模擬電子技術(shù)5章習(xí)題答案

1、5 放大電路的頻率響應(yīng)自我檢測題一選擇和填空1放大電路對高頻信號的放大倍數(shù)下降，主要是因為 c 的影響；低頻時放大倍數(shù)下降，主要是因為 a 的影響。(a. 耦合電容和旁路電容；b. 晶體管的非線性；c. 晶體管的極間電容和分布電容)2共射放大電路中當輸入信號頻率為fl、fh時，電路放大倍數(shù)的幅值約下降為中頻時的 a ；或者說是下降了 d db；此時與中頻相比，放大倍數(shù)的附加相移約為 g 度。(a. 0.7，b. 0.5，c. 0.9)； (d. 3db，e. 5db，f. 7db)； (g. -45，h. -90，i. -180)3某放大電路的對數(shù)幅頻響應(yīng)如圖選擇題3所示。由圖可見，該電路的中

2、頻電壓增益= 1000 ； 上限頻率= 108 hz ； 下限頻率= 102 hz ；當時電路的實際增益= 57 db；當時電路的實際增益= 57 db。圖選擇題3 4若放大電路存在頻率失真，則當為正弦波時， d 。（a.會產(chǎn)生線性失真 b.為非正弦波 c.會產(chǎn)生非線性失真 d.為正弦波）5放大電路如圖選擇題5所示，其中電容增大，則導(dǎo)致 d 。（a.輸入電阻增大 b. 輸出電阻增大 c.工作點升高 d.下限頻率降低）圖選擇題5二判斷題（正確的在括號內(nèi)畫，錯誤的畫）1改用特征頻率ft高的晶體管，可以改善阻容耦合放大電路的高頻響應(yīng)特性。（ ）2增大分布電容的容量，可以改善阻容耦合放大電路的低頻響應(yīng)

3、特性。（ ）3幅度失真和相位失真統(tǒng)稱為非線性失真。（ ）4當某同相放大電路在輸入一個正弦信號時產(chǎn)生了頻率失真，則輸出電壓波形將為非正弦。（ ）5當放大電路輸入一個三角波電壓時，輸出電壓波形的上升、下降斜線明顯彎曲，因此可以肯定該放大電路的非線性失真較大。（ ）6當晶體管選定后，在信號頻率遠大于上限截止頻率時，放大電路增益與信號頻率乘積近似為一個常數(shù)。（ ）7當晶體管和放大電路的結(jié)構(gòu)選定之后，提高放大電路的電壓放大倍數(shù)，必會犧牲放大電路的頻帶寬度。（ ）8在阻容耦合放大電路中，增大耦合電容的容量，有利于高頻信號暢通，因此可以改善高頻響應(yīng)特性。（ ）習(xí)題5.1某放大電路的，現(xiàn)輸入信號頻率為2mhz

4、的正弦波，試問輸出波形是否會產(chǎn)生頻率失真？若輸入信號是由100khz和2mhz兩種頻率分量組成的波形，問此時輸出信號波形有無頻率失真？解：（1）輸入信號頻率為2mhz的正弦波時，輸出不會產(chǎn)生頻率失真。（2）若輸入信號是由100khz和2mhz兩種頻率分量組成的波形，則輸出波形有頻率失真。5.2一共射放大電路的通頻帶為100hz100khz，中頻電壓增益，最大不失真交流輸出電壓范圍為-4v+4v，試求：（1）若輸入一個的正弦信號，輸出波形是否會產(chǎn)生頻率失真和非線性失真？若不失真，則輸出電壓的峰值是多大？與間的相位差是多少？（2）若，重復(fù)回答（1）中的問題。（3）若，輸出波形是否會失真？解：（1）

5、因為輸入信號的工作頻率 ，處于中頻區(qū)所以輸出波形不會產(chǎn)生非線性失真，又因為輸入信號是單一頻率的正弦波，所以輸出也不會產(chǎn)生頻率失真。根據(jù)上述計算可知，輸出電壓的峰值為1v，因是共射電路，與間的相位差是-180 （2）因為輸入信號的工作頻率 ，處于中頻區(qū)所以輸出波形會產(chǎn)生非線性失真，但因輸入是單一頻率的正弦波，故不會產(chǎn)生頻率失真。 （3）因為輸入信號的工作頻率 ，處于高頻區(qū)，電壓放大倍數(shù)小于中頻放大倍數(shù)，即所以輸出即不會產(chǎn)生非線性失真。又因為輸入信號是單一頻率的正弦波，輸出不會產(chǎn)生頻率失真。5.3已知某放大電路電壓放大倍數(shù)的頻率特性為 試求該電路的上、下限頻率，中頻電壓增益的分貝數(shù)，輸出電壓與輸入

6、電壓在中頻區(qū)的相位差。解：將的表達式分子、分母同時除以，可得：對比簡單rc高通、低通濾波電路的放大倍數(shù)表達式，可知：上限頻率，下限頻率，中頻電壓增益，輸入電壓與輸出電壓在中頻區(qū)的相位差為05.4已知某放大電路的電壓放大倍數(shù)的頻率特性為試畫出該電路的幅頻響應(yīng)波特圖，并求出中頻增益、上限頻率和下限頻率。解：將的表達式與簡單rc高通、低通濾波電路的放大倍數(shù)表達式進行對比，可知：，上限頻率，下限頻率。該電路的幅頻響應(yīng)波特圖如下：5.5一個高頻晶體管，在時，其低頻h參數(shù)為：，晶體管的特征頻率，試求混合型模型參數(shù)：、。解：，5.6放大電路如圖題5.6所示，已知三極管為3dg8d，試求：（1）畫出電路的高頻

7、小信號等效電路，估算其上限頻率；（2）畫出電路的低頻小信號等效電路，估算其下限頻率。圖題5.6解：（1）高頻小信號等效電路如下： （2）低頻小信號等效電路如下： 5.7已知圖題5.7所示放大電路中，晶體管的，要求中頻增益為，下限截止頻率為，試確定和c1的大小。 圖題5.7解： 5.8電路如圖題5.8所示，設(shè)信號源內(nèi)阻，其中晶體管參數(shù)為：，；其余參數(shù)如圖中所示。試求：（1）混合型模型參數(shù)：、；（2）電路的上限頻率；（3）中頻區(qū)電壓增益；（4）增益帶寬積。圖題5.8解：（1）（2） （3）（4）5.9已知晶體管電路如圖題5.8所示，設(shè)信號源內(nèi)阻為，已知晶體管，估算電路的下限頻率。解：，（1）輸入回

8、路：（2）輸出回路： 5.10有一個n溝道耗盡型mos場效應(yīng)管（1ma），三個電阻（分別為、）和兩個電容（分別為0.1f 、10f ），要求從中選擇合適的電阻、電容組裝一個如圖題5.10所示的放大電路（其負載電阻為），并希望該放大電路有較高的輸入電阻和盡量低的下限截止頻率。 圖題5.10解：（1）為使電路有盡可能高的輸入電阻，必須取大值，所以應(yīng)取。（2）在此電路中，則，所以，為保證電路具有合適的靜態(tài)工作點，應(yīng)取。因為，若、兩者相差4倍以上，電路最終的下限截止頻率取決于兩者中較大的下限頻率，所以要使下限截止頻率盡可能低，應(yīng)取，取。5.11已知圖題5.11所示電路中，兩個晶體管的和相同，試分析：（1）定性分析c1、c2、c3中哪一個電容對放大電路的下限截止頻率起決定性作用？（簡要說明理由）（2）估算該放大電路的下限截止頻率。 圖題5.1