳

細(xì)的實(shí)際能耗數(shù)據(jù)，結(jié)合專家和代表的意見對(duì)標(biāo)準(zhǔn)草案進(jìn)行了修改完

善，特別是對(duì)能耗限額各等級(jí)作了放寬處理，最終形成標(biāo)準(zhǔn)征求意見

稿及其編制說明。

3.2.4征求意見

X月X日開始，向11個(gè)相關(guān)單位和個(gè)人發(fā)送電子版標(biāo)準(zhǔn)征求意

見稿進(jìn)行征求意見。同時(shí)在省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)官網(wǎng)上廣泛征求意見。

近一個(gè)月內(nèi)共回收到15家單位和個(gè)人回復(fù)，回收意見6條，標(biāo)準(zhǔn)工

作組經(jīng)逐條分析研究，2條部分采納（詳見標(biāo)準(zhǔn)征求意見匯總表）。

標(biāo)準(zhǔn)工作組對(duì)標(biāo)準(zhǔn)文本和編制說明再次進(jìn)行修改完善，形成了標(biāo)準(zhǔn)送

審稿。

3.2.5專家評(píng)審

X月X日，省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)組織專家在杭州召開標(biāo)準(zhǔn)評(píng)審會(huì)。

標(biāo)準(zhǔn)工作組介紹了標(biāo)準(zhǔn)編制說明；專家組對(duì)標(biāo)準(zhǔn)送審稿及編制說明進(jìn)

行質(zhì)詢、討論。專家組一致同意通過該標(biāo)準(zhǔn)的評(píng)審，并形成了《浙江

省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)〈環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測(cè)試方法〉評(píng)審

意見》。

3.2.6標(biāo)準(zhǔn)報(bào)批

標(biāo)準(zhǔn)工作組按照專家評(píng)審意見，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)送審稿及其編制說明進(jìn)行

了修改，形成了標(biāo)準(zhǔn)報(bào)批稿及其編制說明，報(bào)