2022發(fā)電機滅磁及轉(zhuǎn)子過電壓保護裝置技術(shù)條件第2部分:非線性電阻_第1頁
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發(fā)電機滅磁及轉(zhuǎn)子過電壓保護裝置技術(shù)條件2部分非線性電阻(征求意見稿)目??次前??言 II范圍 1規(guī)范性引用文件 1術(shù)語和定義 1技術(shù)要求 4試驗 5技術(shù)文件 8包裝、運輸和貯存 8I發(fā)電機滅磁及轉(zhuǎn)子過電壓保護裝置技術(shù)條件第2部分:非線性電阻范圍(以下簡稱發(fā)電機本文件適用于單片額定容量為10kJ及以上的非線性電阻。規(guī)范性引用文件(包括所有的修改單)GB/T191包裝儲運圖示標志GB/T2423.2電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗B:高溫GB/T2423.3環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Cab:恒定濕熱試驗GB/T2423.4 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Db:交變濕熱(12h+12h循環(huán))GB/T2423.6 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Eb和導則:碰撞GB/T2423.10 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Fc:振動(正弦)GB/T2423.22 環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗N:溫度變化DL/T489 大中型水輪發(fā)電機靜止整流勵磁系統(tǒng)試驗規(guī)程DL/T583 大中型水輪發(fā)電機靜止整流勵磁系統(tǒng)技術(shù)條件術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本文件。3.1非線性電阻Non-linearresistor具有非線性伏安特性的電阻,主要有氧化鋅和碳化硅兩類。3.2氧化鋅閥片ZnOvaristordisc采用氧化鋅為主體材料制成的圓柱形或圓環(huán)形非線性電阻單元。3.3碳化硅閥片SiCvaristordisc采用碳化硅為主體材料制成的圓柱形或圓環(huán)形非線性電阻單元。3.41非線性系數(shù)βcoefficientβofnon-linerβ1,碳化硅閥2。UCI式中:I——流過非線性電阻的電流,A;U——非線性電阻兩端電壓,V;UU=CIUC1AΩ;β——非線性系數(shù),0<β<1。UU=CIUU0 10A I I圖1氧化鋅閥片伏安特性 圖2碳化硅閥片伏安特性3.5壓敏電壓UnmA

sensitivityvoltage10mA110A2。3.6荷電率Qratioofpeakvoltage在規(guī)定條件下,氧化鋅非線性電阻兩端承受電壓的峰值與壓敏電壓之比。3.7壓敏電壓變化率RvarietyrateofsensitivityvoltageU非線性電阻經(jīng)能量沖擊或長時間運行后的壓敏電壓變化Δ 與能量沖擊前或運行前的壓敏電壓UnmAU之比。用下式表示:UnmARΔUnmA100%UnmA3.82額定能容量En nominalcapacityofenergy100A5(15分鐘)10%的容量值。3.9殘壓比ηratioofsensitivityvoltage100A

η=U100A/U10mAη=U100A/U10A3.10泄漏電流ILleakagecurrent在氧化鋅閥片兩端施以0.5倍壓敏電壓時流過閥片的電流。3.11均能系數(shù)KEcoefficientsofenergysharingmmKEi1 100%mwmaxm式中:m——m條并聯(lián)支路吸收能量之和;i1wmax——并聯(lián)支路中吸收能量的最大值。3.12壓敏電壓溫度系數(shù)kTvoltagetemperaturecoefficient10mA10ATk(UaUb)/Ua100%TTaTb式中:Ua——25℃下的閥片兩端電壓值,V;Ub——最大允許溫度下的閥片兩端電壓值,V;Ua3bUb技術(shù)要求使用環(huán)境a)環(huán)境溫度:-40℃~+40℃。相對濕度:+40℃±290%(無凝露。2000m2000m1表1高度修正系數(shù)海拔額定修正系數(shù)m額定容量額定電壓20001.001.0026000.940.9539000.7680.80非線性電阻閥片的兩個表面應該是兩個平行的平面,不應有肉眼可見的形變和機械損傷,表面電極和邊緣涂敷應均勻,無雜質(zhì)、氣泡、劃傷。1MΩ。DL/T5830.10.55。壓敏電壓用額定能容量對非線性電阻閥片進行沖擊,能容量沖擊試驗后應滿足下列要求:3h~4h內(nèi),壓敏電壓變化率不應大于±10%。24h后,壓敏電壓變化率不應大于5%。156h~8h內(nèi),壓敏電壓變化率不應大于±10%。用額定能容量對非線性電阻閥片進行沖擊,不應出現(xiàn)炸裂、擊穿、閃絡現(xiàn)象。經(jīng)能量沖擊、穩(wěn)態(tài)濕熱試驗后,外觀檢查不應有可見損傷,壓敏電壓變化率不應大于±10%。60%。滅磁用非線性電阻能容量應滿足下列要求:20%21:1能量模擬試驗,試驗結(jié)果應滿足設(shè)計要求。U/A1.4U/A26。450μA100A。9080%。溫升120K。對閥片連續(xù)兩次(15)120K。0.1%/℃,氧化鋅壓敏電壓溫度系數(shù)一般為正。15試驗試驗環(huán)境若無特殊規(guī)定,試驗應滿足以下條件:a)溫 度:-40℃~40℃。90%(無凝露。氣 壓:86kPa-106kPa(860mbar-1060mbar)。型式試驗32。出廠試驗非線性電阻出廠時必須進行出廠試驗。試驗項目見下表2。表2非線性電阻試驗要求序號試驗項目名稱型式試驗樣品數(shù)量型式試驗出廠試驗1外觀檢查10片√√2絕緣耐壓試驗滅磁組件√√3壓敏電壓10片√√4泄漏電流10片√√5額定能容量10片√√6非線性系數(shù)滅磁組件√√7均能系數(shù)滅磁組件√8溫度系數(shù)5片√√9振動和碰撞5片√10壓敏電壓變化率5片√√11殘壓比5片√√12滅磁能容量滅磁組件√√13能容量沖擊5片√現(xiàn)場試驗非線性電阻在現(xiàn)場時應進行交接試驗、定期檢修試驗,試驗項目見表3.表3非線性電阻試驗要求序號試驗項目名稱交接試驗A/B級檢修C級檢修51外觀檢查√√√2絕緣耐壓試驗√√d3氧化鋅壓敏電壓*ddd4氧化鋅泄漏電流*ddd5整組試驗√√d注1:√必做試驗;d可選試驗;*一般只在經(jīng)過較嚴重工況滅磁或停機三個月以上時進行。注2:試驗時,應記錄試驗場所的環(huán)境溫度和濕度試驗方法外觀檢查試驗用目測法檢查外觀。絕緣和耐壓試驗絕緣、耐壓試驗的電壓值及試驗方法按照DL/T489規(guī)定執(zhí)行。非線性系數(shù)β測量I、電流IU1Uβlog(U1/U2)log(I1/I2)式中:1110;221I1;2I2;壓敏電壓的檢測10mA(氧化鋅)10A(碳化硅)時,測量并記錄非線性電阻兩端的電壓。壓敏電壓變化率測量穩(wěn)態(tài)濕熱對壓敏電壓變化率影響試驗方法如下:25±160%下,測量并記錄閥片兩端電壓。90%,160120min-40120min注:具體的試驗方法參見GB2423.2、GB2423.3、GB2423.4執(zhí)行。GB/T2423.22(Na)試驗方法共試驗45min3h4h振動和碰撞試驗將非線性電阻固定在頻率為(10-55)Hz5g110g16ms(0.66-1.33)Hz6下,碰撞(1000±10)次。注:具體的試驗方法參見GB2423.6、GB2423.10執(zhí)行。額定能容量測量在(2±)℃條件下,參照圖3,對非線性電阻進行沖擊并記錄壓敏電壓(U、電流時間(t。按下式計算非線性電阻所吸收的能量。1W0UIdt1式中:W--能量,kJ;U--非線性電阻兩端電壓,V;I--流過非線性電阻的電流,A;t--電流沖擊時間,s;注:儀器測量誤差不大于±5%,電流沖擊時間不大于1s。能量沖擊試驗同5.5.7。殘壓比測量100A泄漏電流檢測10mA50%電壓下,測取串100A。均能系數(shù)測量按照5.5.7進行試驗,試驗過程中測量并記錄各支路吸收能量值。壓敏電壓溫度系數(shù)測量同5.5.5a)。能量模擬試驗1:13,記錄試驗數(shù)據(jù)和錄制波形。7斷路器二極管分壓器斷路器二極管分壓器分流器分壓器分流器待測閥片保護閥片電感保護閥片圖3 1:1模擬試驗回路示意圖空載和負載工況下的滅磁試驗按照DL/T4

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