半導體行業(yè)專題研究（普通）：SEMICON+China+2025：國產(chǎn)設(shè)備密集發(fā)布替代邁向新臺階

信達證券CINASECURITIES請閱讀最后一頁免責聲明及信息披露http://www.cSEMICONChina2025：國產(chǎn)設(shè)備密集發(fā)布，替本期內(nèi)容提要:本期內(nèi)容提要:大廈B座設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、EDA/IP、半導體設(shè)備及材料等全產(chǎn)業(yè)鏈。其中，半導體設(shè)備與材料領(lǐng)域表現(xiàn)活躍，廠商齊聚，集中展示了前沿成果與創(chuàng)新方案。同時，AI與新能源浪潮下，先進封裝與第三代半導體熱度居高不下，在今年展會上備受矚目。1）北Halona，關(guān)鍵工藝全面覆蓋再進一步，公司在等離子體刻蝕技術(shù)大廈B座力于先進半導體工藝裝備、量檢測裝備的開發(fā)與制造，打造可靠續(xù)產(chǎn)品量產(chǎn)或?qū)鴥?nèi)半導體設(shè)備市場格局產(chǎn)生一定影響，但在半導體設(shè)備國產(chǎn)替代大背景下，關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域仍有較大替代空間，國產(chǎn)半導體設(shè)備供應商或都將受益于下游Fab擴產(chǎn)投資拉動的需求增長，且新參與者的競爭有利于國內(nèi)設(shè)備廠商進一步的技術(shù)突國內(nèi)半導體設(shè)備不斷突破帶來新品，國產(chǎn)替代進程有望提速。我和材料供應商百花齊放，眾多參展公司產(chǎn)品不斷拓展，這一趨勢迎合了國內(nèi)晶圓廠擴產(chǎn)所帶來的需求，同時在美國半導體制裁不斷趨嚴的大環(huán)境中，國產(chǎn)設(shè)備的突破有望加速替代，建議關(guān)注半微公司、拓荊科技、精測電子等；【零部件】茂萊光學、福晶科技、富創(chuàng)精密等；【材料】鼎龍股份、安集科技、興森科技等；風險提示：半導體國產(chǎn)替代進程不及預期，下游需求發(fā)展不及預請閱讀最后一頁免責聲明及信息披露http://www 4 8投資建議 4 4 5 5 6 6 6 8 9 9 請閱讀最后一頁免責聲明及信息披露http:/企業(yè)參展，涵蓋芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、EDA/IP、半導體設(shè)備及材料等全產(chǎn)業(yè)鏈。其中，半導體設(shè)備與材料領(lǐng)域表現(xiàn)活躍，廠商齊聚，集中展示了前沿成果與創(chuàng)新方案。同時，AI與新能源浪潮下，先進封裝與第三代半導體熱度據(jù)，2024年全球半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模強勁反彈增長19%，達到6280億美元，SDeepSeek等生成式人工智能工具的發(fā)布，AI熱潮似乎已經(jīng)進China2025大會上，北方華創(chuàng)正式宣布進軍離子注入設(shè)備市場，并發(fā)布首款離子注入機SiriusMC313。離子注入設(shè)備能夠以極高的精度和效率，將體材料，從而精準改變材料的電性能，為芯片制造提供不可或缺的技術(shù)支撐。其工作原理是先通過離子源產(chǎn)生所需離子，在電場作用下加速至預定能量，再精確注入半導體材料，實現(xiàn)原子的替換或添加，進而調(diào)控材料性能。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2024年全球離子注入設(shè)備市場規(guī)模達276億元，至2030年有望攀備領(lǐng)域，或?qū)⑶藙訃鴥?nèi)160億元的市場空間，有力推動中國半導體裝備在高端市場實現(xiàn)進階發(fā)展。請閱讀最后一頁免責聲明及信息披露http://www.c英寸電鍍設(shè)備（ECP）AusipT830。該設(shè)備專為硅通孔（TSV）銅填充設(shè)計，主要應用于2.5D/3D先進封裝領(lǐng)域。電鍍作為物理氣相沉積協(xié)同工作，廣泛應用于邏輯、存儲、功率器件、先進封裝等芯片制造工藝。在工藝流程中，PVD設(shè)備首先在槽/孔內(nèi)形成籽晶層，隨后電鍍設(shè)備將槽/孔填充至無空隙。根據(jù)公司數(shù)據(jù)，隨著先進封裝和三維集成技術(shù)的快速發(fā)展，電鍍設(shè)備的全球市場規(guī)模已達每年80-90億元人民幣，且仍在加速擴張，預計未來幾年將突破百億大關(guān)。請閱讀最后一頁免責聲明及信息披露http://www.c發(fā)布。此款設(shè)備采用中微公司特色的雙反應臺設(shè)計，可靈活配置最多三個雙反應臺的反應腔，且每個反應腔均能同時加工兩片晶圓，在保證較低生產(chǎn)成本的同時，滿足晶圓邊緣刻蝕的量產(chǎn)需求，從而實現(xiàn)更高的產(chǎn)出密度，提升生產(chǎn)效率。此設(shè)備的發(fā)布標志著公司向關(guān)鍵工藝全面覆蓋的目標再進一步，也為公司的高質(zhì)量發(fā)展注入強勁動能。中微公司在等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域再次實現(xiàn)重大突破刻蝕精度已達到0.2A（亞埃級）。這一刻蝕精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的工藝上，均得到了驗證。這是等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域的又一次創(chuàng)新突破，彰顯了中微公司在技術(shù)研發(fā)上的深厚積累，進一步鞏固了公司在高端微觀加工設(shè)備市場的領(lǐng)先地位。圖6：氧化硅、氮化硅和多晶硅晶圓在雙反應臺上刻蝕速度的請閱讀最后一頁免責聲明及信息披露http://www.積設(shè)備VS-300T在坪效比、擁有成本(CoO)、薄膜封裝設(shè)備包括低應力熔融鍵合設(shè)備Dione300F、芯請閱讀最后一頁免責聲明及信息披露http://www.工藝裝備、量檢測裝備的開發(fā)與制造，打造可靠的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)和平臺。在本次SEMICON備(包括岳麓山系列、丹霞山系列、蓬萊山系列、莫干山系列、天門山系列、沂蒙山系列和儲外延等應用場景，支持向未來先進節(jié)點演進。此次帶來的該系列前三款產(chǎn)品分別是針對鍺硅外延、磷硅外延以及溝道&超晶格&埋層外延，能為相應的客戶提供更好的支持。英寸單片柵極氧化/氮化設(shè)備，覆蓋氧化/氮化/退火等邏輯及存儲應用場景；三清山2號則請閱讀最后一頁免責聲明及信息披露http://www.設(shè)備，能夠為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等材料提供接觸孔刻蝕、硬掩膜刻蝕和雙大馬士革工藝等支持。武夷山3號為電感耦合等離子體（I化鈦等材料提供柵極刻蝕、多重圖形和鰭刻蝕等工藝支持。武夷山5號則為自由基干法刻蝕設(shè)備，氧化硅及硅選擇性刻蝕組合解決方案，能夠為硅、鍺硅、氧化硅和氮化硅等材料提供偽柵去除、無定形硅去除以及源漏極回刻等工藝支持，滿足先進節(jié)點高選擇性刻蝕場景需求。薄膜產(chǎn)品：PVD設(shè)備命名為普陀山系列，ALD命名為阿里山系列，CVD命名為長白山系輯、存儲等主流半導體中道金屬接觸層及硬掩膜等應用場景。12英寸后道金屬互連沉積設(shè)請閱讀最后一頁免責聲明及信息披露http://ww具備單腔4-Station領(lǐng)先架構(gòu)，全面覆蓋邏輯及存儲介質(zhì)薄膜多種工藝，支持向未來先進節(jié)點演進；長白山三號是12英寸高保形性&金屬化學氣相沉積應用場景，具備創(chuàng)新架構(gòu)和領(lǐng)先性能，多種工藝高度集成，支持向未來此次新凱來首次亮相備受矚目，發(fā)布30我們認為，新凱來的參會及后續(xù)產(chǎn)品量產(chǎn)或?qū)鴥?nèi)半導體設(shè)備市場格局產(chǎn)生一定影響，但在半導體設(shè)備國產(chǎn)替代大背景下，關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域仍有較大替代空間，國產(chǎn)半導體設(shè)備供應商或都將受益于下游Fab擴產(chǎn)投資拉動的需求增長，且新參與者請閱讀最后一頁免責聲明及信息披露http://ww國內(nèi)半導體設(shè)備不斷突破帶來新品，國產(chǎn)替代進程有望提速。我們看到在SEMICONChina2025展會上國內(nèi)半導體設(shè)備、零部件和材料供應商百花齊放，眾多參展公司產(chǎn)品不斷拓展，這一趨勢迎合了國內(nèi)晶圓廠擴產(chǎn)所帶來的需求，同時在美國半導體制裁不斷趨嚴的大環(huán)境中，國產(chǎn)設(shè)備的突破有望加速替代，建議關(guān)注半導體設(shè)備、零部件和材料產(chǎn)業(yè)鏈請閱讀最后一頁免責聲明及信息披露http://ww楊宇軒：電子組分析師，華北電力大學本科，清華大學碩士，曾券電子組，研究方向為服務器、PCB、消請閱讀最后一頁免責聲明及信息披露13負責本報告全部或部分內(nèi)容的每一位分析師在此申明，本人析師,以勤勉的職業(yè)態(tài)度,獨立、客觀地出具本報告；本報告所表述的所有觀點準組成部分不曾與，不與，也將不會與本報告中的具體分析意見或觀點直接或間本報告是針對與信達證券簽署服務協(xié)議的簽約客戶的專屬研究產(chǎn)品，為該類客戶進行投資決策義務均有嚴格約定。本報告僅提供給上述特定客戶，并不面向公眾發(fā)布。信達證券不會因接收人收到本報告而視其為本然客戶?？蛻魬斦J識到有關(guān)本報告的電話、短信、郵件提示僅為研究觀點的簡要溝通，對本報告的參考使用須以本報本報告是基于信達證券認為可靠的已公開信息編制，但信達證券不保證所載信息的準確性和完預測僅為本報告最初出具日的觀點和判斷，本報告所指的證券或投資標的的價格、價值及投資收入可涉及證券或投資標的的歷史表現(xiàn)不應作為日后表現(xiàn)的保證。在不同時期，或因使用不同假設(shè)和標準，致使信達證券發(fā)出與本報告所載意見、評估及預測不一致的研究報告，對此信在任何情況下，本報告中的信息或所表述的意見并不構(gòu)成對任何人的投資建議，也沒有考慮到客戶特殊的投資目標、需求?？蛻魬紤]本報告中的任何意見或建議是否符合其特定狀況，若有必要應尋求專家意見。本報告所載的在法律允許的情況下，信達證券或其關(guān)聯(lián)機構(gòu)可能會持有報告中涉及的公司所發(fā)行的證券并進行交易，并可能會為這本報告版權(quán)僅為信達證券所有。未經(jīng)信達證券書面同意，任何機構(gòu)和個人不得以任何形式翻版的任何部分。若信達證券以外的機構(gòu)向其客戶發(fā)放本報告，則由該機構(gòu)獨自為此發(fā)送行為負責，信達證責任。本報告同時不構(gòu)成信達證券向發(fā)送本報告的機構(gòu)之客如