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1單晶制備技術(shù)的發(fā)展,未來AlN單晶襯底材料半導(dǎo)體器件、紫外探測(cè)器、紫外發(fā)光二極管、激光二極管等光電子器件領(lǐng)域起到舉足輕截至目前國(guó)內(nèi)外尚未建立AlN單晶材料的標(biāo)準(zhǔn)體系,關(guān)鍵指標(biāo)前期研究和技相對(duì)不足,標(biāo)準(zhǔn)制定所需工藝參數(shù)、材料性能等基礎(chǔ)數(shù)據(jù)缺乏,以技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)為基礎(chǔ)的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)未取得突破,影響著整個(gè)行業(yè)的發(fā)展。因此,急需制定AlN單晶產(chǎn)品規(guī)范光電探測(cè)器件和微波功率器件用AlN單晶的產(chǎn)品質(zhì)量,科研、生產(chǎn)、使用提供統(tǒng)一的技術(shù)和質(zhì)量依據(jù)及必要的保障,進(jìn)一步提高氮化鋁單晶拋光片的質(zhì)量,進(jìn)而提升器件準(zhǔn)計(jì)劃外文版的通知》(國(guó)標(biāo)委發(fā)[2024]16號(hào))的要求,由中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所負(fù)責(zé)牽頭制定《氮化鋁單晶拋光片》,計(jì)劃編號(hào)為20240138-T-469,要求完?duì)款^單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所是中國(guó)主要的半導(dǎo)體材料研發(fā)生產(chǎn)單位,經(jīng)過幾十年的發(fā)展,研究方向幾乎涵蓋全部半導(dǎo)體材料,包括硅、鍺、碳化硅、),2專利范圍覆蓋了從原料制備、生長(zhǎng)設(shè)備、晶體生長(zhǎng)、晶片加工全生產(chǎn)線,形成氮化鋁單晶制備全工藝流程知識(shí)體系。另外,掛靠我所的信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心擁有幾十臺(tái)引進(jìn)的大型分析儀器設(shè)備,長(zhǎng)期從事材料結(jié)構(gòu)、成分、表面、電學(xué)特性等方面的理化分析,對(duì)氮化鋁單晶襯底的進(jìn)行全面測(cè)試分析。雄厚的技術(shù)力量和齊全的設(shè)施為開展本標(biāo)準(zhǔn)的修改奠定了基礎(chǔ)。此外,我所積累了豐富的標(biāo)準(zhǔn)編制經(jīng)驗(yàn),具備了本標(biāo)準(zhǔn)制定及相關(guān)實(shí)驗(yàn)條件和分析能力。國(guó)內(nèi)氮化鋁單晶的研發(fā)技術(shù)日漸成熟,后端應(yīng)用市征求意見稿、送審稿的起草等;北京大學(xué)東莞光電研究院、松山湖材料實(shí)驗(yàn)室、北京大學(xué)、深圳大學(xué)、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所等作為參與單位,積極反饋意見、123標(biāo)準(zhǔn)通過計(jì)劃公示后,標(biāo)準(zhǔn)牽頭單位中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司第四十六研究所組織成立了標(biāo)準(zhǔn)起草工作組,討論并形成了制定工作計(jì)劃及任務(wù)分工,工作組根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)制定的原則,開展了相關(guān)國(guó)內(nèi)外資料、標(biāo)準(zhǔn)的研究討論工作。同時(shí)組織相關(guān)技術(shù)人員進(jìn)行了意見征集,最終按照方法標(biāo)準(zhǔn)的編制原則、框架要求和國(guó)家的法律法規(guī),編制完成國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《氮化鋁單晶拋光片》的討論稿,并提交至全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委32)根據(jù)氮化鋁單晶拋光片最新的產(chǎn)品分類及下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中,注日期的引用文件,僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版GB/T30867碳化硅單晶片GB/T32188氮化鎵單晶襯底片X射線雙晶搖GB/T32189氮化鎵單晶襯底表面粗序號(hào)01雙面拋光{0001}晶向直徑PVT法氮化鋁單晶材料4氮化鋁單晶拋光片應(yīng)符合本標(biāo)準(zhǔn)的所有要求。不同直徑氮化鋁單晶拋光片的邊緣去單位:毫米拋光片直徑邊緣區(qū)域量1氮化鋁單晶片為雙面拋光片,在聚光燈下,其正、背表面的表面質(zhì)量目測(cè)結(jié)果應(yīng)符無無無無霧無無時(shí)針排列。若A的長(zhǎng)度大于B時(shí),正表面為Al面。氮化鋁單晶拋光片的5表3氮化鋁晶片幾何尺寸參數(shù)μmμmμm/差差2.6.2.1氮化鋁單晶拋光片的直62.6.2.2氮化鋁單晶拋光片的厚2.6.2.3氮化鋁單晶拋光片的總厚度變氮化鋁單晶拋光片的XRD搖擺曲線半高寬按GB/T32188進(jìn)行測(cè)量,氮化鋁晶體的衍射面積布拉格角見表4。表4氮化鋁晶體衍射面及布拉格角衍射面(hkil)24.91154wt%KOH/46wt%NaOH的混合熔融腐蝕液對(duì)晶片進(jìn)行腐蝕。晶片表面經(jīng)清洗吹掃干凈2.7.1.1產(chǎn)品由供方或第三方進(jìn)行檢驗(yàn),保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定,并填寫產(chǎn)要求不符時(shí),應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起3個(gè)月內(nèi)以書面形式向供方提出,由供需雙方協(xié)商解產(chǎn)品應(yīng)成批提交驗(yàn)收,每批由同一氮化鋁單晶體切割而成的并具有相同牌號(hào)的氮化2.7.4.1每批產(chǎn)品的表面質(zhì)量、幾何尺寸、晶向、XRD搖擺曲線半高寬、表面粗糙度72.7.5.1氮化鋁單晶拋光片首先進(jìn)行表面粗糙度、晶向、XRD搖擺曲線半高寬、位錯(cuò)密度的抽檢,抽檢結(jié)果中如其中一項(xiàng)不合格2.8.1.1產(chǎn)品塑料盒外包裝上應(yīng)有粘貼標(biāo)b)產(chǎn)品名稱;c)產(chǎn)品型號(hào)規(guī)格;b)產(chǎn)品規(guī)格;氮化鋁單晶拋光片應(yīng)在潔凈環(huán)境中用塑料膜盒封裝,塑料盒要潔凈,保證氮化鋁單晶拋光片不受沾污。塑料盒放入防靜電屏蔽袋中,抽真空密封。氮化鋁單晶拋光片的包將裝有氮化鋁單晶拋光片的包裝盒裝入外包裝箱內(nèi),并用軟填料將箱塞滿,使盒在氮化鋁單晶拋光片在運(yùn)輸過程中應(yīng)輕裝輕卸,勿壓勿擠8每批氮化鋁單晶拋光片應(yīng)附有隨行文件,其中除應(yīng)包括供方信息、產(chǎn)品信息、本文d)產(chǎn)品名稱、規(guī)格、牌號(hào);e)各項(xiàng)參數(shù)檢驗(yàn)結(jié)果;d)檢驗(yàn)員或檢驗(yàn)部門印章及檢驗(yàn)日期;a)檢驗(yàn)項(xiàng)目及其結(jié)果;b)產(chǎn)品批號(hào);d)檢驗(yàn)員或檢驗(yàn)部門印章及檢驗(yàn)日期;需方可根據(jù)需要,在訂購(gòu)本標(biāo)準(zhǔn)所列產(chǎn)品的訂貨單內(nèi),列出以下內(nèi)容:b)產(chǎn)品規(guī)格;c)技術(shù)指標(biāo)要求;本文件主要參考了國(guó)內(nèi)外主要生產(chǎn)企業(yè)和客戶的技術(shù)要求,同時(shí),結(jié)合
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