2025年北師大版選修三化學(xué)下冊(cè)月考試卷

…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請(qǐng)※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內(nèi)※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁，總=sectionpages22頁第=page11頁，總=sectionpages11頁2025年北師大版選修三化學(xué)下冊(cè)月考試卷313考試試卷考試范圍：全部知識(shí)點(diǎn)；考試時(shí)間：120分鐘學(xué)校：______姓名：______班級(jí)：______考號(hào)：______總分欄題號(hào)一二三四五總分得分評(píng)卷人得分一、選擇題(共6題，共12分)1、下列軌道表示式所表示的元素原子中，其能量處于最低狀態(tài)的是()A.B.C.D.2、下列說法中正確的是A.元素的第一電離能越大，其金屬性越強(qiáng)B.原子核外的M層上的s能級(jí)和p能級(jí)都填滿了電子，而d軌道上尚未排有電子的兩種原子，其對(duì)應(yīng)元素不一定位于同一周期C.元素電負(fù)性越大的原子，失電子能力越強(qiáng)D.金屬單質(zhì)跟酸反應(yīng)的難易，只跟該金屬元素的第一電離能有關(guān)3、現(xiàn)有四種元素的基態(tài)原子的電子排布式如下：

①1s22s22p63s23p2；②1s22s22p63s23p3；③1s22s22p3；④1s22s22p5。

則下列有關(guān)比較中正確的是A.最高正化合價(jià)：④＞③=②＞①B.原子半徑：②＞①＞④＞③C.第一電離能：①＞②＞③＞④D.電負(fù)性：④＞③＞②＞①4、已知X、Y是主族元素，I為電離能，單位是kJ·mol-1。請(qǐng)根據(jù)下表所列數(shù)據(jù)判斷；下列說法錯(cuò)誤的是()

。元素。

I1

I2

I3

I4

X

500

4600

6900

9500

Y

580

1800

2700

11600

A.元素X的常見化合價(jià)是+1價(jià)B.元素Y是第ⅢA族元素C.元素X與氯形成化合物時(shí)，化學(xué)式可能是XClD.若元素Y處于第三周期,則它可與冷水劇烈反應(yīng)5、儲(chǔ)氫合金是一類能夠大性吸收氫氣，并與氫氣結(jié)合成金屬氫化物的材料，如鑭(La)鎳(Ni)合金．它吸收氫氣可結(jié)合成金屬氫化物。某鑭鎳儲(chǔ)氫合金晶胞結(jié)構(gòu)如圖．該材料中La、Ni、H2的粒子個(gè)數(shù)比為。

A.8:9:10B.1:5:6C.1:5:3D.1:5:56、類推的思維方法在化學(xué)學(xué)習(xí)與研究中可能會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤的結(jié)論，因此類推出的結(jié)論需經(jīng)過實(shí)踐的檢驗(yàn)才能確定其正確與否。下列幾種類推結(jié)論正確的是A.金剛石中C—C鍵的鍵長(zhǎng)為154.45pm，C60中C—C鍵的鍵長(zhǎng)為140~145pm，所以C60的熔點(diǎn)高于金剛石B.CO2晶體是分子晶體，SiO2晶體也是分子晶體C.從CH4、為正面體結(jié)構(gòu)，可推測(cè)CC14、也為正四面體結(jié)構(gòu)D.H2O常溫下為液態(tài)，H2S常溫下也為液態(tài)評(píng)卷人得分二、多選題(共8題，共16分)7、多電子原子中，原子軌道能級(jí)高低次序不同，能量相近的原子軌道為相同的能級(jí)組。元素周期表中，能級(jí)組與周期對(duì)應(yīng)。下列各選項(xiàng)中的不同原子軌道處于同一能級(jí)組的是A.ls、2sB.2p、3sC.3s、3pD.4s、3d8、下表中所列的五種短周期元素；原子序數(shù)連續(xù)，但與表中排列順序無關(guān)。用m表示基態(tài)原子的價(jià)電子數(shù)，用n表示基態(tài)原子的未成對(duì)電子數(shù)，m—n的值如下表所示：

下列說法錯(cuò)誤的是A.第一電離能：A<td><>B.電負(fù)性：E<td><>C.原子序數(shù)：B<td><>D.核外未成對(duì)電子數(shù)：C=D9、下列敘述正確的是【】A.氫鍵是一種特殊的化學(xué)鍵，廣泛存在于自然界中B.CO和N2的分子量相同，但CO的沸點(diǎn)比N2的高C.CH2＝CH2分子中共有四個(gè)σ鍵和一個(gè)π鍵D.若把H2S分子寫成H3S分子，違背了共價(jià)鍵的飽和性10、下列說法不正確的是（）A.苯分子中每個(gè)碳原子的sp2雜化軌道中的其中一個(gè)形成大π鍵B.Na3N與NaH均為離子化合物，都能與水反應(yīng)放出氣體，且與水反應(yīng)所得溶液均能使酚酞溶液變紅C.配離子[Cu(En)2]2+（En是乙二胺的簡(jiǎn)寫）中的配位原子是C原子，配位數(shù)為4D.H2O中的孤對(duì)電子數(shù)比H3O+的多，故H2O的鍵角比H3O+的鍵角小11、下列分子或離子中,中心原子含有孤電子對(duì)的是A.H3O+B.SiH4C.PH3D.-12、硼砂是含結(jié)晶水的四硼酸鈉，其陰離子Xm-（含B、O、H三種元素）的球棍模型如圖所示。下列說法正確的是（）

A.m=2B.在Xm-中，硼原子軌道的雜化類型相同C.1、2原子間和4、5原子間的化學(xué)鍵可能是配位鍵D.若382g硼砂晶體中含2molNa+，則硼砂的化學(xué)式為Na2B4O7?10H2O13、有關(guān)晶體的敘述正確的是（）A.在24g石墨中，含C-C共價(jià)鍵鍵數(shù)為3molB.在12g金剛石中，含C-C共價(jià)鍵鍵數(shù)為4molC.在60g二氧化硅中，含Si-O共價(jià)鍵鍵數(shù)為4molD.在NaCl晶體中，與Na+最近且距離相等的Na+有6個(gè)14、在某晶體中；與某一個(gè)微粒x距離最近且等距離的另一個(gè)微粒y所圍成的立體構(gòu)型為如圖所示的正八面體形。該晶體可能是。

A.NaCl晶體（x＝Na＋，y＝Cl－）B.CsCl晶體（x＝Cs＋，y＝Cl－）C.CaTiO3晶體（x＝Ti4＋，y＝O2－）D.NiAs晶體（x＝Ni，y＝As）評(píng)卷人得分三、填空題(共8題，共16分)15、[化學(xué)—選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]

硅是重要的半導(dǎo)體材料；構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。請(qǐng)回答下列問題：

（1）基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為_______，該能層具有的原子軌道數(shù)為________、電子數(shù)為___________。

（2）硅主要以硅酸鹽、___________等化合物的形式存在于地殼中。

（3）單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以___________相結(jié)合，其晶胞中共有8個(gè)原子，其中在面心位置貢獻(xiàn)__________個(gè)原子。

（4）單質(zhì)硅可通過甲硅烷（SiH4）分解反應(yīng)來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為___________________________________。

（5）碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示，簡(jiǎn)要分析和解釋下列有關(guān)事實(shí)：。化學(xué)鍵C—CC—HC—OSi—SiSi—HSi—O鍵能/(kJ?mol-1356413336226318452

①硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多，原因是______。

②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是___________________________。

（6）在硅酸鹽中，SiO4-4四面體（如下圖（a））通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖（b）為一種無限長(zhǎng)單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為______，Si與O的原子數(shù)之比為_________，化學(xué)式為__________________。

16、Mn、Fe均為第四周期過渡元素，兩元素的部分電離能數(shù)據(jù)列于下表：。元素FeFe電離能/kJ·mol-1I1717759I2150915611561I3324829572957

回答下列問題：

(1)亞鐵離子價(jià)電子層的電子排布式為_______

(2)Fe原子或離子外圍有較多能量相近的空軌道而能與一些分子或離子形成配合物。

①與Fe原子或離子形成配合物的分子或離子應(yīng)具備的結(jié)構(gòu)特征是_______；

②六氰合亞鐵離子(Fe(CN))中的配體CN-中C原子的雜化軌道類型是_______，寫出一種與CN-互為等電子體的單質(zhì)分子的電子式_______；

(3)金屬鐵的晶體在不同溫度下有兩種堆積方式，晶胞分別如右圖所示。體心立方晶胞和面心立方晶胞中實(shí)際含有的Fe原子個(gè)數(shù)之比為_______。

17、三價(jià)鉻離子(Cr3+)是葡萄糖耐量因子(GTF)的重要組成成分，GTF能夠協(xié)助胰島素發(fā)揮作用。構(gòu)成葡萄糖耐量因子和蛋白質(zhì)的元素有C、H、O、N、S、Cr等；回答下列問題：

(l)Cr的價(jià)電子排布式為______；

(2)O、N、S的第一電離能由大到小的順序?yàn)開_____；

(3)SO2分子的VSEPR模型為______，其中心原子的雜化方式為______；

(4)CO和N2互為等電子體，兩種物質(zhì)相比沸點(diǎn)較高的是______，其原因是______；

(5)化學(xué)式為CrCl3?6H2O的化合物有多種結(jié)構(gòu)，其中一種可表示為[CrCl2(H2O)4]Cl?2H2O，該物質(zhì)的配離子中提供孤電子對(duì)的原子為______，配位數(shù)為______；

(6)NH3分子可以與H+結(jié)合生成這個(gè)過程發(fā)生改變的是______(填序號(hào))

A.微粒的空間構(gòu)型B.N原子的雜化類型C.H-N-H鍵角D.微粒的電子數(shù)。

(7)由碳元素形成的某種晶體的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，若阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，晶體的密度為ρg?cm-3，則該晶胞的棱長(zhǎng)為______pm。

18、新型儲(chǔ)氫材料是開發(fā)利用氫能的重要研究方向。

（1）Ti(BH4)3是一種儲(chǔ)氫材料，可由TiCl4和LiBH4反應(yīng)制得。

①基態(tài)Cl原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為____。，該能層具有的原子軌道數(shù)為____。

②LiBH4由Li+和BH4-構(gòu)成，BH4-的立體結(jié)構(gòu)是____，Li、B、H元素的電負(fù)性由大到小排列順序?yàn)開________。

（2）金屬氫化物是具有良好發(fā)展前景的儲(chǔ)氫材料。

①LiH中，離子半徑：Li+_________H－(填“＞”；“＝”或“＜”）。

②某儲(chǔ)氫材料是短周期金屬元素M的氫化物。M的部分電離能如下表所示：。I1/kJ·mol-1I2/kJ·mol-1I3/kJ·mol-1I4/kJ·mol-1I5/kJ·mol-1738145177331054013630

M是_________(填元素符號(hào)）。19、回答下列問題：

(1)1molCO2中含有的σ鍵數(shù)目為________；π鍵數(shù)目為________。

(2)已知CO和CN－與N2結(jié)構(gòu)相似，CO分子內(nèi)σ鍵與π鍵個(gè)數(shù)之比為________。CH2=CHCN分子中σ鍵與π鍵數(shù)目之比為________。

(3)肼(N2H4)分子可視為NH3分子中的—個(gè)氫原子被-NH2(氨基)取代形成的另一種氮的氫化物。肼可用作火箭燃料，燃燒時(shí)發(fā)生的反應(yīng)：N2O4(l)＋2N2H4(l)===3N2(g)＋4H2O(g)ΔH＝－1038.7kJ·mol-1若該反應(yīng)中有4molN—H鍵斷裂；則形成的π鍵有________mol。

(4)Co基態(tài)原子核外電子排布式為____________；

基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為____________；

Zn2+的價(jià)電子軌道表示式為_______________；

Co3+核外電子未成對(duì)電子數(shù)為__________________。

(5)CH4、NH3、H2O、HF分子中共價(jià)鍵的極性由強(qiáng)到弱的順序是_______________________。20、下列物質(zhì)易溶于水的是________，易溶于CCl4的是________。(均填編號(hào))

①NH3②CH4③④HCl⑤C2H4⑥Br2⑦HNO3⑧H2S21、銅的化合物用途非常廣泛。已知下列反應(yīng)：[Cu(NH3)2]++NH3+CO?[Cu(NH3)3CO]+，2CH3COOH+2CH2＝CH2+O22CH3COOCH＝CH2+2H2O。

(1)Cu2+基態(tài)核外電子排布式為______。

(2)NH3分子空間構(gòu)型為_______，其中心原子的雜化類型是______。

(3)CH3COOCH＝CH2分子中碳原子軌道的雜化類型是_______，1molCH3COOCH＝CH2中含鍵數(shù)目為_____。

(4)CH3COOH可與H2O混溶，除因?yàn)樗鼈兌际菢O性分子外，還因?yàn)開_________。

(5)配離子[Cu(NH3)3CO]+中NH3及CO中的C與Cu(Ⅰ)形成配位鍵。不考慮空間構(gòu)型，[Cu(NH3)3CO]+的結(jié)構(gòu)示意圖表示為____22、（1）可用作食鹽的抗結(jié)劑，高溫下會(huì)分解生成KCN、C、C等物質(zhì)，上述物質(zhì)中涉及的幾種元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)開_____；中，鐵原子不是采用雜化的理由是______。

（2）氣態(tài)為單分子時(shí)，分子中S原子的雜化軌道類型為______，分子的立體構(gòu)型為______；的三聚體環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示，該結(jié)構(gòu)中鍵長(zhǎng)有a、b兩類，b的鍵長(zhǎng)大于a的鍵長(zhǎng)的可能原因?yàn)開_____。

（3）已知：多原子分子中，若原子都在同一平面上且這些原子有相互平行的p軌道，則p電子可在多個(gè)原子間運(yùn)動(dòng)，形成“離域鍵”或大鍵大鍵可用表示，其中m、n分別代表參與形成大鍵的電子數(shù)和原子個(gè)數(shù)，如苯分子中大鍵表示為

①下列微粒中存在“離域鍵”的是______；

A.

②分子中大鍵可以表示為______；

（4）鐵、鉀兩種單質(zhì)的堆積方式剖面圖分別如圖2、圖3所示。鐵晶體中原子的空間利用率為______用含的式子表示評(píng)卷人得分四、實(shí)驗(yàn)題(共1題，共9分)23、現(xiàn)有兩種配合物晶體[Co(NH3)6]Cl3和[Co(NH3)5Cl]Cl2，一種為橙黃色，另一種為紫紅色。請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)方案將這兩種配合物區(qū)別開來_____________________________。評(píng)卷人得分五、工業(yè)流程題(共1題，共5分)24、飲用水中含有砷會(huì)導(dǎo)致砷中毒，金屬冶煉過程產(chǎn)生的含砷有毒廢棄物需處理與檢測(cè)。冶煉廢水中砷元素主要以亞砷酸(H3AsO3)形式存在；可用化學(xué)沉降法處理酸性高濃度含砷廢水，其工藝流程如下：

已知：①As2S3與過量的S2-存在反應(yīng)：As2S3(s)+3S2-(aq)?2(aq)；

②亞砷酸鹽的溶解性大于相應(yīng)砷酸鹽。

(1)砷在元素周期表中的位置為_______；AsH3的電子式為______；

(2)下列說法正確的是_________；

a.酸性：H2SO4>H3PO4>H3AsO4

b.原子半徑：S>P>As

c.第一電離能：S

(3)沉淀X為__________(填化學(xué)式)；

(4)“一級(jí)沉砷”中FeSO4的作用是________。

(5)“二級(jí)沉砷”中H2O2與含砷物質(zhì)反應(yīng)的化學(xué)方程式為__________；

(6)關(guān)于地下水中砷的來源有多種假設(shè)，其中一種認(rèn)為富含砷的黃鐵礦(FeS2)被氧化為Fe(OH)3，同時(shí)生成導(dǎo)致砷脫離礦體進(jìn)入地下水。FeS2被O2氧化的離子方程式為______________。參考答案一、選擇題(共6題，共12分)1、D【分析】【分析】

遵循洪特規(guī)則；泡利不相容原理、能量最低原理的基態(tài)原子排布能量最低；以此分析。

【詳解】

A.2s能級(jí)的能量比2p能量低；電子盡可能占據(jù)能量最低的軌道，不符合能量最低原理，原子處于能量較高的激發(fā)態(tài)，A錯(cuò)誤；

B.2p能級(jí)的能量比3s能量低；電子盡可能占據(jù)能量最低的軌道，不符合能量最低原理，原子處于能量較高的激發(fā)態(tài)，B錯(cuò)誤；

C.電子處于2s能級(jí)的能量比2p能量低；電子盡可能占據(jù)能量最低的軌道，不符合能量最低原理，原子處于能量較高的激發(fā)態(tài)，C錯(cuò)誤。

D.能級(jí)能量由低到高的順序?yàn)椋?s；2s、2p、3s；每個(gè)軌道最多只能容納兩個(gè)電子；且自旋相反，能級(jí)相同的軌道中電子優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)1個(gè)軌道，且自旋方向相同，能量最低，D正確；

故合理選項(xiàng)是D。

【點(diǎn)睛】

本題考查基態(tài)原子核外電子排布規(guī)則，原子核外電子排布時(shí)遵循洪特規(guī)則、泡利不相容原理、能量最低原理，遵循上述三條排布規(guī)律的基態(tài)原子排布能量最低，處于基態(tài)，否則就處于激發(fā)態(tài)。2、B【分析】【詳解】

A．第一電離能越大；原子失電子能力越弱，金屬性越弱，故A錯(cuò)誤；

B．原子核外的M層上的s能級(jí)和p能級(jí)都填滿了電子的原子是Ar；而3d軌道上沒有排電子的原子可以在4s軌道上排了電子，所以可以是氬元素，也可以是鉀，故B正確；

C．元素電負(fù)性越大的原子；吸引電子能力越強(qiáng)，故C錯(cuò)誤；

D．金屬單質(zhì)跟酸反應(yīng)時(shí)，例如鈉生成價(jià)的化合物，鎂生成價(jià)的化合物；鋁生成+3價(jià)的化合物，所以不只跟該金屬元素的第一電離能有關(guān)，與第二電離能，第三電離能也有關(guān)系，故D錯(cuò)誤；

答案選B。3、D【分析】【詳解】

四種元素基態(tài)原子電子排布式可知；①是Si元素，②是P元素，③是N元素，④F元素。

A.F元素沒有正化合價(jià)，元素的最高正化合價(jià)等于最外層電子數(shù)，Si最外層4個(gè)電子，P、N最外層都是5個(gè)電子，所以最高正化合價(jià)：②=③>①；A錯(cuò)誤；

B.同周期自左往右，原子半徑逐漸減小，所以原子半徑PF，電子層越多原子半徑越大，故原子半徑Si>P>N>F，即①>②>③>④；B錯(cuò)誤；

C.同周期自左往右，第一電離能呈增大趨勢(shì)，故第一電離能NP，因而第一電離能F>N>P>Si，即④>③>②>①；C錯(cuò)誤；

D.同周期自左往右，電負(fù)性逐漸增大，所以電負(fù)性Si③>②>①；D正確。

故答案選D。4、D【分析】【分析】

觀察表中的數(shù)據(jù)，X元素的I1和I2相差很大，而I2、I3、I4的差距相差較小，則X易形成X+，即X位于IA族；同理，Y元素的I3和I4相差極大，則Y易形成Y3+；Y位于IIIA族。

【詳解】

A.由電離能的數(shù)據(jù)可以推出X易形成+1價(jià)的化合物；A正確；

B.由電離能的數(shù)據(jù)可以推出Y易形成+3價(jià)的化合物；則Y位于IIIA族，B正確；

C.X位于IA族；則其與氯形成化合物時(shí)，化學(xué)式可能是XCl，C正確；

D.Y位于IIIA族；若Y在第三周期，則Y為Al，它和沸水反應(yīng)緩慢，不和冷水反應(yīng)，D錯(cuò)誤；

故合理選項(xiàng)為D。

【點(diǎn)睛】

對(duì)于元素的電離能而言，In和In+1的兩個(gè)數(shù)據(jù)發(fā)生突變時(shí)，該元素易形成+n價(jià)的化合物，從而可以判斷該元素在周期表中的族位置。5、C【分析】【詳解】

由晶胞結(jié)構(gòu)可知，鑭原子都在晶胞頂點(diǎn)上，晶胞含有的鑭原子為8×=1，晶胞中心有一個(gè)鎳原子，其他鎳原子都在晶胞面上，晶胞中含有的鎳原子為1+8×=5，晶胞中有8個(gè)H2在晶胞的棱上，2個(gè)H2在晶胞的面上，則晶胞中含有的H2為8×+2×=3，所以該材料中La、Ni、H2的粒子個(gè)數(shù)比為1：5：3，C正確；答案為C。6、C【分析】【詳解】

A.金剛石為原子晶體，C60為分子晶體，分子晶體的熔點(diǎn)一般低于原子晶體，故C60的熔點(diǎn)低于金剛石；與鍵長(zhǎng)沒有關(guān)系，A錯(cuò)誤；

B.CO2晶體中含CO2分子，是分子晶體，SiO2晶體中每個(gè)硅周圍連四個(gè)氧原子，每個(gè)氧原子連兩個(gè)硅原子，所以SiO2屬于原子晶體；B錯(cuò)誤；

C.從CH4、為正面體結(jié)構(gòu)，CC14與CH4相似，與相似，與相似，所以可推測(cè)CC14、也為正四面體結(jié)構(gòu)；C正確；

D.由于水分子間形成氫鍵，所以H2O常溫下為液態(tài)，而H2S分子間沒有氫鍵，所以H2S常溫下為氣態(tài)；D錯(cuò)誤。

答案選C。

【點(diǎn)睛】

當(dāng)同為原子晶體時(shí)，鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，熔點(diǎn)越高。二、多選題(共8題，共16分)7、CD【分析】【詳解】

A．ls在K能層上；2s在L能層上，二者原子軌道能量不相近，不處于同一能級(jí)組，故A不符合題意；

B．2p在L能層上；3s在M能層上，二者原子軌道能量不相近，不處于同一能級(jí)組，故B不符合題意；

C．3s和3p都在M能層上；二者原子軌道能量相近，處于同一能級(jí)組，故C符合題意；

D．3d在M能層上；4s在N能層上，但由于4s的能量低于3d，電子在填充軌道時(shí)，先填充4s軌道，在填充3d軌道，因此二者原子軌道能量相近，處于同一能級(jí)組，故D符合題意；

答案選CD。8、AD【分析】【分析】

短周期元素的價(jià)電子數(shù)就是其最外層電子數(shù)，用m表示基態(tài)原子的價(jià)電子數(shù)，用n表示基態(tài)原子的未成對(duì)電子數(shù)，A元素m—n為8，說明A的最外層電子數(shù)為8，均已成對(duì)，故A只能是Ne或者Ar；B元素m—n為6，說明B的最外層電子數(shù)為7，6個(gè)已成對(duì)，故B只能是F或者Cl，同理推導(dǎo)出：C為O或S，D為N；C、B、Be或P、Si、Al、Mg，E為Na或Li、H，又A、B、C、D、E原子序數(shù)連續(xù)，故只能分別為Ne、F、O、N、Na，據(jù)此分析作答。

【詳解】

A．同一周期從左往右元素的第一電離能呈增大趨勢(shì)，分析可知A為惰性氣體元素，其第一電離能在同周期中最大，故A>C；A錯(cuò)誤；

B．據(jù)分析可知，E是Na為金屬元素，D是N為非金屬元素，故電負(fù)性E

C．據(jù)分析可知，E是Na，B是F，故原子序數(shù)：B

D．C是O；有2個(gè)未成對(duì)電子，而D是N，有3個(gè)未成對(duì)電子，故核外未成對(duì)電子數(shù)：C與D不相等，D錯(cuò)誤；

故答案為：AD。9、BD【分析】【分析】

【詳解】

A.氫鍵是一種分子間作用力；不是化學(xué)鍵，A錯(cuò)誤；

B.CO和N2都是分子晶體，熔沸點(diǎn)主要受分子間作用力影響，但在相對(duì)分子質(zhì)量相同的情況下，CO是極性分子，N2是非極性分子，極性分子的相互吸引力大于非極性分子，會(huì)使分子間作用力略大，CO的沸點(diǎn)比N2的高；B正確；

C.共價(jià)單鍵是σ鍵，共價(jià)雙鍵中一個(gè)是σ鍵，一個(gè)是π鍵，所以CH2=CH2中有5個(gè)σ鍵；1個(gè)π鍵，C錯(cuò)誤；

D.共價(jià)鍵具有飽和性和方向性，S最外層有6個(gè)電子，再接受2個(gè)電子就形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則把H2S分子寫成H3S分子；違背了共價(jià)鍵的飽和性，D正確；

答案選BD。

【點(diǎn)睛】

共價(jià)單鍵是σ鍵，共價(jià)雙鍵中一個(gè)是σ鍵，一個(gè)是π鍵，共價(jià)叁鍵中一個(gè)是σ鍵，兩個(gè)是π鍵。10、AC【分析】【詳解】

A.苯分子中每個(gè)碳原子有3個(gè)σ鍵，無孤對(duì)電子，因此碳原子是sp2雜化；每個(gè)碳原子剩余的一個(gè)電子形成大π鍵，故A錯(cuò)誤；

B.Na3N與NaH均為離子化合物；都能與水反應(yīng)放出氣體，且與水反應(yīng)生成NaOH，所得溶液均能使酚酞溶液變紅，故B正確；

C.配離子[Cu(En)2]2+(En是乙二胺的簡(jiǎn)寫)中的配位原子是N原子；N提供孤對(duì)電子，配位數(shù)為4，故C錯(cuò)誤；

D.H2O中的孤對(duì)電子數(shù)比H3O+的多，孤對(duì)電子對(duì)成對(duì)電子排斥力大，因此H2O的鍵角比H3O+的鍵角小；故D正確。

綜上所述，答案為AC。11、AC【分析】【分析】

利用孤電子對(duì)數(shù)=(a-bx)進(jìn)行計(jì)算。

【詳解】

A．H3O+的中心氧原子孤電子對(duì)數(shù)=(6-1-1×3)=1，A符合題意；B．SiH4的中心Si原子孤電子對(duì)數(shù)=(4-1×4)=0，B與題意不符；C．PH3的中心P原子孤電子對(duì)數(shù)=(5-1×3)=1，C符合題意；D．的中心S原子孤電子對(duì)數(shù)=(6+2-2×4)=0，D與題意不符；答案為AC。12、AD【分析】【分析】

由圖示可以看出該結(jié)構(gòu)可以表示為[H4B4O9]m-，其中B為+3價(jià)，O為-2價(jià)，H為+1價(jià)，根據(jù)化合價(jià)判斷m值求解Xm-的化學(xué)式；根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論確定分子空間構(gòu)型及中心原子雜化方式，價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對(duì)個(gè)數(shù)，σ鍵個(gè)數(shù)=配原子個(gè)數(shù)，孤電子對(duì)個(gè)數(shù)=（a-xb），a指中心原子價(jià)電子個(gè)數(shù)，x指配原子個(gè)數(shù)，b指配原子形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)需要的電子個(gè)數(shù)，1，3，5，6代表氧原子，2，4代表B原子，2號(hào)B形成3個(gè)鍵，則B原子為sp2雜化，4號(hào)B形成4個(gè)鍵，則B原子為sp3雜化；陰離子中含配位鍵，不含離子鍵，以此來解答。

【詳解】

A．觀察模型，可知Xm-是(H4B4O9)m-；依據(jù)化合價(jià)H為+1，B為+3，O為-2，可得m=2，故A正確；

B．2，4代表B原子，2號(hào)B形成3個(gè)鍵，則B原子為SP2雜化，4號(hào)B形成4個(gè)鍵，則B原子為SP3雜化，所以在Xm-中；硼原子軌道的雜化類型有不同，故B錯(cuò)誤；

C．2號(hào)B一般是形成3個(gè)鍵；4號(hào)B形成4個(gè)鍵，其中1個(gè)鍵很可能就是配位鍵，所以配位鍵存在4號(hào)與5號(hào)之間，故C錯(cuò)誤；

D．若硼砂的化學(xué)式為Na2B4O7?10H2O，則382g硼砂晶體中含×2=2molNa+；故D正確；

答案選AD。13、AC【分析】【詳解】

A.在石墨中，每個(gè)C原子與相鄰的3個(gè)C原子形成共價(jià)鍵，每個(gè)共價(jià)鍵為相鄰2個(gè)C原子所共有，所以每個(gè)C原子形成的共價(jià)鍵數(shù)目為3×=24g石墨含有的C原子的物質(zhì)的量是2mol，因此其中含有的C-C共價(jià)鍵的物質(zhì)的量為2mol×=3mol；A正確；

B.在金剛石晶體中每個(gè)碳原子與相鄰的4個(gè)C原子形成4個(gè)共價(jià)鍵，每個(gè)共價(jià)鍵為相鄰兩個(gè)C原子形成，所以其含有的C-C數(shù)目為4×=2個(gè)；則在12g金剛石含有的C原子的物質(zhì)的量是1mol，故含C-C共價(jià)鍵鍵數(shù)為2mol，B錯(cuò)誤；

C.二氧化硅晶體中；每個(gè)硅原子含有4個(gè)Si-O共價(jià)鍵，所以在60g二氧化硅的物質(zhì)的量是1mol，則其中含Si-O共價(jià)鍵鍵數(shù)為4mol，C正確；

D.在NaCl晶體中，每個(gè)Na+周圍與它最近且距離相等的Na+有12個(gè)；D錯(cuò)誤；

故合理選項(xiàng)是AC。14、AC【分析】【分析】

根據(jù)圖片知；與某一個(gè)微粒x距離最近且等距離的另一個(gè)微粒y所圍成的空間構(gòu)型為正八面體形，所以x的配位數(shù)是6，只要晶體中配位數(shù)是6的就符合該圖，如果配位數(shù)不是6的就不符合該圖，據(jù)此分析解答。

【詳解】

A．氯化鈉晶體中的離子配位數(shù)是6；所以符合該圖，故A正確；

B．氯化銫晶體中的離子配位數(shù)是8；所以不符合該圖，故B錯(cuò)誤；

C．CaTiO3晶體中的離子配位數(shù)是6所以符合該圖；故C正確；

D．NiAs晶體中的離子配位數(shù)是4；所以不符合該圖，故B錯(cuò)誤；

故答案選AC。三、填空題(共8題，共16分)15、略

【分析】【詳解】

（1）硅原子核外有14個(gè)電子，其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p2，對(duì)應(yīng)能層分別別為K、L、M，其中能量最高的是最外層M層，該能層有s、p、d三個(gè)能級(jí)，s能級(jí)有1個(gè)軌道，p能級(jí)有3個(gè)軌道，d能級(jí)有5個(gè)軌道，所以共有9個(gè)原子軌道，硅原子的M能層有4個(gè)電子（3s23p2）；

故答案為M；9；4；

（2）硅元素在自然界中主要以化合態(tài)（二氧化硅和硅酸鹽）形式存在；

故答案為二氧化硅。

（3）硅晶體和金剛石晶體類似都屬于原子晶體，硅原子之間以共價(jià)鍵結(jié)合．在金剛石晶體的晶胞中，每個(gè)面心有一個(gè)碳原子（晶體硅類似結(jié)構(gòu)），則面心位置貢獻(xiàn)的原子為6×=3個(gè)；

故答案為共價(jià)鍵；3；

（4）Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4、NH3和MgCl2，方程式為：Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2，故答案為Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2；

（5）①烷烴中的C-C鍵和C-H鍵大于硅烷中的Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能；所以硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能易斷裂，導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成；

故答案為C-C鍵和C-H鍵較強(qiáng)；所形成的烷烴穩(wěn)定，而硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能較低，易斷裂，導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成；

②鍵能越大；物質(zhì)就越穩(wěn)定；C-H鍵的鍵能大于C-O鍵，故C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定，而Si-H鍵的鍵能遠(yuǎn)小于Si-O鍵，所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向與形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si-O鍵；

故答案：C-H鍵的鍵能大于C-O鍵；C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定．而Si-H鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于Si-O鍵，所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si-O鍵；

（6）硅酸鹽中的硅酸根（SiO44-）為正四面體結(jié)構(gòu)，所以中心原子Si原子采取了sp3雜化方式；

故答案為sp3；

根據(jù)圖（b）的一個(gè)結(jié)構(gòu)單元中含有1個(gè)硅、3個(gè)氧原子，化學(xué)式為SiO32-；

故答案為1：3；SiO32-?！窘馕觥竣?M②.9③.4④.二氧化硅⑤.共價(jià)鍵⑥.3⑦.Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2⑧.C—C鍵和C—H鍵較強(qiáng)，所形成的烷烴穩(wěn)定。而硅烷中Si—Si鍵和Si—H鍵的鍵能較低，易斷裂，導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成⑨.C—H鍵的鍵能大于C—O鍵，C—H鍵比C—O鍵穩(wěn)定。而Si—H鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于Si—O鍵，所以Si—H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si—O鍵⑩.sp3?.1∶3?.SiO32-16、略

【分析】【分析】

(1)根據(jù)鐵原子構(gòu)造書寫鐵元素價(jià)電子層和電子排布式。

(2)①形成配離子具有的條件為為中心原子具有空軌道；配體具有孤對(duì)電子對(duì)。

②根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論確定雜化方式；原子個(gè)數(shù)相等價(jià)電子相等的微粒為等電子體。

(3)利用均攤法計(jì)算晶胞結(jié)構(gòu)。

【詳解】

(1)亞鐵離子的價(jià)電子排布式為3d6。

(2)①形成配離子具備的條件為中心原子具有空軌道；配體具有孤對(duì)電子。

②CN-中碳原子與氮原子以三鍵連接，三鍵中有一個(gè)σ鍵，2個(gè)π鍵，碳原子還有一對(duì)孤對(duì)電子，雜化軌道數(shù)為2，碳原子采取sp雜化，CN-含有2個(gè)原子，價(jià)電子總數(shù)為4+5+1=10，故其等電子體為氮?dú)夥肿拥?，氮?dú)夥肿又袃蓚€(gè)氮原子通過共用三對(duì)電子結(jié)合在一起，其電子式為

(3)體心立方晶胞中含有鐵原子的個(gè)數(shù)為面心立方晶胞中實(shí)際含有的鐵原子個(gè)數(shù)為所以體心立方晶胞和面心立方晶胞中實(shí)際含有的鐵原子個(gè)數(shù)之比為1：2?！窘馕觥?d6具有孤對(duì)電子sp1∶217、略

【分析】【分析】

根據(jù)Cr的原子序數(shù)和在周期表的位置，寫出價(jià)電子排布；根據(jù)第一電離能遞變規(guī)律判斷第一電離能大??；根據(jù)VSEPR理論判斷SO2的VSEPR模型和中心原子的雜化形式；根據(jù)等電子體，分子量相同，由分子的極性判斷熔沸點(diǎn)高低；根據(jù)配位體的結(jié)構(gòu)判斷配體提供孤電子對(duì)和配位數(shù)；根據(jù)VSEPR理論判斷NH3變?yōu)镹H4+時(shí)引起的變化；根據(jù)均攤法計(jì)算晶胞中C原子個(gè)數(shù)；由密度，質(zhì)量計(jì)算晶胞的棱長(zhǎng)；據(jù)此解答。

【詳解】

（1）Cr是24號(hào)元素，在元素周期表中位于第四周期第VIB，其電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1，基態(tài)原子價(jià)電子排布為3d54s1；答案為：3d54s1。

（2）非金屬性越強(qiáng)；第一電離能越大，N元素原子2p軌道為半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能高于同周期相鄰元素，O，S屬于同主族元素，從上往下，非金屬性減弱，O的原子序數(shù)比S小，則非金屬性O(shè)＞S，第一電離能O＞S，則O；N、S的第一電離能由大到小的順序?yàn)镹＞O＞S；答案為N＞O＞S。

（3）SO2分子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=2+=3，VSEPR模型的名稱為平面三角形，S原子采取sp2雜化；答案為平面三角形，sp2。

（4）CO和N2互為等電子體，且CO和N2分子量相同，由于CO是極性分子，N2是非極性分子，分子的極性越強(qiáng)分子間作用力越強(qiáng)熔沸點(diǎn)越高，所以熔沸點(diǎn)CO大于N2；答案為CO，CO和N2分子量相同，由于CO是極性分子，N2是非極性分子；極性分子與極性分子之間的范德華力較強(qiáng)，故CO沸點(diǎn)較高。

（5）由[CrCl2(H2O)4]Cl?2H2O結(jié)構(gòu)可知，中心原子Cr3+提供空軌道；配體Cl；O提供孤電子對(duì)，配位數(shù)為2+4=6；答案為Cl、O，6。

（6）NH3分子可以與H+結(jié)合生成NH4+，NH3分子中N原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)=3+=3+1=4，采取sp3雜化，有一個(gè)孤電子對(duì)，空間構(gòu)型為三角錐形，NH4+中N原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)=4+=4+0=4，采取sp3雜化；無孤電子對(duì)，空間構(gòu)型為正四面體，二者中N原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)均是4，N原子孤電子對(duì)數(shù)由1對(duì)變?yōu)?，N原子雜化方式不變，電子數(shù)數(shù)目不變，空間構(gòu)型由三角錐形變?yōu)檎拿骟w，鍵角減??；答案為A；C。

（7）晶胞中碳原子數(shù)目=4+8×+6×=8，設(shè)晶胞棱長(zhǎng)為apm，則8×=ρg/cm3×(a×10-10cm)3，解得a=×1010pm；答案為×1010?！窘馕觥竣?3d54S1②.N>O>S③.平面三角形④.sp2雜化⑤.CO⑥.CO為極性分子，N2為非極性分子，極性分子與極性分子之間的范德華力較強(qiáng)，故CO沸點(diǎn)較高⑦.O、Cl⑧.6⑨.AC⑩.×101018、略

【分析】【詳解】

（1）①Cl原子核外電子數(shù)為17，基態(tài)原子核外電子排布為1s22s22p63s23p5；由此可得基態(tài)Cl原子中電子占據(jù)的最高能層為第3能層，符號(hào)M，該能層有1個(gè)s軌道；3個(gè)p軌道、5個(gè)d軌道，共有9個(gè)原子軌道。

②BH4﹣中B原子價(jià)層電子數(shù)為4，B原子的雜化軌道類型是sp3雜化；且不含孤電子對(duì)，所以是正四面體構(gòu)型。非金屬的非金屬性越強(qiáng)其電負(fù)性越大，非金屬性最強(qiáng)的是H元素，其次是B元素，最小的是Li元素，所以Li；B、H元素的電負(fù)性由大到小排列順序?yàn)镠＞B＞Li。

（2）①核外電子排布相同的離子，核電荷數(shù)越大，離子半徑越小。鋰的質(zhì)子數(shù)為3，氫的質(zhì)子數(shù)為1，Li+、H﹣核外電子數(shù)都為2，所以半徑Li+＜H﹣。

②該元素的第Ⅲ電離能劇增，則該元素屬于第ⅡA族，為Mg元素?！窘馕觥竣?M②.9③.正四面體④.＜⑤.H＞B＞Li⑥.Mg19、略

【分析】【詳解】

(1)CO2的結(jié)構(gòu)式是O=C=O，1個(gè)二氧化碳分子中有2個(gè)碳氧雙鍵，雙鍵中有1個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵，1molCO2中含有的σ鍵數(shù)目為2NA，π鍵數(shù)目為2NA。

(2)N2的結(jié)構(gòu)式是NN，三鍵中1個(gè)σ鍵和2個(gè)π鍵，已知CO和CN－與N2結(jié)構(gòu)相似，CO分子內(nèi)存在CO鍵，σ鍵與π鍵個(gè)數(shù)之比為1:2。CH2=CHCN分子的結(jié)構(gòu)式是分子中有6個(gè)σ鍵和3個(gè)π鍵，σ鍵與π鍵數(shù)目之比為2:1。

(3)N2的結(jié)構(gòu)式是NN，三鍵中1個(gè)σ鍵和2個(gè)π鍵，產(chǎn)物中只有N2含有π鍵；肼(N2H4)分子中含有4個(gè)N-H鍵。燃燒時(shí)發(fā)生的反應(yīng)：N2O4(l)＋2N2H4(l)===3N2(g)＋4H2O(g)ΔH＝－1038.7kJ·mol-1，若該反應(yīng)中有4molN—H鍵斷裂，則消耗1molN2H4，生成1.5molN2；形成的π鍵有3mol。

(4)Co是27號(hào)元素，核外有27個(gè)電子，根據(jù)能量最低原理，其核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d74s2；

Ge是32號(hào)元素，基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p2；

Zn是30號(hào)元素，Zn價(jià)電子排布式是3d104s2，Zn2+的價(jià)電子排布式是3d10，Zn2+價(jià)電子軌道表示式為

Co3+核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d6，Co3+的價(jià)電子排布圖是Co3+核外電子未成對(duì)電子數(shù)為4。

(5)同周期元素從左到右電負(fù)性增強(qiáng)，原子吸引電子能力增強(qiáng)，所以CH4、NH3、H2O、HF分子中共價(jià)鍵的極性由強(qiáng)到弱的順序是HF＞H2O＞NH3＞CH4?！窘馕觥?NA2NA1:22:131s22s22p63s23p63d74s21s22s22p63s23p63d104s24p2；4HF＞H2O＞NH3＞CH420、略

【分析】【分析】

一般來說；無機(jī)物中的某些離子化合物，共價(jià)化合物中的某些極性分子易溶于水；非極性分子和有機(jī)物易溶于有機(jī)溶劑。

【詳解】

①NH3能與水分子間形成氫鍵，所以NH3極易溶于水，難溶于CCl4；

②CH4為非極性分子，難溶于水，易溶于CCl4；

③為非極性分子，難溶于水，易溶于CCl4；

④HCl為極性分子，易溶于水，難溶于CCl4；

⑤C2H4為非極性分子，難溶于水，易溶于CCl4；

⑥Br2為非極性分子，在水中的溶解度不大，易溶于CCl4；

⑦HNO3易溶于水，溶于水后生成強(qiáng)酸溶液，難溶于CCl4；

⑧H2S易溶于水，難溶于CCl4；

綜合以上分析，易溶于水的是①④⑦⑧，易溶于CCl4的是②③⑤⑥。答案為：①④⑦⑧；②③⑤⑥。

【點(diǎn)睛】

易溶于水的物質(zhì)也可能易溶于有機(jī)溶劑，如酒精；難溶于水的物質(zhì)也可能難溶于有機(jī)溶劑，如一氧化碳?！窘馕觥竣?①④⑦⑧②.②③⑤⑥21、略

【分析】【分析】

根據(jù)銅原子的電子排布式；失去最外層與次外層各一個(gè)電子，依此寫出銅離子的電子排布式；根據(jù)VSEPR判斷其空間構(gòu)型和雜化軌道形式；根據(jù)結(jié)構(gòu)中σ鍵數(shù)，判斷雜化軌道形式和計(jì)算σ鍵；根據(jù)分子間可以形成氫鍵，判斷相溶性；根據(jù)形成配位鍵，判斷結(jié)構(gòu)示意圖。

【詳解】

（1）Cu元素的核電荷數(shù)為29，核外電子數(shù)也為29，基態(tài)Cu原子核外電子排布為1s22s22p63s23p63d104s1，4s與3d能級(jí)各失去1個(gè)電子形成Cu2+，Cu2+基態(tài)核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d9；答案為1s22s22p63s23p63d9。

（2）NH3分子中N原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)=3+=4，且含有1對(duì)孤電子對(duì)，根據(jù)VSEPR模型為四面體形，由于一對(duì)孤電子對(duì)占據(jù)四面體的一個(gè)頂點(diǎn)，所以其空間構(gòu)型為三角錐形，根據(jù)雜化軌道理論，中心N原子的雜化方式為sp3雜化；答案為三角錐形，sp3。

（3）CH3COOCH=CH2分子中甲基上的C形成4個(gè)σ鍵，沒有孤對(duì)電子，C原子為sp3雜化，羧基上的碳、碳碳雙鍵中碳都形成3個(gè)σ鍵，沒有孤對(duì)電子，為sp2雜化，CH3COOCH=CH2分子中含有1個(gè)C.6個(gè)C-H、2個(gè)C-O、1個(gè)C=O、1個(gè)C=C鍵，則σ鍵的數(shù)目為1+6+2+1+1=11，1molCH3COOCH=CH2分子中含有σ鍵的數(shù)目為11mol；答案為：sp2和sp3；11mol。

（4）乙酸和水都為極性分子，且分子之間可形成氫鍵，故CH3COOH可與H2O混溶；答案為CH3COOH與H2O之間可以形成氫鍵。

（5）Cu（I）提供空軌道，N、C原子提供孤對(duì)電子，Cu（I）與NH3及CO中的C形成配位鍵，結(jié)構(gòu)示意圖表示為：答案為【解析】①.[Ar]3d9或1s22s22p63s23p63d9②.三角錐③.sp3④.sp2和sp3⑤.11mol⑥.CH3COOH與H2O之間可以形成氫鍵⑦.22、略

【分析】【分析】

（1）第一電離能實(shí)際上就是失電子的難易程度；電離能越小則代表失電子越容易，則還原性越強(qiáng)，因此可以從氧化還原性的強(qiáng)弱來考慮；

（2）鍵長(zhǎng)與鍵能呈負(fù)相關(guān)，即鍵越長(zhǎng)則能量越低，越容易斷裂；對(duì)于穩(wěn)定性而言是三鍵>雙鍵>單鍵，則鍵長(zhǎng)是單鍵>雙鍵>三鍵；

（3）題干中已經(jīng)告知我們大鍵的形成條件；因此我們只要從這些微粒的分子結(jié)構(gòu)來判斷存不存在相互平行的p軌道即可；

（4）利用率即“原子的體積占整個(gè)晶胞體積的百分比”；分別算出二者的體積再構(gòu)造分式即可。

【詳解】

一般金屬性越強(qiáng)則第一電離能越小，同周期主族元素隨原子序數(shù)增大第一電離能呈增大趨勢(shì)，IIA族、VA族為全充滿或半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能高于同周期相鄰元素的，故第一電離能：與形成6個(gè)配位鍵，配位數(shù)為6，雜化無法形成6個(gè)空軌道；

分子中S原子形成2個(gè)鍵，孤電子對(duì)數(shù)為價(jià)層電子對(duì)數(shù)故分子中S原子的雜化軌道類型為雜化；分子的立體構(gòu)型為V形；連接2個(gè)S原子的氧原子與S原子之間形成單鍵，連接1個(gè)S原子的氧原子與S之間形成雙鍵，單鍵之間作用力比雙鍵弱，單鍵的鍵長(zhǎng)較長(zhǎng)；

形成離域鍵的條件是“原子都在同一平面上且這些原子有相互平行的p軌道“，硫酸根離子是正四面體結(jié)構(gòu)，原子不處于同一平面內(nèi)，硫化氫中H原子和S原子沒有平行的p軌道，為V形結(jié)構(gòu)，為平面三角形，有相互平行的p軌道，可以形成離域鍵；

故答