設(shè)計(jì)項(xiàng)目四 數(shù)字溫度計(jì)的設(shè)計(jì).doc

單片機(jī)C語(yǔ)言編程與實(shí)踐實(shí)訓(xùn)報(bào)告設(shè)計(jì)項(xiàng)目四 數(shù)字溫度計(jì)的設(shè)計(jì)姓名班級(jí)完成時(shí)間教師評(píng)價(jià)設(shè)計(jì)目的：能利用DS18B20與LCD1602設(shè)計(jì)一個(gè)簡(jiǎn)單的數(shù)字溫度計(jì)表設(shè)計(jì)要求：在proteus上仿真實(shí)現(xiàn)，并撰寫設(shè)計(jì)報(bào)告一 基礎(chǔ)知識(shí)回顧： 1利用下列（ ）關(guān)鍵字可以改變工作寄存器組A、interruptB、sfrC、while D、using 2具有模數(shù)轉(zhuǎn)換功能的芯片是（）A、ADC0809B、DAC0832 C、MAX813 D、MAX5323單總線的特點(diǎn)是 4 簡(jiǎn)述DS18B20的各個(gè)引腳的功能，并指明下列兩種供電方式分別采用什么供電方式？ 圖一 圖二 圖三 5. DS18B20的內(nèi)部數(shù)字化溫度轉(zhuǎn)換器將溫度數(shù)據(jù)以 形式儲(chǔ)存到16bit快速暫存器中 6試根據(jù)下列時(shí)序圖及提示寫出DS18B20所對(duì)應(yīng)的初始化、讀、寫字節(jié)的函數(shù) 注：DS18B20采用外部供電方式，DQ端接在P21引腳。 （1）初始化 控制器拉低總線DS18B20拉低總線外接上拉電阻拉高總線VDDGND過程提示：主機(jī)首先發(fā)出一個(gè)480960微秒的低電平脈沖，然后釋放總線變?yōu)楦唠娖剑⒃陔S后的480微秒時(shí)間內(nèi)對(duì)總線進(jìn)行檢測(cè)，如果有低電平出現(xiàn)說(shuō)明總線上有器件已做出應(yīng)答。若無(wú)低電平出現(xiàn)一直都是高電平說(shuō)明總線上無(wú)器件應(yīng)答。做為從器件的DS18B20在一上電后就一直在檢測(cè)總線上是否有480960微秒的低電平出現(xiàn)，若有，在總線轉(zhuǎn)為高電平后等待1560微秒后將總線電平拉低60240微秒做出響應(yīng)存在脈沖，告訴主機(jī)本器件已做好準(zhǔn)備。若沒有檢測(cè)到就一直在檢測(cè)等待 （2）讀時(shí)序過程提示：讀時(shí)隙是從主機(jī)把單總線拉低之后，在1微秒之后就得釋放單總線為高電平，以讓DS18B20把數(shù)據(jù)傳輸?shù)絾慰偩€上。DS18B20在檢測(cè)到總線被拉低1微秒后，便開始送出數(shù)據(jù)，若是要送出0就把總線拉為低電平直到讀周期結(jié)束。若要送出1則釋放總線為高電平。主機(jī)在一開始拉低總線1微秒后釋放總線，然后在包括前面的拉低總線電平1微秒在內(nèi)的15微秒時(shí)間內(nèi)完成對(duì)總線進(jìn)行采樣檢測(cè)，采樣期內(nèi)總線為低電平則確認(rèn)為0。采樣期內(nèi)總線為高電平則確認(rèn)為1。完成一個(gè)讀時(shí)序過程，至少需要60us才能完成.（3）寫時(shí)序 過程提示： 寫周期最少為60微秒，最長(zhǎng)不超過120微秒。寫周期一開始做為主機(jī)先把總線拉低1微秒表示寫周期開始。隨后若主機(jī)想寫0，則繼續(xù)拉低電平最少60微秒直至寫周期結(jié)束，然后釋放總線為高電平。若主機(jī)想寫1，在一開始拉低總線電平1微秒后就釋放總線為高電平，一直到寫周期結(jié)束。而做為從機(jī)的DS18B20則在檢測(cè)到總線被拉底后等待15微秒然后從15us到45us開始對(duì)總線采樣，在采樣期內(nèi)總線為高電平則為1，若采樣期內(nèi)總線為低電平則為0。二 設(shè)計(jì)部分（1） 用DS18B20設(shè)計(jì)一數(shù)字溫度計(jì)，并將最終顯示結(jié)果送LCD1602顯示。精度要求：采用12位分辨率，顯示結(jié)果只顯示到小數(shù)點(diǎn)后一位即可。(P