T-CSTM 01099-2024 鎳基變形高溫合金 痕量元素的測(cè)定 輝光放電質(zhì)譜法

ICS77.040.30CCSH10/19Nickel-basedwroughtsuperalloy—Determinationoftraceelements—Glowdischargemassspectromet2024-10-31發(fā)布中關(guān)村材料試驗(yàn)技術(shù)聯(lián)盟發(fā)布本文件參照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》和GB/T20001.4—2015《標(biāo)準(zhǔn)編寫規(guī)則第4部分：試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》的規(guī)定起草。請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。本文件由中國(guó)材料與試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)綜合標(biāo)準(zhǔn)化領(lǐng)域委員會(huì)（CSTM/FC99）提出。本文件由中國(guó)材料與試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)綜合標(biāo)準(zhǔn)化領(lǐng)域委員會(huì)（CSTM/FC99）歸口。2T/CSTM01099—2024鎳基變形高溫合金痕量元素的測(cè)定輝光放電質(zhì)譜法重要提示：使用本文件的人員應(yīng)有正規(guī)實(shí)驗(yàn)室工作的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。本文件并未指出所有可能的安全問(wèn)題。使用者有責(zé)任采取適當(dāng)?shù)陌踩徒】荡胧⒈ＷC符合國(guó)家有關(guān)法規(guī)規(guī)定的條件。本文件規(guī)定了采用輝光放電質(zhì)譜（GD-MS）法測(cè)定鎳基變形高溫合金中痕量元素的方法，包含原理、試驗(yàn)條件、試劑和材料、儀器設(shè)備、樣品、試驗(yàn)步驟、試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理、精密度檢驗(yàn)、正確度評(píng)定、不確定度評(píng)定、質(zhì)量保證和控制、試驗(yàn)報(bào)告。本文件適用于鎳基變形高溫合金中痕量元素的測(cè)定，分析元素種類及分析范圍見(jiàn)表1。定量元素及半定量元素種類、測(cè)定上限可根據(jù)校準(zhǔn)樣品中元素的種類及含量范圍適當(dāng)調(diào)整。BICNdFHfNaK3T/CSTM01099—2024NbOPSUVWYN可測(cè)定范圍下限由共同實(shí)驗(yàn)檢出限數(shù)據(jù)確定，可測(cè)定范圍上限由2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。4T/CSTM01099—2024GB/T22553利用重復(fù)性、再現(xiàn)性和正確度的估計(jì)值評(píng)定測(cè)量不確定度的指南T/CSTM00445輝光放電質(zhì)譜儀校準(zhǔn)規(guī)范ISO/TS15338：2020表面化學(xué)分析輝光放電質(zhì)譜操作規(guī)范（Surfacechemicalanalysis—Glowdischargemassspectrometry—operatingprocedures）3術(shù)語(yǔ)和定義ISO/TS15338：2020和T/CSTM00445界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。4方法概述將試樣放入輝光放電質(zhì)譜儀的放電池中作為陰極，導(dǎo)入氬氣（或其他惰性氣體并在陰極和陽(yáng)極間施加一個(gè)電位差，產(chǎn)生輝光放電。試樣經(jīng)離子濺射后產(chǎn)生的單個(gè)原子和/或原子團(tuán)擴(kuò)散進(jìn)入輝光放電區(qū)域被離子化，形成的離子被導(dǎo)入質(zhì)量分析器按質(zhì)荷比分離后，傳輸?shù)綑z測(cè)器進(jìn)行定性及定量分析。5試驗(yàn)條件實(shí)驗(yàn)室的條件要求如下：——防震、潔凈；——室內(nèi)溫度18℃~24℃（溫度波動(dòng)不超過(guò)2℃/h——相對(duì)濕度20%~70%；——避免陽(yáng)光直射。6試劑和材料6.1水電阻率不小于18MΩ·cm。優(yōu)級(jí)純，ρ約為0.79g/mL。6.3氬氣輝光放電氣氬氣純度（體積分?jǐn)?shù)）不低于99.999%，吹掃用氬氣純度（體積分?jǐn)?shù)）不低于99.99%。6.4高純氮?dú)饧兌龋w積分?jǐn)?shù)）不低于99.999%6.5液氮純度（體積分?jǐn)?shù)）不低于99.999%6.6質(zhì)量校正樣品黃銅或純鉭，用于輝光放電質(zhì)譜質(zhì)量校正；純鉭的純度不低于99.9%。5T/CSTM01099—20246.7高溫合金標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)應(yīng)為有證的高溫合金標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)/標(biāo)準(zhǔn)樣品。6.8高溫合金質(zhì)量控制樣品成分均勻且經(jīng)過(guò)定值的高溫合金樣品。7儀器設(shè)備7.1輝光放電質(zhì)譜儀7.1.1儀器要求應(yīng)符合ISO/TS15338:2020第5章的要求，且至少配備一套適用于塊狀樣品或針狀樣品的樣品池。中分辨模式質(zhì)量分辨率大于3500，高分辨模式質(zhì)量分辨率大于8000。7.1.2分析同位素對(duì)于有多種同位素的元素，通常應(yīng)選擇豐度最大的同位素。但當(dāng)存在干擾時(shí)，則需要選擇沒(méi)有干擾或干擾較小的其他同位素。推薦的同位素見(jiàn)表2，各同位素推薦的分辨率見(jiàn)附錄A。鋰7砷釤鈹9硒銪B硼溴釓C碳鍶鋱N氮銣鏑O氧Y釔鈥F氟鋯鉺Na鈉Nb鈮銩鎂釕鐿鋁銠镥硅鈀Hf鉿P磷銀鉭S硫鎘錸氯銦W鎢K鉀錫鋨鈣銻銥鈧碲鉑鈦I碘金V釩銫汞錳鋇鉈6T/CSTM01099—2024銅鑭鉛鋅鈰鉍鎵鐠釷鍺Nd釹U鈾鐵Ni*鎳鈷鉻鉬*為鎳基變形高溫合金的基體參考合金元素，也7.1.3質(zhì)量校正使用質(zhì)量校正樣品（6.6）對(duì)儀器進(jìn)行質(zhì)量校正。對(duì)于高流速輝光放電質(zhì)譜儀，根據(jù)儀器狀態(tài)，宜每周進(jìn)行一次質(zhì)量校正。對(duì)于低流速輝光放電質(zhì)譜儀，每更換一次放電池，即進(jìn)行一次質(zhì)量校正。在兩次測(cè)量之間的間隔超過(guò)兩周的情況下，測(cè)量之前進(jìn)行質(zhì)量校正。用于質(zhì)量校正的離子質(zhì)荷比應(yīng)覆蓋儀器的測(cè)量范圍。7.1.4峰形和分辨率的檢查和調(diào)整將質(zhì)量校正樣品（6.6）放入輝光放電池中，測(cè)量63Cu和208Pb的質(zhì)譜峰（或其他元素同位素）。調(diào)整儀器參數(shù)，使質(zhì)譜峰的形狀正常，并保證在峰的離子強(qiáng)度滿足測(cè)試要求的情況下，中分辨率不低于3500，高分辨率不低于8000。7.1.5檢測(cè)器校正儀器在分析過(guò)程中會(huì)使用不同的檢測(cè)器來(lái)測(cè)量離子流，因此需要進(jìn)行檢測(cè)器校正，以確保不同檢測(cè)器的效率相等。檢測(cè)器校正可以使用測(cè)定的樣品，或使用質(zhì)量校正樣品（6.6），視儀器狀態(tài)進(jìn)行，高流速輝光放電質(zhì)譜儀，宜每周或者每?jī)芍苓M(jìn)行一次檢測(cè)器校正；低流速輝光放電質(zhì)譜儀，每更換一次放電池，宜進(jìn)行一次檢測(cè)器校正。7.2制樣設(shè)備能夠?qū)⒃嚇又苽涑蓾M足儀器測(cè)試要求的幾何形狀（塊狀或針狀并且得到光滑表面的機(jī)械加工設(shè)備，包括切割機(jī)、磨樣機(jī)、拋光機(jī)等。8樣品8.1樣品加工8.1.1加工要求根據(jù)實(shí)際情況將樣品制備成儀器可以接受的形狀。不同儀器的放電池對(duì)試樣的幾何形狀和大小有不同的要求，可以在一定范圍內(nèi)變化。由于樣品池的設(shè)計(jì)限定了試樣的最大尺寸，因此能滿足樣品池要求的試樣都可以用于測(cè)量。通常樣品可制備為以下兩種。8.1.2塊狀樣品8.1.2.1高流速輝光放電質(zhì)譜儀器，樣品制備尺寸如下：塊狀試樣的直徑或長(zhǎng)寬應(yīng)大于20mm，圓柱狀，mm。7T/CSTM01099—20248.1.2.2低流速輝光放電質(zhì)譜儀器，樣品制備尺寸如下：塊狀試樣的直徑或長(zhǎng)寬應(yīng)大于10mm，圓柱狀，直徑為15mm～33mm、厚度為5mm～8mm；長(zhǎng)方體狀，長(zhǎng)、寬均為15mm～24mm、厚度為5mm~8mm。8.1.2.3使用74μm-125μm的砂紙將表面打磨光滑。8.1.3針狀樣品8.1.3.1高流速輝光放電質(zhì)譜儀器，樣品制備尺寸如下：圓棒狀，直徑1mm~3mm、高約10mm~25mm；方柱狀，長(zhǎng)、寬2mm×2mm、高20mm。8.1.3.2低流速輝光放電質(zhì)譜儀器，樣品制備尺寸如下：圓棒狀，直徑2mm~3mm、高19mm～23mm；方柱狀，長(zhǎng)寬1.5mm×1.5mm或2mm×2mm、高19mm～23mm。樣品表面（包括側(cè)面和兩端）光滑度適用于輝光放電質(zhì)譜分析。8.2樣品清洗試樣按8.1制備后，分析前按需要采取以下步驟進(jìn)行清洗以去除表面污染。步驟如下：a）將試樣置于燒杯中，加入水（6.1）浸沒(méi)試樣，置于超聲波清洗儀中，超聲清洗5min；b）將試樣取出用水（6.1）沖洗3遍后，放入盛有乙醇（6.2）的燒杯中，超聲清洗5min；c）將試樣取出，晾干備用或使用高純氮?dú)猓?.4）吹干；d）標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)和質(zhì)量控制樣品清洗同8.2a)、8.2b)、8.2c)。9試驗(yàn)步驟9.1儀器狀態(tài)確認(rèn)樣品分析前建議測(cè)定監(jiān)控樣品（并不進(jìn)行強(qiáng)制要求），以進(jìn)一步確認(rèn)輝光放電質(zhì)譜的整體性能。可通過(guò)測(cè)量高溫合金標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)（6.7）或高溫合金質(zhì)量控制樣品（6.8）中痕量雜質(zhì)元素B、Cu、Sn、Ce、Pb（或其他合適元素）的離子束強(qiáng)度比，繪制統(tǒng)計(jì)過(guò)程控制圖（SPC）監(jiān)控分析數(shù)據(jù)，以證明分析過(guò)程處于統(tǒng)計(jì)控制狀態(tài)。如果分析數(shù)據(jù)在3σ控制限值內(nèi)，并且沒(méi)有顯示非隨機(jī)趨勢(shì)，則該設(shè)備適合使用。SPC的控制上限和下限應(yīng)至少在先前確定的離子束強(qiáng)度比平均值的20%以內(nèi)。9.2樣品預(yù)濺射將樣品（8.2）快速裝入輝光放電離子源中，使試樣已清潔表面在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的暴露時(shí)間最短。選擇適當(dāng)條件預(yù)濺射5mim～10min，以除去樣品表面污染。預(yù)濺射完成后，將儀器調(diào)至分析所需的條件進(jìn)行樣品測(cè)定。9.3半定量分析建立分析方法并采集待測(cè)元素的離子強(qiáng)度信息，至少采集3次數(shù)據(jù)，計(jì)算各元素的離子束強(qiáng)度比（IBR）。使用儀器典型相對(duì)靈敏度因子（RSF），按公式（1）進(jìn)行計(jì)算，得到待測(cè)元素的含量，以質(zhì)量分?jǐn)?shù)表示。該方案包括但不限于表2所列同位素的測(cè)量。式中：wX——待測(cè)元素x的質(zhì)量分?jǐn)?shù)，μg/g；IBRx——待測(cè)元素x的離子束強(qiáng)度比；RSFx——待測(cè)元素x的儀器典型相對(duì)靈敏度因子；8T/CSTM01099—2024WM——基體元素M的質(zhì)量分?jǐn)?shù)定義為1×106μg/g。9.4定量分析當(dāng)進(jìn)行定量分析時(shí)，使用至少1個(gè)基體匹配的高溫合金標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)（6.7）或質(zhì)量控制樣品（6.8）作為校正樣品，通過(guò)至少采集3次數(shù)據(jù)，獲得目標(biāo)元素的相對(duì)靈敏度因子。利用測(cè)量所得的相對(duì)靈敏度因子，進(jìn)行定量分析，見(jiàn)公式（2）。式中：RSF（x/M）——基體M中待測(cè)元素x的相對(duì)靈敏度因子；wx——待測(cè)元素x的質(zhì)量分?jǐn)?shù)；Ax——待測(cè)元素x同位素的豐度；IM——基體元素M同位素的譜峰強(qiáng)度，cps；wM——基體元素M的質(zhì)量分?jǐn)?shù)定義為1×106μg/g；AM——基體元素M同位素的豐度；Ix——待測(cè)元素x同位素的譜峰強(qiáng)度。建立分析方案并在相同的條件下測(cè)量，通過(guò)至少采集3次數(shù)據(jù)，獲得測(cè)試樣品中各元素的離子束強(qiáng)度比（IBR利用所得相對(duì)靈敏度因子按公式（3）進(jìn)行計(jì)算，得到待測(cè)元素的一個(gè)測(cè)量結(jié)果，以質(zhì)量分?jǐn)?shù)表示。式中：x——待測(cè)元素x的質(zhì)量分?jǐn)?shù)，μg/g；WM——基體元素M的質(zhì)量分?jǐn)?shù)定義為1×106μg/g；RSFx——待測(cè)元素x的RSF值；IBRx——待測(cè)元素x的離子束強(qiáng)度比；RSFxi——第i個(gè)元素x的RSF值；IBRxi——第i個(gè)元素x的離子束強(qiáng)度比；n——樣品中元素的個(gè)數(shù)。10試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理按公式（1）、公式（2）和公式（3）進(jìn)行試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理，有效數(shù)字保留位數(shù)見(jiàn)表3。11精密度T/CSTM01099—2024根據(jù)附錄B原始數(shù)據(jù)，繪制lgr-lgm和lgR-lgm關(guān)系曲線，見(jiàn)圖1，獲得公式（4）、（5）。根據(jù)公式（4）、（5）獲得表4中95%置信度下不同含量水平對(duì)應(yīng)的相對(duì)重復(fù)性限和相對(duì)再現(xiàn)性限，用于元素分析數(shù)據(jù)的精密度判定。當(dāng)實(shí)驗(yàn)室內(nèi)兩次重復(fù)測(cè)量結(jié)果及實(shí)驗(yàn)室間兩次獨(dú)立測(cè)量結(jié)果差值與平均值的比值不超過(guò)表4相對(duì)重復(fù)性限和相對(duì)再現(xiàn)性限時(shí)，表明95%置信度下測(cè)量結(jié)果的室內(nèi)或室間精密度滿足分析要求。lgr=0.7315lgm-0.5678相關(guān)系數(shù)0.977 （4）lgR=0.8499lgm+0.0493相關(guān)系數(shù)0.979 R/m（%）185412測(cè)量結(jié)果正確度檢驗(yàn)在重復(fù)性條件下，一個(gè)實(shí)驗(yàn)室測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)樣品，得到n個(gè)測(cè)量結(jié)果，其算術(shù)平均值x-與認(rèn)定值u0進(jìn)行比較。在95%置信度下，x-?u0的臨界差CD0.95按公式（6）計(jì)算：式中：x-——測(cè)量結(jié)果的算術(shù)平均值，μg/g；u0——標(biāo)準(zhǔn)樣品的認(rèn)定值，μg/g；CD0.95——在95%置信度下，x-?u0的臨界差，μg/g；r——重復(fù)性限，μg/g；R——再現(xiàn)性限，μg/g；n——一個(gè)實(shí)驗(yàn)室在一個(gè)水平上的測(cè)量次數(shù)。T/CSTM01099—2024當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)樣品的擴(kuò)展不確定度U不可忽略時(shí)，x-?u0的臨界差C按公式（7）計(jì)算：13不確定度評(píng)定13.1評(píng)定依據(jù)當(dāng)測(cè)量數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)偏差與重復(fù)性標(biāo)準(zhǔn)差無(wú)顯著性差異，且用標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)檢驗(yàn)測(cè)量正確度滿足要求，可根據(jù)GB/T22553以重復(fù)性和中間精密度標(biāo)準(zhǔn)差及正確度評(píng)定測(cè)量的擴(kuò)展不確定度。13.2偏倚檢驗(yàn)如果則標(biāo)準(zhǔn)樣品測(cè)量偏倚?l處于受控狀態(tài)，計(jì)算見(jiàn)公式（8）。式中：m——測(cè)量平均值，μg/g；μ——有證標(biāo)準(zhǔn)樣品標(biāo)準(zhǔn)值，μg/g；S(TC)——時(shí)間和校準(zhǔn)變化的中間精密度方差；S——重復(fù)性方差；S——不含重復(fù)性方差的中間精密度方差；S——標(biāo)準(zhǔn)樣品測(cè)量方差；nl——測(cè)量次數(shù)。13.3精密度檢驗(yàn)試樣測(cè)定標(biāo)準(zhǔn)偏差為Sl，采用X2檢驗(yàn)判斷Sl與Sr是否差異顯著，見(jiàn)公式（9）。當(dāng)（n?1）S/S不大于95%置信度下的X2值，表明Sl與Sr無(wú)顯著差異。即使sl顯著大于sr，可在不確定度公式中采用調(diào)整后中間精密度，用Sl替代Sr，S'I13.4測(cè)量方法偏倚對(duì)不確定度的貢獻(xiàn)測(cè)量方法偏倚對(duì)不確定度的貢獻(xiàn)按公式（10）計(jì)算。測(cè)量方法偏倚對(duì)不確定度的貢獻(xiàn)按公式（10）計(jì)算。式中：u(μ)——偏倚檢驗(yàn)時(shí)的有證標(biāo)準(zhǔn)樣品的標(biāo)準(zhǔn)不確定度；S——測(cè)量方法偏倚的方差；p——標(biāo)準(zhǔn)制定時(shí)協(xié)同實(shí)驗(yàn)室數(shù)；n——標(biāo)準(zhǔn)制定協(xié)同實(shí)驗(yàn)時(shí)各實(shí)驗(yàn)室的重復(fù)測(cè)量次數(shù)。金屬化學(xué)成分分析的中間精密度可用公式S(TC)=(SR2+Sr2)/4估算（當(dāng)SR<3sr，SITC計(jì)算值小T/CSTM01099—202413.5擴(kuò)展不確定度在偏倚受控及試樣測(cè)量精密度檢驗(yàn)合格情況下，被測(cè)試樣擴(kuò)展不確定度的估計(jì)值如公式（11包在偏倚受控及試樣測(cè)量精密度檢驗(yàn)合格情況下，被測(cè)試樣擴(kuò)展不確定度的估計(jì)值如公式（11包含因子k=2），本文件p=8，n=2：進(jìn)行半定量分析時(shí)，對(duì)儀器進(jìn)行狀態(tài)確認(rèn)后，方可進(jìn)行測(cè)定。進(jìn)行定量分析時(shí)，應(yīng)使用高溫合金標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)（6.7）或高溫合金質(zhì)量控制樣品（6.8）對(duì)相對(duì)靈敏度因子或者校準(zhǔn)曲線進(jìn)行確認(rèn)，確認(rèn)應(yīng)在相對(duì)靈敏度因子測(cè)定后，樣品分析前進(jìn)行。在樣品分析過(guò)程中，應(yīng)定期對(duì)相對(duì)靈敏度因子進(jìn)行驗(yàn)證（每隔10個(gè)樣品或根據(jù)實(shí)驗(yàn)室需求進(jìn)行）。15試驗(yàn)報(bào)告試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)包括下列（但不限于）內(nèi)容：a)識(shí)別樣品、實(shí)驗(yàn)室和試驗(yàn)日期所需的全部資料；b)參考本文件所用的方法；c)試驗(yàn)結(jié)果及表示；d)試驗(yàn)中觀察到的異?，F(xiàn)象；e)任何本文件中未規(guī)定的操作，或任何可能影響結(jié)果的操作。T/CSTM01099—2024（規(guī)范性）分析元素推薦的分辨率A.1高流速輝光放電質(zhì)譜儀測(cè)定元素的分辨率見(jiàn)表A.1。79BCNOYFNaNbHfPSWKIVNdUT/CSTM01099—2024A.2低流速輝光放電質(zhì)譜儀測(cè)定元素的分辨率見(jiàn)表A.2。79BCNOYFNaNbHfPSWKIVNdUT/CSTM01099—2024精密度試驗(yàn)附加信息2023年由8個(gè)實(shí)驗(yàn)室對(duì)Ag、AL、As、Au、B、Bi、Se、Si、Sn、Sr、Ta、Te、Ti、Tl、U、V、W、Y、Zn、Zr共53個(gè)元素的2個(gè)~6個(gè)每個(gè)樣品測(cè)量?jī)纱潍@得兩個(gè)獨(dú)立測(cè)量結(jié)果。共同精密度試驗(yàn)樣品信息列于表B.1~表B.53。各元素含量m與重復(fù)性限（r）和再現(xiàn)性限（R）的函數(shù)圖形關(guān)系列于圖B.1~圖B.48。///Ag含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.5921+0.7004lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.8634；Ag含量與R回歸的線性方程為lgR=0.0493+0.8499lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9790。/////////////////////Al含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.5678+0.7315lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9771；Al含量與R回歸T/CSTM01099—2024的線性方程為lgR=0.0493+0.8499lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9790。/As含量與r回歸的線性方程為r=0.1674+0.0607m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9906；As含量與R回歸的線性方程為R=0.8725+0.1649m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9734。///T/CSTM01099—2024Au含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.9858+0.4004lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.8888；Au含量與R回歸的線性方程為lgR=-0.3427+0.6901lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9917。B含量與r回歸的線性方程為r=0.3523+0.1482m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9939；B含量與R回歸的線性方程為R=-0.9856+0.5826m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9981。T/CSTM01099—2024//////Ba含量與r回歸的線性方程為r=0.0012+1.6797m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9864；Ba含量與R回歸的線性方程為R=0.0009+2.1521m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9919。//////T/CSTM01099—2024Be含量與r回歸的線性方程為r=0.0003+0.4834m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9951；Be含量與R回歸的線性方程為R=0.0012+2.5382m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9993。///Bi含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.7648+0.6010lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9695；Bi含量與R回歸的線性方程為R=0.0072+0.6511m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9995。T/CSTM01099—2024//////Br含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.9663+0.4770lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9159；Br含量與R回歸的線性方程為lgR=0.9789+1.3054lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9942。///C含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.5678+0.7315lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9771；C含量與R回歸的線性方程為lgR=0.0493+0.8499lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9790。//T/CSTM01099—2024Ca含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.4959+0.6465lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9924；Ca含量與R回歸的線性方程為R=0.0033+1.4534m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9999。/////Cd含量與r回歸的線性方程為r=0.0322+0.1743m，線性相關(guān)系數(shù)為0.7425；Cd含量與R回歸的線性方程為lgR=0.6749+1.3109lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9693。T/CSTM01099—2024////Ce含量與r回歸的線性方程為r=0.0048+0.2662m，線性相關(guān)系數(shù)為1.0000；Ce含量與R回歸的線性方程為lgR=0.0389+0.9468lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9867。////T/CSTM01099—2024Cu含量與r回歸的線性方程為r=0.0504+0.0635m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9938；Cu含量與R回歸的線性方程為R=1.1256+0.2611m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9931。//////F含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.5678+0.7315lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9771；F含量與R回歸的線性方程為lgR=1.3305+1.5466lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9160。T/CSTM01099—2024//Ga含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.5678+0.7315lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9771；Ga含量與R回歸的線性方程為lgR=0.0493+0.8499lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9790。///Ge含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.5897+0.7449lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.8908；Ge含量與R回歸的線性方程為lgR=-0.3942+0.6437lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9164。T/CSTM01099—2024///Hf含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.6518+0.7051lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9759；Hf含量與R回歸的線性方程為R=0.0141+0.7233m，線性相關(guān)系數(shù)為1.0000。///T/CSTM01099—2024In含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.9565+0.5774lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9511；In含量與R回歸的線性方程為lgR=-0.2894+0.7766lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9846。//////Ir含量與r回歸的線性方程為r=-0.0009+0.4921m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9752；Ir含量與R回歸的線性方程為R=0.0066+0.9764m，線性相關(guān)系數(shù)為0.8830。T/CSTM01099—2024//////K含量與r回歸的線性方程為r=0.0014+1.1782m，線性相關(guān)系數(shù)為0.8895；K含量與R回歸的線性方程為R=-0.0075+3.1961m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9863。///T/CSTM01099—2024La含量與r回歸的線性方程為r=0.0005+0.5364m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9993；La含量與R回歸的線性方程為R=0.0024+0.9696m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9995。Mg含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.8814+0.8558lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9971；Mg含量與R回歸的線性方程為R=0.3043+0.3517m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9734。T/CSTM01099—2024////Mn含量與r回歸的線性方程為r=-4.5002+0.0689m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9998；Mn含量與R回歸的線性方程為R=-0.9728+0.2680m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9074。/////T/CSTM01099—2024N含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.5678+0.7315lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9771；N含量與R回歸的線性方程為lgR=0.1997+1.1142lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.8573。//////////////////////Nb含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.5678+0.7315lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9771；Nb含量與R回歸的線性方程為lgR=0.0493+0.8499lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9790。////T/CSTM01099—2024O含量與r回歸的線性方程為r=4.0368+0.1237m，線性相關(guān)系數(shù)為0.8547；O含量與R回歸的線性方程為R=-12.7341+3.9377m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9994。//////Os含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.5742+0.6937lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.8958；Os含量與R回歸的線性方程為R=-0.0113+1.8350m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9426。T/CSTM01099—2024/P含量與r回歸的線性方程為r=-0.1168+0.1033m，線性相關(guān)系數(shù)為1.0000；P含量與R回歸的線性方程為R=-0.1232+0.3755m，線性相關(guān)系數(shù)為1.0000。/T/CSTM01099—2024Pb含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.8164+0.5927lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9503；Pb含量與R回歸的線性方程為R=0.0062+0.7750m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9988。///Pd含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.6105+0.8553lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9941；Pd含量與R回歸的線性方程為R=0.0398+0.5678m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9990。T/CSTM01099—2024///Pt含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.8363+0.4553lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9687；Pt含量與R回歸的線性方程為lgR=-0.2762+0.6922lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9825。//////T/CSTM01099—2024Re含量與r回歸的線性方程為r=0.0098+0.1485m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9938；Re含量與R回歸的線性方程為R=0.0048+0.7888m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9997。//////Rb含量與r回歸的線性方程為r=0.0019+0.3701m，線性相關(guān)系數(shù)為1.0000；Rb含量與R回歸的線性方程為lgR=-0.4740+1.0635lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9987。T/CSTM01099—2024//////Rh含量與r回歸的線性方程為lgr=-1.0974+0.4243lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.8492；Rh含量與R回歸的線性方程為lgR=0.7401+1.1732lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9964。///T/CSTM01099—2024Ru含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.3375+0.5928lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9735；Ru含量與R回歸的線性方程為lgR=0.1068+0.7947lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9963。S含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.6530+0.8310lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9746；S含量與R回歸的線性方程為lgR=0.0663+0.6786lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9767。T/CSTM01099—2024Sb含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.6329+0.6904lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9474；R回歸的線性方程為R=0.1089+0.2770m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9830。/////T/CSTM01099—2024Sc含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.8637+0.6708lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9001；Sc含量與R回歸的線性方程為lgR=0.0135+0.9190lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9572。/Se含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.3814+0.8652lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9661；Se含量與R回歸的線性方程為lgR=-0.0324+0.4608lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.7425。T/CSTM01099—2024////Si含量與r回歸的線性方程為r=-0.9930+0.1101m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9837；Si含量與R回歸的線性方程為lgR=0.2780+0.7025lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9468。T/CSTM01099—2024Sn含量與r回歸的線性方程為r=0.1103+0.1286m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9661；Sn含量與R回歸的線性方程為R=0.3356+0.3807m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9998。//////Sr含量與r回歸的線性方程為r=0.1001+0.2005m，線性相關(guān)系數(shù)為0.8805；Sr含量與R回歸的線性方程為lgR=0.4150+1.1994lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9884。T/CSTM01099—2024/Ta含量與r回歸的線性方程為r=0.0513+0.0959m，線性相關(guān)系數(shù)為1.0000；Ta含量與R回歸的線性方程為R=0.3521+0.5763m，線性相關(guān)系數(shù)為1.0000。////T/CSTM01099—2024Te含量與r回歸的線性方程為r=0.0432+0.1898m，線性相關(guān)系數(shù)為0.8929；Te含量與R回歸的線性方程為lgR=-0.2976+0.5751lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9524。/////////////////////Ti含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.5678+0.7315lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9771；Ti含量與R回歸的線性方程為lgR=0.0493+0.8499lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9790。//T/CSTM01099—2024Tl含量與r回歸的線性方程為lgr=-0.7978+0.5916lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9848；Tl含量與R回歸的線性方程為lgR=-0.2441+0.7839m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9994。//////U含量與r回歸的線性方程為r=-0.0055+0.4251m，線性相關(guān)系數(shù)為0.8741；U含量與；R回歸的線性方程為lgR=0.5253+1.1042lgm，線性相關(guān)系數(shù)為0.9223。T/CSTM01099—2024////V含量與r回歸的線性方程為r=-1.3114+0.0984m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9907；V含量與R回歸的線性方程為R=11.1745+0.4368m，線性相關(guān)系數(shù)為0.9378。////T/CSTM010