2025年華師大版高三物理下冊(cè)月考試卷含答案

…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請(qǐng)※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內(nèi)※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁，總=sectionpages22頁第=page11頁，總=sectionpages11頁2025年華師大版高三物理下冊(cè)月考試卷含答案考試試卷考試范圍：全部知識(shí)點(diǎn)；考試時(shí)間：120分鐘學(xué)校：______姓名：______班級(jí)：______考號(hào)：______總分欄題號(hào)一二三四五總分得分評(píng)卷人得分一、選擇題(共5題，共10分)1、圖甲為一簡諧橫波在t=0時(shí)刻的波形圖象；圖乙為橫波中x=2m處質(zhì)點(diǎn)A的振動(dòng)圖象，則下列說法正確的是（）

A.波的傳播速度大小為2m/sB.波的傳播方向沿x軸負(fù)方向C.在t=0時(shí)刻，圖甲中質(zhì)點(diǎn)A的振動(dòng)速度大小為0D.在t=1s時(shí)刻，圖甲中質(zhì)點(diǎn)A的加速度為02、小球從高處下落到豎直放置的輕彈簧上．小球從接觸彈簧開始對(duì)將彈簧壓縮到最短的過程中（彈簧一直保持豎直），彈簧彈性勢(shì)能的變化情況是（）A.彈性勢(shì)能逐漸增大B.彈性勢(shì)能逐漸減少C.彈性勢(shì)能先增大后減少D.彈性勢(shì)能先減少后增大3、關(guān)于感應(yīng)電流，下列說法中正確的是：（）A.只要閉合電路里有磁通量，閉合電路里就有感應(yīng)電流B.穿過螺線管的磁通量發(fā)生變化時(shí)，螺線管內(nèi)部就一定有感應(yīng)電流產(chǎn)生C.線框不閉合時(shí)，即使穿過線框的磁通量發(fā)生變化，線框也沒有感應(yīng)電流D.只要電路的一部分切割磁感線運(yùn)動(dòng)電路中就一定有感應(yīng)電流4、關(guān)于放射性同位素的應(yīng)用，下列說法正確的是()A.作為示蹤原子是利用了放射性同位素貫穿能力很強(qiáng)的性質(zhì)B.作為示蹤原子是利用了放射性同位素的射線可以被儀器探測(cè)到的特點(diǎn)C.γ射線探傷是利用了γ射線貫穿能力很強(qiáng)的性質(zhì)D.γ射線探傷是利用了γ射線電離能力很強(qiáng)的性質(zhì)5、【題文】電磁波在空氣中的傳播速度為3×108m/s，某廣播電臺(tái)能夠發(fā)射波長為50m的無線電波，那么收音機(jī)接收這個(gè)電臺(tái)時(shí)，接受頻率應(yīng)工作在()A.1.50MHzB.5.00MHzC.6.00MHzD.3.00MHz評(píng)卷人得分二、填空題(共6題，共12分)6、用如圖所示的LC電路，可以產(chǎn)生電磁振蕩．設(shè)其中所用電容器的電容為C、線圈的自感系數(shù)為L，則該電路輻射電磁波的周期為____．若將所用電容器的電容變?yōu)?C，線圈的自感系數(shù)不變，則電容器的帶電量由最多逐漸減少到零所經(jīng)歷的時(shí)間t=____．7、（2014?南崗區(qū)校級(jí)模擬）如圖所示，豎直放置的均勻等臂U型導(dǎo)熱玻璃管兩端封閉，管內(nèi)裝有水銀，右管水銀面高于左管水銀面，設(shè)高度差為△h，若環(huán)境溫度降低，△h將____（選填“變大”、“變小”或“不變”），右管密閉氣體內(nèi)能____；若右臂水銀上方為真空，不改變溫度而通過閥門k放出少量水銀，穩(wěn)定后△h將____（選填“變大”、“變小”或“不變”）．8、小鋼球自樓頂處由靜止自由下落（不計(jì)空氣阻力），經(jīng)2s落到地面（g取10m/s2），則樓頂距地面的高度為____m；落地時(shí)速度大小為____m/s．9、（2003?廣東）如圖為一正在測(cè)量中的多用電表表盤．

（1）如果是用直流10V檔測(cè)量電壓，則讀數(shù)為____V．

（2）如果是用×100Ω檔測(cè)量電阻，則讀數(shù)為____Ω．

（3）如果是用直流5mA檔測(cè)量電流，則讀數(shù)為____mA．10、【題文】如圖所示，電源兩級(jí)的路端電壓保持12V不變，R1=30變阻器R2的阻值變化范圍是0～10開關(guān)S閉合，當(dāng)變阻器滑片P由a端滑至b端過程中電壓表示數(shù)的變化范圍為____≤U≤____

____11、小球從光滑斜面上的A點(diǎn)由靜止開始下滑做勻加速直線運(yùn)動(dòng)，經(jīng)過2s到達(dá)底端B，接著在光滑水平面上又運(yùn)動(dòng)3s到C點(diǎn)．若5s內(nèi)小球運(yùn)動(dòng)的總路程為16m，則小球在光滑水平面上的速度大小為____m/s，在斜面上運(yùn)動(dòng)時(shí)的加速度大小為____m/s2．評(píng)卷人得分三、判斷題(共5題，共10分)12、普通驗(yàn)電器能直接檢測(cè)物體帶有何種性質(zhì)的電荷．____．（判斷對(duì)錯(cuò)）13、電場(chǎng)力大的地方電場(chǎng)強(qiáng)度一定大．____．（判斷對(duì)錯(cuò)）14、當(dāng)溫度升高時(shí)，物體內(nèi)部所有分子的動(dòng)能都增加．____．（判斷對(duì)錯(cuò)）15、原先沒有磁性的鐵，在長期受到磁鐵的吸引會(huì)產(chǎn)生磁性____．（判斷對(duì)錯(cuò)）16、不論用什么方法，只要穿過閉合電路的磁通量發(fā)生變化，閉合電路中就有電流產(chǎn)生．____（判斷對(duì)錯(cuò)）評(píng)卷人得分四、識(shí)圖作答題(共2題，共12分)17、下圖為某家族甲（相關(guān)基因?yàn)锽、b）、乙（相關(guān)基因?yàn)镈、d）兩種單基因遺傳病的系譜圖，兩對(duì)基因獨(dú)立遺傳，其中Ⅱ-1攜帶乙病致病基因無甲病致病基因。請(qǐng)回答：（1）甲病的遺傳方式為____，乙病的遺傳方式為____。（2）Ⅰ-2的基因型為____，Ⅲ-1和Ⅲ-6基因型相同的概率為____。（3）調(diào)查發(fā)現(xiàn)，人群中患乙病的概率為1/10000。若Ⅲ-3與一位不患乙病的女性結(jié)婚生育一個(gè)兒子，該兒子患乙病的概率為____。（4）若Ⅲ-2與Ⅲ-4婚配，生下一個(gè)兩病兼患女兒的概率為____；后代不攜帶乙病基因的概率為____。18、《本草圖經(jīng)》記載“紫莧，主氣??；赤莧，主血痢?！蹦成锱d趣小組利用紫莧葉肉細(xì)胞進(jìn)行探究光合作用與呼吸作用的實(shí)驗(yàn)。下圖甲表示紫莧葉肉細(xì)胞在光照強(qiáng)度分別為a、b、c、d時(shí)，單位時(shí)間內(nèi)CO2釋放量和O2產(chǎn)生總量（單位：mg）。圖乙表示紫莧葉肉細(xì)胞光合速率與光照強(qiáng)度關(guān)系。請(qǐng)根據(jù)圖回答下列問題：

（1）圖甲中光照強(qiáng)度為c時(shí)，光合作用強(qiáng)度________（填“大于”、“小于”或“等于”）呼吸作用強(qiáng)度。

（2）根據(jù)甲圖可知乙圖中c點(diǎn)是___________________mg。乙圖中f點(diǎn)細(xì)胞中產(chǎn)生ATP的場(chǎng)所有____________。

（3）乙圖中影響c點(diǎn)的主要外界因素是_____________，g點(diǎn)時(shí)突然降低光照強(qiáng)度，則葉綠體內(nèi)C3、C5的變化分別是_______________。

（4）若將空氣中的CO2濃度降低，則圖乙中f點(diǎn)向_____移動(dòng)，x點(diǎn)向________移動(dòng)。評(píng)卷人得分五、簡答題(共3題，共18分)19、A、B兩輛汽車在筆直的公路上同向行駛．當(dāng)B車在A車前84m處時(shí)，B車速度為4m/s，且正以2m/s2的加速度做勻加速運(yùn)動(dòng)；經(jīng)過一段時(shí)間后；B車加速度突然變?yōu)榱悖瓵車一直以20m/s的速度做勻速運(yùn)動(dòng)．經(jīng)過12s后兩車相遇．問：

（1）相遇時(shí)B車的位移；

（2）B車加速行駛的時(shí)間；

（3）相遇時(shí)B車的速度．20、第四周期中的rm{18}種元素具有重要的用途。rm{(1)}金屬釩rm{(V)}在材料科學(xué)上有重要作用，被稱為“合金的維生素”，基態(tài)釩原子的價(jià)電子排布式為______，第四周期元素的第一電離能隨原子序數(shù)的增大，總趨勢(shì)是逐漸增大的，但rm{As}的第一電離能卻要高于rm{Se}原因是______________。rm{(2)}已知四溴化鍺是電子工業(yè)中的一種常用試劑，其熔點(diǎn)為rm{26.1隆忙}沸點(diǎn)為rm{186隆忙}則rm{GeBr_{4}}的晶體類型為_________，中心原子的雜化類型為______，與rm{SiBr_{4}}相比，沸點(diǎn)較低的物質(zhì)是_________________。rm{(3)}第四周期rm{Br}可形成多種含氧酸常見有rm{HBrO}rm{HBrO_{2}}rm{HBrO_{3}}rm{HBrO_{4}}其中酸性最強(qiáng)rm{M}的是________，理由是____________________。rm{(4)}圖為金屬銅的晶胞，此晶胞立方體的邊長為rm{a}rm{cm}金屬銅的密度為rm{婁脩}rm{g/cm^{3}}則阿伏加德羅常數(shù)可表示為______rm{(}用含rm{a}rm{婁脩}的代數(shù)式表示rm{)}21、金屬鈦(Ti)因其硬度大、熔點(diǎn)高、常溫時(shí)耐酸堿腐蝕等性質(zhì)被廣泛用在高新科技材料和航天領(lǐng)域中?！傲蛩岱ā鄙a(chǎn)鈦的原料是鈦鐵礦[主要成分是鈦酸亞鐵（FeTiO3），含有Fe(Ⅲ)等雜質(zhì)]，同時(shí)獲得副產(chǎn)品甲的工業(yè)生產(chǎn)流程如下：（1）濃硫酸處理鈦鐵礦時(shí)產(chǎn)物之一是TiOSO4，反應(yīng)中無氣體放出，寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式____。（2）上述生產(chǎn)流程中加入鐵屑的目的是____，可循環(huán)利用的物質(zhì)是____，檢驗(yàn)副產(chǎn)品甲是否變質(zhì)的實(shí)驗(yàn)方法是____。（3）溶液Ⅰ中含有Fe2+、TiO2+和少量Mg2+等陽離子。常溫下，其對(duì)應(yīng)氫氧化物的Ksp如下表所示。。氫氧化物Fe(OH)2TiO(OH)2Mg(OH)2Ksp8.0×10-161.0×10-291.8×10-11①常溫下，若所得溶液中Mg2+的物質(zhì)的量濃度為0.0018mol/L，當(dāng)pH等于____時(shí)，Mg(OH)2開始沉淀②若將含有Fe2+、TiO2+和Mg2+的溶液加水稀釋，立即析出大量白色沉淀，寫出該反應(yīng)的離子方程式：____。（4）中間產(chǎn)品乙是一種氧化物，其經(jīng)高溫與氯氣、焦炭反應(yīng)，除生成TiCl4外，還生成了一種可燃性氣體，請(qǐng)寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式____。參考答案一、選擇題(共5題，共10分)1、A【分析】【分析】由乙圖讀出t=0時(shí)刻質(zhì)點(diǎn)A的振動(dòng)方向，由甲圖判斷出波的傳播方向．由甲圖讀出波長，由乙圖讀出周期，即可求得波速．根據(jù)t=0時(shí)刻質(zhì)點(diǎn)A的位置分析其速度大小．根據(jù)時(shí)間t=1s與周期的關(guān)系，分析質(zhì)點(diǎn)A的位移，即可確定其加速度的大小．【解析】【解答】解：

A、由甲圖讀出波長λ=8m，由乙圖讀出周期T=4s，則波速v==2m/s．故A正確．

B；由乙圖讀出t=0時(shí)刻質(zhì)點(diǎn)A的振動(dòng)方向沿y軸正方向；由甲圖判斷出波的傳播方向沿x軸正方向．故B錯(cuò)誤．

C；在t=0時(shí)刻；圖甲中質(zhì)點(diǎn)A位于平衡位置，速度最大，不是0，故C錯(cuò)誤．

D、因t=1s=T；圖示時(shí)刻質(zhì)點(diǎn)A的振動(dòng)方向沿y軸正方向，則在t=1s時(shí)刻，圖甲中質(zhì)點(diǎn)A到達(dá)波峰，加速度最大，故D錯(cuò)誤．

故選：A．2、A【分析】【分析】彈簧的彈性勢(shì)能與形變量有關(guān)，形變量越大，則彈性勢(shì)能越大．【解析】【解答】解：小球從接觸彈簧開始對(duì)將彈簧壓縮到最短的過程中（彈簧一直保持豎直）；形變量逐漸增大，則彈性勢(shì)能逐漸增大．故A正確，B；C、D錯(cuò)誤．

故選A．3、C【分析】【解析】試題分析：感應(yīng)電流產(chǎn)生的條件是閉合回路的磁通量發(fā)生變化，A錯(cuò)；對(duì)B螺線管不一定處在閉合回路中，所以穿過螺線管的磁通量發(fā)生變化時(shí)，螺線管內(nèi)部就不一定有感應(yīng)電流產(chǎn)生，B錯(cuò)；線框不閉合時(shí)，即使穿過線框的磁通量發(fā)生變化，線框中只產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，沒有感應(yīng)電流，C對(duì)；電路的一部分切割磁感線運(yùn)動(dòng)時(shí)，回路的磁通量可能不發(fā)生變化，電路中不一定有感應(yīng)電流，D錯(cuò)?？键c(diǎn)：感應(yīng)電流的產(chǎn)生條件【解析】【答案】C4、B|C【分析】【解析】作為示蹤原子是利用了放射性同位素的射線可以被儀器探測(cè)到的特點(diǎn);γ射線探傷是利用了γ射線貫穿能力很強(qiáng)的性質(zhì),BC正確思路分析：作為示蹤原子是利用了放射性同位素的射線可以被儀器探測(cè)到的特點(diǎn);γ射線探傷是利用了γ射線貫穿能力很強(qiáng)的性質(zhì)試題【解析】【答案】BC5、C【分析】【解析】

試題分析：根據(jù)通過計(jì)算可知，頻率為6MHz，所以答案為C

考點(diǎn)：電磁波波速公式。

點(diǎn)評(píng)：本題考查了電磁波的波速公式的簡單計(jì)算?！窘馕觥俊敬鸢浮緾二、填空題(共6題，共12分)6、2ππ【分析】【分析】根據(jù)LC振蕩電路的周期公式：T=2π，電容器的帶電量由最多逐漸減少到零所經(jīng)歷的時(shí)間為四分之一倍的周期．【解析】【解答】解：振蕩電路的振蕩周期T=2π

電容器的帶電量由最多逐漸減少到零所經(jīng)歷的時(shí)間為四分之一倍的周期；為：

T=；

故答案為：2π；π7、變小減少變小【分析】【分析】水銀柱的移動(dòng)是由于受力不平衡而引起的，而它的受力改變又是兩段空氣柱壓強(qiáng)變化量的不同造成的，所以必須從壓強(qiáng)變化入手進(jìn)行求解【解析】【解答】解：假設(shè)若環(huán)境溫度降低后；△h不變化，則兩部分氣體均做等容變化，由查理定律得：

對(duì)于左邊氣體：△P=?△T

對(duì)于右邊氣體：△P′=?△T

而由題意知：P1＞P2；

故有：△P＞△P′

若溫度降低；壓強(qiáng)都減小，左邊氣體壓強(qiáng)降的多，則水銀柱會(huì)向下移動(dòng)，顯然原假設(shè)錯(cuò)誤，△h將減小；

右管密閉氣體膨脹；對(duì)外做功，故內(nèi)能減??；

假設(shè)若通過閥門k放出少量水銀后；△h不變化，則由于右臂水銀上方為真空，氣體的壓強(qiáng)不變；

根據(jù)左邊部分氣體體積將變大；氣體的溫度不變，由pV=c知?dú)怏w的壓強(qiáng)將會(huì)減小，出現(xiàn)矛盾的結(jié)論，故原假設(shè)錯(cuò)誤，故穩(wěn)定后△h將減??；

故答案為：變小，減少；變?。?、2020【分析】【分析】由自由落體的位移公式可求得樓頂?shù)降孛娴母叨龋挥伤俣群臀灰乒娇汕蟮寐涫菚r(shí)的速度．【解析】【解答】解：由h=gt2得。

h=×10×4=20m；

由v2=2gh得。

v===20m/s；

故答案：20209、6.58.0×1023.25【分析】【分析】（1）直流10V檔最小分度為0.2V；準(zhǔn)確值加估計(jì)到0.1V位．

（2）用×100Ω檔測(cè)量電阻；讀數(shù)=指示值×倍率．

（3）直流5mA檔最小分度為0.1mA，準(zhǔn)確值加估計(jì)到0.01mA位．【解析】【解答】解：（1）用直流10V檔測(cè)量電壓；準(zhǔn)確值6.4V，估計(jì)值0.5，讀數(shù)為6.5V．

（2）用×100Ω檔測(cè)量電阻，指示值8.0Ω，倍率為×100，讀數(shù)為8.0×102Ω．

（3）用直流5mA檔測(cè)量電流；準(zhǔn)確值3.2mA，估計(jì)值0.05mA，讀數(shù)為3.25mA．

故本題答案是：

（1）6.5（2）8.0×102（3）3.2510、略

【分析】【解析】

試題分析：電壓表為斷路，整個(gè)電路是串聯(lián)電路，即定值電阻和滑動(dòng)變阻器串聯(lián)，而且滑動(dòng)變阻器串聯(lián)入電路的電阻為最大值且不改變。所以電流電壓表測(cè)量與之并聯(lián)的那部分電阻的電壓，滑片移動(dòng)過程，與電壓表并聯(lián)的電阻從10開始逐漸減小到0，所以電壓表示數(shù)變化為

考點(diǎn)：閉合回路歐姆定律【解析】【答案】11、42【分析】【分析】根據(jù)勻加速運(yùn)動(dòng)和勻速運(yùn)動(dòng)的位移大小之和等于16m，結(jié)合平均速度推論求出在水平面上的速度大小，再根據(jù)速度時(shí)間公式求出在斜面上運(yùn)動(dòng)的加速度大?。窘馕觥俊窘獯稹拷猓涸O(shè)小球在光滑水平面上的速度大小為v，則有：；

代入數(shù)據(jù)解得v=4m/s；

則小球在斜面上運(yùn)動(dòng)的加速度大小a=．

故答案為：4，2．三、判斷題(共5題，共10分)12、×【分析】【分析】驗(yàn)電器使用時(shí)是讓金屬桿上的金屬箔帶上同種電荷，然后同種電荷會(huì)相互排斥從而驗(yàn)證物體是否帶電的．【解析】【解答】解：驗(yàn)電器是利用同種電荷相互排斥的原理制成的；故驗(yàn)電器張開的角度越大，說明帶電體所帶的電荷越多，不能直接判斷電荷的正負(fù)，只可以定性表物體帶電量的多少．

故答案為：×13、×【分析】【分析】根據(jù)電場(chǎng)強(qiáng)度的定義式E=變形得到F與E的關(guān)系式，再分析即可．【解析】【解答】解：根據(jù)電場(chǎng)強(qiáng)度的定義式E=得：F=qE

可知電場(chǎng)力與電場(chǎng)強(qiáng)度和電荷量都有關(guān)；則電場(chǎng)力大的地方電場(chǎng)強(qiáng)度不一定大，故該判斷是錯(cuò)的．

故答案為：×．14、×【分析】【分析】溫度是分子的平均動(dòng)能的標(biāo)志，是大量分子運(yùn)動(dòng)的統(tǒng)計(jì)規(guī)律，由此分析解答即可．【解析】【解答】解：溫度是分子的平均動(dòng)能的標(biāo)志；是大量分子運(yùn)動(dòng)的統(tǒng)計(jì)規(guī)律，對(duì)單個(gè)的分子沒有意義；當(dāng)溫度升高時(shí)，物體內(nèi)的分子的平均動(dòng)能增加，不是物體內(nèi)部所有分子的動(dòng)能都增加．所以該說法是錯(cuò)誤的．

故答案為：×15、√【分析】【分析】在鐵棒未被磁化前，鐵棒內(nèi)的分子電流的排布是雜亂無章的，故分子電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)相互抵消，對(duì)外不顯磁性，但當(dāng)鐵棒靠近磁鐵時(shí)分子電流由于受到磁場(chǎng)的作用而使磁疇的取向大致相同從而被磁化對(duì)外表現(xiàn)出磁性；對(duì)磁鐵加熱或敲打時(shí)會(huì)使磁鐵內(nèi)的分子電流的排布變的雜亂無章，從而使磁鐵的磁性減弱．【解析】【解答】解：在鐵棒未被磁化前；鐵棒內(nèi)的分子電流的排布是雜亂無章的，故分子電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)相互抵消，對(duì)外不顯磁性，但當(dāng)鐵棒靠近磁鐵時(shí)分子電流由于受到磁場(chǎng)的作用而使磁疇的取向大致相同從而被磁化對(duì)外表現(xiàn)出磁性．所以該說法是正確的．

故答案為：√16、√【分析】【分析】感應(yīng)電流產(chǎn)生的條件是穿過閉合電路磁通量發(fā)生變化．1、電路要閉合；2、穿過的磁通量要發(fā)生變化．【解析】【解答】解：感應(yīng)電流產(chǎn)生的條件是穿過閉合電路磁通量發(fā)生變化；只要穿過閉合電路的磁通量發(fā)生變化，閉合電路中就有電流產(chǎn)生．該說法是正確的．

故答案為：√四、識(shí)圖作答題(共2題，共12分)17、（1）常染色體顯性遺傳常染色體隱性遺傳（2）bbDd2/3（3）1/101（4）1/161/3【分析】本題結(jié)合系譜圖，考查人類遺傳病和基因自由組合定律的相關(guān)知識(shí)。分析系譜圖：甲具有世代相傳的特點(diǎn)，應(yīng)為顯性遺傳病，又Ⅱ-3的母親和女兒均正常，因此甲病為常染色體顯性遺傳?。虎?1和Ⅱ-2均無乙病，但他們有一個(gè)患乙病的兒子，即“無中生有為隱性”，說明乙病為隱性遺傳病，且Ⅱ-1攜帶乙病致病基因，說明乙病為常染色體隱性遺傳病。（1）由以上分析可知，甲病的遺傳方式為常染色體顯性遺傳，乙病的遺傳方式為常染色體隱性遺傳。（2）Ⅰ-2正常，因此其基因型為bbD_，由Ⅱ-3（dd）可確定Ⅰ-2的基因型為bbDd；Ⅲ-1的基因型及概率為bbDD（1/3）、bbDd（2/3）,Ⅲ-6的基因型為bbDd，因此兩者相同的概率為2/3。（3）人群中患乙病的概率為1/10000，即bb的基因型頻率為1/10000，因此b的基因頻率為1/100，則B的基因頻率為99/100，根據(jù)遺傳平衡定律，BB的概率為（99/100）×（99/100）,Bb的概率為2×(1/100)×(99/100)，人群中不患乙病的女性是Bb的概率為因此Ⅲ-3（bb）與一位不患乙病的女性結(jié)婚生育一個(gè)兒子，該兒子患乙病的概率為（4）Ⅲ-2的基因型及概率為BbDD（1/3）、BbDd（2/3），Ⅲ-4的基因型為BbDd，生下一個(gè)兩病兼患女兒的概率為后代不攜帶乙病基因的概率是

【解析】（1）常染色體顯性遺傳常染色體隱性遺傳（2）bbDd2/3（3）1/101（4）1/161/318、（1）等于（2）6葉綠體、線粒體、細(xì)胞質(zhì)基質(zhì)（3）溫度和O2濃度C3增多、C5減少（4）右移左移【分析】【分析】本題的知識(shí)點(diǎn)是光照強(qiáng)度對(duì)光合作用的影響，光合作用與呼吸作用之間的關(guān)系，分析題圖獲取信息是解題的關(guān)鍵，本題主要考查學(xué)生識(shí)圖能力和進(jìn)行圖文轉(zhuǎn)換的能力?！窘獯稹浚?）圖甲中光照強(qiáng)度為a時(shí)，氧氣產(chǎn)生總量為0，只進(jìn)行細(xì)胞呼吸，有氧呼吸過程中二氧化碳的產(chǎn)生量和氧氣的消耗量相等均為6mg，光照強(qiáng)度為c時(shí)，氧氣產(chǎn)生總量為6mg，與細(xì)胞呼吸消耗的氧氣量相等，故光合作用強(qiáng)度等于呼吸作用強(qiáng)度。（2）乙圖中e點(diǎn)光照強(qiáng)度為0，只進(jìn)行細(xì)胞呼吸，根據(jù)甲圖可知乙圖中e點(diǎn)是6mg。乙圖中f點(diǎn)表示光補(bǔ)償點(diǎn)，此時(shí)細(xì)胞中光合作用和呼吸作用同時(shí)進(jìn)行，產(chǎn)生ATP的場(chǎng)所有葉綠體、線粒體、細(xì)胞質(zhì)基質(zhì)。（3）乙圖中影響e點(diǎn)的主要外界因素是溫度和O2濃度，g點(diǎn)時(shí)突然降低光照強(qiáng)度，則葉綠體內(nèi)C3的生成速率不變，但光照減弱，光反應(yīng)速率減慢，C3還原速率減慢，所以C3增多；C3還原速率減慢，則C3還原生成C5的速率減慢，但二氧化碳固定消耗C5的速率不變，故C5減少。（4）乙圖中f點(diǎn)表示光補(bǔ)償點(diǎn)，X點(diǎn)表示光飽和點(diǎn)，若將空氣中的CO2濃度降低，光合速率減慢，則圖乙中f點(diǎn)向右移動(dòng)，X點(diǎn)向左移動(dòng)?！窘馕觥浚?）等于（2）6葉綠體、線粒體、細(xì)胞質(zhì)基質(zhì)（3）溫度和O2濃度C3增多、C5減少（4）右移左移五、簡答題(共3題，共18分)19、略

【分析】【分析】B車先做勻加速運(yùn)動(dòng)，加速度變?yōu)榱愫笞鰟蛩僦本€運(yùn)動(dòng)，速度即為勻加速運(yùn)動(dòng)的末速度．根據(jù)速度列出勻速運(yùn)動(dòng)的速度與勻加速運(yùn)動(dòng)的時(shí)間的關(guān)系式．經(jīng)過12s后兩車相遇時(shí)，兩車的位移之差等于84m，根據(jù)位移公式列式求解．【解析】【解答】解：（1）相遇時(shí)AB到達(dá)同一位置，則B車的位移為：xB=vAt0-x0=20×12-84=156m

（2）由題，B車先做勻加速運(yùn)動(dòng)，加速度變?yōu)榱愫笞鰟蛩僦本€運(yùn)動(dòng)．設(shè)B車加速時(shí)的加速度為a，加速時(shí)間為t，B車勻速運(yùn)動(dòng)的速度為VB′．由題意有：

vB+at=vB′①

vAt0=（vBt+）+vB′（t0-t）+x0②

聯(lián)立①②并代數(shù)據(jù)可得：t=6s．

（3）兩車相遇時(shí)；B車的速度為：

vB′=vB+at=4+2×6m/s=16m/s．

答：（1）相遇時(shí)B車的位移為156m；

（2）B車加速行駛的時(shí)間為6s；

（2）相遇時(shí)B車的速度為16m/s．20、（1）3d34s2As原子的價(jià)電子排布式為4s24p3，半充滿，體系的能量較低，原子較穩(wěn)定，故As的第一電離能大于Se

（2）分子晶體sp3SiBr4

（3）HBrO4非羥基氧個(gè)數(shù)最多

（4）【分析】【分析】本題考查較為綜合，晶體類型的判斷、價(jià)電子是排布、電負(fù)性以及晶胞的計(jì)算等知識(shí)，題目難度中等，注意利用均攤法進(jìn)行晶胞有關(guān)計(jì)算，原子核外電子排布與物質(zhì)性質(zhì)的關(guān)系，當(dāng)價(jià)層電子軌道處于全空、全充滿、半充滿時(shí)，較穩(wěn)定。【解答】rm{(1)}釩元素的基態(tài)原子的簡化電子排布式式rm{[Ar]3d}釩元素的基態(tài)原子的簡化電子排布式式rm{(1)}rm{[Ar]3d}rm{{,!}^{3}}rm{4s}rm{4s}rm{{,!}^{2}}，其價(jià)電子是排布式為rm{3d}rm{3d}rm{{,!}^{3}}rm{4s}原子的價(jià)電子排布式為rm{4s}半充滿，體系的能量較低，原子較穩(wěn)定，故Arm{{,!}^{2}}的第一電離能大于，rm{As}

rm{4s^{2}4p^{3}}rm{s}rm{Se}，故答案為：rm{3d}rm{3d}原子的價(jià)電子排布式為rm{{,!}^{3}}半充滿，體系的能量較低，原子較穩(wěn)定，故Arm{4s}的第一電離能大于rm{4s}rm{{,!}^{2}}

；四溴化鍺的熔沸點(diǎn)低，所以rm{As}rm{4s^{2}4p^{3}}rm{s}rm{Se}；rm{(2)}四溴化鍺的熔沸點(diǎn)低，所以rm{GeBr}rm{(2)}rm{GeBr}rm{{,!}_{4}}是分子晶體；鍺與溴形成四個(gè)共價(jià)鍵，所以中心原子的雜化類型為rm{sp}rm{sp}rm{{,!}^{3}}，與rm{SiBr}rm{SiBr}rm{{,!}_{4}}相比，相對(duì)分子質(zhì)量較小的為rm{SiBr}根據(jù)題意，非羥基氧個(gè)數(shù)最多，酸性越強(qiáng)，故高溴酸酸性最強(qiáng)，故答案為：rm{SiBr}非羥基氧個(gè)數(shù)最多；rm{{,!}_{4}}晶胞中含有銅原子數(shù)目，所以沸點(diǎn)較低的物質(zhì)是rm{SiBr}rm{SiBr}rm{{,!}_{4}}，故答案為：分子晶體；rm{sp}rm{sp}則晶胞質(zhì)量為rm{{,!}^{3}}；rm{SiBr}該晶胞體積為rm{SiBr}rm{{,!}_{4}}；rm{(3)}根據(jù)題意，rm{(3)}rm{HBrO_{4}}rm{(4)}晶胞中含有銅原子數(shù)目rm{=8隆脕}rm{(4)}rm{=8隆脕}rm{dfrac{1}{8}}rm{+6隆脕}rm{+6隆脕}rm{dfrac{1}{2}}rm{=4}則晶胞質(zhì)量為rm{=4}rm{dfrac{4隆脕64}{N;_{A}}}rm{g}該晶胞體積為rm{a}rm{g}

rm{a}rm{{,!}^{3;}}rm{cm}rm{cm}【解析】rm{(1)3d^{3}4s^{2;;;}}rm{As}原子的價(jià)電子排布式為rm{4s^{2}4p^{3}}半充滿，體系的能量較低，原子