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第十二章核磁共振和質(zhì)譜前言:有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)表征(即測定)——從分子水平認(rèn)識物質(zhì)的基本手段,是有機(jī)化學(xué)的重要組成部分。過去,主要依靠化學(xué)方法進(jìn)行有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)測定,其缺點是:費(fèi)時、費(fèi)力、費(fèi)錢,需要的樣品量大。例如:鴉片中嗎啡堿結(jié)構(gòu)的測定,從1805年開始研究,直至1952年才完全闡明,歷時147年。而現(xiàn)在的結(jié)構(gòu)測定,則采用現(xiàn)代儀器分析法,其優(yōu)點是:省時、省力、省錢、快速、準(zhǔn)確,樣品消耗量是微克級的,甚至更少。它不僅可以研究分子的結(jié)構(gòu),而且還能探索到分子間各種集聚態(tài)的結(jié)構(gòu)構(gòu)型和構(gòu)象的狀況,對人類所面臨的生命科學(xué)、材料科學(xué)的發(fā)展,是極其重要的。
對有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)表征應(yīng)用最為廣泛的是:紫外光譜(ultravioletspectroscopy縮寫為UV)、紅外光譜(infraredspectroscopy縮寫為IR)、核磁共振譜(nuclearmagneticresonance縮寫為NMR)和質(zhì)譜(massspectroscopy縮寫為MS).r質(zhì)子特征數(shù);h普朗克常數(shù);H0質(zhì)子感受到的磁場強(qiáng)度§12-1核磁共振譜一.原理與Ho方向相反,能量較高與Ho方向相同,能量較低
E=rhH0/2
結(jié)論:
(1)ΔE∝H0;
(2)
1H受到一定頻率(v)的電磁輻射,且提供的能量=ΔE,則發(fā)生共振吸收,產(chǎn)生共振信號,即核磁共振。
2、掃頻:電場不變,電磁波的頻率改變。二、核磁共振儀示意圖掃描方式:1、掃場:電磁波的頻率不變,改變磁場強(qiáng)度;化學(xué)位移的由來——
屏蔽效應(yīng)化學(xué)位移是由核外電子的屏蔽效應(yīng)引起的。
二、化學(xué)位移和屏蔽效應(yīng)定義:在照射頻率確定時,同種核因在分子中的化學(xué)環(huán)境不同而在不同共振磁場強(qiáng)度下顯示吸收峰的現(xiàn)象稱為化學(xué)位移。因此一個質(zhì)子的化學(xué)位移是由其周圍的電子環(huán)境決定的。
H核在分子中不是完全裸露的,而是被價電子所包圍的。因此,在外加磁場作用下,由于核外電子在垂直于外加磁場的平面繞核旋轉(zhuǎn),從而產(chǎn)生與外加磁場方向相反的感生磁場H’。這樣,H核的實際感受到的磁場強(qiáng)度為:
若質(zhì)子的共振磁場強(qiáng)度只與γ(磁旋比)、電磁波照射頻率v有關(guān),那么,試樣中符合共振條件的1H都發(fā)生共振,就只產(chǎn)生一個單峰,這對測定化合物的結(jié)構(gòu)是毫無意義的。實驗證明:在相同的頻率照射下,化學(xué)環(huán)境不同的質(zhì)子將在不同的磁場強(qiáng)度處出現(xiàn)吸收峰。式中:σ為屏蔽常數(shù)
核外電子對H核產(chǎn)生的這種作用,稱為屏蔽效應(yīng)(又稱抗磁屏蔽效應(yīng))。
顯然,核外電子云密度越大,屏蔽效應(yīng)越強(qiáng),要發(fā)生共振吸收就勢必增加外加磁場強(qiáng)度,共振信號將移向高場區(qū);反之,共振信號將移向低場區(qū)。因此,H核磁共振的條件是:2.化學(xué)位移的表示方法化學(xué)位移的差別約為百萬分之十,精確測量十分困難,現(xiàn)采用相對數(shù)值。以四甲基硅(TMS)為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì),規(guī)定:它的化學(xué)位移為零,然后,根據(jù)其它吸收峰與零點的相對距離來確定它們的化學(xué)位移值。零點-1-2-31234566789
TMS低場高場化學(xué)位移用(德爾塔)表示,以前也用(套)表示,與的關(guān)系為:=10-為什么選用TMS(四甲基硅烷)作為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)?
(1)屏蔽效應(yīng)強(qiáng),共振信號在高場區(qū)(δ值規(guī)定為0),絕大多數(shù)吸收峰均出現(xiàn)在它的左邊。
(2)結(jié)構(gòu)對稱,是一個單峰。
(3)容易回收(b.p低),與樣品不反應(yīng)、不締合。
三、影響化學(xué)位移的因素
凡影響電子云密度的因素都將影響化學(xué)位移。其中影響最大的是:誘導(dǎo)效應(yīng)和各向異性效應(yīng)。
i電負(fù)性的影響:
元素的電負(fù)性↑,通過誘導(dǎo)效應(yīng),使H核的核外電子云密度↓,屏蔽效應(yīng)↓,共振信號→低場。例如:
ii、電負(fù)性距離質(zhì)子越近,化學(xué)位移值越大(如溴對甲基的影響);CH3-BrCH3CH2BrCH3CH2CH2Br2.681.651.0iii、吸電子誘導(dǎo)效應(yīng)具有加和性CH3ClCH2Cl2CHCl33.055.337.24規(guī)律:吸電子的誘導(dǎo)效應(yīng)使質(zhì)子周圍的電子云密度降低,屏蔽效應(yīng)降低,化學(xué)位移值變大(2)磁各向異性效應(yīng):
A.雙鍵碳上的質(zhì)子
烯烴雙鍵碳上的質(zhì)子位于π鍵環(huán)流電子產(chǎn)生的感生磁場與外加磁場方向一致的區(qū)域(稱為去屏蔽區(qū)),去屏蔽效應(yīng)的結(jié)果,使烯烴雙鍵碳上的質(zhì)子的共振信號移向稍低的磁場區(qū),其δ=4.5~5.7。
同理,羰基碳上的H質(zhì)子與烯烴雙鍵碳上的H質(zhì)子相似,也是處于去屏蔽區(qū),存在去屏蔽效應(yīng),但因氧原子電負(fù)性的影響較大,所以,羰基碳上的H質(zhì)子的共振信號出現(xiàn)在更低的磁場區(qū),其δ=9.4~10。
B.三鍵碳上的質(zhì)子:
碳碳三鍵是直線構(gòu)型,π電子云圍繞碳碳σ鍵呈筒型分布,形成環(huán)電流,它所產(chǎn)生的感應(yīng)磁場與外加磁場方向相反,故三鍵上的H質(zhì)子處于屏蔽區(qū),屏蔽效應(yīng)較強(qiáng),使三鍵上H質(zhì)子的共振信號移向較高的磁場區(qū),其δ=2~3。Example
0.965.847.2
小結(jié):
特征質(zhì)子的化學(xué)位移值102345678910111213C3CHC2CH2C-CH3環(huán)烷烴0.2—1.5CH2ArCH2NR2CH2SC
CHCH2C=OCH2=CH-CH31.7—3CH2FCH2Cl
CH2BrCH2ICH2OCH2NO22—4.70.5(1)—5.56—8.510.5—12CHCl3(7.24)4.6—5.99—10OHNH2NHCR2=CH-RRCOOHRCHO常用溶劑的質(zhì)子的化學(xué)位移值D四、決定質(zhì)子數(shù)目的方法吸收峰的峰面積,可用自動積分儀對峰面積進(jìn)行自動積分,畫出一個階梯式的積分曲線。
峰面積的大小與質(zhì)子數(shù)目成正比。
峰面積高度之比
=質(zhì)子個數(shù)之比。
五、共振吸收峰(信號)的數(shù)目
一個化合物究竟有幾組吸收峰,取決于分子中H核的化學(xué)環(huán)境。
有幾種不同類型的H核,就有幾組吸收峰。
例如:
低分辨率譜圖
六、自旋偶合與自旋裂分在高分辨率核磁共振譜儀測定CH3CH2―I或C2H5OH時CH3―和―CH2―的共振吸收峰都不是單峰,而是多重峰。
產(chǎn)生的原因:
相鄰的磁不等性H核自旋相互作用(即干擾)的結(jié)果。這種原子核之間的相互作用,叫做自旋偶合。由自旋偶合引起的譜線增多的現(xiàn)象,叫做自旋裂分。偶合表示核的相互作用,裂分表示譜線增多的現(xiàn)象。現(xiàn)以CH3CH2―I為例,討論自旋偶合與自旋裂分作用:
首先,分析―CH3上的氫(以Ha表示):
它的鄰近―CH2―上有兩個H核(以Hb表示),Hb對Ha的影響可表示如下:
∵
H核的自旋量子數(shù)I
=1/2,在磁場中可以有兩種取向,即:
+1/2(以↑表示)和-1/2(以↓表示)
這樣,Hb的自旋取向的排布方式就有以下幾種情況:
同理,也可畫出Ha對Hb的影響。由此可見,裂分峰的數(shù)目有如下規(guī)律:
峰的數(shù)目=n+1n:為相鄰H核的數(shù)目七、偶合常數(shù)每組吸收峰內(nèi)各峰之間的距離,稱為偶合常數(shù),以Jab表示。下標(biāo)ab表示相互偶合的磁不等性H核的種類。
偶合常數(shù)的單位用Hz表示。偶合常數(shù)的大小與外加磁場強(qiáng)度、使用儀器的頻率無關(guān)。
值得注意的是:
自旋偶合與相互作用的兩個H核的相對位置有關(guān),當(dāng)相隔單鍵數(shù)≤3時,可以發(fā)生自旋偶合,相隔三個以上單鍵,J值趨于0,即不發(fā)生偶合。
磁等性H核之間不發(fā)生自旋裂分。如CH3—CH3只有一個單峰。
八、譜圖解析
1.一張譜圖可以向我們提供關(guān)于有機(jī)分子結(jié)構(gòu)的如下信息
1.由吸收峰的組數(shù),可以判斷有幾種不同類型的H核;
2.由峰的強(qiáng)度(峰面積或積分曲線高度),可以判斷各類H的相對數(shù)目;
3.由峰的裂分?jǐn)?shù)目,可以判斷相鄰H核的數(shù)目;
4.由峰的化學(xué)位移(δ值),可以判斷各類型H所處的化學(xué)環(huán)境;
5.由裂分峰的外形或偶合常數(shù),可以判斷哪種類型H是相鄰的。
2.分子式為C3H60的某化合物的核磁共振譜如下,試確定其結(jié)構(gòu)。
譜圖上只有一個單峰,說明分子中所有氫核的化學(xué)環(huán)境完全相同。結(jié)合分子式可斷定該化合物為丙酮。
3.某化合物的分子式為C3H7Cl,其NMR譜圖如下圖所示:試推斷該化合物的結(jié)構(gòu)。
解:由分子式可知,該化合物是一個飽和化合物;由譜圖可知:
(1)有三組吸收峰,說明有三種不同類型的H核;
(2)該化合物有七個氫,有積分曲線的階高可知a、b、c各組吸收峰的質(zhì)子數(shù)分別為3、2、2;
(3)由化學(xué)位移值可知:Ha的共振信號在高場區(qū),其屏蔽效應(yīng)最大,該氫核離Cl原子最遠(yuǎn);而Hc
的屏蔽效應(yīng)最小,該氫核離Cl原子最近。
結(jié)論:該化合物的結(jié)構(gòu)應(yīng)為:4C3H6O2U=1NMR11.3(單峰1H)2.3(四重峰2H)1.2(三重峰3H)
CH3CH2COOH5C7H8OU=4NMR7.2(多重峰5H)4.5(單峰2H)3.7(寬峰1H)
C6H5-CH2-OH式中:n1、n3、n4分別代表分子中一價、三價和四價原子的數(shù)目。例:苯甲醛(C7H6O)不飽和度的計算不飽和度意義:根據(jù)分子式計算不飽和度,其經(jīng)驗公式為:13CNMR波譜質(zhì)子去偶13CNMR波譜:可以去掉H核對13C碳自旋偶合,得到分子中不同環(huán)境碳的簡單譜圖。特點:可確定碳的種數(shù)13CNMR化學(xué)位移:0~250ppm規(guī)律:sp3雜化碳:0~100ppmSp2雜化碳:100~210ppm羰基碳:170~210ppm
i=-2.6+9.1n
+9.4n-2.5nCH3-CH2-CH2-CH2-CH3偏共振去偶13CNMR波譜特點:可獲得與碳相連的氫與該碳偶合的譜圖,而與碳相間的氫核偶合很弱,可以消除掉,峰的分裂數(shù)與碳直接相連的氫有關(guān),遵守n+1規(guī)律。一、質(zhì)譜的基本原理
基本原理:使待測的樣品分子氣化,用具有一定能量的電子束(或具有一定能量的快速原子)轟擊氣態(tài)分子,使氣態(tài)分子失去一個電子而成為帶正電的分子離子。分子離子還可能斷裂成各種碎片離子,所有的正離子在電場和磁場的綜合作用下按質(zhì)荷比(m/z)大小依次排列而得到譜圖。使氣態(tài)分子轉(zhuǎn)化為正離子的方法:EI源、FAB源等§12-7質(zhì)譜質(zhì)譜儀示意圖離子生成后,在質(zhì)譜儀中被電場加速。加速后其動能和位能相等即:其中
m:離子質(zhì)量;v:離子速度;z:離子電荷;V:加速電壓(1)當(dāng)被加速的離子進(jìn)入磁分析器時,磁場再對離子進(jìn)行作用,讓每一個離子按一定的彎曲軌道繼續(xù)前進(jìn)。其行進(jìn)軌道的曲率半徑?jīng)Q定于各離子的質(zhì)量和所帶電荷的比值m/z。此時由離子動能產(chǎn)生的離心力(mv2/R)與由磁場產(chǎn)生的向心力(Hzv)相等:其中:R為曲率半徑
H為磁場強(qiáng)度由此式得:(2)代入(1)式得:這就是質(zhì)譜的基本方程二、質(zhì)譜圖的組成質(zhì)譜圖由橫坐標(biāo)、縱坐標(biāo)和棒線組成。橫坐標(biāo)標(biāo)明離子質(zhì)荷比(m/z)的數(shù)值,縱坐標(biāo)標(biāo)明各峰的相對強(qiáng)度,棒線代表質(zhì)荷比的離子。圖譜中最強(qiáng)的一個峰稱為基峰,將它的強(qiáng)度定為100。丁酮的質(zhì)譜圖三、離子的主要類型、形成及其應(yīng)用1.分子離子和分子離子峰
分子被電子束轟擊失去一個電子形成的離子稱為分子離子。分子離子用M+?表示。在質(zhì)譜圖上,與分子離子相對應(yīng)的峰為分子離子峰。分子離子峰的應(yīng)用:
分子離子峰的質(zhì)荷比就是化合物的相對分子質(zhì)量,所以,用質(zhì)譜法可測分子量。2.同位素離子和同位素離子峰含有同位素的離子稱為同位素離子。在質(zhì)譜圖上,與同位素離子相對應(yīng)的峰稱為同位素離子峰(Cl,Br,S).3.碎片離子和重排離子定義:分子離子在電離室中進(jìn)一步發(fā)生鍵斷裂生成的離子稱為碎片離子。經(jīng)重排裂解產(chǎn)生的離子稱為重排離子。影響離子分裂的主要方式
(a)碎片離子的穩(wěn)定性:(b)有利于共軛體系的形成(c)當(dāng)分子中存在雜原子時,裂解常發(fā)生于鄰近雜原子的C-C鍵上(d)有利于形成穩(wěn)定的中性小分子(象H2O,CO,NH3,ROH等)B.重排開裂常見的有麥克拉夫悌(Mclafferty)重排開裂(簡稱麥?zhǔn)现嘏?和逆Diels-Alder開裂麥?zhǔn)现嘏?/p>
具有
-氫原子的側(cè)鏈苯、烯烴、環(huán)氧化合物、醛、酮等經(jīng)過六元環(huán)狀過渡態(tài)使-H轉(zhuǎn)移到帶有正電荷的原子上,同時在、原子間發(fā)生裂解,這種重排稱為麥克拉夫悌重排裂解。具有環(huán)己烯結(jié)構(gòu)類型的化合物可發(fā)生此類裂解,一般形成一個共軛二烯正離子和一個烯烴中性碎片:逆Diels-Alder開裂碎片離子及裂解機(jī)制的應(yīng)用(1)可以對一個具體的有機(jī)化合物的質(zhì)譜進(jìn)行解釋(2)可以鑒定化合物。幾類化合物離子分裂及質(zhì)譜特征烷烴:具有分子離子峰,直鏈烷烴隨質(zhì)荷比增大峰強(qiáng)度依次減弱,基峰:m/z=43,57醇:無分子離子峰,易發(fā)生裂解生成較穩(wěn)定的氧鎓離子,或脫水生成含雙鍵的自由基正離子羰基化合物:易進(jìn)行分裂生成氧鎓離子,氧鎓離子可失去中性分子CO生成新的正離子實例
一個羰基化合物,經(jīng)驗式為C6H12O,其質(zhì)譜見下圖,判斷該化合物是何物。圖中m/z=100的峰可能為分子離子峰,那么它的分子量則為100。圖中其它較強(qiáng)峰有:85,72,57,43等。85的峰是分子離子脫掉質(zhì)量數(shù)為15的碎片所得,應(yīng)為甲基。m/z=43的碎片等于M-57,是分子去掉C4H9的碎片。m/z=57的碎片是C4H9+或者是M-Me-CO。根據(jù)酮的裂分規(guī)律可初步判斷它為甲基丁基酮,裂分方式為:以上結(jié)構(gòu)中C4H9可以是伯、仲、叔丁基,能否判斷?圖中有一m/z=72的峰,它應(yīng)該是M-28,即分子分裂為乙烯后生成的碎片離子。只有C4H9為仲丁基,這個酮經(jīng)麥?zhǔn)现嘏藕蟛拍艿玫絤/z=72的碎片。若是正丁基也能進(jìn)行麥?zhǔn)现嘏?,但此時得不到m/z=72的碎片。因此該化合物為3-甲基-2-戊酮。第十三章紅外與紫外光譜13-1有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)與吸收光譜光是一種電磁波,具有波粒二相性。波動性:可用波長(
)、頻率(v)和波數(shù)()來描述。按量子力學(xué),其關(guān)系為:微粒性:可用光量子的能量來描述:該式表明:分子吸收電磁波,從低能級躍遷到高能級,其吸收光的頻率與吸收能量的關(guān)系。由此可見,
與E,v成反比,即
↓,v↑(每秒的振動次數(shù)↑),E↑。在分子光譜中,根據(jù)電磁波的波長(
)劃分為幾個不同的區(qū)域,如下圖所示:分子的總能量由以下幾種能量組成:§13-2紅外光譜一、紅外光譜的表示方法紅外光譜是研究波數(shù)在4000-400cm-1范圍內(nèi)不同波長的紅外光通過化合物后被吸收的譜圖。譜圖以波長或波數(shù)為橫坐標(biāo),以透光度為縱坐標(biāo)而形成。透光度以下式表示:I:表示透過光的強(qiáng)度;I0:表示入射光的強(qiáng)度。橫坐標(biāo):波數(shù)()400~4000cm-1;表示吸收峰的位置。
縱坐標(biāo):透過率(T%),表示吸收強(qiáng)度。T↓,表明吸收的越好,故曲線低谷表示是一個好的吸收帶。
二、分子振動與紅外光譜
1.分子的振動方式
(1)伸縮振動:(2)彎曲振動:
值得注意的是:不是所有的振動都能引起紅外吸收,只有偶極矩(μ)發(fā)生變化的,才能有紅外吸收。
H2、O2、N2
電荷分布均勻,振動不能引起紅外吸收。
H―C≡C―H、R―C≡C―R,其C≡C(三鍵)振動也不能引起紅外吸收。
2.振動方程式(Hooke定律)
式中:k—化學(xué)鍵的力常數(shù),單位為N.cm-1μ
—折合質(zhì)量,單位為g力常數(shù)k:與鍵長、鍵能有關(guān):鍵能↑(大),鍵長↓(短),k↑。
化學(xué)鍵鍵長(nm)鍵能(KJmol-1)力常數(shù)
k(N.cm-1)波數(shù)范圍(cm-1)C―C0.154347.34.5700~1200C=C0.134610.99.61620~1680C≡C0.116836.815.62100~2600
折合質(zhì)量μ:兩振動原子只要有一個的質(zhì)量↓,μ↓,(v)↑,紅外吸收信號將出現(xiàn)在高波數(shù)區(qū)。
一些常見化學(xué)鍵的力常數(shù)如下表所示:分子振動頻率習(xí)慣以(波數(shù))表示:由此可見:(v)∝
k,(v)與μ成反比。
吸收峰的峰位:化學(xué)鍵的力常數(shù)k越大,原子的折合質(zhì)量越小,振動頻率越大,吸收峰將出現(xiàn)在高波數(shù)區(qū)(短波長區(qū));反之,出現(xiàn)在低波數(shù)區(qū)(高波長區(qū))結(jié)論:
產(chǎn)生紅外光譜的必要條件是:
1.紅外輻射光的頻率與分子振動的頻率相當(dāng),才能滿足分子振動能級躍遷所需的能量,而產(chǎn)生吸收光譜。
2.必須是能引起分子偶極矩變化的振動才能產(chǎn)生紅外吸收光譜。
三、有機(jī)化合物基團(tuán)的特征頻率總結(jié)大量紅外光譜資料后,發(fā)現(xiàn)具有同一類型化學(xué)鍵或官能團(tuán)的不同化合物,其紅外吸收頻率總是出現(xiàn)在一定的波數(shù)范圍內(nèi),我們把這種能代表某基團(tuán),并有較高強(qiáng)度的吸收峰,稱為該基團(tuán)的特征吸收峰(又稱官能團(tuán)吸收峰)。紅外光譜的八個峰區(qū)4000-1400cm-1區(qū)域又叫官能團(tuán)區(qū).該區(qū)域出現(xiàn)的吸收峰,較為稀疏,容易辨認(rèn).1400-400cm-1區(qū)域又叫指紋區(qū).這一區(qū)域主要是:C-C、C-N、C-O等單鍵和各種彎曲振動的吸收峰,其特點是譜帶密集、難以辨認(rèn)。
重要官能團(tuán)的紅外特征吸收振動吸收峰化合物C-H拉伸(或伸縮)C-H彎曲烷烴2960-2850cm-1-CH2-,1460cm-1
-CH3,1380cm-1異丙基,兩個等強(qiáng)度的峰三級丁基,兩個不等強(qiáng)度的峰振動吸收峰化合物C-H拉伸(或伸縮)C=C,CC,C=C-C=C苯環(huán)(拉伸或伸縮)C-H彎曲烯烴1680-16201000-800
RCH=CH21645(中)
R2C=CH21653(中)順RCH=CHR
1650(中)反RCH=CHR
1675(弱)>3000(中)3100-3010三取代1680(中-弱)四取代1670(弱-無)四取代無共軛烯烴與烯烴同向低波數(shù)位移,變寬與烯烴同910-905強(qiáng)995-985強(qiáng)895-885強(qiáng)730-650弱且寬980-965強(qiáng)840-790強(qiáng)無強(qiáng)吸收峰化合物振動C-H拉伸(或伸縮)C=C,CC,C=C-C=C苯環(huán)C-H彎析炔烴3310-3300一取代2140-2100弱非對稱二取代2260-2190弱700-6003110-3010中1600中670弱倍頻2000-1650鄰-770-735強(qiáng)間-810-750強(qiáng)
710-690中對-833-810強(qiáng)泛頻2000-1660取代芳烴較強(qiáng)對稱無強(qiáng)同芳烴同芳烴1580弱1500強(qiáng)1450弱-無一取代770-730,710-690強(qiáng)二取代芳烴類別拉伸說明R-XC-FC-ClC-BrC-I1350-1100強(qiáng)750-700中700-500中610-685中游離3650-3500締合3400-3200寬峰不明顯醇、酚、醚-OHC-O1200-1000不特征胺RNH2R2NH3500-3400(游離)締合降低1003500-3300(游離)締合降低100鍵和官能團(tuán)類別拉伸(cm-1)說明1770-1750(締合時在1710)醛、酮C=OR-CHO1750-16802720羧酸C=OOH酸酐酰鹵酰胺腈氣相在3550,液固締合時在3000-2500(寬峰)C=OC=OC=OC=O酯18001860-18001800-17501735NH21690-16503520,3380(游離)締合降低100CN2260-2210鍵和官能團(tuán)影響峰位置變化的因素分子內(nèi)基團(tuán)的紅外吸收會受到鄰近基團(tuán)及整個分子其他部分的影響,也會因測定條件及樣品的物理狀態(tài)而改變.所以同一基團(tuán)的特征吸收會在一定范圍內(nèi)波動.1.
成鍵軌道類型例如:2.
誘導(dǎo)效應(yīng):由于鄰近原子或基團(tuán)的誘導(dǎo)效應(yīng)的影響使基團(tuán)中電荷分布發(fā)生變化,從而改變了鍵的力常數(shù),使振動頻率發(fā)生變化.例如:3.
共軛效應(yīng)由于鄰近原子或基團(tuán)的共軛效應(yīng)使原來基團(tuán)中雙鍵性質(zhì)減弱,從而使力常數(shù)減小,使吸收頻率降低.例如:4.鍵張力的影響主要是環(huán)狀化合物環(huán)的大小不同影響鍵的力常數(shù),使環(huán)內(nèi)或環(huán)上基團(tuán)的振動頻率發(fā)生變化.具體變化在不同體系也有不同.例如:*環(huán)丙烷的C-H伸縮頻率在3030cm-1,而開鏈烷烴的C-H伸縮頻率在3000cm-1以下。5.氫鍵的影響形成氫鍵后基團(tuán)的伸縮頻率都會下降。例如:乙醇的自由羥基的伸縮振動頻率是3640cm-1,而其締合物的振動頻率是3350cm-1。形成氫鍵還使伸縮振動譜帶變寬。6.振動的耦合
若分子內(nèi)的兩個基團(tuán)位置很近,振動頻率也相近,就可能發(fā)生振動耦合,使譜帶分成兩個,在原譜帶高頻和低頻一側(cè)各出現(xiàn)一個譜帶。例如乙酸酐的兩個羰基間隔一個氧原子,它們發(fā)生耦合。羰基的頻率分裂為1818和1750cm-1。(預(yù)期如果沒有耦合其羰基振動將出現(xiàn)在約1760cm-1)。
彎曲振動也能發(fā)生耦合。7.
物態(tài)變化的影響通常同種物質(zhì)氣態(tài)的特征頻率較高,液態(tài)和固態(tài)較低。例如丙酮vC=O(氣)=1738cm-1,
vC=O(液)=1715cm-1。溶劑也會影響吸收頻率。四、紅外譜圖解析
紅外譜圖解析的基本步驟:鑒定已知化合物:
1.觀察特征頻率區(qū):判斷官能團(tuán),以確定所屬化合物的類型。
2.觀察指紋區(qū):進(jìn)一步確定基團(tuán)的結(jié)合方式。
3.對照標(biāo)準(zhǔn)譜圖驗證。
測定未知化合物:
1.準(zhǔn)備性工作:了解試樣的來源、純度、熔點、沸點等;
經(jīng)元素分析確定實驗式;
有條件時可有MS譜測定相對分子量,確定分子式;
根據(jù)分子式計算不飽和度,其經(jīng)驗公式為:
Ω=1+n4+1/2(n3–n1)式中:Ω—代表不飽和度;n1、n3、n4分別代表分子中一價、三價和四價原子的數(shù)目。
雙鍵和飽和環(huán)狀結(jié)構(gòu)的Ω為1、三鍵為2、苯環(huán)為4。
2.按鑒定已知化合物的程序解析譜圖。
譜圖解析示例:
1.烷烴:
1.2853~2962cm-1C—H伸縮振動;
2.1460cm-1、1380cm-1C—H(—CH3、—CH2)面內(nèi)彎曲振動
3.723cm-1C—H[—(CH2)n—,n≥4]平面搖擺振動;若n<4吸收峰將出現(xiàn)在734~743cm-1處。
2.烯烴
1.3030cm-1=C—H伸縮振動;
2.C—H伸縮振動;
3.1625cm-1C=C伸縮振動;
4.C—H(—CH3、—CH2)面內(nèi)彎曲振動;
二者的明顯差異:
1.C=C雙鍵的伸縮振動吸收峰:順式—1650cm-1。反式—與CH3、CH2的彎曲振動接近。
2.=C-H的平面彎曲振動吸收峰位置:
順式—700cm-1;反式—965cm-1。一、紫外光譜的基本原理紫外吸收光譜是由于分子中價電子的躍遷而產(chǎn)生的。分子中價電子經(jīng)紫外或可見光照射時,電子從低能級躍遷到高能級,此時電子就吸收了相應(yīng)波長的光,這樣產(chǎn)生的吸收光譜叫紫外光譜紫外吸收光譜的波長范圍是100-400nm(納米),其中100-200nm為遠(yuǎn)紫外區(qū),200-400nm為近紫外區(qū),一般的紫外光譜是指近紫外區(qū)?!?3-8紫外光譜可以躍遷的電子有:
電子,
電子和n電子。躍遷的類型有:*,n*,*,n*。各類電子躍遷的能量大小見下圖:既然一般的紫外光譜是指近紫外區(qū),即200-400nm,那么就只能觀察*和n*躍遷。也就是說紫外光譜只適用于分析分子中具有不飽和結(jié)構(gòu)的化合物。二、紫外光譜圖的組成紫外光譜圖是由橫坐標(biāo)、縱坐標(biāo)和吸收曲線組成的。
橫坐標(biāo)表示吸收光的波長,用nm(納米)為單位。縱坐標(biāo)表示吸收光的吸收強(qiáng)度,可以用A(吸光度)、T(透射比或透光率或透過率)、1-T(吸收率)、
(吸收系數(shù))中的任何一個來表示。吸收曲線表示化合物的紫外吸收情況。曲線最大吸
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