電子基礎(chǔ)培訓(xùn)介紹

1、 電的產(chǎn)生:物質(zhì)由分子組成，分子由原子組成，原子由原子核及核 外電子組成，原子核則由中子及質(zhì)子組成，質(zhì)子帶正電，核外電 子帶負(fù)電，通常情況下,原子核外的電子被原子核內(nèi)的質(zhì)子吸引在 原子核外層運(yùn)動(dòng),不顯示電性,當(dāng)外界作用下，帶負(fù)電的電子移動(dòng)到 另一物質(zhì)上,電子進(jìn)行定向移動(dòng)，從而形成電流。 電流:電子的定向移動(dòng),就形成了電流.分為交流電流和直流電流. 電壓:兩物質(zhì)上,產(chǎn)生的正負(fù)電性就形成了電壓.分為交流電壓和直流 電壓. 電路:電流所流經(jīng)的路,由四部分組成:電源,導(dǎo)線,開(kāi)關(guān),負(fù)載組成.按 功能電路可分為模擬電路,數(shù)字電路和脈沖電路.狀態(tài)可分為開(kāi)路,短 路,通路. 歐姆定律 1定義：在電路上，有電壓

2、加上時(shí)，即有電流流動(dòng)，在這電路上流 動(dòng)的電流和叫壓成正比，和電路上的阻抗成反比，稱之為歐姆定 律 2 公式：I=U/R 3 電壓、電流、電阻單位 3.1電流（I）單位安培（A） 3.2電壓（V ） 單位伏特（V） 3.3電阻（R）單位歐姆（） 常用名詞解釋 電的產(chǎn)生:物質(zhì)由分子組成，分子由原子組成，原子由原子核及核 外電子組成，原子核則由中子及質(zhì)子組成，質(zhì)子帶正電，核外電 子帶負(fù)電，通常情況下,原子核外的電子被原子核內(nèi)的質(zhì)子吸引在 原子核外層運(yùn)動(dòng),不顯示電性,當(dāng)外界作用下，帶負(fù)電的電子移動(dòng)到 另一物質(zhì)上,電子進(jìn)行定向移動(dòng)，從而形成電流。 電流:電子的定向移動(dòng),就形成了電流.分為交流電流和直流電

3、流. 電壓:兩物質(zhì)上,產(chǎn)生的正負(fù)電性就形成了電壓.分為交流電壓和直 流電壓. 電路:電流所流經(jīng)的路,由四部分組成:電源,導(dǎo)線,開(kāi)關(guān),負(fù)載組成.按 功能電路可分為模擬電路,數(shù)字電路和脈沖電路.狀態(tài)可分為開(kāi)路, 短路,通路. 歐姆定律 1定義：在電路上，有電壓加上時(shí)，即有電流流動(dòng)，在這電路上流 動(dòng)的電流和叫壓成正比，和電路上的阻抗成反比，稱之為歐姆定 律 2 公式：I=U/R 3 電壓、電流、電阻單位 3.1電流（I）單位安培（A） 3.2電壓（V ） 單位伏特（V） 3.3電阻（R）單位歐姆（） 近代科學(xué)進(jìn)一步揭示出原子核內(nèi)部的 質(zhì)子帶正電荷，核外電子帶負(fù)電荷。 原子 原子核 電 子（帶負(fù)電）

4、質(zhì) 子（帶正電） 中 子（不帶電） 7.物體不帶電的原因 通常情況下， 原子核內(nèi)的正電荷 跟核外電子所帶的 負(fù)電荷的總量相等， 整個(gè)原子不顯電性， 是中性的。 本來(lái)是中性的 原子，當(dāng)它失去一 個(gè)或幾個(gè)電子時(shí)， 核外電子總共帶的 負(fù)電荷比原子核的 正電荷少，它就顯 示帶正電。 +4 -1 -1 -1 -1 物體帶正電的原因 +4 -1 物體帶負(fù)電的原因 本來(lái)是中性的 原子，當(dāng)她跟多余 的電子結(jié)合在一起 時(shí)，核外電子總共 帶的負(fù)電荷比原子 核的正電荷多，它 就顯示帶負(fù)電。 -1 -1 -1 -1 -1 第第一一章章 - 電阻電阻 1.什麼是電阻阻 電子在導(dǎo)體中流動(dòng)時(shí),所受到之阻力稱為電阻. 電阻符

5、號(hào)用“R”表示,單位: (歐母), 圖型: 1M =1000K =1000000 =1000000000m 2.電阻分類 A.按功率分類: 1/8W , 1/6W , 1/4W , 1/2W , 1W , 2W , 3W , 4W . 第二章第二章 - 電電 阻阻3 色環(huán)電阻 A. 4色環(huán)電阻 顏色 第一環(huán) 第二環(huán) 第三環(huán) 第四環(huán) 黑 棕 紅 橙 黃 綠 5 藍(lán) 紫 灰 金 銀 電阻值 = 第一環(huán)(十位數(shù))第二環(huán)(個(gè)位數(shù)) *第三環(huán)(10的指數(shù)) 第四環(huán)(此電阻的正負(fù)百分誤差) 11*10=1105% 第二章第二章 - 電電 阻阻4 A. 5色環(huán)電阻 顏色 第一環(huán) 第二環(huán) 第三環(huán) 第四環(huán) 第五

6、環(huán) 黑 棕 紅 橙 黃 綠 5 藍(lán) 紫 灰 金 銀 電阻值 = 第一環(huán)(百位數(shù))第二環(huán)(十位數(shù))第三環(huán)(個(gè)位數(shù)) *第四環(huán)(10的指數(shù)) 第五環(huán)(此電阻的正負(fù)百分誤差) 110*1=1101% 四色環(huán)電阻五色環(huán)電阻的識(shí)別 4、色環(huán)電阻識(shí)別色標(biāo)表 電阻分類 電阻的分類；常見(jiàn)的分類主要是按材料、結(jié) 構(gòu)和用途 A線繞電阻：將發(fā)熱線（發(fā)熱絲、發(fā)熱片） 繞在絕緣基體上。 B薄膜電阻：在絕緣基體上鍍上各種導(dǎo)電 薄膜（最常用） C實(shí)心電阻：整個(gè)材料基體參于阻礙導(dǎo)電 （少用） D敏感電阻：特殊材料和工藝制成，阻值 易隨環(huán)境改變而變化。 另外，電阻還可以分為：普通電阻、精 密電阻；小功率電阻、大功率電阻；立式電

7、 阻、臣式電阻；固定電阻、可變電阻等等； 還有無(wú)感電阻、組合電阻、排式電阻等。 特殊電阻 1.熱敏電阻 熱敏電阻：電阻值隨著環(huán)境溫度的變化而 發(fā)生明顯變化，并且成一定比例對(duì)應(yīng)關(guān)系 A正溫度系數(shù) B負(fù)溫度系數(shù) 2.光敏電阻 光敏電阻：隨著環(huán)境光照的變化而發(fā)生明 顯變化 壓敏電阻 自恢復(fù)保險(xiǎn) 絲 電阻注意事項(xiàng) a.通常2W以下的電阻是用色環(huán)標(biāo)示阻值的,2W以上是直接書寫 出其額定電阻值的. b. 通常功率越大其體積越大,若是小形化電阻就不好從體積上識(shí) 辯,在使用時(shí)一定要注意其標(biāo)示規(guī)格的額定功率. c.通常5色環(huán)電阻是要比4色環(huán)電阻要精密的,其誤差差異要看它 們的最后一色環(huán). d.SMD電阻因體積太

8、小無(wú)法標(biāo)色環(huán),故直接將色環(huán)的對(duì)應(yīng)數(shù)值標(biāo) 示上去,其讀值方式:(指數(shù)標(biāo)示法) 如 5%誤差 1%誤差 =22*10 =220*10 =2200 =2200 =2.2K =2.2K 2222201 （二）電容器 定義：用來(lái)表征電容器儲(chǔ)存電荷的本領(lǐng)的物理量。 1 1種類 按極性可分為有極性電容和無(wú)極性電容。 有極性電容：紙質(zhì)電解電容，鋁電解電容和鉭質(zhì)電解電容 (鉭Tan：一種非常堅(jiān)硬、密度很大的灰色金屬元素，在 攝氏150度以下能抗化學(xué)物質(zhì)的強(qiáng)腐蝕。) 無(wú)極性電容：陶瓷電容(又稱瓷片電容)，嘜拉電容，金屬 化聚乙酯膜電容器，云母電容等,滌綸電容，CBB電容 。 電解電容 陶瓷電容 Mylar電容 4

9、.電容的符號(hào) 單位換算 5.電容單位 1法拉（F）=1000000微法拉（UF） 1微法拉（UF）=1000000微微法拉（PF） 6.電容器的耐壓 電容器上標(biāo)明的耐壓值都有是指直流電壓，用在交流電路中則應(yīng)注意所加的交流 電壓最大值（峰值）不能超越電容器上所標(biāo)明的電壓值。 7.串聯(lián)、并聯(lián)的容值計(jì)算 A并聯(lián)：C=C1+C2+C3 B串聯(lián)：1/C=1/C1+1/C2+1/C3 電容的標(biāo)枳 9.電容的標(biāo)枳 A直標(biāo)法：用數(shù)字和單位直接標(biāo)出，如0.1UF 表示0.1微法拉，有些電容用“R”表示小數(shù)點(diǎn)， 如R56表示0.56微法拉。 B文字符號(hào)法：用數(shù)字和文字符號(hào)有規(guī)律的 組合來(lái)表示容量，如P10表示10

10、PF，6P8表 示 6.8PF. C色標(biāo)法：用色環(huán)或色點(diǎn)來(lái)表示電容器的主 要參數(shù)，電容的色標(biāo)法與電阻的相同。 D電容器的偏差標(biāo)志符號(hào)：+100%-0H、 +100%-10%R、+50%-10%T、 +30%-10%Q +50%-20%S、+80%-20%Z 注意事項(xiàng) 10.注意問(wèn)題 A容量誤差不可過(guò)大，特別是諧振回路的電容。 B可變電容器動(dòng)片組接地。 C不同特性的電容不可隨意替換，例如低頻滌綸電容不能用于 高頻電路。 D有極性的電解電容器不可以接反。 E電容兩端的電壓（包括脈沖電壓）不應(yīng)高于電容器的額定直 流工作電壓。 F絕緣電阻小的電容不能使用。 二極管 三、二極管 1.二極管分類；按照所用

11、的半導(dǎo)體材料，可 分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。 根據(jù)其不同用途，可分為檢波二極管、整流 二極管、穩(wěn)壓二極管、開(kāi)關(guān)二極管、發(fā)光等。 2.正向特性：正向電壓達(dá)到某一數(shù)值（這一 數(shù)值稱為“門檻電壓”，鍺管約為0.2V，硅 管約為0.6V）以后，二極管才能直正導(dǎo)通。 導(dǎo)通后二極管兩端的電壓基本上保持不變 （鍺管約為0.3V，硅管約為0.7V），稱為二 極管的“正向壓降” 二極管特性 3.反向特性：二極管處于反向偏置時(shí)，仍然會(huì)有微弱的反向電流流過(guò)二極管，稱為漏電流。當(dāng)二極管兩端的 反向電壓增大到某一數(shù)值，反向電流會(huì)急劇增大，二極管將失去單方向?qū)щ娞匦裕@種狀態(tài)稱為二極管的 擊穿。 普通二

12、極管 穩(wěn)壓二極管(ZD) 發(fā)光二極管(LED) 肖特基二極管 測(cè)試二極管 4.測(cè)試二極管的好壞：測(cè)試前先把萬(wàn)用表的 轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)撥到二極管檔位，再將紅、黑兩根 表筆分別測(cè)試二極管的兩個(gè)引腳。如果沒(méi)有 顯示數(shù)字就表明測(cè)反了。有數(shù)字顯示（150- 850）表明是良品。 A正向特性測(cè)試：把萬(wàn)用表的黑表筆（表內(nèi) 正極）搭觸二極管的正極，紅表筆（表內(nèi) 負(fù)極）搭觸二極管的負(fù)極。若表針不擺到0值 而是停在標(biāo)度盤的中間，這時(shí)的阻值就是二 極管的正向電阻，一般正向電阻越小越好。 若正向電阻為0值，說(shuō)明管芯短路損壞，若正 向電阻接近無(wú)窮大值，說(shuō)明管芯斷路。短路 和斷路的管子都不能使用。 B反向特性測(cè)試： 把萬(wàn)且表的紅

13、表筆搭觸二 極管的正極，黑表筆搭觸二極管的負(fù)極，若 表針指在無(wú)窮大值或接近無(wú)窮大值，管子就 是合格的。 半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu) 正極引線正極引線 觸絲觸絲 N型鍺型鍺 支架支架 外殼外殼 負(fù)極引線負(fù)極引線 PN結(jié)結(jié) 正極引線正極引線 二氧化硅保護(hù)層二氧化硅保護(hù)層 P型區(qū)型區(qū) 負(fù)極引線負(fù)極引線 面接觸型二極管面接觸型二極管 N型硅型硅 PN結(jié)結(jié) 二極管的符號(hào)二極管的符號(hào) 正極正極 負(fù)極負(fù)極 三極管 四、三極管 1晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。 2硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。 3晶體三極管的電流放大作用 4晶體三極管的三種工作狀

14、態(tài)： 截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)、飽和導(dǎo)通狀態(tài) 三極管分類 三極管 NPN 型 PNP型 B C B C E E 集電區(qū)集電區(qū) 集電結(jié)集電結(jié) 基區(qū)基區(qū) 發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié) 發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū) N N 集電極集電極C 基極基極B 發(fā)射極發(fā)射極E 三極管的結(jié)構(gòu)三極管的結(jié)構(gòu) 分類和符號(hào)分類和符號(hào) P E C B 符號(hào)符號(hào) 第第1章章 1.5 N型硅型硅 二氧化硅保護(hù)膜二氧化硅保護(hù)膜 BE C N+ P型硅型硅 （a） 平面型平面型 N型鍺型鍺 E C B 銦銦球球 銦銦球球 P P+ （b）合金型）合金型 第第1章章 1.5 集電區(qū)集電區(qū) 集電結(jié)集電結(jié) 基區(qū)基區(qū) 發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié) 發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū) C B E N 集電極集電極

15、C 發(fā)射極發(fā)射極E 基極基極B NP P N 第第1章章 1.5 發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射區(qū)向基區(qū) 擴(kuò)散電子擴(kuò)散電子 IE IB 電子在基區(qū)電子在基區(qū) 擴(kuò)散與復(fù)合擴(kuò)散與復(fù)合 集電區(qū)收集電子集電區(qū)收集電子 電子流向電源正極形成電子流向電源正極形成 ICIC N P N 電源負(fù)極向發(fā)射電源負(fù)極向發(fā)射 區(qū)補(bǔ)充電子形成區(qū)補(bǔ)充電子形成 發(fā)射極電流發(fā)射極電流IE 三極管的電流控制原理三極管的電流控制原理 電源正極拉走電電源正極拉走電 子，補(bǔ)充被復(fù)子，補(bǔ)充被復(fù) 合的空穴，形合的空穴，形 成成 I IB B 第第1章章 1.5 VCC RC VBB RB C B E EC RC IC UCE C E B UBE 共發(fā)

16、射極接法放大電路共發(fā)射極接法放大電路 三極管具有電流控三極管具有電流控 制作用的外部條件制作用的外部條件 : （1）發(fā)射結(jié)正向偏置）發(fā)射結(jié)正向偏置 （加正向電壓）；（加正向電壓）； （2）集電結(jié)反向偏置）集電結(jié)反向偏置 （加反向電壓）。（加反向電壓）。 第第1章章 1.5 EB RB IB EC RC IC UCE C E B UBE 共發(fā)射極接法放大電路共發(fā)射極接法放大電路 三極管具有電流控三極管具有電流控 制作用的外部條件制作用的外部條件 : （1）發(fā)射結(jié)正向偏置；）發(fā)射結(jié)正向偏置； （2）集電結(jié)反向偏置。）集電結(jié)反向偏置。 對(duì)于對(duì)于PNP型三極管應(yīng)滿足型三極管應(yīng)滿足: 輸出輸出 回路回路

17、 輸入輸入 回路回路 公公 共共 端端 第第1章章 1.5 EB RB IB IE 即 VC VB 0 UBE 0 半導(dǎo)體三極管 五、MOS場(chǎng)效應(yīng)管 一、MOS場(chǎng)效應(yīng)管 MOS場(chǎng)效應(yīng)管比較“嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又 非常小，極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上 形成相當(dāng)高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。因此出廠時(shí)各管腳都絞合在一起， 或裝在金屬箔內(nèi)，使G極與S極呈等電位，防止積累靜電荷。管子不用時(shí)，全部 引線也應(yīng)短接。在測(cè)量時(shí)應(yīng)格外小心，并采取相應(yīng)的防靜電感應(yīng)措施。 SiO2 結(jié)構(gòu)示意圖結(jié)構(gòu)示意圖 P型硅襯底型硅襯底 源極源極S柵極柵極G

18、漏極漏極D 襯底引線襯底引線B N+N+ D B S G 符號(hào)符號(hào) 1. 結(jié)構(gòu)和符號(hào)結(jié)構(gòu)和符號(hào) 第第1章章 1.6 SiO2 結(jié)構(gòu)示意圖結(jié)構(gòu)示意圖 P型硅襯底型硅襯底 耗盡層耗盡層 襯底引線襯底引線B N+N+ SGD UDS ID = 0 D與與S之間是兩個(gè)之間是兩個(gè) PN結(jié)反向串聯(lián)，結(jié)反向串聯(lián)， 無(wú)論無(wú)論D與與S之間加之間加 什么極性的電壓，什么極性的電壓， 漏極電流均接近漏極電流均接近 于零。于零。 2. 工作原理工作原理 第第1章章 1.6 P型硅襯底型硅襯底 N + + B SGD 。 耗盡層耗盡層 ID = 0 由柵極指向襯底方由柵極指向襯底方 向的電場(chǎng)使空穴向向的電場(chǎng)使空穴向 下

19、移動(dòng)下移動(dòng),電子向上移電子向上移 動(dòng)動(dòng),在在P 型硅襯底的型硅襯底的 上表面形成耗盡層。上表面形成耗盡層。 仍然沒(méi)有漏極電流。仍然沒(méi)有漏極電流。 UGS N+N+ 第第1章章 1.6 UDS P型硅襯底型硅襯底 N + + B SGD 。 UDS 耗盡層耗盡層 ID 柵極下柵極下P型半導(dǎo)型半導(dǎo) 體表面形成體表面形成N型導(dǎo)電型導(dǎo)電 溝道，當(dāng)溝道，當(dāng)D、S加上加上 正向電壓后可產(chǎn)生正向電壓后可產(chǎn)生 漏極電流漏極電流ID 。 N型導(dǎo)電溝道 N+N+ 第第1章章 1.6 UGS 結(jié)構(gòu)示意圖結(jié)構(gòu)示意圖 P型硅襯底型硅襯底 源極源極S漏極漏極D 柵極柵極G 襯底引線襯底引線B 耗盡層耗盡層 1. 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

20、和工作原理結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和工作原理 N+N+ 正離子正離子 N N型溝道型溝道 SiO2 D B S G 符號(hào)符號(hào) 制造時(shí)制造時(shí),在二氧化硅絕緣層中摻入大量的正離子。在二氧化硅絕緣層中摻入大量的正離子。 第第1章章 1.6 N型硅襯底型硅襯底 N + + B S G D 。 耗盡層耗盡層 PMOS管結(jié)構(gòu)示意圖管結(jié)構(gòu)示意圖 P溝道溝道 PMOS管與管與NMOS管管 互為對(duì)偶關(guān)系，使用互為對(duì)偶關(guān)系，使用 時(shí)時(shí)UGS 、UDS的極性的極性 也與也與NMOS管相反。管相反。 P+ P+ 第第1章章 1.6 UGS UDS ID 開(kāi)啟電壓開(kāi)啟電壓UGS(th)為為 負(fù)值，負(fù)值，UGS UGS(th) 時(shí)導(dǎo)通。

21、時(shí)導(dǎo)通。 S G D B 符號(hào) ID /mA UGS / V 0 UGS(th) 轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性 D B S G 符號(hào)符號(hào) ID /mA UGS /V 0 UGS(off) 轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性 夾斷電壓夾斷電壓UGS(off)為為 正值，正值， UGS UGS(off) 時(shí)導(dǎo)通。時(shí)導(dǎo)通。 第第1章章 1.6 在在UDS =0時(shí)，柵源電壓與柵極電流的比值，其值很高。時(shí)，柵源電壓與柵極電流的比值，其值很高。 1. 開(kāi)啟電壓開(kāi)啟電壓UGS(th) 指在一定的指在一定的UDS下，開(kāi)始出現(xiàn)漏極電流所需的柵源電下，開(kāi)始出現(xiàn)漏極電流所需的柵源電 壓。它是增強(qiáng)型壓。它是增強(qiáng)型MOS管的參數(shù)，管的參數(shù)，NMOS

22、為正，為正，PMOS為負(fù)為負(fù)。 2. 夾斷電壓夾斷電壓 UGS(off) 指在一定的指在一定的UDS下，使漏極電流近似等于零時(shí)所需的下，使漏極電流近似等于零時(shí)所需的 柵源電壓。是耗盡型柵源電壓。是耗盡型MOS管的參數(shù)，管的參數(shù)，NMOS管是負(fù)值，管是負(fù)值， PMOS管是正值。管是正值。 3. 直流輸入電阻直流輸入電阻 RGS（ （DC） 4. 低頻跨導(dǎo)低頻跨導(dǎo) gm UDS為常數(shù)時(shí)，漏極電流的微變量與引起這個(gè)變化的為常數(shù)時(shí)，漏極電流的微變量與引起這個(gè)變化的 柵源電壓的微變量之比稱為跨導(dǎo)柵源電壓的微變量之比稱為跨導(dǎo),即即 第第1章章 1.6 （三）電感 1.電感器和電容器一樣，也是一種儲(chǔ)能元件，

23、它能把電能轉(zhuǎn)變?yōu)榇艌?chǎng)能，并 在磁場(chǎng)中儲(chǔ)存能量。電感器用符號(hào)L用字母L表示在電路 中的符號(hào)為L(zhǎng) 2.電感的單位最基本的單位為亨利(H)常 用的有毫亨(mH)微亨(UH) 3.換算公式為1H=103mH=106uH 4.色環(huán)電感數(shù)值的認(rèn)法與電阻類似但后面的 單位為uH。 電感的種類 5.電感的特點(diǎn)：阻交通直。 6.電感的作用 它經(jīng)常和電容器一起工作，構(gòu)成 LC濾波器、LC振蕩器 7.7.電感的主要參數(shù)： （1）電感量 圈數(shù)，直徑，鐵芯，線圈的繞制方式 （2）品質(zhì)因數(shù)（Q值） 品質(zhì)因數(shù)是電感線圈的一個(gè)主要參數(shù)。它反映了 線圈質(zhì)量的高低。通常也稱為Q值。Q值與構(gòu)成線圈 的導(dǎo)線粗細(xì)、繞法、單股線還是多股

24、線有關(guān)。如果 線圈的損耗小，Q值就高。反之，損耗大則Q值就低。 （3）分布電容 由于線圈每?jī)扇Γɑ蛎績(jī)蓪樱?dǎo)線可以看成是電 容器的兩塊金屬片，導(dǎo)線之間的絕緣材料相當(dāng)于絕 緣介質(zhì)，這相當(dāng)于一個(gè)很小的電容，這一電容稱為 線圈的 “分布電容”。由于分布電容的存在，將使線圈的 Q值下降，為此將線圈繞成蜂房式。對(duì)無(wú)線線圈則 采用間繞法，以減小分布電容。 變壓器：是應(yīng)用電磁感應(yīng)原理做成的。 分為電源變壓器，脈沖變壓器，低，中，高頻變壓器。 作用：變壓，阻抗匹配，隔離。 IC 積成電路 人有了知識(shí)，就會(huì)具備各種分析能力， 明辨是非的能力。 所以我們要勤懇讀書，廣泛閱讀， 古人說(shuō)“書中自有黃金屋。 ”通過(guò)閱讀

25、科技書籍，我們能豐富知識(shí)， 培養(yǎng)邏輯思維能力； 通過(guò)閱讀文學(xué)作品，我們能提高文學(xué)鑒賞水平， 培養(yǎng)文學(xué)情趣； 通過(guò)閱讀報(bào)刊，我們能增長(zhǎng)見(jiàn)識(shí)，擴(kuò)大自己的知識(shí)面。 有許多書籍還能培養(yǎng)我們的道德情操， 給我們巨大的精神力量， 鼓舞我們前進(jìn)。 （二）電容器 定義：用來(lái)表征電容器儲(chǔ)存電荷的本領(lǐng)的物理量。 1 1種類 按極性可分為有極性電容和無(wú)極性電容。 有極性電容：紙質(zhì)電解電容，鋁電解電容和鉭質(zhì)電解電容 (鉭Tan：一種非常堅(jiān)硬、密度很大的灰色金屬元素，在 攝氏150度以下能抗化學(xué)物質(zhì)的強(qiáng)腐蝕。) 無(wú)極性電容：陶瓷電容(又稱瓷片電容)，嘜拉電容，金屬 化聚乙酯膜電容器，云母電容等,滌綸電容，CBB電容 。 電解電容 陶瓷電容 Mylar電容 7.串聯(lián)、并聯(lián)的容值計(jì)算 A并聯(lián)：C=C1+C2+C3 B串聯(lián)：1/C=1/C1+1/C2+1/C3 注意事項(xiàng) 10.注意問(wèn)題 A容量誤差不可過(guò)大，特別是諧振回路的電容。 B可變電容器動(dòng)片組接地。 C不同特性的電容不可隨意替換，例如低頻滌綸電容不能用于 高頻電路。 D有極性的電解電容器不可以接反。