數(shù)碼相機(jī)CCD傳感器和CMOS傳感器的區(qū)別.doc

數(shù)碼相機(jī)CCD傳感器和CMOS傳感器的區(qū)別數(shù)碼相機(jī)的成像器件主要分為兩類： CCD英文Charge Couple Device的縮寫，中文名稱“電荷耦合器件”。 CMOS英文Complementary Metal-Oxide Semiconductor的縮寫，中文名稱為“互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體”。 CCD是目前主流的成像器件，主要分為： （1）R-G-B原色CCD：這是數(shù)碼相機(jī)上應(yīng)用的最多的CCD。 （2）C-Y-G-M補(bǔ)色CCD：早些時(shí)候尼康部分?jǐn)?shù)碼相機(jī)使用過這種補(bǔ)色CCD。 （3）R-G-B-E四色CCD：這是索尼最新發(fā)布的CCD，它比RGB原色CCD多出一個(gè)E（Emerale,翠綠）的顏色。 （4）Super CCD：是曰本富士公司的專利技術(shù)，中文名稱為超級(jí)CCD，由CCD演變而成，目前已經(jīng)發(fā)展到第4代。 3）CMOS：作為數(shù)碼相機(jī)成像器件出現(xiàn)的時(shí)間并不長(zhǎng)，但發(fā)展卻非常迅速，大有與CCD分庭抗?fàn)幹畡?shì)，其基本結(jié)構(gòu)中的像素排列方式與R-G-B原色CCD并沒有本質(zhì)差別。佳能是CMOS陣營(yíng)的主要支持者。 CCD技術(shù)成熟，成像質(zhì)量好，畢竟它是現(xiàn)在應(yīng)用的最廣泛的成像元件，但它也有其缺點(diǎn)： 1） 耗電量大。早期的數(shù)碼相機(jī)有“電老虎”的“美譽(yù)”，主要原因之一便來自CCD。雖然現(xiàn)在采用低溫多晶硅顯示屏等低能耗的部件在一定程度上降低了相機(jī)的功率，但CCD依然是數(shù)碼相機(jī)的耗電大戶CCD從數(shù)碼相機(jī)一開機(jī)便隨時(shí)保持著工作狀態(tài)，更是無謂地消耗大量的電能。 2） 工藝復(fù)雜，成本較高。CCD復(fù)雜的結(jié)構(gòu)決定了它制造工藝的復(fù)雜性，因而到目前為止，CCD還只有為數(shù)不多的幾家電子產(chǎn)業(yè)巨頭能生產(chǎn)。 3） 像素提升難度大。CCD前兩個(gè)缺點(diǎn)也直接導(dǎo)致了這一個(gè)缺點(diǎn)，CCD像素提升無非是通過兩個(gè)途徑：第一，保持感光元件單位面積不變而增大CCD面積，在大面積CCD上集成更多的感光元件。但是這種方式會(huì)導(dǎo)致CCD成品率降低，制造成本更高，功耗更大，在民用領(lǐng)域這是不現(xiàn)實(shí)的；第二，縮小感光元件單位面積，在現(xiàn)有水平的CCD面積上集成更多感光元件。但是這種方法會(huì)減少感光元件的單位感光面積，降低CCD整體的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍，影響畫質(zhì)。 CMOS在最近幾年的發(fā)展速度相當(dāng)不錯(cuò)，大有與CCD分庭抗?fàn)幹畡?shì)就連目前最頂級(jí)的DSLR（單鏡頭反光數(shù)碼相機(jī)）柯達(dá)（Kodak）DCS 14n與佳能(Canon) EOS 1Ds均是采用CMOS成像。 相比CCD，CMOS有兩個(gè)最突出的優(yōu)點(diǎn)： 1） 價(jià)格低廉，制造工藝簡(jiǎn)單。CMOS可以利用普通半導(dǎo)體生產(chǎn)線進(jìn)行生產(chǎn)，不象CCD那樣要求特殊的生產(chǎn)工藝，所以制造成本低得多。而且CMOS尺寸與成品率都不如CCD有很多限制。 2） 耗電量低。雖然CMOS的濾鏡布局與CCD差別不大，但在感光單元的電路結(jié)構(gòu)上卻有很大差別。CMOS每個(gè)感光元件都具備獨(dú)立的電荷/電壓轉(zhuǎn)換電路，可將光電轉(zhuǎn)換后的電信號(hào)獨(dú)立放大輸出這比起CCD將所有的信號(hào)全部收集起來再放大輸出，速度快了很多。而且CMOS的感光元件只在感光成像時(shí)才會(huì)工作，所以比CCD更省電。但CMOS同樣存在缺點(diǎn)，如果在使用數(shù)碼相機(jī)時(shí)成像動(dòng)作較多，那么CMOS在頻繁的啟動(dòng)過程中會(huì)因?yàn)槎嘧兊碾娏鞫a(chǎn)生熱量，導(dǎo)致雜波并影響畫質(zhì)。 傳感器尺寸是指感光元件對(duì)角線的長(zhǎng)度，常用單位為英寸。常見的有1/1.6英寸、1/1.7英寸、1/1.8英寸、1/2.3英寸、1/2.33英寸、1/2.5英寸、1/2.7英寸、2/3英寸等。一般來說，感光元件尺寸越大，元件的性能與成像效果就越好。另外，數(shù)碼相機(jī)的感光元件一般采用4：3的長(zhǎng)寬比，比較特殊的則有3：2。噪點(diǎn)：由于CMOS每個(gè)感光二極管都需搭配一個(gè)放大器，如果以百萬像素計(jì)，那么就需要百萬個(gè)以上的放大器，而放大器屬于模擬電路，很難讓每個(gè)放大器所得到的結(jié)果保持一致，因此與只有一個(gè)放大器放在芯片邊緣的CCD傳感器相比，CMOS傳感器的噪點(diǎn)就會(huì)增加很多，影響圖像品質(zhì)。耗電量：CMOS傳感器的圖像采集方式為主動(dòng)式，感光二極管所產(chǎn)生的電荷會(huì)直接由旁邊的電晶體做放大輸出；而CCD傳感器為被動(dòng)式采集，必須外加電壓讓每個(gè)像素中的電荷移動(dòng)至傳輸通道。而這外加電壓通常需要1218V，因此CCD還必須有更精密的電源線路設(shè)計(jì)和耐壓強(qiáng)度，高驅(qū)動(dòng)電壓使CCD的耗電量遠(yuǎn)高于CMOS。CMOS的耗電量?jī)H為CCD的1/8到1/10。 成本：由于CMOS傳感器采用一般半導(dǎo)體電路最常用的CMOS工藝，可以輕易地將周邊電路(如AGC、CDS、Timinggenerator或DSP等)集成到傳感器芯片中，因此可以節(jié)省外圍芯片的成本；而CCD采用電荷傳遞的方式傳送數(shù)據(jù)，只要其中有一個(gè)像素不能運(yùn)行，就會(huì)導(dǎo)致一整排的數(shù)據(jù)不能傳送，因此控制CCD傳感器的成品率比CMOS傳感器困難許多，即使有經(jīng)驗(yàn)的廠商也很難在產(chǎn)品問世的半年內(nèi)突破50%的水平，因此，CCD傳感器的制造成本會(huì)高于CMOS傳感器。CCD與CMOS傳感器的前景CCD在影像品質(zhì)等方面均優(yōu)于CMOS，而CMOS則具有低成本、低功耗、以及高整合度的特點(diǎn)。不過，隨著CCD與CMOS傳感器技術(shù)的進(jìn)步，兩者的差異將逐漸減小，新一代的CCD傳感器一直在功耗上作改進(jìn)，而CMOS傳感器則在改善分辨率與靈敏度方面的不足。相信不斷改進(jìn)的CCD與CMOS傳感器將為我們帶來更加美好的數(shù)碼影像世界。CMOS一定比CCD差嗎？答案是否定的，佳能頂級(jí)的專業(yè)單反數(shù)碼相機(jī)也是采用CMOS的影像傳感器，影響畫質(zhì)取決于鏡頭，取決于感光片的面積大小，影像算法等等CMOS傳感器與CCD傳感器的比較 CMOS傳感器與CCD傳感器的比較 CCD，(Charge Coupled Device)，即“電荷耦合器件”，以百萬像素為單位。數(shù)碼相機(jī)規(guī)格中的多少百萬像素，指的就是CCD的分辨率。CCD是一種感光半導(dǎo)體芯片，用于捕捉圖形，廣泛運(yùn)用于掃描儀、復(fù)印機(jī)以及無膠片相機(jī)等設(shè)備。與膠卷的原理相似，光線穿過一個(gè)鏡頭，將圖形信息投射到CCD上。但與膠卷不同的是，CCD既沒有能力記錄圖形數(shù)據(jù)，也沒有能力永久保存下來，甚至不具備“曝光”能力。所有圖形數(shù)據(jù)都會(huì)不停留地送入一個(gè)“模-數(shù)”轉(zhuǎn)換器，一個(gè)信號(hào)處理器以及一個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備(比如內(nèi)存芯片或內(nèi)存卡)。CCD有各式各樣的尺寸和形狀，最大的有22平方英寸。1970美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了CCD。二十年后，人們利用這一技術(shù)制造了數(shù)碼相機(jī)，將影像處理行業(yè)推進(jìn)到一個(gè)全新領(lǐng)域。 CMOS,(Complementary Metal Oxide Semiconductor)，即“互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體”。它是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)一種重要的芯片，保存了系統(tǒng)引導(dǎo)所需的大量資料。有人發(fā)現(xiàn)，將CMOS加工也可以作為數(shù)碼相機(jī)中的感光傳感器，其便于大規(guī)模生產(chǎn)和成本低廉的特性是商家們夢(mèng)寐以求的。 CCD和CMOS的技術(shù)對(duì)比 從技術(shù)的角度比較，CCD與CMOS有如下四個(gè)方面的不同：信息讀取方式：CCD電荷耦合器存儲(chǔ)的電荷信息，需在同步信號(hào)控制下一位一位地實(shí)施轉(zhuǎn)移后讀取，電荷信息轉(zhuǎn)移和讀取輸出需要有時(shí)鐘控制電路和三組不同的電源相配合，整個(gè)電路較為復(fù)雜。CMOS光電傳感器經(jīng)光電轉(zhuǎn)換后直接產(chǎn)生電流（或電壓）信號(hào)，信號(hào)讀取十分簡(jiǎn)單。速度CCD電荷耦合器需在同步時(shí)鐘的控制下，以行為單位一位一位地輸出信息，速度較慢；而CMOS光電傳感器采集光信號(hào)的同時(shí)就可以取出電信號(hào)，還能同時(shí)處理各單元的圖像信息，速度比CCD電荷耦合器快很多。電源及耗電量CD電荷耦合器大多需要三組電源供電，耗電量較大；CMOS光電傳感器只需使用一個(gè)電源，耗電量非常小，僅為CCD電荷耦合器的1/8到1/10，CMOS光電傳感器在節(jié)能方面具有很大優(yōu)勢(shì)。成像質(zhì)量CCD電荷耦合器制作技術(shù)起步早，技術(shù)成熟，采用PN結(jié)或二氧化硅（SiO2）隔離層隔離噪聲，成像質(zhì)量相對(duì)CMOS光電傳感器有一定優(yōu)勢(shì)。由于CMOS光電傳感器集成度高，各光電傳感元件、電路之間距離很近，相互之間的光、電、磁干擾較嚴(yán)重，噪聲對(duì)圖像質(zhì)量影響很大，使CMOS光電傳感器很長(zhǎng)一段時(shí)間無法進(jìn)入實(shí)用。近年，隨著CMOS電路消噪技術(shù)的不斷發(fā)展，為生產(chǎn)高密度優(yōu)質(zhì)的CMOS圖像傳感器提供了良好的條件。 目前，CCD技術(shù)主要掌握在索尼、佳能、奧林巴斯等幾大廠商手中。主流的數(shù)碼相機(jī)均采用CCD作為光敏傳感器件，像素?cái)?shù)一般為三百萬左右。其制造工藝復(fù)雜，功耗大，成本較高。未來，采用CCD傳感器的數(shù)碼相機(jī)將繼續(xù)朝著提高像素?cái)?shù)，增加拍攝功能，提高照片質(zhì)量的方向發(fā)展，力爭(zhēng)在各項(xiàng)指標(biāo)上早日達(dá)到傳統(tǒng)相機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)。 采用CMOS傳感器的數(shù)碼相機(jī)一般低于35萬像素，主要面向以家庭、個(gè)人用戶為主的低端市場(chǎng)。其時(shí)尚化、多功能、價(jià)格低的優(yōu)勢(shì)受到了普通消費(fèi)者的歡迎。國(guó)內(nèi)的數(shù)碼相機(jī)廠商對(duì)CMOS數(shù)碼相機(jī)傾注了極高的熱情，包括海鷗、先科、喜馬拉雅等先后推出了相應(yīng)產(chǎn)品。 CMOS可塑性較高，未來除了數(shù)碼相機(jī)之外，將在傳真機(jī)、掃描儀、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、安全偵測(cè)系統(tǒng)等方面得到廣泛應(yīng)用。目前市場(chǎng)上CMOS產(chǎn)品不多，但在美國(guó)，包括Intel、TI在內(nèi)的多家公司都在積極研發(fā)相關(guān)產(chǎn)品。今年7月，歐洲的獨(dú)立半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)IMEC公布了兩個(gè)有關(guān)CMOS的研發(fā)項(xiàng)目，其中探索CMOS技術(shù)極限的“Advanced Device Implementation Program”，其目標(biāo)是確立國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)規(guī)劃（ITRS）的最新版本，并提出面向60nm30nm的技術(shù)。淺析CCD、CCD與CMOS技術(shù)數(shù)碼相機(jī)的發(fā)展真可謂一日千里，近來各種新的感光技術(shù)紛紛涌現(xiàn)。很多數(shù)碼相機(jī)生產(chǎn)廠商大肆宣揚(yáng)自己的產(chǎn)品像素有多高，畫質(zhì)多好。顧客在選購數(shù)碼相機(jī)時(shí)也比較困惑，心里沒底。矩陣式CCD，它的每一個(gè)光敏元件代表圖象中的一個(gè)像素，當(dāng)快門打開時(shí)，整個(gè)圖象一次同時(shí)曝光。我們知道單位像素的面積越小，其感光性能越低，信噪比越低，動(dòng)態(tài)范圍越窄。目前更大尺寸CCD加工制造比較困難，成品率也比較低，因此成本也一直降不下來。這就是為什么一些高端專業(yè)級(jí)數(shù)碼相機(jī)使用3CCD分別感受RGB三色光的原因。CMOS針對(duì)CCD最主要的優(yōu)勢(shì)就是非常省電。比較容易地以較低的成本制造較大大尺寸的CMOS感光芯片，并且CMOS可以將影像處理電路集成在芯片上。CMOS主要問題是在處理快速變化的影像時(shí)，由于電流變化過于頻繁而過熱。CMOS的成像效果一點(diǎn)也不比傳統(tǒng)CCD差。這種能耗低、制造相對(duì)容易的感光芯片如果能在影像的銳利度、動(dòng)態(tài)范圍等方面再做進(jìn)一步的努力，相信CMOS是未來數(shù)碼相機(jī)的發(fā)展方向。高清攝像監(jiān)控眾所周知，目前的圖像傳感器主要分為CCD和CMOS兩大陣營(yíng)。在傳統(tǒng)觀念中，CCD具有高解析度、低噪點(diǎn)等優(yōu)點(diǎn)；而CMOS由于噪點(diǎn)問題，一直與電腦攝像頭、手機(jī)攝像頭等低畫質(zhì)的電子產(chǎn)品聯(lián)系在一起。其實(shí)不然，現(xiàn)在CMOS攝像機(jī)絕非只局限于簡(jiǎn)單、低端的應(yīng)用，甚至在高清攝像領(lǐng)域有了與CCD一較高下的實(shí)力。本文就CCD與CMOS的工作原理、區(qū)別、優(yōu)劣和適用場(chǎng)合作出詳細(xì)的分析。CCD是英文ChargeCoupledDevice的縮寫，中文翻譯為電荷耦合器件。它是1969年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的WB博伊爾（WBBoyle）和GE史密斯（GESmith）等人研制出來的，其使用一種高感光度的半導(dǎo)體材料制成，包含眾多感光元件，每個(gè)感光元件叫一個(gè)像素，CCD可以看做這些像素的集合體。當(dāng)CCD表面受到光線照射時(shí)，每個(gè)感光單位會(huì)將電荷反映在組件上，所有的感光單位產(chǎn)生的信號(hào)加在一起，就構(gòu)成了一幅完整的畫面。而CMOS英文全稱是Comple-mentaryMetal-OxideSemicon-ductor,即互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，與CCD一樣也是記錄光線變化的半導(dǎo)體。CMOS的制造技術(shù)和一般計(jì)算機(jī)芯片沒什么差別，主要是利用硅和鍺這兩種元素所做成的半導(dǎo)體，使其在CMOS上共存著帶負(fù)電（N極）和正電（P極）的半導(dǎo)體，這兩個(gè)互補(bǔ)效應(yīng)所產(chǎn)生的電流即可被處理芯片記錄和解讀成影像。再透過芯片上的模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）將獲得的模擬影像信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)字信號(hào)輸出?？梢钥吹?，無論是CCD還是CMOS,它們都采用感光元件作為影像捕獲的基本手段，其核心都是一個(gè)感光二極管（photodiode），該二極管在接受光線照射之后能夠產(chǎn)生輸出電流，而電流的強(qiáng)度則與光照的強(qiáng)度對(duì)應(yīng)。CCD與CMOS的區(qū)別像素結(jié)構(gòu)不同CCD與CMOS的第一個(gè)區(qū)別體現(xiàn)在感光單位即像素結(jié)構(gòu)不同。前者的感光元件除了感光二極管之外，包括一個(gè)用于控制相鄰電荷的存儲(chǔ)單元，感光二極管占據(jù)了絕大部分面積。而CMOS感光元件的構(gòu)成比較復(fù)雜，除處于核心地位的感光二極管之外，它還包括放大器與模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，每個(gè)像點(diǎn)構(gòu)成為一個(gè)感光二極管和三顆晶體管，而感光二極管占據(jù)的面積只是整個(gè)元件的一小部分。相較于CMOS傳感器，CCD感光元件中的有效感光面積大，在同等條件下可接收較強(qiáng)的光信號(hào)，對(duì)應(yīng)的輸出電信號(hào)也更強(qiáng)；體現(xiàn)在輸出結(jié)果上，就是CMOS傳感器捕捉到的圖像內(nèi)容不如CCD傳感器豐富、銳度較差、圖像細(xì)節(jié)丟失情況嚴(yán)重且噪點(diǎn)明顯，這也是早期CMOS傳感器大多用于低端場(chǎng)合的原因。ADC位置和數(shù)量不同CCD與CMOS的第二個(gè)區(qū)別體現(xiàn)在ADC（模數(shù)轉(zhuǎn)換器）位置和數(shù)量的不同。CCD每行像素點(diǎn)只對(duì)應(yīng)著一ADC,感光元件每曝光一次，在快門關(guān)閉后進(jìn)行像素轉(zhuǎn)移處理，由控制電路以串行的方式依序傳入緩沖器中，由底端的線路引導(dǎo)輸出至CCD旁的放大器進(jìn)行放大，再串聯(lián)ADC輸出；相對(duì)地，CMOS的設(shè)計(jì)中每個(gè)像素點(diǎn)旁連著一個(gè)ADC,信號(hào)直接放大并轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)。 也正是由于這點(diǎn)不同，CCD傳感器中每一個(gè)感光元件的信號(hào)能形成統(tǒng)一的輸出，這些輸出數(shù)據(jù)經(jīng)放大器統(tǒng)一處理之后，每個(gè)像點(diǎn)的電信號(hào)強(qiáng)度都獲得同樣幅度的增大；而CMOS每一個(gè)感光元件攜帶一個(gè)ADC,無法保證每個(gè)像點(diǎn)的放大率嚴(yán)格一致，致使放大后的圖像數(shù)據(jù)無法代表拍攝物體的原貌。體現(xiàn)在最終的輸出結(jié)果上，就是圖像中不可避免地出現(xiàn)噪點(diǎn)，圖像品質(zhì)低于CCD傳感器。CCD與CMOS優(yōu)劣比較看了以上的介紹，也許大家會(huì)認(rèn)為CCD成像清晰、噪點(diǎn)少，所以相對(duì)CMOS優(yōu)勢(shì)明顯。其實(shí)不然，雖然大量的ADC給CMOS帶來了低噪點(diǎn)的缺陷，但也在其他方面顯示出了極大的好處。比較CCD與CMOS,它們?cè)谝韵挛鍌€(gè)方面互有優(yōu)劣：靈敏度由于CMOS每個(gè)像素包含一個(gè)感光二極管、一個(gè)電荷/電壓轉(zhuǎn)換單元、一個(gè)晶體管以及一個(gè)放大器，導(dǎo)致感光二極管占據(jù)的面積只是整個(gè)元件的一小部分。過多的額外設(shè)備壓縮單一像素的有效感光區(qū)域的表面積，因此在像素尺寸相同的情況下，CMOS傳感器的靈敏度要低于CCD傳感器。直接的后果就是低照度環(huán)境下，CMOS無法像CCD一樣靈敏，成像清晰度大大降低。 成本CCD電荷耦合器存儲(chǔ)的電荷信息，需在同步信號(hào)控制下一位一位地實(shí)施轉(zhuǎn)移后讀取，電荷信息轉(zhuǎn)移和讀取輸出需要有時(shí)鐘控制電路和三組不同的電源相配合，整個(gè)電路較為復(fù)雜。如果專用通道中有一個(gè)像素故障，就會(huì)導(dǎo)致一整排的信號(hào)擁塞而無法傳遞。因此CCD的良率比CMOS低。而CMOS應(yīng)用半導(dǎo)體工業(yè)常用的MOS制程，可以一次整合全部周邊設(shè)施于單晶片中，節(jié)省加工晶片所需負(fù)擔(dān)的成本和良率的損失，成本大為降低。噪點(diǎn)由于CMOS每個(gè)感光二極體旁都搭配一個(gè)ADC放大器，如果以百萬像素計(jì)，那么就需要百萬個(gè)以上的ADC放大器。由于放大器屬于模擬器件，無法保證每個(gè)像點(diǎn)的放大率嚴(yán)格一致，致使放大后的圖像無法代表拍攝物體的原貌。因此，對(duì)比每行只有單個(gè)放大器的CCD,CMOS最終計(jì)算出的噪點(diǎn)就比較多。 速度CCD電荷耦合器需在同步時(shí)鐘的控制下，以行為單位一位一位地輸出信息，速度較慢；而CMOS光電傳感器采集光信號(hào)的同時(shí)就可以取出電信號(hào)，還能同時(shí)處理各單元的圖像信息，速度比CCD電荷耦合器快很多。 功耗CCD傳感器除了在電源管理電路設(shè)計(jì)上的難度更高之外，電荷耦合器大多需要三組電源供電，耗電量較大；而CMOS光電傳感器只需使用一個(gè)電源，耗電量非常小，僅為CCD電荷耦合器的1/8到1/10,CMOS光電傳感器在節(jié)能方面具有很大優(yōu)勢(shì)。CCD與CMOS攝像機(jī)應(yīng)用場(chǎng)合通過以上比較分析，能看出CCD與CMOS各有優(yōu)勢(shì)。基于此，我們可以做到揚(yáng)長(zhǎng)避短，在不同應(yīng)用場(chǎng)合合理選擇CCD或CMOS攝像機(jī)。 低照度環(huán)境下宜使用CCD攝像機(jī)由于CCD感光單元有效面積大，在光照強(qiáng)度較低的環(huán)境中，能相對(duì)清晰地呈現(xiàn)出被攝物體原貌。相反，CMOS傳感器靈敏度低，ISO感光度差，低照時(shí)成像清晰度大大降低。所以，在低照度環(huán)境下，如燈光較暗的停車場(chǎng)、樓梯間、封閉通道和暗室等，宜選用感光靈敏的CCD攝像機(jī)。隱蔽環(huán)境中使用CMOS攝像機(jī)CMOS傳感器可以將所有邏糪-和控制環(huán)都放在同一個(gè)硅芯片塊上，使攝像機(jī)變得簡(jiǎn)單靈巧，因此CMOS攝像機(jī)可以做得非常小。而CCD攝像機(jī)限于外圍復(fù)雜電路影響，體積無法做到CMOS般微型化。對(duì)于道路、門口等攝像機(jī)易受不法分子攻擊破壞的場(chǎng)合，選用CMOS攝像機(jī)能達(dá)到隱蔽執(zhí)法、避免攻擊的作用。圖像質(zhì)量