2025年滬教版選修3化學(xué)下冊月考試卷含答案

…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內(nèi)※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁，總=sectionpages22頁第=page11頁，總=sectionpages11頁2025年滬教版選修3化學(xué)下冊月考試卷含答案考試試卷考試范圍：全部知識點(diǎn)；考試時(shí)間：120分鐘學(xué)校：______姓名：______班級：______考號：______總分欄題號一二三四五六總分得分評卷人得分一、選擇題(共7題，共14分)1、下列是幾種基態(tài)原子的電子排布,電負(fù)性最大的原子是()A.1s22s22p4B.1s22s22p63s23p3C.1s22s22p63s23p2D.1s22s22p63s23p64s12、軌道表示式是表示原子核外電子運(yùn)動狀態(tài)的一種化學(xué)用語，下列有關(guān)原子的最外層的軌道表示式正確的是A.鈹原子：B.碳原子：C.氯原子：D.鋁原子：3、以下對核外電子運(yùn)動狀況的描述正確的是（）A.當(dāng)碳原子的核外電子排布由轉(zhuǎn)變?yōu)闀r(shí)，這一過程中釋放能量B.電子在鈉原子的核外空間運(yùn)動狀態(tài)有11個(gè)C.同一原子中，能級的軌道依次增多D.在同一能級上運(yùn)動的電子，其運(yùn)動狀態(tài)可能相同4、某物質(zhì)的實(shí)驗(yàn)式為PtCl4?2NH3，其水溶液不導(dǎo)電，加入AgNO3溶液反應(yīng)也不產(chǎn)生沉淀，以強(qiáng)堿處理并沒有NH3放出，則關(guān)于此化合物的說法中正確的是A.配合物中中心原子的電荷數(shù)為6B.該配合物可能是平面正方形結(jié)構(gòu)C.Cl﹣和NH3分子均與中心鉑離子形成配位鍵D.該配合物的配體只有NH35、下列對[Zn（NH3）4]SO4配合物的說法不正確的是（）A.SO42﹣是內(nèi)界B.配位數(shù)是4C.Zn2+是中心離子D.NH3是配位體6、下列說法不正確的是()A.HCl、HBr、HI的熔、沸點(diǎn)依次升高與分子間作用力大小有關(guān)B.H2O的熔、沸點(diǎn)高于H2S是由于H2O分子之間存在氫鍵C.甲烷可與水形成氫鍵D.I2易溶于CCl4可以用相似相溶原理解釋7、2019年科學(xué)家們合成了具有半導(dǎo)體特性的環(huán)狀C18分子（結(jié)構(gòu)如圖），關(guān)于C18說法正確的是（）

A.與金剛石互為同位素B.是原子晶體C.屬于烴D.能與氫氣反應(yīng)評卷人得分二、多選題(共5題，共10分)8、硅原子的電子排布式由1s22s22p63s23p2轉(zhuǎn)變?yōu)?s22s22p63s13p3，下列有關(guān)該過程的說法正確的是（）A.硅原子由基態(tài)轉(zhuǎn)化為激發(fā)態(tài)，這一過程吸收能量B.硅原子由激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)化為基態(tài)，這一過程釋放能量C.硅原子處于激發(fā)態(tài)時(shí)的能量低于基態(tài)時(shí)的能量D.轉(zhuǎn)化后硅原子與基態(tài)磷原子的電子層結(jié)構(gòu)相同，化學(xué)性質(zhì)相同9、有下列兩組命題。A組B組Ⅰ.H2O分子間存在氫鍵，H2S則無①H2O比H2S穩(wěn)定Ⅱ.晶格能NaI比NaCl?、贜aCl比NaI熔點(diǎn)高Ⅲ.晶體類型不同③N2分子比磷的單質(zhì)穩(wěn)定Ⅳ.元素第一電離能大小與原子外圍電子排布有關(guān)，不一定像電負(fù)性隨原子序數(shù)遞增而增大④同周期元素第一電離能大的，電負(fù)性不一定大

B組中命題正確，且能用A組命題加以正確解釋的是A.Ⅰ①B.Ⅱ②C.Ⅲ③D.Ⅳ④10、干冰汽化時(shí)，下列所述內(nèi)容發(fā)生變化的是（）A.分子內(nèi)共價(jià)鍵B.分子間作用力C.分子間的距離D.分子內(nèi)共價(jià)鍵的鍵長11、有關(guān)晶體的敘述正確的是（）A.在24g石墨中，含C-C共價(jià)鍵鍵數(shù)為3molB.在12g金剛石中，含C-C共價(jià)鍵鍵數(shù)為4molC.在60g二氧化硅中，含Si-O共價(jià)鍵鍵數(shù)為4molD.在NaCl晶體中，與Na+最近且距離相等的Na+有6個(gè)12、CaC2晶體的晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl晶體的相似(如圖所示)，但CaC2晶體中含有的啞鈴形C22-的存在，使晶胞沿一個(gè)方向拉長(該晶胞為長方體)。下列關(guān)于CaC2晶體的說法中正確的是（）

A.1個(gè)Ca2+周圍距離最近且等距離的C22-數(shù)目為6B.6.4gCaC2晶體中含陰離子0.1molC.該晶體中存在離子鍵和共價(jià)鍵D.與每個(gè)Ca2+距離相等且最近的Ca2+共有12個(gè)評卷人得分三、填空題(共7題，共14分)13、X是合成碳酸二苯酯的一種有效的氧化還原催化助劑，可由EDTA與Fe3+反應(yīng)得到。

（1）EDTA中碳原子雜化軌道類型為_________________；EDTA中四種元素的電負(fù)性由小到大的順序?yàn)開_________________。

（2）Fe3+基態(tài)核外電子排布式為_________________。

（3）EDTA與正二十一烷的相對分子質(zhì)量非常接近，但EDTA的沸點(diǎn)（540.6℃）比正二十一烷的沸點(diǎn)（100℃）高的原因是_________。

（4）1molEDTA中含有σ鍵的數(shù)目為______________。

（5）X中的配位原子是___________。14、元素銅(Cu)；砷(As)、鎵(Ga)等形成的化合物在現(xiàn)代工業(yè)中有廣泛的用途；回答下列問題：

(1)基態(tài)銅原子的價(jià)電子排布式為_____________,價(jià)電子中未成對電子占據(jù)原子軌道的形狀是__________________________。

(2)化合物AsCl3分子的立體構(gòu)型為________________，其中As的雜化軌道類型為_____________。

(3)第一電離能Ga__________As。(填“>”或“<”)

(4)若將絡(luò)合離子[Cu(CN)4]2-中的2個(gè)CN-換為兩個(gè)Cl-，只有一種結(jié)構(gòu)，則[Cu(CN-)4]2-中4個(gè)氮原子所處空間構(gòu)型為_______________，一個(gè)CN-中有__________個(gè)π鍵。

(5)砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料；晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。

熔點(diǎn)為1238℃，密度為?g·cm-3，該晶體類型為______________，Ga與As以__________鍵鍵合，Ga和As的相對原子質(zhì)量分別為Ma和Mb，原子半徑分別為racm和rbcm，阿伏加德羅常數(shù)值為NA，GaAs晶胞中原子體積占晶胞體積的百分率為____________________。(列出計(jì)算公式)15、水是一種常見且重要的化學(xué)物質(zhì)。

(1)冰中水分子間的氫鍵可表示為_____(填選項(xiàng)字母)。

a．O—H—Ob．O—H?Oc．H—O—H

(2)水分子能微弱電離生成H3O+和OH-。

①與OH-互為等電子體的一種分子為_____(寫化學(xué)式；下同)；

②與H2O互為等電子體的一種陰離子為_____。

(2)H3O+中H—O—H鍵角比H2O中H—O—H鍵角大的原因?yàn)開_____。

(3)氧與硫同主族，其中H2S比H2O更易分解的原因?yàn)開____。16、元素及其化合物在生活及生產(chǎn)中有很多重要用途。

鹵素化學(xué)豐富多彩；能形成鹵化物；鹵素互化物、多鹵化物等多種類型的化合物。

（1）擬鹵素如(CN)2、(SCN)2、(OCN)2等與鹵素單質(zhì)結(jié)構(gòu)相似、性質(zhì)相近。已知(CN)2分子中所有原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則其分子中σ鍵與π鍵數(shù)目之比為__。(SCN)2對應(yīng)的酸有兩種，理論上硫氰酸(H-S-C≡N)的沸點(diǎn)低于異硫氰酸(H-N=C=S)的沸點(diǎn)，其原因是__。

（2）鹵化物RbICl2在加熱時(shí)會分解為晶格能相對較大的鹵化物A和鹵素互化物或鹵素單質(zhì)，A的化學(xué)式__。17、鉻、鉬鎢都是ⅥB族元素；且原子序數(shù)依次增大，它們的單質(zhì)和化合物在生活；生產(chǎn)中有廣泛應(yīng)用。

鉻元素的最高化合價(jià)為________；基態(tài)鉬原子的核外電子排布類似于基態(tài)鉻原子，其原子核外有________個(gè)未成對電子。

鉬可作有機(jī)合成的催化劑。例如；苯甲醛被還原成環(huán)己基甲醇。

環(huán)己基甲醇分子中采取雜化的原子是________寫元素符號

環(huán)己基甲醇的沸點(diǎn)高于苯甲醛，其原因是________。

鉻離子能形成多種配合物，例如

已知配合物的中心粒子的配位數(shù)指配位原子總數(shù)。上述配合物中，的配位數(shù)為________。

上述配合物中的非金屬元素按電負(fù)性由小到大的順序排列為________。

鉻的一種氧化物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。

該氧化物的化學(xué)式為________。

已知晶胞底面的邊長為acm，晶胞的高為bcm，代表阿伏加德羅常數(shù)的值，該鉻的氧化物的摩爾質(zhì)量為該晶體的密度為________用含a、b、和M的代數(shù)式表示18、新型儲氫材料是開發(fā)利用氫能的重要研究方向．

（1）Ti（BH4）3是一種儲氫材料，可由TiCl4和LiBH4反應(yīng)制得．

①基態(tài)Cl原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為_____，該能層具有的原子軌道數(shù)為_____．

②LiBH4由Li+和BH4﹣構(gòu)成，BH4﹣的立體結(jié)構(gòu)是_____，B原子的雜化軌道類型是_____．

Li、B、H元素的電負(fù)性由大到小排列順序?yàn)開____．

（2）金屬氫化物是具有良好發(fā)展前景的儲氫材料．

①LiH中，離子半徑Li+_____H﹣（填“＞”、“=”或“＜”）．②某儲氫材料是第三周期金屬元素M的氫化物．M的部分電離能如表所示：。I1/kJ?mol﹣1

I2/kJ?mol﹣1

I3/kJ?mol﹣1

I4/kJ?mol﹣1

I5/kJ?mol﹣1

738

1451

7733

10540

13630

M是_____（填元素符號）．

（3）NaH具有NaCl型晶體結(jié)構(gòu)，已知NaH晶體的晶胞參數(shù)a=488pm（棱長），Na+半徑為102pm，H﹣的半徑為_____，NaH的理論密度是___________g?cm﹣3（只列算式，不必計(jì)算出數(shù)值，阿伏加德羅常數(shù)為NA）19、非金屬元素雖然種類不多；但是在自然界中的豐度卻很大，請回答下列問題：

(1)BN(氮化硼，晶胞結(jié)構(gòu)如圖)和CO2中的化學(xué)鍵均為共價(jià)鍵，BN的熔點(diǎn)高且硬度大，CO2的晶體干冰卻松軟且極易升華。由此可以判斷：BN可能是______晶體，CO2可能是______晶體，BN晶體中B原子的雜化軌道類型為______，干冰中C原子的雜化軌道類型為______

(2)分子極性：OF2______H2O，鍵角：OF2______H2O(填“＞””或者“＜”)

(3)金剛石和石墨都是碳元素的單質(zhì)，但石墨晶體熔點(diǎn)比金剛石______，原因是______

(4)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似，若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵，則得如圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu)。在SiC結(jié)構(gòu)中，每個(gè)C原子周圍距離相等且最近的C原子數(shù)目為______，假設(shè)C-Si鍵長為acm，則晶胞密度為______g/cm3。

評卷人得分四、計(jì)算題(共1題，共2分)20、金屬Zn晶體中的原子堆積方式如圖所示，這種堆積方式稱為____________。六棱柱底邊邊長為acm，高為ccm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，Zn的密度為________g·cm－3(列出計(jì)算式)。

評卷人得分五、原理綜合題(共1題，共2分)21、砷化鎵是繼硅之后研究最深人；應(yīng)用最廣泛的半導(dǎo)體材料?；卮鹣铝袉栴}：

（1）Ga基態(tài)原子核外電子排布式為________________,As基態(tài)原子核外有__________個(gè)未成對電子。

（2）Ga、As、Se的第一電離能由大到小的順序是__________,Ga、As、Se的電負(fù)性由大到小的順序是__________________。

（3）比較下列鎵的鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)，分析其變化規(guī)律及原因：________,GaF的熔點(diǎn)超過1000℃，可能的原因是__________________________。

（4）二水合草酸鎵的結(jié)構(gòu)如圖1所示，其中鎵原子的配位數(shù)為__________，草酸根離子中碳原子的雜化軌道類型為__________。

（5）砷化鎵的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，晶胞參數(shù)為a=0.565nm，砷化鎵晶體的密度為__________g·cm-3(設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值；列出計(jì)算式即可）。

評卷人得分六、元素或物質(zhì)推斷題(共5題，共10分)22、已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)A＜B＜C＜D＜E。其中A、B、C是同一周期的非金屬元素?；衔顳C為離子化合物，D的二價(jià)陽離子與C的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu)。化合物AC2為一種常見的溫室氣體。B；C的氫化物的沸點(diǎn)比它們同族相鄰周期元素氫化物的沸點(diǎn)高。E的原子序數(shù)為24。請根據(jù)以上情況；回答下列問題：（答題時(shí)，A、B、C、D、E用所對應(yīng)的元素符號表示）

(1)基態(tài)E原子的核外電子排布式是________，在第四周期中，與基態(tài)E原子最外層電子數(shù)相同還有_______（填元素符號）。

(2)A、B、C的第一電離能由小到大的順序?yàn)開___________。

(3)寫出化合物AC2的電子式_____________。

(4)D的單質(zhì)在AC2中點(diǎn)燃可生成A的單質(zhì)與一種熔點(diǎn)較高的固體產(chǎn)物，寫出其化學(xué)反應(yīng)方程式：__________。

(5)1919年，Langmuir提出等電子原理：原子數(shù)相同、電子數(shù)相同的分子，互稱為等電子體。等電子體的結(jié)構(gòu)相似、物理性質(zhì)相近。此后，等電子原理又有發(fā)展，例如，由短周期元素組成的微粒，只要其原子數(shù)相同，各原子最外層電子數(shù)之和相同，也可互稱為等電子體。一種由B、C組成的化合物與AC2互為等電子體，其化學(xué)式為_____。

(6)B的最高價(jià)氧化物對應(yīng)的水化物的稀溶液與D的單質(zhì)反應(yīng)時(shí)，B被還原到最低價(jià)，該反應(yīng)的化學(xué)方程式是____________。23、現(xiàn)有屬于前四周期的A、B、C、D、E、F、G七種元素，原子序數(shù)依次增大。A元素的價(jià)電子構(gòu)型為nsnnpn+1；C元素為最活潑的非金屬元素；D元素核外有三個(gè)電子層，最外層電子數(shù)是核外電子總數(shù)的E元素正三價(jià)離子的3d軌道為半充滿狀態(tài)；F元素基態(tài)原子的M層全充滿；N層沒有成對電子，只有一個(gè)未成對電子；G元素與A元素位于同一主族，其某種氧化物有劇毒。

(1)A元素的第一電離能_______(填“＜”“＞”或“＝”)B元素的第一電離能，A、B、C三種元素的電負(fù)性由小到大的順序?yàn)開______(用元素符號表示)。

(2)C元素的電子排布圖為_______；E3+的離子符號為_______。

(3)F元素位于元素周期表的_______區(qū)，其基態(tài)原子的電子排布式為_______

(4)G元素可能的性質(zhì)_______。

A．其單質(zhì)可作為半導(dǎo)體材料B．其電負(fù)性大于磷。

C．其原子半徑大于鍺D．其第一電離能小于硒。

(5)活潑性：D_____(填“＞”或“＜”，下同)Al，I1(Mg)_____I1(Al)，其原因是____。24、原子序數(shù)小于36的X；Y、Z、R、W五種元素；其中X是周期表中原子半徑最小的元素，Y是形成化合物種類最多的元素，Z原子基態(tài)時(shí)2p原子軌道上有3個(gè)未成對的電子，R單質(zhì)占空氣體積的1/5；W的原子序數(shù)為29。回答下列問題:

(1)Y2X4分子中Y原子軌道的雜化類型為________，1molZ2X4含有σ鍵的數(shù)目為________。

(2)化合物ZX3與化合物X2R的VSEPR構(gòu)型相同，但立體構(gòu)型不同，ZX3的立體構(gòu)型為________，兩種化合物分子中化學(xué)鍵的鍵角較小的是________(用分子式表示)，其原因是________________________________________________。

(3)與R同主族的三種非金屬元素與X可形成結(jié)構(gòu)相似的三種物質(zhì)，三者的沸點(diǎn)由高到低的順序是________。

(4)元素Y的一種氧化物與元素Z的單質(zhì)互為等電子體，元素Y的這種氧化物的結(jié)構(gòu)式是________。

(5)W元素原子的價(jià)電子排布式為________。25、下表為長式周期表的一部分；其中的編號代表對應(yīng)的元素。

。①

②

③

④

⑤

⑥

⑦

⑧

⑨

⑩

請回答下列問題：

（1）表中⑨號屬于______區(qū)元素。

（2）③和⑧形成的一種常見溶劑，其分子立體空間構(gòu)型為________。

（3）元素①和⑥形成的最簡單分子X屬于________分子(填“極性”或“非極性”)

（4）元素⑥的第一電離能________元素⑦的第一電離能；元素②的電負(fù)性________元素④的電負(fù)性(選填“>”、“＝”或“<”)。

（5）元素⑨的基態(tài)原子核外價(jià)電子排布式是________。

（6）元素⑧和④形成的化合物的電子式為________。

（7）某些不同族元素的性質(zhì)也有一定的相似性，如表中元素⑩與元素⑤的氫氧化物有相似的性質(zhì)。請寫出元素⑩的氫氧化物與NaOH溶液反應(yīng)的化學(xué)方程式：____________________。26、下表為長式周期表的一部分；其中的序號代表對應(yīng)的元素。

（1）寫出上表中元素⑨原子的基態(tài)原子核外電子排布式為___________________。

（2）在元素③與①形成的水果催熟劑氣體化合物中，元素③的雜化方式為_____雜化；元素⑦與⑧形成的化合物的晶體類型是___________。

（3）元素④的第一電離能______⑤（填寫“＞”、“＝”或“＜”）的第一電離能；元素④與元素①形成的X分子的空間構(gòu)型為__________。請寫出與元素④的單質(zhì)互為等電子體分子、離子的化學(xué)式______________________（各寫一種）。

（4）④的最高價(jià)氧化物對應(yīng)的水化物稀溶液與元素⑦的單質(zhì)反應(yīng)時(shí)，元素④被還原到最低價(jià)，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為_______________。

（5）元素⑩的某種氧化物的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，其中實(shí)心球表示元素⑩原子，則一個(gè)晶胞中所包含的氧原子數(shù)目為__________。參考答案一、選擇題(共7題，共14分)1、A【分析】由元素原子的核外電子排布式可知,A為O,B為P,C為Si,D為K,根據(jù)電負(fù)性在周期表中的變化規(guī)律可知電負(fù)性最大的為O元素。2、C【分析】【詳解】

A.鈹原子的最外層的軌道表示式故A錯誤；

B.當(dāng)電子排布在同一能級的不同軌道時(shí)；總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道，且自旋方向相同，所以2p能級上電子排布圖違反洪特規(guī)則，故B錯誤；

C.氯原子的最外層的軌道表示式為：故C正確；

D.根據(jù)能量最低原理；3s軌道的能量低于3p軌道，所以電子先排滿3s軌道，才能排3p軌道，所以該電子排布式違背了能量最低原理，故D錯誤；

正確答案是C。3、A【分析】【分析】

原子由基態(tài)變?yōu)榧ぐl(fā)態(tài)要吸收能量；由激發(fā)態(tài)變基態(tài)會釋放能量；一個(gè)原子中不存在兩個(gè)運(yùn)動狀態(tài)完全一樣的電子，故原子的運(yùn)動狀態(tài)是原子的序數(shù)，空間運(yùn)動狀態(tài)看軌道數(shù)；能級相同，則軌道數(shù)相同。

【詳解】

A．碳原子的核外電子排布由轉(zhuǎn)變?yōu)槭怯杉ぐl(fā)態(tài)變基態(tài)過程；釋放能量，故A正確；

B．鈉原子的空間運(yùn)動狀態(tài)看軌道數(shù)，鈉的核外電子排布式為：s能級一個(gè)軌道，p能級三個(gè)軌道，共六個(gè)軌道，空間運(yùn)動狀態(tài)六種，故B錯誤；

C．在同一原子中，均是p能級；軌道數(shù)均為3，軌道數(shù)不變，能量增加，故C錯誤；

D．一個(gè)原子中不存在兩個(gè)運(yùn)動狀態(tài)完全一樣的電子；故D錯誤；

答案選A。

【點(diǎn)睛】

原子的核外電子排布式根據(jù)能量最低原則等規(guī)則排列的，同一軌道能量相同，9原子的運(yùn)動狀態(tài)看原子的序數(shù)，空間運(yùn)動狀態(tài)看軌道數(shù)。4、C【分析】【詳解】

加入AgNO3不產(chǎn)生沉淀,用強(qiáng)堿處理沒有NH3放出,說明不存在游離的氯離子和氨分子,所以該物質(zhì)的配位化學(xué)式為[PtCl4(NH3)2],則。

A.配合物中中心原子的電荷數(shù)為4,配位數(shù)為6,故A錯誤；

B.Pt與6個(gè)配體成鍵,該配合物應(yīng)是8面體結(jié)構(gòu),故B錯誤；

C.由分析可以知道,4個(gè)Cl-和2個(gè)NH3分子均與Pt4+配位,形成的配合物為[PtCl4(NH3)2],所以C正確；

D.該物質(zhì)的配位化學(xué)式為[PtCl4(NH3)2],則配體有Cl-和NH3分子,故D錯誤；

答案：C。5、A【分析】【詳解】

A．在[Zn（NH3）4]SO4中外界是SO42-，內(nèi)界是[Zn（NH3）4]2+；故A錯誤；

B．鋅離子配位原子個(gè)數(shù)是4；所以其配位數(shù)是4，故B正確；

C．該配合物中；鋅離子提供空軌道，所以鋅離子是中心離子，故C正確；

D．該配合物中氮原子提供孤電子對，所以NH3是配位體；故D正確；

答案選A。6、C【分析】【詳解】

A.HCl、HBr；HI都是分子晶體；由于它們的相對分子質(zhì)量逐漸增大，則分子間作用力依次增大，所以物質(zhì)的熔沸點(diǎn)依次升高，A正確；

B.H2O的熔、沸點(diǎn)高于H2S是由于H2O分子之間除了存在范德華力外；還存在分子間氫鍵，B正確；

C.甲烷中C原子半徑較大；電負(fù)性較??；則甲烷不可與水形成氫鍵，C錯誤；

D.I2與CCl4都是非極性分子，根據(jù)相似相溶原理可知：I2易溶于CCl4中；D正確；

答案選C。7、D【分析】【詳解】

A．C18與金剛石都是碳元素的單質(zhì)；屬于同素異形體，不屬于同位素，故A錯誤；

B．C18由分子構(gòu)成；屬于分子晶體，不是原子晶體，故B錯誤；

C．C18分子中不存在H原子；屬于單質(zhì)，不是烴，故C錯誤；

D．C18分子中含有碳碳三鍵；能與氫氣發(fā)生化合反應(yīng)，故D正確；

故選D。

【點(diǎn)睛】

本題的易錯點(diǎn)為C，要注意C18中只有一種元素，屬于單質(zhì)，而烴是含有碳和氫兩種元素的化合物。二、多選題(共5題，共10分)8、AB【分析】【詳解】

A．由能量最低原理可知硅原子的電子排布式為1s22s22p63s23p2，當(dāng)變?yōu)?s22s22p63s13p3時(shí)；有1個(gè)3s電子躍遷到3p軌道上，3s軌道的能量低于3p軌道的能量，要發(fā)生躍遷，必須吸收能量，使電子能量增大，故A正確；

B．硅原子處于激發(fā)態(tài)時(shí)能量要高；處于基態(tài)能量變低，因而由激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)化成基態(tài)，電子能量減小，需要釋放能量，故B正確；

C．基態(tài)原子吸收能量變?yōu)榧ぐl(fā)態(tài)原子；所以激發(fā)態(tài)原子能量大于基態(tài)原子能量，故C錯誤；

D．元素的性質(zhì)取決于價(jià)層電子，包括s、p軌道電子，硅原子的激化態(tài)為1s22s22p63s13p3，基態(tài)磷原子為1s22s22p63s23p3；則它們的價(jià)層電子數(shù)不同，性質(zhì)不同，故D錯誤；

答案為AB。9、BD【分析】【詳解】

試題分析：A、水分子比H2S穩(wěn)定與共價(jià)鍵強(qiáng)弱有關(guān)系；與二者是否能形成氫鍵沒有關(guān)系，錯誤；Ⅱ；碘化鈉和氯化鈉形成的均是離子晶體，晶格能NaI比NaCl小，因此NaCl比NaI熔點(diǎn)高，B正確；C、氮?dú)夂土仔纬傻木w均是分子晶體，C錯誤；D、元素第一電離能大小與原子外圍電子排布有關(guān)，不一定像電負(fù)性隨原子序數(shù)遞增而增大，同周期元素第一電離能大的，電負(fù)性不一定大，例如電負(fù)性氧元素大于氮元素，但氮元素的第一電離能大于氧元素，D正確，答案選BD。

考點(diǎn)：考查氫鍵、分子穩(wěn)定性、晶體類型和性質(zhì)及電離能和電負(fù)性判斷10、BC【分析】【詳解】

汽化是液態(tài)變氣態(tài)的過程；是物理變化，二氧化碳分子沒有改變，只是分子間的距離發(fā)生了變化，因此分子內(nèi)的共價(jià)鍵沒有任何變化；共價(jià)鍵的鍵長自然而然也不變，由于分子間距離增大，分子間的作用力被減弱，答案選BC。

【點(diǎn)睛】

A容易錯，同學(xué)經(jīng)常錯誤地以為，分子晶體熔化、汽化等變化時(shí)共價(jià)鍵斷裂了。11、AC【分析】【詳解】

A.在石墨中，每個(gè)C原子與相鄰的3個(gè)C原子形成共價(jià)鍵，每個(gè)共價(jià)鍵為相鄰2個(gè)C原子所共有，所以每個(gè)C原子形成的共價(jià)鍵數(shù)目為3×=24g石墨含有的C原子的物質(zhì)的量是2mol，因此其中含有的C-C共價(jià)鍵的物質(zhì)的量為2mol×=3mol；A正確；

B.在金剛石晶體中每個(gè)碳原子與相鄰的4個(gè)C原子形成4個(gè)共價(jià)鍵，每個(gè)共價(jià)鍵為相鄰兩個(gè)C原子形成，所以其含有的C-C數(shù)目為4×=2個(gè)；則在12g金剛石含有的C原子的物質(zhì)的量是1mol，故含C-C共價(jià)鍵鍵數(shù)為2mol，B錯誤；

C.二氧化硅晶體中；每個(gè)硅原子含有4個(gè)Si-O共價(jià)鍵，所以在60g二氧化硅的物質(zhì)的量是1mol，則其中含Si-O共價(jià)鍵鍵數(shù)為4mol，C正確；

D.在NaCl晶體中，每個(gè)Na+周圍與它最近且距離相等的Na+有12個(gè)；D錯誤；

故合理選項(xiàng)是AC。12、BC【分析】【詳解】

A．依據(jù)晶胞示意圖可以看出，晶胞的一個(gè)平面的長與寬不相等，再由圖中體心可知1個(gè)Ca2+周圍距離最近的C22-有4個(gè)；而不是6個(gè)，故A錯誤；

B．6.4克CaC2為0.1mol，CaC2晶體中含陰離子為C22-；則含陰離子0.1mol，故B正確；

C．該晶體中存在鈣離子和C22-間的離子鍵，C22-中存在C與C的共價(jià)鍵；故C正確；

D．晶胞的一個(gè)平面的長與寬不相等，與每個(gè)Ca2+距離相等且最近的Ca2+為4個(gè)；故D錯誤；

故選BC。

【點(diǎn)睛】

解答本題要注意區(qū)分該晶胞和氯化鈉晶胞的不同，該晶胞存在沿一個(gè)方向拉長的特點(diǎn)，為解答該題的關(guān)鍵和易錯點(diǎn)。三、填空題(共7題，共14分)13、略

【分析】【分析】

（1）EDTA中羧基上C原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)是3；亞甲基上C原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)是4；根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論判斷C原子雜化軌道類型；元素的非金屬性越強(qiáng)，其電負(fù)性越大；

（2）Fe原子失去3個(gè)電子生成鐵離子，根據(jù)構(gòu)造原理書寫鐵離子核外電子排布式；

（3）能形成分子間氫鍵的物質(zhì)熔沸點(diǎn)較高；

（4）共價(jià)單鍵為σ鍵；共價(jià)雙鍵中含有一個(gè)σ鍵；一個(gè)π鍵，則1個(gè)EDTA分子中σ鍵的數(shù)目35；

（5）X中N；O原子提供孤電子對。

【詳解】

(1)EDTA中羧基上C原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)是3、亞甲基上C原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)是4,根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論判斷C原子雜化軌道類型,前者為sp2雜化、后者為sp3雜化，元素的非金屬性越強(qiáng)，其電負(fù)性越大，非金屬性H

故答案為：sp2和sp3；H

(2)Fe原子失去3個(gè)電子生成鐵離子,根據(jù)構(gòu)造原理書寫鐵離子核外電子排布式為[Ar]3d5或1s22s22p63s23p63d5；

故答案為：[Ar]3d5或1s22s22p63s23p63d5；

(3)能形成分子間氫鍵的物質(zhì)熔沸點(diǎn)較高；EDTA能形成分子間氫鍵，導(dǎo)致其熔沸點(diǎn)較高；

故答案為：EDTA分子間存在氫鍵；

(4)共價(jià)單鍵為σ鍵；共價(jià)雙鍵中含有一個(gè)σ鍵；一個(gè)π鍵，則1個(gè)EDTA分子中σ鍵的數(shù)目35，所以1molEDTA中含有σ鍵的數(shù)目為35mol；

故答案為：35mol；

(5)X中N；O原子提供孤電子對；所以N、O為配位原子；

故答案為：N；O。

【點(diǎn)睛】

熔沸點(diǎn)的高低要看晶體的類型，分子晶體主要看范德華力的大小，還要考慮氫鍵?！窘馕觥竣?sp2和sp3②.H<C<N<O③.[Ar]3d5或1s22s22p63s23p63d5④.EDTA分子間存在氫鍵⑤.35mol⑥.N、O14、略

【分析】【分析】

本題考查的是原子核外電子排布；元素電離能、電負(fù)性的含義及應(yīng)用,、晶胞的計(jì)算、原子軌道雜化方式及雜化類型判斷。

（1）銅是29號元素；原子核外電子數(shù)為29，根據(jù)核外電子排布規(guī)律書寫銅的基態(tài)原子價(jià)電子電子排布式。

（2）AsCl3中價(jià)層電子對個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對個(gè)數(shù)=3+(5?3×1)/2=4，所以原子雜化方式是sp3；由于有一對孤對電子對，分子空間構(gòu)型為三角錐形；

（3）同一周期；原子序數(shù)越小半徑越大，同周期第一電離能從左到右，逐漸增大；

（4）若[Cu(CN-)4]2-中4個(gè)氮原子為平面構(gòu)型，用兩個(gè)Cl-換2個(gè)CN-有兩種結(jié)構(gòu)，分別為兩個(gè)Cl-換相鄰或相對，若[Cu(CN-)4]2-中4個(gè)氮原子為正四面體構(gòu)型，用兩個(gè)Cl-換2個(gè)CN-有一種結(jié)構(gòu)；由于共價(jià)鍵單鍵中含有一個(gè)σ鍵；雙鍵中含有一個(gè)σ鍵和一個(gè)π鍵，三鍵中有一個(gè)σ鍵和兩個(gè)π鍵；

（5）GaAs的熔點(diǎn)為1238℃，熔點(diǎn)較高，以共價(jià)鍵結(jié)合形成屬于原子晶體，密度為ρg?cm?3，根據(jù)均攤法計(jì)算，As：8×1/8+6×1/2=4，Ga：4×1=4，故其晶胞中原子所占的體積V1=(4/3πr3b×4+4/3πr3a×4)×10?30，晶胞的體積V2=m/ρ=[4×(Ma+Mb)/NA]/ρ，故GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為V1/V2×100%將V1、V2帶入計(jì)算得百分率據(jù)此解答。

【詳解】

（1）Cu是29號元素，原子核外電子數(shù)為29，銅的基態(tài)原子價(jià)電子電子排布式為3d104s1，價(jià)電子中未成對電子占據(jù)原子軌道的形狀是球形。本小題答案為：3d104s1；球形。

（2）AsCl3中價(jià)層電子對個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對個(gè)數(shù)=3+(5?3×1)/2=4，所以原子雜化方式是sp3，由于有一對孤對電子對，分子空間構(gòu)型為三角錐形。本小題答案為：三角錐形；sp3。

（3）根據(jù)元素周期律，Ga與As位于同一周期，Ga原子序數(shù)小于As，故半徑Ga大于As，同周期第一電離能從左到右，逐漸增大，故第一電離能Ga小于As。本小題答案為：<。

（4）若[Cu(CN-)4]2-中4個(gè)氮原子為平面構(gòu)型，用兩個(gè)Cl-換2個(gè)CN-有兩種結(jié)構(gòu)，分別為兩個(gè)Cl-換相鄰或相對，若[Cu(CN-)4]2-中4個(gè)氮原子為正四面體構(gòu)型，用兩個(gè)Cl-換2個(gè)CN-有一種結(jié)構(gòu)；由于共價(jià)鍵單鍵中含有一個(gè)σ鍵，雙鍵中含有一個(gè)σ鍵和一個(gè)π鍵，三鍵中有一個(gè)σ鍵和兩個(gè)π鍵，則CN-中含有三鍵；三鍵中含有兩個(gè)π鍵。本小題答案為：正四面體；2。

（5）GaAs的熔點(diǎn)為1238℃，熔點(diǎn)較高，以共價(jià)鍵結(jié)合形成屬于原子晶體，密度為ρg?cm?3，根據(jù)均攤法計(jì)算，As：8×1/8+6×1/2=4，Ga：4×1=4，故其晶胞中原子所占的體積V1=(4/3πr3b×4+4/3πr3a×4)×10?30，晶胞的體積V2=m/ρ=[4×(Ma+Mb)/NA]/ρ，故GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為V1/V2×100%將V1、V2帶入計(jì)算得百分率本小題答案為：原子晶體；共價(jià)鍵；【解析】3d104s1球形三角錐形sp3<正四面體2原子晶體共價(jià)鍵15、略

【分析】【詳解】

(1)氫鍵可用X－H?Y表示。式中X和Y代表F，O，N等電負(fù)性大而原子半徑較小的非金屬原子，冰中水分子間的氫鍵可表示為O—H?O；

(2)①一個(gè)OH-含有10個(gè)電子，與OH-互為等電子體的一種分子為HF；

②1個(gè)水分子含有10個(gè)電子，等電子體的一種陰離子為NH

(2)H3O+中H—O—H鍵角比H2O中H—O—H鍵角大的原因?yàn)镠2O中O原子有2對孤對電子，H3O＋中O原子只有1對孤對電子，H3O＋的孤對電子對成鍵電子的排斥力較小；

(3)氧與硫同主族，硫的非金屬性弱于氧，氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性：H2S＜H2O，故硫化氫更易分解?！窘馕觥縝HFNHH2O中O原子有2對孤對電子，H3O＋中O原子只有1對孤對電子，H3O＋的孤對電子對成鍵電子的排斥力較小硫的非金屬性弱于氧，氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性：H2S＜H2O16、略

【分析】【分析】

（1）擬鹵素如（CN）2、（SCN）2、（OCN）2等與鹵素單質(zhì)結(jié)構(gòu)相似、性質(zhì)相近．已知（CN）2分子中所有原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)；C原子形成四個(gè)共用電子對；N原子形成三個(gè)共用電子對；能形成分子間氫鍵的物質(zhì)熔沸點(diǎn)較高，異硫氰酸分子間可形成氫鍵，而硫氰酸不能形成分子間氫鍵；

（2）RbICl2加熱時(shí)會分解為晶格能相對較大的鹵化物A和鹵素互化物或鹵素單質(zhì)；利用半徑來分析晶格能相對較大的鹵化物。

【詳解】

擬鹵素如等與鹵素單質(zhì)結(jié)構(gòu)相似、性質(zhì)相近．已知分子中所有原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，C原子形成四個(gè)共用電子對、N原子形成三個(gè)共用電子對，結(jié)構(gòu)式為每個(gè)分子中含有4個(gè)鍵，3個(gè)鍵，則其分子中鍵與鍵數(shù)目之比為3：4；能形成分子間氫鍵的物質(zhì)熔沸點(diǎn)較高；異硫氰酸分子間可形成氫鍵，而硫氰酸不能形成分子間氫鍵，所以異硫氰酸熔沸點(diǎn)高于硫氰酸；

故答案為：3：4；異硫氰酸分子間可形成氫鍵；而硫氰酸不能；

加熱時(shí)會分解為晶格能相對大的鹵化物A和鹵素互化物或鹵素單質(zhì)，氯離子的半徑小于碘離子的半徑，則RbCl的離子鍵長小于RbI的離子鍵長，則RbCl的晶格能較大，則A為RbCl，故答案為：RbCl；

故答案為：RbCl?！窘馕觥竣?3：4②.異硫氰酸分子間可形成氫鍵，而硫氰酸不能③.RbCl17、略

【分析】【分析】

(1)Cr位于周期表中第4周期第ⅥB族，最高化合價(jià)為+6，基態(tài)鉬原子的核外電子排布類似于基態(tài)鉻原子，根據(jù)Cr的電子排布解答；

(2)①環(huán)己基甲醇分子中；C和O均滿足八隅體，C和O均達(dá)到飽和；

②環(huán)己基甲醇的分子間存在氫鍵；

(3)①配合物的中心粒子的配位數(shù)指配位原子總數(shù)，OH-和H2O均為單齒配體，H2NCH2CH2NH2為雙齒配體；

②上述配合物中；非金屬元素有C；H、O、N，同周期主族元素，隨著原子序數(shù)增大，電負(fù)性增大；

(4)①每個(gè)晶胞中含有數(shù)目為：4；數(shù)目為：

每個(gè)晶胞的質(zhì)量晶胞的體積再結(jié)合計(jì)算即可。

【詳解】

為24號元素，價(jià)電子排布式為最高正價(jià)為價(jià)；基態(tài)鉬原子的核外電子排布類似于基態(tài)鉻原子，價(jià)電子排布式為其原子核外有6個(gè)未成對電子；

環(huán)己基甲醇中C均以單鍵連接，采取雜化，O原子的雜化軌道數(shù)為4，也采取雜化；

環(huán)己基甲醇中含有羥基；分子間存在氫鍵，沸點(diǎn)較高；

中2個(gè)N原子均與形成配位鍵，配體有3個(gè)1個(gè)和1個(gè)故C的配位數(shù)為6；

同周期從左到右，元素的電負(fù)性逐漸增大，氫的電負(fù)性在四種元素中最小，故電負(fù)性：

每個(gè)晶胞中含有數(shù)目為：4；數(shù)目為：故化學(xué)式為

每個(gè)晶胞的質(zhì)量晶胞的體積故晶胞的密度【解析】6O環(huán)己基甲醇分子間能夠形成氫鍵18、略

【分析】【分析】

（1）①Cl原子核外電子數(shù)為17，基態(tài)原子核外電子排布為1s22s22p63s23p5；據(jù)此解答；

②根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論確定離子空間構(gòu)型；B原子的雜化軌道類型；元素的非金屬性越強(qiáng)；其電負(fù)性越大；

（2）①核外電子排布相同的離子；核電荷數(shù)越大，離子半徑越小；

②該元素的第III電離能劇增；則該元素屬于第IIA族；

（3）NaH具有NaCl型晶體結(jié)構(gòu)，食鹽晶體里Na+和Cl﹣的間距為棱長的一半；據(jù)此分析解答。

【詳解】

（1）①基態(tài)Cl原子中電子占據(jù)的最高能層為第3能層；符號M，該能層有1個(gè)s軌道；3個(gè)p軌道、5個(gè)d軌道，共有9個(gè)原子軌道；

故答案為M；9；

②BH4﹣中B原子價(jià)層電子數(shù)=4+=4，B原子的雜化軌道類型是sp3雜化；且不含孤電子對，所以是正四面體構(gòu)型，非金屬的非金屬性越強(qiáng)其電負(fù)性越大，非金屬性最強(qiáng)的是H元素，其次是B元素，最小的是Li元素，所以Li；B、H元素的電負(fù)性由大到小排列順序?yàn)镠＞B＞Li；

故答案為正四面體；sp3；H＞B＞Li；

（2）①核外電子排布相同，核電荷數(shù)越大，離子半徑越小，鋰的質(zhì)子數(shù)為3，氫的質(zhì)子數(shù)為1，Li+、H﹣核外電子數(shù)都為2，所以半徑Li+＜H﹣；

故答案為＜；

②該元素的第III電離能劇增；則該元素屬于第IIA族，為Mg元素；

故答案為Mg；

（3）NaH具有NaCl型晶體結(jié)構(gòu)，NaH晶體的晶胞參數(shù)a=488pm（棱長），Na+半徑為102pm，H﹣的半徑為=142pm，該晶胞中鈉離子個(gè)數(shù)=8×+6×=4，氫離子個(gè)數(shù)=12×+1=4，NaH的理論密度是ρ=

；

故答案為142pm；【解析】①.M②.9③.正四面體④.sp3⑤.H＞B＞Li⑥.＜⑦.Mg⑧.142pm⑨.19、略

【分析】【分析】

本題是對物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的考查；涉及晶體類型與性質(zhì)；雜化方式、分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、晶胞計(jì)算等，側(cè)重考查學(xué)生分析解決問題的能力，分子極性大小及鍵角的大小判斷為易錯點(diǎn)、難點(diǎn)，（4）中關(guān)鍵是明確鍵長與晶胞棱長關(guān)系，需要學(xué)生具有一定的數(shù)學(xué)計(jì)算能力。

【詳解】

（1）BN由共價(jià)鍵形成的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，熔點(diǎn)高、硬度大，屬于原子晶體；而干冰松軟且極易升華，屬于分子晶體；BN晶體中B原子形成4個(gè)B-N鍵，雜化軌道數(shù)目為4，B原子采取sp3雜化，干冰中C原子形成2個(gè)σ鍵，沒有孤電子對，雜化軌道數(shù)目為2，C原子采取sp雜化，故答案為：原子；分子；sp3；sp；

（2）二者結(jié)構(gòu)相似；均為V形，F(xiàn)與O的電負(fù)性相對比較接近，H與O的電負(fù)性相差較大，水分子中共用電子對較大地偏向O，所以O(shè)-F鍵的極性較弱，所以整個(gè)分子的極性也較弱，水分子中成鍵電子對之間排斥更大，故水分子中鍵角也更大，故答案為：＜；＜；

（3）石墨層內(nèi)碳碳鍵的鍵長比金剛石要短；鍵能比金剛石大，故石墨晶體熔點(diǎn)比金剛石的高。故答案為：高；石墨層內(nèi)碳碳鍵的鍵長比金剛石要短，鍵能比金剛石大；

（4）晶胞中每個(gè)碳原子與4個(gè)Si原子形成正四面體，每個(gè)Si原子與周圍的4個(gè)C原子形成正四面體，晶胞中Si、C的相對位置相同，可以將白色球看作C、黑色球看作Si，互換后以頂點(diǎn)原子研究，與之最近的原子處于面心，每個(gè)頂點(diǎn)為8個(gè)晶胞共用，每個(gè)面心為2個(gè)晶胞共用，故每個(gè)C原子周圍距離相等且最近的C原子數(shù)目為頂點(diǎn)Si原子與四面體中心C原子連線處于晶胞體對角線上，且距離等于體對角線長度的而體對角線長度等于晶胞棱長的倍，假設(shè)C-Si鍵長為acm，則晶胞棱長=cm，晶胞中Si原子數(shù)目=C原子數(shù)目=4，晶胞質(zhì)量=g，晶胞密度=（g）÷（cm）3=g/cm3，故答案為：12；【解析】原子分子sp3sp＜＜高石墨層內(nèi)碳碳鍵的鍵長比金剛石要短，鍵能比金剛石大12四、計(jì)算題(共1題，共2分)20、略

【分析】【詳解】

題圖中原子的堆積方式為六方最密堆積。六棱柱底部正六邊形的面積＝6×a2cm2，六棱柱的體積＝6×a2ccm3，該晶胞中Zn原子個(gè)數(shù)為12×＋2×＋3＝6，已知Zn的相對原子質(zhì)量為65，阿伏伽德羅常數(shù)的值為NA，則Zn的密度ρ＝＝g·cm－3。【解析】六方最密堆積(A3型)五、原理綜合題(共1題，共2分)21、略

【分析】【分析】

(1)Ga是31號元素，處于第四周期IIIA族，結(jié)合構(gòu)造原理書寫核外電子排布式；As基態(tài)原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3；

(2)同周期主族元素隨原子序數(shù)增大第一電離能呈增大趨勢；As原子4p軌道為半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能共用同周期相鄰元素的；同周期主族元素自左而右電負(fù)性增大；

(3)GaCl3、GaBr3、GaI3均屬于分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高；F元素的電負(fù)性很強(qiáng)，GaF3的熔點(diǎn)超過1000℃，可能的原因是GaF3是離子晶體；

(4)Ga原子與周圍4個(gè)O原子形成4個(gè)共價(jià)鍵；草酸根中碳原子形成3個(gè)σ鍵；沒有孤電子對，雜化軌道數(shù)目為3；

(5)均攤法計(jì)算晶胞中Ga；As原子數(shù)目；再計(jì)算晶胞質(zhì)量，晶體密度=晶胞質(zhì)量÷晶胞體積。

【詳解】

(1)Ga是31號元素，處于第四周期IIIA族，核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p1，As基態(tài)原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3；4p軌道3個(gè)電子是未成對電子；

(2)同周期主族元素隨原子序數(shù)增大第一電離能呈增大趨勢；As原子4p軌道為半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能大于同周期相鄰元素的，故第一電離能：As＞Se＞Ga，同周期主族元素自左而右電負(fù)性增大，故電負(fù)性：Se＞As＞Ga；

(3)GaCl3、GaBr3、GaI3均為分子晶體，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力增強(qiáng)，GaCl3、GaBr3、GaI3的熔沸點(diǎn)依次升高；F元素的電負(fù)性很強(qiáng)，GaF3的熔點(diǎn)超過1000℃，可能的原因是GaF3是離子晶體；

(4)Ga原子與周圍4個(gè)O原子形成4個(gè)共價(jià)鍵，鎵原子的配位數(shù)為4，草酸根中碳原子形成3個(gè)σ鍵，沒有孤電子對，雜化軌道數(shù)目為3，草酸根中碳原子的雜化軌道類型為sp2；

(5)晶胞中Ga原子數(shù)目=8×+6×=4、As原子數(shù)目=4，晶胞質(zhì)量=4×g，晶體密度=g/cm3。【解析】[Ar]3d104S24p1或1S22S22p63d104S24p13As>Se>GaSe>As>GaGaCl3、GaBr3、GaI3的熔沸點(diǎn)依次升高，原因是它們均為分子晶體，相對分子質(zhì)量依次增大GaF3是離子晶體4sp24×145/(0.565×10-7)3NA六、元素或物質(zhì)推斷題(共5題，共10分)22、略

【分析】【分析】

已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)A＜B＜C＜D＜E。其中A、B、C是同一周期的非金屬元素?；衔顳C為離子化合物，D的二價(jià)陽離子與C的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu)，化合物AC2為一種常見的溫室氣體，則A為C，C為O，B為N，D為Mg。B、C的氫化物的沸點(diǎn)比它們同族相鄰周期元素氫化物的沸點(diǎn)高。E的原子序數(shù)為24，E為Cr。

【詳解】

(1)基態(tài)E原子的核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d54s1(或[Ar]3d54s1)，在第四周期中，與基態(tài)E原子最外層電子數(shù)相同即最外層電子數(shù)只有一個(gè)，還有K、Cu；故答案為：1s22s22p63s23p63d54s1(或[Ar]3d54s1)；K；Cu；

(2)同周期從左到右電離能有增大趨勢；但第IIA族元素電離能大于第IIIA族元素電離能，第VA族元素電離能大于第VIA族元素電離能，因此A；B、C的第一電離能由小到大的順序?yàn)镃＜O＜N；故答案為：C＜O＜N；

(3)化合物AC2為CO2，其電子式故答案為：

(4)Mg的單質(zhì)在CO2中點(diǎn)燃可生成碳和一種熔點(diǎn)較高的固體產(chǎn)物MgO，其化學(xué)反應(yīng)方程式：2Mg+CO22MgO+C；故答案為：2Mg+CO22MgO+C；

(5)根據(jù)CO與N2互為等電子體，一種由N、O組成的化合物與CO2互為等電子體，其化學(xué)式為N2O；故答案為：N2O；

(6)B的最高價(jià)氧化物對應(yīng)的水化物的稀溶液為HNO3與Mg的單質(zhì)反應(yīng)時(shí)，NHO3被還原到最低價(jià)即NH4NO3，其反應(yīng)的化學(xué)方程式是4Mg+10HNO3=4Mg(NO3)2+NH4NO3+3H2O；故答案為：4Mg+10HNO3=4Mg(NO3)2+NH4NO3+3H2O。【解析】1s22s22p63s23p63d54s1（或[Ar]3d54s1）K、CuC＜O＜N2Mg+CO22MgO+CN2O4Mg+10HNO3=4Mg(NO3)2+NH4NO3+3H2O23、略

【分析】【分析】

A元素的價(jià)電子構(gòu)型為nsnnpn+1，則n=2，故A為N元素；C元素為最活潑的非金屬元素，則C為F元素；B原子序數(shù)介于氮、氟之間，故B為O元素；D元素核外有三個(gè)電子層，最外層電子數(shù)是核外電子總數(shù)的最外層電子數(shù)為2，故D為Mg元素；E元素正三價(jià)離子的3d軌道為半充滿狀態(tài)，原子核外電子排布為1s22s22p63s23p63d64s2，則原子序數(shù)為26，為Fe元素；F元素基態(tài)原子的M層全充滿，N層沒有成對電子，只有一個(gè)未成對電子，核外電子排布為1s22s22p63s23p63d104s1；故F為Cu元素；G元素與A元素位于同一主族，其某種氧化物有劇毒，則G為As元素，據(jù)此解答。

【詳解】

(1)N原子最外層為半充滿狀態(tài)；性質(zhì)穩(wěn)定，難以失去電子，第一電離能大于O元素；同一周期元素從左到右元素的電負(fù)性逐漸增強(qiáng)，故元素的電負(fù)性：N＜O＜F；

(2)C為F元素，電子排布圖為E3+的離子符號為Fe3+；

(3)F為Cu，位于周期表ds區(qū)，其基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1，故答案為：ds；1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1；

(4)A．G為As元素；與Si位于周期表對角線位置，則其單質(zhì)可作為半導(dǎo)體材料，A正確；

B．同主族從上到下元素的電負(fù)性依次減小；則電負(fù)性：As＜P，B錯誤；

C．同一周期從左到右原子半徑依次減小；As與Ge元素同一周期，位于Ge的右側(cè)，則其原子半徑小于鍺，C錯誤；

D．As與硒元素同一周期；由于其最外層電子處于半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，故其第一電離能大于硒元素的，D錯誤；

故合理選項(xiàng)是A；

(5)D為Mg元素，其金屬活潑性大于Al的活潑性；Mg元素的價(jià)層電子排布式為：3s2，處于全充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，Al的價(jià)層電子排布式為3s23p1，其3p上的1個(gè)電子較易失去，故Mg元素第一電離能大于Al元