Memory基礎(chǔ)知識(shí)介紹

Memory根底知識(shí)介紹Memory根底知識(shí)介紹Memory根底知識(shí)介紹內(nèi)存根底知識(shí)RAM(Random-AccessMemory):SRAM〔StaticRAM〕:靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM〔DynamicRAM〕:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。SDRAM〔SynchronousDRAM〕:同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。RDRAM〔RambusDRAM〕：總線(xiàn)式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，是由RAMBUS公司與INTEL公司合作提出的一項(xiàng)專(zhuān)利技術(shù).2

標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存容量是指效勞器在出廠時(shí)隨機(jī)帶了多大容量的內(nèi)存，這取決于廠商的出廠配置。一般來(lái)講，效勞器出廠時(shí)都配備了一定容量的內(nèi)存，如512M、1GB、2GB等，通常低端的入門(mén)級(jí)效勞器標(biāo)配內(nèi)存容量要少些，這取決于工作的需要和廠商的策略?，F(xiàn)在的絕大多數(shù)效勞器的主板，都還有空余的內(nèi)存插槽或者支持內(nèi)存擴(kuò)展板，這樣就可以安裝更多的內(nèi)存來(lái)擴(kuò)大內(nèi)存容量，來(lái)到達(dá)更高的性能最大內(nèi)存容量

最大內(nèi)存容量是指效勞器主板能夠最大能夠支持內(nèi)存的容量。一般來(lái)講，最大容量數(shù)值取決于主板芯片組和內(nèi)存擴(kuò)展槽等因素。總的來(lái)說(shuō)，效勞器支持內(nèi)容容量越大，其擴(kuò)展性就越好，性能也就越高。標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存容量

vs.最大內(nèi)存容量3

內(nèi)存品牌Kingston〔金士頓〕Samsung〔韓國(guó)三星〕Nanya〔南亞〕Apacer(宇瞻)Gell(金邦)SmartADATA(威剛)Micron(美光)Infineon(英飛凌)Kingmax(勝創(chuàng))smart〔世邁〕Hynix〔現(xiàn)代〕Elpida(爾必達(dá))Winbond(華邦)Kingtiger(金泰克)

4Infineon5Micron6Samsung7Hynix(Hyundai)8Elpida9Nanya〔南亞〕10Smart〔世邁〕11內(nèi)存芯片12FBD－533內(nèi)存外觀13去掉散熱片后141516內(nèi)存P/N信息：Elpida17大家在平時(shí)測(cè)試中，主要用到以下七個(gè)品牌的內(nèi)存：Infineon－英飛凌－德國(guó)〔內(nèi)存標(biāo)簽左上角標(biāo)示：一個(gè)不規(guī)則的圓圈里有個(gè)字母i〕Micron－美光－美國(guó)〔內(nèi)存標(biāo)簽左上角標(biāo)示：一個(gè)橢圓里有個(gè)字母M〕Samsung－三星－韓國(guó)Hynix－現(xiàn)代－韓國(guó)Nanya－南亞－中國(guó)臺(tái)灣Elpida－爾必達(dá)－日本Smart－世邁－美國(guó)Remark:每個(gè)品牌的內(nèi)存大小根本都是：512MB，1GB，2GB,等比較常見(jiàn)。18內(nèi)存頻率與內(nèi)存帶寬19比方：PC3-6400EPC3:DDR36400:內(nèi)存的工作頻率為800MHzE:UDIMM(ECC)Remark:E:UnbufferDIMMF:FullyBufferDIMMP:RegisterwithParityDIMMR:RegisterDIMM20DDRDDR應(yīng)該叫DDRSDRAM，人們習(xí)慣稱(chēng)為DDR。是DoubleDataRateSDRAM的縮寫(xiě)，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。其在一個(gè)內(nèi)存時(shí)鐘周期中，在方波上升沿時(shí)進(jìn)展一次操作，在方波的下降沿時(shí)也做一次操作，所以在一個(gè)時(shí)鐘周期中，DDR則可以完成SDRAM兩個(gè)周期才能完成的任務(wù)，所以理論上同速率的DDR內(nèi)存與SDRAM內(nèi)存相比，性能要超出一倍，21DDR2DDR2〔DoubleDataRate2〕SDRAM是由JEDEC〔電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)〕進(jìn)展開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)展數(shù)據(jù)傳輸?shù)母痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力〔即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取〕。換句話(huà)說(shuō)，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線(xiàn)的速度讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)，并且能夠以?xún)?nèi)部控制總線(xiàn)4倍的速度運(yùn)行。Remark:DDR2

與緩沖區(qū)連結(jié)內(nèi)存核心的總線(xiàn)帶寬是DDR

的兩倍。這樣，當(dāng)I/O緩沖區(qū)執(zhí)行多路技術(shù)時(shí)，數(shù)據(jù)沿著一條較寬的總線(xiàn)進(jìn)入內(nèi)存核心，然后又通過(guò)一條與DDR

總線(xiàn)位寬相當(dāng)?shù)目偩€(xiàn)出來(lái)，但它的傳輸速率卻是DDR

的兩倍。這種數(shù)據(jù)傳輸方式又叫四位預(yù)讀取〔4bit

Prefect〕架構(gòu)，可以在核心頻率較低的情況下實(shí)現(xiàn)較高的數(shù)據(jù)傳輸率22ECCECC〔ErrorCheckingandCorrecting〕內(nèi)存即糾錯(cuò)內(nèi)存，簡(jiǎn)單的說(shuō)，其具有發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤，糾正錯(cuò)誤的功能，一般多應(yīng)用在高檔臺(tái)式電腦/效勞器及圖形工作站上，這將使整個(gè)電腦系統(tǒng)在工作時(shí)更趨于平安穩(wěn)定。ECC校驗(yàn)內(nèi)存更穩(wěn)定、可靠，多應(yīng)用于效勞器。對(duì)應(yīng)的內(nèi)存、芯片組及相關(guān)的主板都更貴一些。2324RegisterDIMMPLL(PhaseLockedLoop)瑣相環(huán)集成電路芯片,對(duì)時(shí)鐘信號(hào)對(duì)主板發(fā)來(lái)的時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)展跟蹤/鎖定.25我們測(cè)試中用到的內(nèi)存，可以分為三種：1.

UnbufferedDIMM：無(wú)緩沖型模組，這是我們平時(shí)所用到的標(biāo)準(zhǔn)DIMM，分有ECC和無(wú)ECC兩種，簡(jiǎn)稱(chēng)Unb-DIMM。BB2,Thunderbolt,ThunderboltII測(cè)試用這種內(nèi)存。2.RegisteredDIMM：存放型模組，這是高端效勞器所使用的DIMM，分有ECC和無(wú)ECC兩種，但市場(chǎng)上幾乎都是ECC的，簡(jiǎn)稱(chēng)Reg-DIMM。Aramis,Concrete,TwinFalls測(cè)試用這種內(nèi)存。3.FullyBufferDIMM：全緩沖雙列內(nèi)存模組。FB-DIMM是在普通DDR2內(nèi)存的根底之上改進(jìn)而來(lái)的，增加了一塊稱(chēng)為“AdvancedMemoryBuffer，簡(jiǎn)稱(chēng)AMB〞的緩沖芯片。Remark:DIMM(DualIn-lineMemoryModules，雙列內(nèi)存模組)所謂雙列是指模組電路板與主板插槽的接口有兩列引腳，模組電路板兩側(cè)的金手指各對(duì)應(yīng)一列引腳。SIMM(SingleIn-lineMemoryModules，單列內(nèi)存模組)單列是指模組電路板與主板插槽的接口只有一列引腳〔雖然兩側(cè)都有金手指〕26Unb與Reg-DIMM的區(qū)別Unb與Reg-DIMM的最大區(qū)別在于模組上有無(wú)存放器。在高容量模組上，內(nèi)存芯片數(shù)量很多，而且在需要大容量?jī)?nèi)存的工作場(chǎng)合，內(nèi)存模組的安插數(shù)量也是很多的，這使命令與尋址信號(hào)的穩(wěn)定性受到了嚴(yán)峻考驗(yàn)。很多芯片組的資料中都說(shuō)明只有使用Reg-DIMM才能到達(dá)標(biāo)稱(chēng)的最高內(nèi)存容量，所以存放器的作用就是穩(wěn)定命令/地址信號(hào)，隔離外部干擾。FB-DIMM英文全稱(chēng)為“FullyBuffered-DIMM〞，又稱(chēng)為全緩沖雙列內(nèi)存模組。FB-DIMM是在普通DDR2內(nèi)存的根底之上改進(jìn)而來(lái)的，但其與普通DDR2內(nèi)存卻有了很大的化。FB-DIMM上增加了一塊稱(chēng)為“AdvancedMemoryBuffer，簡(jiǎn)稱(chēng)AMB〞的緩沖芯片。這款A(yù)MB芯片是集數(shù)據(jù)傳輸控制、并—串?dāng)?shù)據(jù)互換的芯片。而FB-DIMM實(shí)行串行通訊呈多路并行主要靠AMB芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)。我們實(shí)際測(cè)試中使用的內(nèi)存的AMB芯片主要由Intel和IDT兩家公司來(lái)提供?！睞MB芯片覆蓋在金屬散熱片下面?！?7DualChannel(雙通道〕雙通道，就是在北橋芯片里設(shè)計(jì)兩個(gè)內(nèi)存控制器，這兩個(gè)內(nèi)存控制器可相互獨(dú)立工作，每個(gè)控制器控制一個(gè)內(nèi)存通道。在這兩個(gè)內(nèi)存通道上cpu可分別尋址、讀取數(shù)據(jù)，從而使內(nèi)存的帶寬增加一倍，數(shù)據(jù)存取速度也相應(yīng)增加一倍〔理論上〕。目前流行的雙通道內(nèi)存構(gòu)架是由兩個(gè)64bitDDR內(nèi)存控制器構(gòu)筑而成的，其帶寬可達(dá)128bit。因?yàn)殡p通道體系的兩個(gè)內(nèi)存控制器是獨(dú)立的、具備互補(bǔ)性的智能內(nèi)存控制器，因此二者能實(shí)現(xiàn)彼此間零等待時(shí)間，同時(shí)運(yùn)作。兩個(gè)內(nèi)存控制器的這種互補(bǔ)“天性〞可讓有效等待時(shí)間縮減50%，從而使內(nèi)存的帶寬翻倍。

28另外，在我們實(shí)際測(cè)試中，如果用到兩根內(nèi)存，建議把內(nèi)存插在DIMM1和DIMM3，可發(fā)揮主板的雙通道功能，增大內(nèi)存的傳輸帶寬。(ForShawshank)DIMM1和DIMM2為ChannelA，DIMM3和DIMM4為ChannelB。29SPDSPD(SerialPresenceDetect串行存在探測(cè))，它是1個(gè)8針的SOIC封裝(3mm*4mm)256字節(jié)的EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableROM電可擦寫(xiě)可編程只讀存儲(chǔ)器)芯片。位置一般處在內(nèi)存條正面的右側(cè)，里面記錄了諸如內(nèi)存的速度、容量、電壓與行、列地址帶寬等參數(shù)信息。當(dāng)開(kāi)機(jī)時(shí)PC的BIOS將自動(dòng)讀取SPD中記錄的信息，如果沒(méi)有SPD，就容易出現(xiàn)死機(jī)或致命錯(cuò)誤的現(xiàn)象。SPD的內(nèi)容一般由內(nèi)存模組制造商寫(xiě)入。3031如何計(jì)算Memory容量大小要判斷一支MemoryDIMM的容量大小、使用幾個(gè)MemoryDie、跟MemoryDie的規(guī)格，必須知道些條件：基礎(chǔ):1.1Byte=8bits，所以1GB的容量等於8Gb，大B等於Byte，小b等於bit。2.一根D