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DB52DB52/T861—20132CB003型硅雪崩整流二極管詳細規(guī)范Detailspecificationforsiliconavalancherectifierdiodeoftype2CB0032013-12-06發(fā)布2014-02-01實施貴州省質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布I 1 1 1 1 3 9 1GB/T2423.3電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗GB/T4023半導體器件分立器件和集成電路第GB/T4937.2半導器體器件機GB/T4937.3半導器體器件機械GB/T4937.4半導器體器件機械和氣候試驗GB/T6571半導體器件分立器件24.3.1最大額定值符號A E 一F J <M6外徑N W 一H 圖1外形尺寸表1最大額定值T型號VAAA℃℃注：當Te≥25℃時，按0.56A/℃的速率線性降額。3主要電特性（除非另有規(guī)定，TA=25℃)見表2。VW=1msD≤2%FM=70AVW=1msFM=70AVR1R254單位5FM=70AR1Ⅳ-1.4.1Ⅳ-1.2.3W=1msD≤2%FM=70A5VV35時間：2s±0.5sIR1TA3/sVR1方向：X1、Y1、Z1方向，非工作狀態(tài)6RR7R2W=1msD≤2%V正向不重復浪涌電流反向不重復浪涌電流FSMRSMIR1FSM=490ARSM=75A、tW=10msD≤1%VIR1同A2bV8快速溫度變化后反向漏電流測試IR13/sVIR1VIR1同A2bV9ROVRV器件應貯存在溫度-10℃~40℃和相對濕度不大于80%的干燥、通風、無腐蝕性氣體影響的庫房9.1器件的最大額定值是指對器件能夠安全使用的工作條件和環(huán)境條件的9.2為了有利于提高器件工作的可靠性，應考慮對器件的最大額定值參數(shù)tf。(規(guī)范性附錄)A.2測試電原理圖(見圖A1)IpfIpftr≤20%t(t.=規(guī)定的50%脈沖幅度上的平均脈沖寬度)a)將環(huán)境溫度控制到規(guī)定條件；b)調(diào)節(jié)可調(diào)恒流源G的輸出電流達到規(guī)定值；c)啟動延時電子開關(guān)S,延時規(guī)定

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