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【MOOC期末】《固體與半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)》(電子科技大學(xué))期末中國(guó)大學(xué)慕課答案
有些題目順序不一致,下載后按鍵盤ctrl+F進(jìn)行搜索期末考試固體與半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)期末考試客觀題部分1.單選題:在室溫全電離的情況下,P型半導(dǎo)體的摻雜濃度為,有n型雜質(zhì)()的摻入,若,在不考慮本征激發(fā)的情況下,其電中性條件為()。
選項(xiàng):
A、
B、
C、
D、
答案:【】2.單選題:n型半導(dǎo)體費(fèi)米能級(jí)EF不僅隨溫度變化,還隨摻雜的濃度而變化,當(dāng)n型雜質(zhì)濃度增加,其費(fèi)米能級(jí)逐漸向()靠攏
選項(xiàng):
A、禁帶中線
B、導(dǎo)帶底部
C、價(jià)帶頂部
D、導(dǎo)帶頂部
答案:【導(dǎo)帶底部】3.單選題:在布區(qū)邊界,布洛赫電子的有效電子質(zhì)量m*為
選項(xiàng):
A、負(fù)值
B、正值
C、無窮大
D、零
答案:【負(fù)值】4.單選題:二維晶體,N個(gè)原胞數(shù),每個(gè)原胞有5個(gè)原子,其格波支數(shù)和總振動(dòng)模式數(shù)為
選項(xiàng):
A、2支聲學(xué)波,8支光學(xué)波,振動(dòng)模式數(shù)為10N
B、2支聲學(xué)波,3支光學(xué)波,振動(dòng)模式數(shù)為10N
C、2支聲學(xué)波,3支光學(xué)波,振動(dòng)模式數(shù)為5N
D、2支聲學(xué)波,8支光學(xué)波,振動(dòng)模式數(shù)為5N
答案:【2支聲學(xué)波,8支光學(xué)波,振動(dòng)模式數(shù)為10N】5.單選題:對(duì)于n型半導(dǎo)體和金屬的整流接觸中,正向偏壓的描述正確的是
選項(xiàng):
A、正向偏壓的方向應(yīng)該與自建場(chǎng)的方向一致
B、金屬接正極,半導(dǎo)體接負(fù)極,構(gòu)成正向偏壓
C、金屬接負(fù)極,半導(dǎo)體接正極,構(gòu)成正向偏壓
D、以上都對(duì)
答案:【金屬接正極,半導(dǎo)體接負(fù)極,構(gòu)成正向偏壓】6.單選題:熱平衡狀態(tài)下的非均勻半導(dǎo)體不具有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)。
選項(xiàng):
A、正確
B、錯(cuò)誤
答案:【錯(cuò)誤】7.單選題:是熱平衡狀態(tài)下非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的標(biāo)志,與摻雜情況無關(guān)。
選項(xiàng):
A、正確
B、錯(cuò)誤
答案:【正確】8.單選題:非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的EF隨著溫度的增加,一直向本征費(fèi)米能級(jí)靠攏。
選項(xiàng):
A、正確
B、錯(cuò)誤
答案:【正確】9.單選題:不管是聲學(xué)波還是光學(xué)波,相鄰原子都沿同一方向振動(dòng)。
選項(xiàng):
A、正確
B、錯(cuò)誤
答案:【錯(cuò)誤】[vk-content]10.單選題:布洛赫定理描述的是在周期勢(shì)場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)電子的狀態(tài)。
選項(xiàng):
A、正確
B、錯(cuò)誤
答案:【正確】11.單選題:金剛石的晶體結(jié)構(gòu)是復(fù)式格子。
選項(xiàng):
A、正確
B、錯(cuò)誤
答案:【正確】12.單選題:同一種原子構(gòu)成的晶格是布拉菲格子。
選項(xiàng):
A、正確
B、錯(cuò)誤
答案:【錯(cuò)誤】13.單選題:多數(shù)載流子的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)偏離平衡費(fèi)米能級(jí)比少數(shù)載流子多。
選項(xiàng):
A、正確
B、錯(cuò)誤
答案:【錯(cuò)誤】14.單選題:用費(fèi)米分布函數(shù)描述電子狀態(tài)的半導(dǎo)體是非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體。
選項(xiàng):
A、正確
B、錯(cuò)誤
答案:【錯(cuò)誤】15.單選題:直接帶隙半導(dǎo)體就是導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂在K空間具有相同的波矢。
選項(xiàng):
A、正確
B、錯(cuò)誤
答案:【正確】16.單選題:受主雜質(zhì)電離是電子從受主雜質(zhì)躍遷到價(jià)帶。
選項(xiàng):
A、正確
B、錯(cuò)誤
答案:【錯(cuò)誤】17.單選題:在絕對(duì)零度下,半導(dǎo)體的最高能帶是填滿的。
選項(xiàng):
A、正確
B、錯(cuò)誤
答案:【正確】18.單選題:禁帶的寬度與周期性勢(shì)場(chǎng)有關(guān),禁帶出現(xiàn)的位置與晶體結(jié)構(gòu)有關(guān)。
選項(xiàng):
A、正確
B、錯(cuò)誤
答案:【正確】19.單選題:每個(gè)能帶能容納的電子數(shù)由晶體的原子數(shù)確定。
選項(xiàng):
A、正確
B、錯(cuò)誤
答案:【錯(cuò)誤】20.單選題:晶格振動(dòng)能量的最小單位是“聲子”。
選項(xiàng):
A、正確
B、錯(cuò)誤
答案:【正確】21.在考慮表面態(tài)的情況下,金-半接觸一般只能形成層。在實(shí)際應(yīng)用中要形成歐姆接觸,一般利用效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)。
答案:【阻擋,隧道】22.載流子的漂移運(yùn)動(dòng)由產(chǎn)生的,載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)是由產(chǎn)生的,這兩種運(yùn)動(dòng)由關(guān)系式聯(lián)系起來。
答案:【電場(chǎng),濃度不均勻,愛因斯坦】23.熱平衡狀態(tài)的標(biāo)志是系統(tǒng)具有的費(fèi)米能級(jí),準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)是導(dǎo)帶和價(jià)帶的費(fèi)米能級(jí)。
答案:【統(tǒng)一,局部】24.載流子遭到散射的根本原因是,主要的散射機(jī)構(gòu)有和。
答案:【周期勢(shì)場(chǎng)遭到破壞,電離雜質(zhì),晶格振動(dòng)/周期勢(shì)場(chǎng)遭到破壞,晶格振動(dòng),電離雜質(zhì)】25.能向價(jià)帶提供空穴的雜質(zhì)為雜質(zhì),高溫下的雜質(zhì)半導(dǎo)體呈型。
答案:【受主,本征】26.晶格振動(dòng)是以的形式在晶體中傳播,一維雙原子晶格振動(dòng)的色散關(guān)系分為兩支,一支為支,另一支為支。
答案:【格波,聲學(xué),光學(xué)/格波,光學(xué),聲學(xué)】27.密堆積有和兩種結(jié)構(gòu),其中是復(fù)式格子。
答案:【密積立方,密積六方,密積六方/密積六方,密積立方,密積六方】28.氯化鈉是格子,它的布拉菲格子是結(jié)構(gòu)。
答案:【復(fù)式,面心立方】29.體心立方晶胞體積為原胞體積的倍。
答案:【2】30.晶格的最小重復(fù)單元稱為,它是由平移矢量所構(gòu)成的六面體。
答案:【原胞,平行】31.原子排列情況完全相同的格子稱為格子,它的基元只有個(gè)原子。
答案:【布拉菲,1/布拉菲,一】固體與半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)期末考試主觀題部分1.1.晶格常數(shù)為a一維晶格,采用緊束縛近似計(jì)算(10分)(1)S態(tài)電子能量表達(dá)式;(2)能帶寬度;(3)電子的速度;(4)能帶頂空穴的有效質(zhì)量。
(1)S態(tài)電子能量表達(dá)式;(4分)(2)能帶寬度;(2分)(3)電子的速度;(1分)(4)能帶頂空穴的有效質(zhì)量。(3分)2.畫出n型半導(dǎo)體表面狀態(tài)呈耗盡層和積累層時(shí)的能帶圖,標(biāo)出EF、EC、EV。
耗盡層3分,積累層3分3.畫出平衡p-n結(jié)的能帶圖。(4分)注明導(dǎo)帶底、價(jià)帶頂、費(fèi)米能級(jí)的位置,以及勢(shì)壘高度
導(dǎo)帶底、價(jià)帶頂、費(fèi)米能級(jí)的位置(3分)以及勢(shì)壘高度(1分)4.2.使用使用上一題的圖,畫出和。(5分)
晶面指數(shù)為的晶面為ABCD(2.5分)晶列指數(shù)為的晶列為OE(2.5分)5.求圖中晶列AB的晶列指數(shù)和晶面ODE的晶面指數(shù)(其中A點(diǎn)為所在邊的中點(diǎn))。(5分)
解:晶列AB的晶列指數(shù)(2.5分)晶面ODE的晶面指數(shù)(2.5分)6.施主濃度ND=1017/cm3的n型硅,室溫下的功函數(shù)是多少?若不考慮表面態(tài)的影響,它同Al接觸時(shí),形成阻擋層還是反阻擋層?(7分)[室溫時(shí)kBT=0.026ev,(NC)硅=2.8×1019/cm3,硅的親和能為4.05eV,Al的功函數(shù)為WAl=4.18eV]
17.設(shè)有一長(zhǎng)度為L(zhǎng)的一維金屬線,試求能量E到E+dE的狀態(tài)數(shù)。(5分)
設(shè)有一長(zhǎng)度為L(zhǎng)的一維金屬線,試求能量E到E+d
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