第7章習(xí)題解答.doc

習(xí) 題 77.1 確定圖7.1所示電路的漏極電流。圖7.1 習(xí)題7.1圖(a) UGSQ=2V，(b) UGSQ=3V，ID=12(13/6)=3(mA)7.2 電路如圖7.2所示，MOSFET的UT = 2V，K = 50mA/V2，確定電路Q點(diǎn)的IDQ和UDSQ值。7.3 試求圖7.3所示每個(gè)電路圖的UDS，已知|IDSS| = 8mA。(a) UGSQ=0(V) IDQ=IDSS=8(mA) UDSQ=VDDIDQRd = 1281=4(V)(b) UGSQ=0(V) IDQ=IDSS=8(mA) UDSQ=VDDIDQRd = 1581.2=5.4(V)(c) UGSQ=0(V) IDQ=IDSS=8(mA) UDSQ=VDDIDQRd = 9+80.56=4.52(V) 圖7.2 習(xí)題7.2電路圖 圖7.3 習(xí)題7.3電路圖7.4 某MOSFET的IDSS = 10mA且UP = 8V。(1) 此元件是P溝道還是N溝道？(2) 計(jì)算UGS = 3V是的ID；(3) 計(jì)算UGS = 3V時(shí)的ID。(1) N溝道；(2) (3) 7.5 圖7.4所示為場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性，請分別說明場效應(yīng)管各屬于何種類型。說明它的開啟電壓（或夾斷電壓）約是多少。圖7.4 習(xí)題7.5圖(a) N溝道 耗盡型FET UP=3V；(b) P溝道 增強(qiáng)型FET UT=4V；(c) P溝道 耗盡型FET UP=2V。7.6 圖7.5所示為場效應(yīng)管的輸出特性曲線，分別判斷各場效應(yīng)管屬于何種類型（結(jié)型、絕緣柵型、增強(qiáng)型、耗盡型、N溝道或P溝道），說明它的夾斷電壓（或開啟電壓）為多少。圖7.5 習(xí)題7.6圖(a) JFET P溝道 UP=3V；(b) 耗盡型 N溝道FET UP=1.0V7.7 畫出下列FET的轉(zhuǎn)移特性曲線。(1)UP = 6V，IDSS = 3mA的JFET；(2) UP = 6V，IDSS = 1mA的MOSFET；(3) UT = 8V，K = 0.2mA/V2的MOSFET。(1) (2) (3) 7.8 試在具有四象限的直角坐標(biāo)上分別畫出各種類型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性示意圖，并標(biāo)明各自的開啟電壓或夾斷電壓。 7.9 判斷圖7.6所示各電路是否有可能正常放大正弦信號。圖7.6 習(xí)題7.9電路圖(a) 能放大 (b) 不能放大，增強(qiáng)型不能用自給偏壓 (c) 能放大7.10 試判斷圖7.7所示電路中，哪些具有電壓放大作用，如不具有電壓放大作用，如何改正才能使其有電壓放大作用。(a) 不能放大，缺少Rd(b) 不能放大，共漏，可增加Rd，并改為共源放大(c) 不能放大，增強(qiáng)型不能采用自給偏壓，須改為分壓偏置(d) 能放大圖7.7 習(xí)題7.10電路圖7.11 圖7.8(a)所示電路中的場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性為圖7.8(b)所示，試求解該電路的、和。圖7.8 習(xí)題7.11圖 由圖(a) 可知：UGS= 1V，由圖(b)可得 ID=2mA，可求得：UDS=1225=2V7.12 電路如圖7.8所示，已知FET的IDSS = 3mA、UP = 3V、U(BR)DS = 10V。試問在下列三種條件下，F(xiàn)ET各處于哪種狀態(tài)？(1) Rd = 3.9k；(2) Rd = 10k；(3) Rd = 1k。UGSQ=0(V) IDQ=IDSS=3mA(1) UDSQ=1533.9=3.3(V) 處于恒流區(qū)；(2) UDSQ=15310=15(V) 處于可變電阻區(qū)；(3) UDSQ=1531=12(V) 處于擊穿區(qū)。7.13 電路如圖7.9所示，已知VT在UGS = 5V時(shí)的ID = 2.25mA，在UGS = 3V時(shí)的ID = 0.25mA?，F(xiàn)要求該電路中FET的VDQ = 2.4V、IDQ = 0.64mA，試求：(1) 管子的K和UT的值；(2) Rd和RS的值應(yīng)各取多大？ID=K(UGS-UT)22.25= K(5-UT)2 0.25= K(3-UT)2 UT1=3.5(V) (不合理，舍去)，UT2=2(V)求得：K=0.25mA/V2，UT=2VVDQ=VDD-IDQRd 2.4=120.64Rd Rd=15k UGSQ1=0.4(V)(不合理，舍去) UGSQ2=3.6(V)UGSQ=100.64Rs Rs=10k7.14 電路如圖7.10所示，已知FET的UT = 3V、K = 0.1mA/V2。現(xiàn)要求該電路中FET的IDQ = 1.6mA，試求Rd的值應(yīng)為多大？ 圖7.8 習(xí)題7.12圖 圖7.9 習(xí)題7.13圖 圖7.10 習(xí)題7.14圖1.6=0.1(UGSQ3)2 UGSQ1=7(V) UGSQ2=1(V)(不合理，舍去)UDSQ=UGSQ=7(V) UDSQ=151.6Rd Rd=5k7.15 電路如圖7.11所示，已知場效應(yīng)管VT的UT = 2V，U(BR)DS = 16V、U(BR)GS = 30V，當(dāng)UGS = 4V、UDS = 5V時(shí)的ID = 9mA。請分析這四個(gè)電路中的場效應(yīng)管各工作在什么狀態(tài)(截止、恒流、可變電阻、擊穿)？圖7.11 習(xí)題7.15圖(a) 截止 (b) UDSQ=20VU(BR)DS，擊穿(c) ID=K(UGS-UT)2 9=K(42)2 K=2.25mA/V2 UGSQ=3V IDQ=2.25(32)2 IDQ=2.25mA UDSQ=122.255=0.75(V)UGSQUT=1V 處于恒流區(qū)7.16 電路如圖7.12所示，已知場效應(yīng)管VT1的IDSS = 4mA、UP = 5V；VT2的K = 0.16mA/V2、UT = 3.5V；VT3的IDSS = 5mA、UP = 4V；VT4的IDSS = 2mA、UP = 2V。試分析這四個(gè)電路中的場效應(yīng)管各工作在截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)中的哪個(gè)區(qū)。(a) UGSQ=2V IDQ=4(12/5)2=1.44mA UDSQ=101.443=5.68(V)UGSQUP=3V 處于恒流區(qū) (b) UGSQ=2VUT，截止(c)UGSQ=0V IDQ=IDSS=5mA UDSQ=10+53=5(V) 由電路圖可知UDSQIDSS 處于可變電阻區(qū)(d) UGSQ=0V 假設(shè)處于恒流區(qū)，則IDQ=IDSS=2mA UDSQ=10+23=4(V)UGSQUP=2V 處于恒流區(qū) 圖7.12 習(xí)題7.16圖7.17 電路如圖7.13所示(1) JFET的UP = 8V，IDSS = 16mA，確定電路Q點(diǎn)的IDQ和UDSQ值。(2) 將VT換成UP = 10V，IDSS = 12mA的JFET，重新確定電路Q點(diǎn)的IDQ和UDSQ值圖7.13 習(xí)題7.17圖(1) UGSQ=5V UDSQ=102.252.2=5.05V(2) UGSQ=5V UDSQ=1032.2=3.4V7.18 圖7.14所示場效應(yīng)管工作于放大狀態(tài)，忽略不計(jì)，電容對交流視為短路。跨導(dǎo)為。（1）畫出電路的交流小信號等效電路；（2）求電壓放大倍數(shù)和源電壓放大倍數(shù)；（3）求輸入電阻和輸出電阻。圖7.14 習(xí)題7.18電路圖(1) (2) Ri=Rg3+Rg2/Rg1=2+0.3/0.1=2.075(M) Ro=Rd=10k(3) 7.19 電路如圖7.15所示，場效應(yīng)管的，忽略不計(jì)。試求共漏電路的源電壓增益、輸入電阻和輸出電阻。圖7.15 習(xí)題7.19電路圖Ri=Rg2/Rg1=240/240=120(k)Ro=R/=0.75/=79.27.20 源極輸出器電路如圖7.16所示，已知場效應(yīng)管在工作點(diǎn)上的互導(dǎo)，忽略不計(jì)，其他參數(shù)如圖中所示。求電壓增益、輸入電阻和輸出電阻。圖7.16 習(xí)題7.20電路圖Ri=Rg3+Rg2/Rg1=2+0.3/0.1=2.075(M)Ro=R/=12/=1.02k7.21 放大電路如圖7.17所示，已知場效應(yīng)管的， = -4V，若要求場效應(yīng)管靜態(tài)時(shí)的，各電容均足夠大。試求：（1）的阻值；（2）、及的值。圖7.17 習(xí)題7.21電路圖 Rg1=1.2(M)Ri=Rg3+Rg2/Rg1=2+0.05/1.2=2.048(M)Ro=Rd=10k7.22 電路如圖7.18所示，已知FET的UP = 1V，IDSS = 1mA，(1) 試求該電路的靜態(tài)工作點(diǎn)參數(shù)UGSQ、IDQ、UDSQ的值；(2) 試求該電路的、Ri、Ro的值。(3) 若Cs開路，重求、Ri、Ro的值。(1) UGSQ1=-2.97V(UP，不合理，故舍去) UGSQ2=0.03VUDSQ=VDDIDQ(Rd+Rs)=180.93(10+1)=7.77V(2) Ri=Rg3+Rg2/Rg1=10+0.1