幾種鍵合引線的詳細(xì)對(duì)比.doc

此文檔收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系網(wǎng)站刪除幾種鍵合引線的詳細(xì)對(duì)比-鍵合金絲/鍵合銅線/鋁鍵合線鍵合金絲，作為應(yīng)用最廣泛的鍵合絲來(lái)說(shuō),在引線鍵合中存在以下幾個(gè)方面的問(wèn)題： 1，Au2Al 金屬學(xué)系統(tǒng)易產(chǎn)生有害的金屬間化合物 ,這些金屬間化合物晶格常數(shù)不同,力學(xué)性能和熱性能也不同,反應(yīng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生物質(zhì)遷移,從而在交界層形成可見(jiàn)的柯肯德?tīng)柨斩? Kirkendall Void) ,使鍵合處產(chǎn)生空腔,電阻急劇增大,破壞了集成電路的歐姆聯(lián)結(jié),導(dǎo)電性嚴(yán)重破壞或產(chǎn)生裂縫,易在此引起器件焊點(diǎn)脫開(kāi)而失效。2，金絲的耐熱性差,金的再結(jié)晶溫度較低(150 ) ,導(dǎo)致高溫強(qiáng)度較低。球焊時(shí),焊球附近的金絲由于受熱而形成再結(jié)晶組織,若金絲過(guò)硬會(huì)造成球頸部折曲;焊球加熱時(shí),金絲晶粒粗大化會(huì)造成球頸部斷裂;3，金絲還易造成塌絲現(xiàn)象和拖尾現(xiàn)象,嚴(yán)重影響了鍵合的質(zhì)量;4，金絲的價(jià)格昂貴,導(dǎo)致封裝成本過(guò)高。 refer vi. 談到；查閱；參考 鍵合鋁線，Al21 %Si 絲作為一種低成本的鍵合絲受到人們的廣泛重視,國(guó)內(nèi)外很多科研單位都在通過(guò)改變生產(chǎn)工藝來(lái)生產(chǎn)各種替代金絲的Al21 %Si 絲,但仍存在較多問(wèn)題：1，普通Al21 %Si 在球焊時(shí)加熱易氧化,生成一層硬的氧化膜,此膜阻礙球的形成,而球形的穩(wěn)定性是Al21 %Si 鍵合強(qiáng)度的主要特性。實(shí)驗(yàn)證明,金絲球焊在空氣中焊點(diǎn)圓度高,Al21 %Si 球焊由于表面氧化的影響,空氣中焊點(diǎn)圓度低;n.鉆；鉆機(jī)2，Al21 %Si 絲的拉伸強(qiáng)度和耐熱性不如金絲,容易發(fā)生引線下垂和塌絲;3，同軸Al21 %Si 的性能不穩(wěn)定,特別是伸長(zhǎng)率波動(dòng)大,同批次產(chǎn)品的性能相差大,且產(chǎn)品的成材率低,表面清潔度差,并較易在鍵合處經(jīng)常產(chǎn)生疲勞斷裂。vi. 爭(zhēng)吵；吵架 鍵合銅絲，早在10 年前,銅絲球焊工藝就作為一種降低成本的方法應(yīng)用于晶片上的鋁焊區(qū)金屬化。但在當(dāng)時(shí)行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)封裝形式為1840 個(gè)引線的塑料雙列直插式封裝(塑料DIP) ,其焊區(qū)間距為150200m , 焊球尺為100125m ,絲焊的長(zhǎng)度很難超過(guò)3 mm。所以在大批量、高可靠的產(chǎn)品中,金絲球焊工藝要比銅絲球焊工藝更穩(wěn)定更可靠。然而,隨著微電子行業(yè)新工藝和新技術(shù)的出現(xiàn)及應(yīng)用,當(dāng)今對(duì)封裝尺寸和型式都有更高、更新的要求。首先是要求鍵合絲更細(xì),封裝密度更高而成本更低。因此,銅鍵合絲又引起了人們的重視。無(wú)錫市霍尼科技采用新型工藝生產(chǎn)的單晶銅，利用專(zhuān)利工藝技術(shù)拉制成的鍵合銅絲完全解決了線徑太小，容易氧化的問(wèn)題?；裟峥萍嫉膯尉с~鍵合絲有如下特點(diǎn)：wrist n. 手腕 1，良好的力學(xué)性能：較高破斷力和較好伸長(zhǎng)率的絲更利于鍵合。cottage n. 村舍；小屋meet with 遇到；經(jīng)歷；會(huì)晤2，優(yōu)異的電學(xué)性能：封裝材料的電學(xué)性能直接決定了芯片的性能指標(biāo),隨著芯片頻率不斷提高,對(duì)封裝中的導(dǎo)體材料的電性能提出了更高的要求。銅的電導(dǎo)率比金高出近40 % ,比鋁高出近2 倍。 3，出色的熱學(xué)性能：鍵合銅絲的熱學(xué)性能顯著優(yōu)于金和鋁,因此能夠以更細(xì)的焊絲直徑達(dá)到更好的散熱性能及更高的額定功率。隨著芯片密度的提高和體積的縮小,芯片制造過(guò)程中的散熱是設(shè)計(jì)和工藝考慮的一個(gè)重要內(nèi)容。在常用封裝材料中,銅比金和鋁的傳熱性能都要好,被廣泛地用于電子元器件的生產(chǎn)制造中。在對(duì)散熱要求越來(lái)越高的高密度芯片封裝工藝中,選取銅線來(lái)代替金線和鋁線是非常有意義的。并且,銅的熱膨脹系數(shù)比鋁低,因而其焊點(diǎn)的熱應(yīng)力也較低,大大提高了器件的可靠性。reality n. 真實(shí)；事實(shí)；現(xiàn)實(shí) 4，性能穩(wěn)定：銅鍵合絲金屬間化合物生長(zhǎng)速度慢銅絲與金絲焊點(diǎn)相比,銅線焊點(diǎn)中的金屬間化合物( Intermetallic) 生長(zhǎng)速度顯著減小。這就降低了電阻增加量,減小了產(chǎn)熱,提高了器件的可靠性。2，優(yōu)異的電學(xué)性能：封裝材料的電學(xué)性能直接決定了芯片的性能指標(biāo),隨著芯片頻率不斷提高,對(duì)封裝中的導(dǎo)體材料的電性能提出了更高的要求。銅的電導(dǎo)率比金高出近40 % ,比鋁高出近2 倍。belong to 屬于 3，出色的熱學(xué)性能：鍵合銅絲的熱學(xué)性能顯著優(yōu)于金和鋁,因此能夠以更細(xì)的焊絲直徑達(dá)到更好的散熱性能及更高的額定功率。隨著芯片密度的提高和體積的縮小,芯片制造過(guò)程中的散熱是設(shè)計(jì)和工藝考慮的一個(gè)重要內(nèi)容。在常用封裝材料中,銅比金和鋁的傳熱性能都要好,被廣泛地用于電子元器件的生產(chǎn)制造中。在對(duì)散熱要求越來(lái)越高的高密度芯片封裝工藝中,選取銅線來(lái)代替金線和鋁線是非常有意義的。并且,銅的熱膨脹系數(shù)比鋁低,因而其焊點(diǎn)的熱應(yīng)力也較低,大大提高了器件的可靠性。identity n. 本身；本體；身份 4，性能穩(wěn)定：銅鍵合絲金屬間化合