DCA產(chǎn)品介紹.ppt

1、DCA分子束外延及高真空薄膜沉積系統(tǒng),宇豐凱電子科技有限公司,DCA 公司簡(jiǎn)介,DCA Instruments 是一家專業(yè)從事分子束外延（MBE）和超高真空薄膜沉積系統(tǒng)及組件的設(shè)計(jì)和制造的公司。DCA Instruments自1989年成立以來，已經(jīng)在全球范圍內(nèi)安裝了超過100套的超高真空系統(tǒng)。 DCA Instruments絕大部分的產(chǎn)品都是針對(duì)用戶定制設(shè)計(jì)復(fù)雜的沉積系統(tǒng),該公司許多的標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)最初都是起源于針對(duì)某些客戶對(duì)沉積過程特殊需求的解決方案,因此在標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)制造業(yè)中有著深厚的為用戶定制設(shè)計(jì)的背景，在用戶中具有很好的聲譽(yù)。,分子束外延系統(tǒng)（MBE） 所針對(duì)的材料 lGaAs、InP和GaS

2、b外延 lHgCdTe外延 lGaN、InN和AlN外延 l -族外延 lSiGe外延 l 氧化物外延,DCA 公司主要產(chǎn)品(1),特 點(diǎn) l專利的襯底操控器 l專利的長(zhǎng)壽命和高穩(wěn)定性泄流盒燈絲 l 泄流盒（包括燈絲）兩年質(zhì)保 l 高性能PBN/PG/PBN或SiC襯底加熱器 l 快速反應(yīng)的磁感線性快門 l 襯底加熱器兩年質(zhì)保 l專利的磷裂解器 l復(fù)合的薄膜沉積MBE系統(tǒng),DCA 公司主要產(chǎn)品(2),物理氣相沉積（PVD）系統(tǒng) 沉積方式 l磁控濺射 l脈沖激光沉積（PLD） l電子束蒸發(fā) l離子束沉積 l熱蒸發(fā),特 點(diǎn) l具有獨(dú)特磁體配置的高均勻度磁濺射源 l射頻、直流、磁性材料和非平衡濺射

3、l抗氧化襯底加熱器 l復(fù)合薄膜沉積的全自動(dòng)濺射系統(tǒng) l 全電腦控制的PLD系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)大區(qū)域沉積,主要產(chǎn)品介紹（1）,R450(R450C) MBE系統(tǒng) l最大3英寸樣片 l 雙區(qū)域液氮冷卻板 l 8個(gè)泄流盒 l傾斜的腔室設(shè)計(jì) l 15KeV RHEED l 500L/s 離子泵 l 8英寸低溫泵 l500L/s 分子泵 l鈦升華泵（TSP） l帶300L/s 離子泵的超高真空（UHV）緩沖室 l帶分子泵的真空進(jìn)片室,主要產(chǎn)品介紹（2）,P600 MBE系統(tǒng) l最大4英寸樣片 l雙區(qū)域液氮冷卻板 l10個(gè)泄流盒 l 垂直腔室 l 30KeV RHEED l 500L/s 離子泵 l 8英寸低溫泵

4、 l 1000L/s 分子泵 l鈦升華泵（TSP） l 帶300L/s 離子泵的超高真空（UHV）緩沖室 l 帶分子泵的盒式真空進(jìn)片室,主要產(chǎn)品介紹（3）,M600 MBE系統(tǒng) l最大4英寸樣片 l液氮冷卻板 l2個(gè)電子槍 l 最多可達(dá)8個(gè)泄流盒 l 垂直腔室 l 30KeV RHEED l 500L/s 離子泵 l8英寸低溫泵 l 1000L/s 分子泵 l 鈦升華泵（TSP） l 帶300L/s 離子泵的超高真空（UHV）緩沖室 l 帶分子泵的盒式真空進(jìn)片室,主要產(chǎn)品介紹（4）,SGC800 MBE 系統(tǒng) l最大8英寸（200mm）樣片 l液氮冷卻板 l2個(gè)電子槍 l 最多可達(dá)6個(gè)泄流盒

5、l垂直腔室 l30KeV RHEED l500L/s 離子泵 l 8英寸低溫泵 l1000L/s 分子泵 l鈦升華泵（TSP） l帶機(jī)械式晶片傳送的超高真空（UHV）套件 l帶分子泵的盒式真空進(jìn)片室,主要產(chǎn)品介紹（5）,SGC1000 MBE 系統(tǒng) l最大12英寸（300mm）樣片 l液氮冷卻板 l 4個(gè)電子槍 l 最多可達(dá)6個(gè)泄流盒 l垂直腔室 l 30KeV RHEED l 800L/s 離子泵 l 10英寸低溫泵 l 1000L/s 分子泵 l鈦升華泵（TSP） l帶機(jī)械式晶片傳送的超高真空（UHV）套件 l帶分子泵的盒式真空進(jìn)片室,主要產(chǎn)品介紹（6）,迷你MBE系統(tǒng) l最大1英寸樣片

6、l液氮主冷卻板 l16個(gè)泄流盒 l泄流盒被分為四組，每組四個(gè)， 每一組都有單獨(dú)的閥門與生長(zhǎng)腔隔離開 l 15KeV RHEED l 300L/s 離子泵 l液氮冷卻鈦升華泵（TSP） l帶分子泵的真空進(jìn)片室,主要產(chǎn)品介紹（7）,PLD500 脈沖激光沉積系統(tǒng) l球形腔室 l6個(gè)1英寸目標(biāo)固定器 l最大3英寸樣片 l 最高溫度可達(dá)1000 的抗氧化加熱器 l 520L/s分子泵 l 樣片XY掃面 l 目標(biāo)掃描 l 帶分子泵的真空進(jìn)片室 l可選超高真空組件 l可選高壓RHEED l可選計(jì)算機(jī)控制,主要產(chǎn)品介紹（8）,S450濺射系統(tǒng) l濺射器上或下配置的超高真空腔室 l最多可達(dá)6個(gè)磁電管 l 最大4英寸的磁性目標(biāo)直徑 l射頻濺射 l直流濺射 l 二極管濺射 l 非平衡濺射 l最高溫度可達(dá)1000的抗氧化加熱器 l最大4英寸樣片 l直流樣片偏壓 l520L/s分子泵 l 帶分子泵的真空進(jìn)片室 l 可選超高真空（UHV）組件 l 可選計(jì)算機(jī)控制,主要產(chǎn)品介紹（9）,L400濺射系統(tǒng) l濺射器下配置的超高真空（UHV）腔室 l6個(gè)磁電管安裝在一個(gè)可移動(dòng)的線性手臂上 l 最大4英寸的磁性目標(biāo)直徑 l 射頻濺射 l直流濺射 l非平衡濺射 l 最高溫度可達(dá)1000攝氏度的抗氧化加