電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)

1、電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)（1）電阻導(dǎo)電體對(duì)電流的阻礙作用稱為電阻，用符號(hào)R表示，單位為歐姆、千歐、兆歐，分別用、K、M表示。一、電阻的型號(hào)命名方法：國(guó)產(chǎn)電阻器的型號(hào)由四部分組成（不適用敏感電阻）第一部分：主稱 ，用字母表示，表示產(chǎn)品的名字。如R表示電阻，W表示電位器。第二部分：材料 ，用字母表示，表示電阻體用什么材料組成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有機(jī)實(shí)心、N-無機(jī)實(shí)心、J-金屬膜、Y-氮化膜、C-沉積膜、I-玻璃釉膜、X-線繞。第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個(gè)別類型用字母表示，表示產(chǎn)品屬于什么類型。1-普通、2-普通、3-超高頻 、4-高阻、5-高溫、6-精密、7-精密、8-

2、高壓、9-特殊、G-高功率、T-可調(diào)。第四部分:序號(hào)，用數(shù)字表示，表示同類產(chǎn)品中不同品種，以區(qū)分產(chǎn)品的外型尺寸和性能指標(biāo)等 例如：R T 1 1 型普通碳膜電阻二、電阻器的分類1、線繞電阻器：通用線繞電阻器、精密線繞電阻器、大功率線繞電阻器、高頻線繞電阻器。2、薄膜電阻器：碳膜電阻器、合成碳膜電阻器、金屬膜電阻器、金屬氧化膜電阻器、化學(xué)沉積膜電阻器、玻璃釉膜電阻器、金屬氮化膜電阻器。3、實(shí)心電阻器：無機(jī)合成實(shí)心碳質(zhì)電阻器、有機(jī)合成實(shí)心碳質(zhì)電阻器。4、敏感電阻器：壓敏電阻器、熱敏電阻器、光敏電阻器、力敏電阻器、氣敏電阻器、濕敏電阻器。三、主要特性參數(shù)1、標(biāo)稱阻值：電阻器上面所標(biāo)示的阻值。2、允許

3、誤差：標(biāo)稱阻值與實(shí)際阻值的差值跟標(biāo)稱阻值之比的百分?jǐn)?shù)稱阻值偏差，它表示電阻器的精度。允許誤差與精度等級(jí)對(duì)應(yīng)關(guān)系如下：0.5%-0.05、1%-0.1(或00)、2%-0.2(或0)、5%-級(jí)、10%-級(jí)、20%-級(jí)3、額定功率：在正常的大氣壓力90-106.6KPa及環(huán)境溫度為5570的條件下，電阻器長(zhǎng)期工作所允許耗散的最大功率。線繞電阻器額定功率系列為（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500非線繞電阻器額定功率系列為（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、1004、額定電壓：由

4、阻值和額定功率換算出的電壓。5、最高工作電壓：允許的最大連續(xù)工作電壓。在低氣壓工作時(shí)，最高工作電壓較低。6、溫度系數(shù)：溫度每變化1所引起的電阻值的相對(duì)變化。溫度系數(shù)越小，電阻的穩(wěn)定性越好。阻值隨溫度升高而增大的為正溫度系數(shù)，反之為負(fù)溫度系數(shù)。7、老化系數(shù)：電阻器在額定功率長(zhǎng)期負(fù)荷下，阻值相對(duì)變化的百分?jǐn)?shù)，它是表示電阻器壽命長(zhǎng)短的參數(shù)。8、電壓系數(shù)：在規(guī)定的電壓范圍內(nèi)，電壓每變化1伏，電阻器的相對(duì)變化量。9、噪聲：產(chǎn)生于電阻器中的一種不規(guī)則的電壓起伏，包括熱噪聲和電流噪聲兩部分，熱噪聲是由于導(dǎo)體內(nèi)部不規(guī)則的電子自由運(yùn)動(dòng)，使導(dǎo)體任意兩點(diǎn)的電壓不規(guī)則變化。四、電阻器阻值標(biāo)示方法1、直標(biāo)法：用數(shù)字和單

5、位符號(hào)在電阻器表面標(biāo)出阻值，其允許誤差直接用百分?jǐn)?shù)表示，若電阻上未注偏差，則均為20%。2、文字符號(hào)法：用阿拉伯?dāng)?shù)字和文字符號(hào)兩者有規(guī)律的組合來表示標(biāo)稱阻值，其允許偏差也用文字符號(hào)表示。符號(hào)前面的數(shù)字表示整數(shù)阻值，后面的數(shù)字依次表示第一位小數(shù)阻值和第二位小數(shù)阻值。 表示允許誤差的文字符號(hào) 文字符號(hào) D F G J K M 允許偏差 0.5% 1% 2% 5% 10% 20%3、數(shù)碼法：在電阻器上用三位數(shù)碼表示標(biāo)稱值的標(biāo)志方法。數(shù)碼從左到右，第一、二位為有效值，第三位為指數(shù)，即零的個(gè)數(shù)，單位為歐。偏差通常采用文字符號(hào)表示。4、色標(biāo)法：用不同顏色的帶或點(diǎn)在電阻器表面標(biāo)出標(biāo)稱阻值和允許偏差。國(guó)外電阻

6、大部分采用色標(biāo)法。黑-0、棕-1、紅-2、橙-3、黃-4、綠-5、藍(lán)-6、紫-7、灰-8、白-9、金-5%、銀-10%、無色-20%當(dāng)電阻為四環(huán)時(shí)，最后一環(huán)必為金色或銀色，前兩位為有效數(shù)字， 第三位為乘方數(shù)，第四位為偏差。當(dāng)電阻為五環(huán)時(shí)，最後一環(huán)與前面四環(huán)距離較大。前三位為有效數(shù)字， 第四位為乘方數(shù)， 第五位為偏差。五、常用電阻器1、電位器電位器是一種機(jī)電元件，他靠電刷在電阻體上的滑動(dòng)，取得與電刷位移成一定關(guān)系的輸出電壓。1.1 合成碳膜電位器電阻體是用經(jīng)過研磨的碳黑，石墨，石英等材料涂敷于基體表面而成，該工藝簡(jiǎn)單，是目前應(yīng)用最廣泛的電位器。特點(diǎn)是分辯力高耐磨性好，壽命較長(zhǎng)。缺點(diǎn)是電流噪聲，非

7、線性大， 耐潮性以及阻值穩(wěn)定性差。1.2 有機(jī)實(shí)心電位器有機(jī)實(shí)心電位器是一種新型電位器，它是用加熱塑壓的方法，將有機(jī)電阻粉壓在絕緣體的凹槽內(nèi)。有機(jī)實(shí)心電位器與碳膜電位器相比具有耐熱性好、功率大、可靠性高、耐磨性好的優(yōu)點(diǎn)。但溫度系數(shù)大、動(dòng)噪聲大、耐潮性能差、制造工藝復(fù)雜、阻值精度較差。在小型化、高可靠、高耐磨性的電子設(shè)備以及交、直流電路中用作調(diào)節(jié)電壓、電流。1.3 金屬玻璃鈾電位器用絲網(wǎng)印刷法按照一定圖形，將金屬玻璃鈾電阻漿料涂覆在陶瓷基體上，經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成。特點(diǎn)是：阻值范圍寬，耐熱性好，過載能力強(qiáng)，耐潮，耐磨等都很好，是很有前途的電位器品種，缺點(diǎn)是接觸電阻和電流噪聲大。1.4 繞線電位器繞線電

8、位器是將康銅絲或鎳鉻合金絲作為電阻體，并把它繞在絕緣骨架上制成。繞線電位器特點(diǎn)是接觸電阻小，精度高，溫度系數(shù)小，其缺點(diǎn)是分辨力差，阻值偏低，高頻特性差。主要用作分壓器、變阻器、儀器中調(diào)零和工作點(diǎn)等。1.5 金屬膜電位器金屬膜電位器的電阻體可由合金膜、金屬氧化膜、金屬箔等分別組成。特點(diǎn)是分辯力高、耐高溫、溫度系數(shù)小、動(dòng)噪聲小、平滑性好。1.6 導(dǎo)電塑料電位器用特殊工藝將DAP（鄰苯二甲酸二稀丙脂）電阻漿料覆在絕緣機(jī)體上，加熱聚合成電阻膜，或?qū)AP電阻粉熱塑壓在絕緣基體的凹槽內(nèi)形成的實(shí)心體作為電阻體。特點(diǎn)是：平滑性好、分辯力優(yōu)異耐磨性好、壽命長(zhǎng)、動(dòng)噪聲小、可靠性極高、耐化學(xué)腐蝕。用于宇宙裝置、導(dǎo)

9、彈、飛機(jī)雷達(dá)天線的伺服系統(tǒng)等。1.7 帶開關(guān)的電位器有旋轉(zhuǎn)式開關(guān)電位器、推拉式開關(guān)電位器、推推開關(guān)式電位器1.8 預(yù)調(diào)式電位器預(yù)調(diào)式電位器在電路中，一旦調(diào)試好，用蠟封住調(diào)節(jié)位置，在一般情況下不再調(diào)節(jié)。1.9 直滑式電位器采用直滑方式改變電阻值。1.10 雙連電位器有異軸雙連電位器和同軸雙連電位器1.11 無觸點(diǎn)電位器無觸點(diǎn)電位器消除了機(jī)械接觸，壽命長(zhǎng)、可靠性高，分光電式電位器、磁敏式電位器等。2、實(shí)芯碳質(zhì)電阻器用碳質(zhì)顆粒壯導(dǎo)電物質(zhì)、填料和粘合劑混合制成一個(gè)實(shí)體的電阻器。特點(diǎn)：價(jià)格低廉，但其阻值誤差、噪聲電壓都大，穩(wěn)定性差，目前較少用。3、繞線電阻器用高阻合金線繞在絕緣骨架上制成，外面涂有耐熱的

10、釉絕緣層或絕緣漆。繞線電阻具有較低的溫度系數(shù)，阻值精度高， 穩(wěn)定性好，耐熱耐腐蝕，主要做精密大功率電阻使用，缺點(diǎn)是高頻性能差，時(shí)間常數(shù)大。4、薄膜電阻器用蒸發(fā)的方法將一定電阻率材料蒸鍍于絕緣材料表面制成。主要如下：4.1 碳膜電阻器將結(jié)晶碳沉積在陶瓷棒骨架上制成。碳膜電阻器成本低、性能穩(wěn)定、阻值范圍寬、溫度系數(shù)和電壓系數(shù)低，是目前應(yīng)用最廣泛的電阻器。4.2 金屬膜電阻器。用真空蒸發(fā)的方法將合金材料蒸鍍于陶瓷棒骨架表面。金屬膜電阻比碳膜電阻的精度高，穩(wěn)定性好，噪聲， 溫度系數(shù)小。在儀器儀表及通訊設(shè)備中大量采用。4.3 金屬氧化膜電阻器在絕緣棒上沉積一層金屬氧化物。由于其本身即是氧化物，所以高溫下

11、穩(wěn)定，耐熱沖擊，負(fù)載能力強(qiáng)。4.4 合成膜電阻將導(dǎo)電合成物懸浮液涂敷在基體上而得，因此也叫漆膜電阻。由于其導(dǎo)電層呈現(xiàn)顆粒狀結(jié)構(gòu)，所以其噪聲大，精度低，主要用他制造高壓， 高阻， 小型電阻器。5、金屬玻璃鈾電阻器將金屬粉和玻璃鈾粉混合，采用絲網(wǎng)印刷法印在基板上。 耐潮濕， 高溫， 溫度系數(shù)小，主要應(yīng)用于厚膜電路。6、貼片電阻SMT片狀電阻是金屬玻璃鈾電阻的一種形式，他的電阻體是高可靠的釕系列玻璃鈾材料經(jīng)過高溫?zé)Y(jié)而成，電極采用銀鈀合金漿料。體積小，精度高，穩(wěn)定性好，由于其為片狀元件，所以高頻性能好。7、敏感電阻敏感電阻是指器件特性對(duì)溫度，電壓，濕度，光照，氣體， 磁場(chǎng)，壓力等作用敏感的電阻器。

12、敏感電阻的符號(hào)是在普通電阻的符號(hào)中加一斜線，并在旁標(biāo)注敏感電阻的類型，如：t. v等。7.1、壓敏電阻主要有碳化硅和氧化鋅壓敏電阻，氧化鋅具有更多的優(yōu)良特性。7.2、濕敏電阻由感濕層，電極，絕緣體組成，濕敏電阻主要包括氯化鋰濕敏電阻，碳濕敏電阻，氧化物濕敏電阻。氯化鋰濕敏電阻隨濕度上升而電阻減小，缺點(diǎn)為測(cè)試范圍小，特性重復(fù)性不好，受溫度影響大。碳濕敏電阻缺點(diǎn)為低溫靈敏度低，阻值受溫度影響大，由老化特性，較少使用。氧化物濕敏電阻性能較優(yōu)越，可長(zhǎng)期使用，溫度影響小，阻值與濕度變化呈線性關(guān)系。有氧化錫，鎳鐵酸鹽，等材料。7.3、光敏電阻光敏電阻是電導(dǎo)率隨著光量力的變化而變化的電子元件，當(dāng)某種物質(zhì)受到

13、光照時(shí)，載流子的濃度增加從而增加了電導(dǎo)率，這就是光電導(dǎo)效應(yīng)。7.4、氣敏電阻利用某些半導(dǎo)體吸收某種氣體后發(fā)生氧化還原反應(yīng)制成，主要成分是金屬氧化物，主要品種有：金屬氧化物氣敏電阻、復(fù)合氧化物氣敏電阻、陶瓷氣敏電阻等。7.5、力敏電阻力敏電阻是一種阻值隨壓力變化而變化的電阻，國(guó)外稱為壓電電阻器。所謂壓力電阻效應(yīng)即半導(dǎo)體材料的電阻率隨機(jī)械應(yīng)力的變化而變化的效應(yīng)?？芍瞥筛鞣N力矩計(jì)，半導(dǎo)體話筒，壓力傳感器等。主要品種有硅力敏電阻器，硒碲合金力敏電阻器，相對(duì)而言，合金電阻器具有更高靈敏度。7.6、熱敏電阻熱敏電阻是敏感元件的一類,其電阻值會(huì)隨著熱敏電阻本體溫度的變化呈現(xiàn)出階躍性的變化,具有半導(dǎo)體特性.熱

14、敏電阻按照溫度系數(shù)的不同分為: 正溫度系數(shù)熱敏電阻(簡(jiǎn)稱PTC熱敏電阻) 負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻(簡(jiǎn)稱NTC熱敏電阻)正溫度熱敏電阻(PTCThermistor)PTC是Positive Temperature Coefficient 的縮寫,意思是正的溫度系數(shù),泛指正溫度系數(shù)很大的半導(dǎo)體材料或元器件.通常我們提到的PTC是指正溫度系數(shù)熱敏電阻,簡(jiǎn)稱PTC熱敏電阻.PTC熱敏電阻是一種典型具有溫度敏感性的半導(dǎo)體電阻,超過一定的溫度(居里溫度)時(shí), 它的電阻值隨著溫度的升高呈階躍性的增高.PTC熱敏電阻根據(jù)其材質(zhì)的不同分為: 陶瓷PTC熱敏電阻 有機(jī)高分子PTC熱敏電阻目前大量被使用的PTC熱敏電阻

15、種類:恒溫加熱用PTC熱敏電阻過流保護(hù)用PTC熱敏電阻空氣加熱用PTC熱敏電阻延時(shí)啟動(dòng)用PTC熱敏電阻傳 感 器用PTC熱敏電阻自動(dòng)消磁用PTC熱敏電阻一般情況下,有機(jī)高分子PTC熱敏電阻適合過流保護(hù)用途,陶瓷PTC熱敏電阻可適用于以上所列各種用途.負(fù)溫度熱敏電阻(NTCThermistor)NTC是Negative Temperature Coefficient 的縮寫,意思是負(fù)的溫度系數(shù),泛指負(fù)溫度系數(shù)很大的半導(dǎo)體材料或元器件.通常我們提到的NTC是指負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻,簡(jiǎn)稱NTC熱敏電阻.NTC熱敏電阻是一種典型具有溫度敏感性的半導(dǎo)體電阻,它的電阻值隨著溫度的升高呈階躍性的減小.NTC熱

16、敏電阻是以錳、鈷、鎳和銅等金屬氧化物為主要材料，采用陶瓷工藝制造而成的.這些金屬氧化物材料都具有半導(dǎo)體性質(zhì)，因?yàn)樵趯?dǎo)電方式上完全類似鍺、硅等半導(dǎo)體材料.溫度低時(shí)，這些氧化物材料的載流子（電子和孔穴）數(shù)目少，所以其電阻值較高；隨著溫度的升高，載流子數(shù)目增加，所以電阻值降低.NTC熱敏電阻根據(jù)其用途的不同分為:功率型NTC熱敏電阻補(bǔ)償型NTC熱敏電阻測(cè)溫型NTC熱敏電阻電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)（2）電容電容是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于隔直，耦合， 旁路，濾波，調(diào)諧回路， 能量轉(zhuǎn)換，控制電路等方面。用C表示電容，電容單位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=106uF=10

17、12pF一、電容器的型號(hào)命名方法國(guó)產(chǎn)電容器的型號(hào)一般由四部分組成（不適用于壓敏、可變、真空電容器）。依次分別代表名稱、材料、分類和序號(hào)。第一部分：名稱，用字母表示，電容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個(gè)別用字母表示。第四部分：序號(hào)，用數(shù)字表示。用字母表示產(chǎn)品的材料：A-鉭電解、B-聚苯乙烯等非極性薄膜、C-高頻陶瓷、D-鋁電解、E-其它材料電解、G-合金電解、H-復(fù)合介質(zhì)、I-玻璃釉、J-金屬化紙、L-滌綸等極性有機(jī)薄膜、N-鈮電解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低頻陶瓷、V-云母紙、Y-云母、Z-紙介二、電容器的分類按照結(jié)構(gòu)分三大類：固定電容器、可變電容器和微

18、調(diào)電容器。按電解質(zhì)分類有：有機(jī)介質(zhì)電容器、無機(jī)介質(zhì)電容器、電解電容器和空氣介質(zhì)電容器等。按用途分有：高頻旁路、低頻旁路、濾波、調(diào)諧、高頻耦合、低頻耦合、小型電容器。高頻旁路：陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、滌綸電容器、玻璃釉電容器。低頻旁路：紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器。濾 波：鋁電解電容器、紙介電容器、復(fù)合紙介電容器、液體鉭電容器。調(diào) 諧：陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、聚苯乙烯電容器。高頻耦合：陶瓷電容器、云母電容器、聚苯乙烯電容器。低頻耦合：紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器、固體鉭電容器。小型電容：金屬化紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器

19、、聚苯乙烯電容器、固體鉭電容器、玻璃釉電容器、金屬化滌綸電容器、聚丙烯電容器、云母電容器。三、常用電容器1、鋁電解電容器用浸有糊狀電解質(zhì)的吸水紙夾在兩條鋁箔中間卷繞而成，薄的化氧化膜作介質(zhì)的電容器.因?yàn)檠趸び袉蜗驅(qū)щ娦再|(zhì),所以電解電容器具有極性.容量大，能耐受大的脈動(dòng)電流容量誤差大，泄漏電流大；普通的不適于在高頻和低溫下應(yīng)用,不宜使用在25kHz以上頻率低頻旁路、信號(hào)耦合、電源濾波2、鉭電解電容器用燒結(jié)的鉭塊作正極,電解質(zhì)使用固體二氧化錳溫度特性、頻率特性和可*性均優(yōu)于普通電解電容器，特別是漏電流極小，貯存性良好，壽命長(zhǎng)，容量誤差小，而且體積小，單位體積下能得到最大的電容電壓乘積對(duì)脈動(dòng)電流的

20、耐受能力差，若損壞易呈短路狀態(tài)超小型高可*機(jī)件中3、薄膜電容器結(jié)構(gòu)與紙質(zhì)電容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質(zhì)頻率特性好，介電損耗小不能做成大的容量，耐熱能力差濾波器、積分、振蕩、定時(shí)電路4、瓷介電容器穿心式或支柱式結(jié)構(gòu)瓷介電容器，它的一個(gè)電極就是安裝螺絲。引線電感極小，頻率特性好，介電損耗小，有溫度補(bǔ)償作用不能做成大的容量，受振動(dòng)會(huì)引起容量變化特別適于高頻旁路5、獨(dú)石電容器(多層陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料，疊合后一次繞結(jié)成一塊不可分割的整體，外面再用樹脂包封而成小體積、大容量、高可*和耐高溫的新型電容器，高介電常數(shù)的低頻獨(dú)石電容器也具有穩(wěn)定的性能，體積極小，Q

21、值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路6、紙質(zhì)電容器一般是用兩條鋁箔作為電極，中間以厚度為0.0080.012mm的電容器紙隔開重疊卷繞而成。制造工藝簡(jiǎn)單，價(jià)格便宜，能得到較大的電容量一般在低頻電路內(nèi)，通常不能在高于34MHz的頻率上運(yùn)用。油浸電容器的耐壓比普通紙質(zhì)電容器高，穩(wěn)定性也好，適用于高壓電路7、微調(diào)電容器電容量可在某一小范圍內(nèi)調(diào)整，并可在調(diào)整后固定于某個(gè)電容值。瓷介微調(diào)電容器的Q值高，體積也小，通?？煞譃閳A管式及圓片式兩種。8、云母和聚苯乙烯介質(zhì)的通常都采用彈簧式東，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，但穩(wěn)定性較差。線繞瓷介微調(diào)電容器是拆銅絲外電極來變動(dòng)電容量的，故容量只能變小，不適合在需反復(fù)調(diào)試的

22、場(chǎng)合使用9、陶瓷電容器用高介電常數(shù)的電容器陶瓷鈦酸鋇一氧化鈦擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍?cè)谔沾缮献鳛殡姌O制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合包括高頻在內(nèi)。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用于高頻電路云母電容器就結(jié)構(gòu)而言，可分為箔片式及被銀式。被銀式電極為直接在云母片上用真空蒸發(fā)法或燒滲法鍍上銀層而成，由于消除了空氣間隙，溫度系數(shù)大為下降，電容穩(wěn)定性也比箔片式高。頻

23、率特性好，Q值高，溫度系數(shù)小不能做成大的容量廣泛應(yīng)用在高頻電器中，并可用作標(biāo)準(zhǔn)電容器10、玻璃釉電容器由一種濃度適于噴涂的特殊混合物噴涂成薄膜而成，介質(zhì)再以銀層電極經(jīng)燒結(jié)而成獨(dú)石結(jié)構(gòu)性能可與云母電容器媲美，能耐受各種氣候環(huán)境，一般可在200或更高溫度下工作，額定工作電壓可達(dá)500V，損耗tg0.00050.008四、電容器主要特性參數(shù)：1、標(biāo)稱電容量和允許偏差標(biāo)稱電容量是標(biāo)志在電容器上的電容量。電容器實(shí)際電容量與標(biāo)稱電容量的偏差稱誤差，在允許的偏差范圍稱精度。精度等級(jí)與允許誤差對(duì)應(yīng)關(guān)系：00（01）-1%、0（02）-2%、-5%、-10%、-20%、 -（+20%-10%）、-（+50%-2

24、0%）、-（+50%-30%）一般電容器常用、級(jí)，電解電容器用、級(jí)，根據(jù)用途選取。2、額定電壓在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓有效值，一般直接標(biāo)注在電容器外殼上，如果工作電壓超過電容器的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復(fù)的永久損壞。3、絕緣電阻直流電壓加在電容上，并產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻.當(dāng)電容較小時(shí)，主要取決于電容的表面狀態(tài)，容量0.1uf時(shí)，主要取決于介質(zhì)的性能，絕緣電阻越小越好。電容的時(shí)間常數(shù)：為恰當(dāng)?shù)脑u(píng)價(jià)大容量電容的絕緣情況而引入了時(shí)間常數(shù)，他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。4、損耗電容在電場(chǎng)作用下，在單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都

25、規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值，電容的損耗主要由介質(zhì)損耗，電導(dǎo)損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。在直流電場(chǎng)的作用下，電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在，一般較小，在交變電場(chǎng)的作用下，電容的損耗不僅與漏導(dǎo)有關(guān)，而且與周期性的極化建立過程有關(guān)。5、頻率特性隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。五、電容器容量標(biāo)示1、直標(biāo)法用數(shù)字和單位符號(hào)直接標(biāo)出。如01uF表示0.01微法，有些電容用“R”表示小數(shù)點(diǎn)，如R56表示0.56微法。2、文字符號(hào)法用數(shù)字和文字符號(hào)有規(guī)律的組合來表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF, 2u2表示2.2uF.3、色標(biāo)法用色

26、環(huán)或色點(diǎn)表示電容器的主要參數(shù)。電容器的色標(biāo)法與電阻相同。電容器偏差標(biāo)志符號(hào)：+100%-0-H、+100%-10%-R、+50%-10%-T、+30%-10%-Q、+50%-20%-S、+80%-20%-Z。電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)（3）電感線圈電感線圈是由導(dǎo)線一圈*一圈地繞在絕緣管上，導(dǎo)線彼此互相絕緣，而絕緣管可以是空心的，也可以包含鐵芯或磁粉芯，簡(jiǎn)稱電感。用L表示，單位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH)，1H=103mH=106uH。一、電感的分類按 電感形式 分類：固定電感、可變電感。按導(dǎo)磁體性質(zhì)分類：空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、銅芯線圈。按 工作性質(zhì) 分類：天線線圈、振蕩線圈

27、、扼流線圈、陷波線圈、偏轉(zhuǎn)線圈。按 繞線結(jié)構(gòu) 分類：?jiǎn)螌泳€圈、多層線圈、蜂房式線圈。二、電感線圈的主要特性參數(shù)1、電感量L電感量L表示線圈本身固有特性，與電流大小無關(guān)。除專門的電感線圈（色碼電感）外，電感量一般不專門標(biāo)注在線圈上，而以特定的名稱標(biāo)注。2、感抗XL電感線圈對(duì)交流電流阻礙作用的大小稱感抗XL，單位是歐姆。它與電感量L和交流電頻率f的關(guān)系為XL=2fL3、品質(zhì)因素Q品質(zhì)因素Q是表示線圈質(zhì)量的一個(gè)物理量，Q為感抗XL與其等效的電阻的比值，即：Q=XL/R線圈的Q值愈高，回路的損耗愈小。線圈的Q值與導(dǎo)線的直流電阻，骨架的介質(zhì)損耗，屏蔽罩或鐵芯引起的損耗，高頻趨膚效應(yīng)的影響等因素有關(guān)。線圈

28、的Q值通常為幾十到幾百。4、分布電容線圈的匝與匝間、線圈與屏蔽罩間、線圈與底版間存在的電容被稱為分布電容。分布電容的存在使線圈的Q值減小，穩(wěn)定性變差，因而線圈的分布電容越小越好。三、常用線圈1、單層線圈單層線圈是用絕緣導(dǎo)線一圈挨一圈地繞在紙筒或膠木骨架上。如晶體管收音機(jī)中波天線線圈。2、蜂房式線圈如果所繞制的線圈，其平面不與旋轉(zhuǎn)面平行，而是相交成一定的角度，這種線圈稱為蜂房式線圈。而其旋轉(zhuǎn)一周，導(dǎo)線來回彎折的次數(shù)，常稱為折點(diǎn)數(shù)。蜂房式繞法的優(yōu)點(diǎn)是體積小，分布電容小，而且電感量大。蜂房式線圈都是利用蜂房繞線機(jī)來繞制，折點(diǎn)越多，分布電容越小3、鐵氧體磁芯和鐵粉芯線圈線圈的電感量大小與有無磁芯有關(guān)。

29、在空芯線圈中插入鐵氧體磁芯，可增加電感量和提高線圈的品質(zhì)因素。4、銅芯線圈銅芯線圈在超短波范圍應(yīng)用較多，利用旋動(dòng)銅芯在線圈中的位置來改變電感量，這種調(diào)整比較方便、耐用。5、色碼電感器色碼電感器是具有固定電感量的電感器，其電感量標(biāo)志方法同電阻一樣以色環(huán)來標(biāo)記。6、阻流圈（扼流圈）限制交流電通過的線圈稱阻流圈，分高頻阻流圈和低頻阻流圈。7、偏轉(zhuǎn)線圈偏轉(zhuǎn)線圈是電視機(jī)掃描電路輸出級(jí)的負(fù)載，偏轉(zhuǎn)線圈要求：偏轉(zhuǎn)靈敏度高、磁場(chǎng)均勻、Q值高、體積小、價(jià)格低。變壓器變壓器是變換交流電壓、電流和阻抗的器件，當(dāng)初級(jí)線圈中通有交流電流時(shí)，鐵芯（或磁芯）中便產(chǎn)生交流磁通，使次級(jí)線圈中感應(yīng)出電壓（或電流）。變壓器由鐵芯（

30、或磁芯）和線圈組成，線圈有兩個(gè)或兩個(gè)以上的繞組，其中接電源的繞組叫初級(jí)線圈，其余的繞組叫次級(jí)線圈。一、分類按冷卻方式分類：干式（自冷）變壓器、油浸（自冷）變壓器、氟化物（蒸發(fā)冷卻）變壓器。按防潮方式分類：開放式變壓器、灌封式變壓器、密封式變壓器。按鐵芯或線圈結(jié)構(gòu)分類：芯式變壓器（插片鐵芯、C型鐵芯、鐵氧體鐵芯）、殼式變壓器（插片鐵芯、C型鐵芯、鐵氧體鐵芯）、環(huán)型變壓器、金屬箔變壓器。按電源相數(shù)分類：?jiǎn)蜗嘧儔浩?、三相變壓器、多相變壓器。按用途分類：電源變壓器、調(diào)壓變壓器、音頻變壓器、中頻變壓器、高頻變壓器、脈沖變壓器。二、電源變壓器的特性參數(shù)1 工作頻率變壓器鐵芯損耗與頻率關(guān)系很大，故應(yīng)根據(jù)使用

31、頻率來設(shè)計(jì)和使用，這種頻率稱工作頻率。2 額定功率在規(guī)定的頻率和電壓下，變壓器能長(zhǎng)期工作，而不超過規(guī)定溫升的輸出功率。3 額定電壓指在變壓器的線圈上所允許施加的電壓，工作時(shí)不得大于規(guī)定值。4 電壓比指變壓器初級(jí)電壓和次級(jí)電壓的比值，有空載電壓比和負(fù)載電壓比的區(qū)別。5 空載電流變壓器次級(jí)開路時(shí)，初級(jí)仍有一定的電流，這部分電流稱為空載電流。空載電流由磁化電流（產(chǎn)生磁通）和鐵損電流（由鐵芯損耗引起）組成。對(duì)于50Hz電源變壓器而言，空載電流基本上等于磁化電流。6 空載損耗：指變壓器次級(jí)開路時(shí)，在初級(jí)測(cè)得功率損耗。主要損耗是鐵芯損耗，其次是空載電流在初級(jí)線圈銅阻上產(chǎn)生的損耗（銅損），這部分損耗很小。7

32、 效率指次級(jí)功率P2與初級(jí)功率P1比值的百分比。通常變壓器的額定功率愈大，效率就愈高。8 絕緣電阻表示變壓器各線圈之間、各線圈與鐵芯之間的絕緣性能。絕緣電阻的高低與所使用的絕緣材料的性能、溫度高低和潮濕程度有關(guān)。三、音頻變壓器和高頻變壓器特性參數(shù)1 頻率響應(yīng)指變壓器次級(jí)輸出電壓隨工作頻率變化的特性。2 通頻帶如果變壓器在中間頻率的輸出電壓為U0，當(dāng)輸出電壓（輸入電壓保持不變）下降到0.707U0時(shí)的頻率范圍，稱為變壓器的通頻帶B。3 初、次級(jí)阻抗比變壓器初、次級(jí)接入適當(dāng)?shù)淖杩筊o和Ri,使變壓器初、次級(jí)阻抗匹配，則Ro和Ri的比值稱為初、次級(jí)阻抗比。在阻抗匹配的情況下，變壓器工作在最佳狀態(tài)，傳

33、輸效率最高。電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)（4）半導(dǎo)體器件一、 中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下：第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z

34、-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管(F3MHz,Pc3MHz,Pc1W）、D-低頻大功率管（f1W）、A-高頻大功率管（f3MHz,Pc1W）、T-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場(chǎng)效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用數(shù)字表示序號(hào)第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號(hào)例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法二、日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個(gè)部分，其各部分的符號(hào)意義如下：第一部分：用

35、數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件、3-具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件、依此類推。第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)標(biāo)志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場(chǎng)效應(yīng)管、K-N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管、M-雙向可控硅。第四部分：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào)。兩位

36、以上的整數(shù)-從“11”開始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào)；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號(hào)；數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。第五部分： 用字母表示同一型號(hào)的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號(hào)產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法三、美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下：第一部分：用符號(hào)表示器件用途的類型。JAN-軍級(jí)、JANTX-特軍級(jí)、JANTXV-超特軍級(jí)、JANS-宇航級(jí)、（無）-非軍用品。第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個(gè)pn結(jié)器件、n-n個(gè)pn結(jié)器件。第三部分

37、：美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)（EIA）注冊(cè)標(biāo)志。N-該器件已在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)（EIA）注冊(cè)登記。第四部分：美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào)。多位數(shù)字-該器件在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記的順序號(hào)。第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、-同一型號(hào)器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關(guān)三極管，JAN-軍級(jí)、2-三極管、N-EIA 注冊(cè)標(biāo)志、3251-EIA登記順序號(hào)、A-2N3251A檔。四、 國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法德國(guó)、法國(guó)、意大利、荷蘭、比利時(shí)等歐洲國(guó)家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國(guó)家，大都采用國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法。這種命名方法由四

38、個(gè)基本部分組成，各部分的符號(hào)及意義如下：第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.61.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.01.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關(guān)混頻二極管、B-變?nèi)荻O管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復(fù)合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q

39、-發(fā)光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開關(guān)管、T-大功率晶閘管、U-大功率開關(guān)管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩(wěn)壓二極管。第三部分：用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號(hào)。三位數(shù)字-代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號(hào)、一個(gè)字母加二位數(shù)字-表示專用半導(dǎo)體器件的登記序號(hào)。第四部分：用字母對(duì)同一類型號(hào)器件進(jìn)行分檔。A、B、C、D、E-表示同一型號(hào)的器件按某一參數(shù)進(jìn)行分檔的標(biāo)志。除四個(gè)基本部分外，有時(shí)還加后綴，以區(qū)別特性或進(jìn)一步分類。常見后綴如下：1、穩(wěn)壓二極管型號(hào)的后綴。其后綴的第一部分是一個(gè)字母，表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為1%、2%、5%、10%、15%；其后

40、綴第二部分是數(shù)字，表示標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值；后綴的第三部分是字母V，代表小數(shù)點(diǎn)，字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。2、整流二極管后綴是數(shù)字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。3、晶閘管型號(hào)的后綴也是數(shù)字，通常標(biāo)出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個(gè)電壓值。如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。五、歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法歐洲有些國(guó)家，如德國(guó)、荷蘭采用如下命名方法。第一部分：O-表示半導(dǎo)體器件第二部分：A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩(wěn)壓管、RP-光電器件。第三部分

41、：多位數(shù)字-表示器件的登記序號(hào)。第四部分：A、B、C-表示同一型號(hào)器件的變型產(chǎn)品。俄羅斯半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法由于使用少，在此不介紹。一、半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號(hào)及其意義CT-勢(shì)壘電容Cj-結(jié)（極間）電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容Cjv-偏壓結(jié)電容Co-零偏壓電容Cjo-零偏壓結(jié)電容Cjo/Cjn-結(jié)電容變化Cs-管殼電容或封裝電容Ct-總電容CTV-電壓溫度系數(shù)。在測(cè)試電流下，穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化與環(huán)境溫度的絕對(duì)變化之比CTC-電容溫度系數(shù)Cvn-標(biāo)稱電容IF-正向直流電流（正向測(cè)試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件

42、下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測(cè)穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時(shí)給定的電流IF（AV）-正向平均電流IFM（IM）-正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。IH-恒定電流、維持電流。Ii- 發(fā)光二極管起輝電流IFRM-正向重復(fù)峰值電流IFSM-正向不重復(fù)峰值電流（浪涌電流）Io-整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流IF(ov)-正向過載電流IL-光電流或穩(wěn)流二極管極限電流ID-暗電流IB2-單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流IEM-發(fā)射極峰值電流IEB1

43、0-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流IEB20-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流ICM-最大輸出平均電流IFMP-正向脈沖電流IP-峰點(diǎn)電流IV-谷點(diǎn)電流IGT-晶閘管控制極觸發(fā)電流IGD-晶閘管控制極不觸發(fā)電流IGFM-控制極正向峰值電流IR（AV）-反向平均電流IR（In）-反向直流電流（反向漏電流）。在測(cè)反向特性時(shí)，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中，加反向電壓規(guī)定值時(shí)，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時(shí)所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。IRM-反向峰值電流IRR-晶閘管反向重復(fù)平均電流I

44、DR-晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流IRRM-反向重復(fù)峰值電流IRSM-反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流）Irp-反向恢復(fù)電流Iz-穩(wěn)定電壓電流（反向測(cè)試電流）。測(cè)試反向電參數(shù)時(shí)，給定的反向電流Izk-穩(wěn)壓管膝點(diǎn)電流IOM-最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時(shí)電流；在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流IZSM-穩(wěn)壓二極管浪涌電流IZM-最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流iF-正向總瞬時(shí)電流iR-反向總瞬時(shí)電流ir-反向恢復(fù)電流Iop-工作電流Is-穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流f-頻率n-電容變化指數(shù)；電容比Q-優(yōu)值（品質(zhì)因素）vz-穩(wěn)壓管

45、電壓漂移di/dt-通態(tài)電流臨界上升率dv/dt-通態(tài)電壓臨界上升率PB-承受脈沖燒毀功率PFT（AV）-正向?qū)ㄆ骄纳⒐β蔖FTM-正向峰值耗散功率PFT-正向?qū)偹矔r(shí)耗散功率Pd-耗散功率PG-門極平均功率PGM-門極峰值功率PC-控制極平均功率或集電極耗散功率Pi-輸入功率PK-最大開關(guān)功率PM-額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率PMP-最大漏過脈沖功率PMS-最大承受脈沖功率Po-輸出功率PR-反向浪涌功率Ptot-總耗散功率Pomax-最大輸出功率Psc-連續(xù)輸出功率PSM-不重復(fù)浪涌功率PZM-最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率RF

46、（r）-正向微分電阻。在正向?qū)〞r(shí)，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量V，正向電流相應(yīng)增加I，則V/I稱微分電阻RBB-雙基極晶體管的基極間電阻RE-射頻電阻RL-負(fù)載電阻Rs(rs)-串聯(lián)電阻Rth-熱阻R(th)ja-結(jié)到環(huán)境的熱阻Rz(ru)-動(dòng)態(tài)電阻R(th)jc-結(jié)到殼的熱阻r -衰減電阻r(th)-瞬態(tài)電阻Ta-環(huán)境溫度Tc-殼溫td-延遲時(shí)間tf-下降時(shí)間tfr-正向恢復(fù)時(shí)間tg-電路換向關(guān)斷時(shí)間tgt-門極控制極開通時(shí)間Tj-結(jié)溫Tjm-最高結(jié)溫ton-開通時(shí)間toff-關(guān)斷時(shí)間tr-上升時(shí)間trr-反向恢復(fù)時(shí)間ts-存儲(chǔ)時(shí)間tstg-

47、溫度補(bǔ)償二極管的貯成溫度a-溫度系數(shù)p-發(fā)光峰值波長(zhǎng) -光譜半寬度-單結(jié)晶體管分壓比或效率VB-反向峰值擊穿電壓Vc-整流輸入電壓VB2B1-基極間電壓VBE10-發(fā)射極與第一基極反向電壓VEB-飽和壓降VFM-最大正向壓降（正向峰值電壓）VF-正向壓降（正向直流電壓）VF-正向壓降差VDRM-斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VGT-門極觸發(fā)電壓VGD-門極不觸發(fā)電壓VGFM-門極正向峰值電壓VGRM-門極反向峰值電壓VF（AV）-正向平均電壓Vo-交流輸入電壓VOM-最大輸出平均電壓Vop-工作電壓Vn-中心電壓Vp-峰點(diǎn)電壓VR-反向工作電壓（反向直流電壓）VRM-反向峰值電壓（最高測(cè)試電壓）V（BR）-

48、擊穿電壓Vth-閥電壓（門限電壓）VRRM-反向重復(fù)峰值電壓（反向浪涌電壓）VRWM-反向工作峰值電壓V v-谷點(diǎn)電壓Vz-穩(wěn)定電壓Vz-穩(wěn)壓范圍電壓增量Vs-通向電壓（信號(hào)電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓av-電壓溫度系數(shù)Vk-膝點(diǎn)電壓（穩(wěn)流二極管）VL -極限電壓二、雙極型晶體管參數(shù)符號(hào)及其意義Cc-集電極電容Ccb-集電極與基極間電容Cce-發(fā)射極接地輸出電容Ci-輸入電容Cib-共基極輸入電容Cie-共發(fā)射極輸入電容Cies-共發(fā)射極短路輸入電容Cieo-共發(fā)射極開路輸入電容Cn-中和電容（外電路參數(shù)）Co-輸出電容Cob-共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容Coe-共發(fā)射極

49、輸出電容Coeo-共發(fā)射極開路輸出電容Cre-共發(fā)射極反饋電容Cic-集電結(jié)勢(shì)壘電容CL-負(fù)載電容（外電路參數(shù)）Cp-并聯(lián)電容（外電路參數(shù)）BVcbo-發(fā)射極開路，集電極與基極間擊穿電壓BVceo-基極開路，CE結(jié)擊穿電壓BVebo- 集電極開路EB結(jié)擊穿電壓BVces-基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓BV cer-基極與發(fā)射極串接一電阻，CE結(jié)擊穿電壓D-占空比fT-特征頻率fmax-最高振蕩頻率。當(dāng)三極管功率增益等于1時(shí)的工作頻率hFE-共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)hIE-共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗hOE-共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導(dǎo)h RE-共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù)hie-共發(fā)射極小信號(hào)短路輸入阻抗hre-

50、共發(fā)射極小信號(hào)開路電壓反饋系數(shù)hfe-共發(fā)射極小信號(hào)短路電壓放大系數(shù)hoe-共發(fā)射極小信號(hào)開路輸出導(dǎo)納IB-基極直流電流或交流電流的平均值Ic-集電極直流電流或交流電流的平均值IE-發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值Icbo-基極接地，發(fā)射極對(duì)地開路，在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流Iceo-發(fā)射極接地，基極對(duì)地開路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流Iebo-基極接地，集電極對(duì)地開路，在規(guī)定的反向電壓VEB條件下，發(fā)射極與基極之間的反向截止電流Icer-基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R，集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī)定值時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的

51、反向截止電流Ices-發(fā)射極接地，基極對(duì)地短路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流Icex-發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間加指定偏壓，在規(guī)定的反向偏壓VCE下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流ICM-集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。IBM-在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi)，能連續(xù)地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值ICMP-集電極最大允許脈沖電流ISB-二次擊穿電流IAGC-正向自動(dòng)控制電流Pc-集電極耗散功率PCM-集電極最大允許耗散功率Pi-輸入功率Po-輸出功率Posc-振蕩功率Pn-噪聲功率Ptot-總耗散功率ESB-二次擊穿能量rbb-基

52、區(qū)擴(kuò)展電阻（基區(qū)本征電阻）rbbCc-基極-集電極時(shí)間常數(shù)，即基極擴(kuò)展電阻與集電結(jié)電容量的乘積rie-發(fā)射極接地，交流輸出短路時(shí)的輸入電阻roe-發(fā)射極接地，在規(guī)定VCE、Ic或IE、頻率條件下測(cè)定的交流輸入短路時(shí)的輸出電阻RE-外接發(fā)射極電阻（外電路參數(shù)）RB-外接基極電阻（外電路參數(shù)）Rc -外接集電極電阻（外電路參數(shù)）RBE-外接基極-發(fā)射極間電阻（外電路參數(shù)）RL-負(fù)載電阻（外電路參數(shù)）RG-信號(hào)源內(nèi)阻Rth-熱阻Ta-環(huán)境溫度Tc-管殼溫度Ts-結(jié)溫Tjm-最大允許結(jié)溫Tstg-貯存溫度td-延遲時(shí)間tr-上升時(shí)間ts-存貯時(shí)間tf-下降時(shí)間ton-開通時(shí)間toff-關(guān)斷時(shí)間VCB-集電極-基極（直流）電壓VCE-集電極-發(fā)射極（直流）電壓VBE-基極發(fā)射極（直流）電壓VCBO-基極接地，發(fā)射極對(duì)地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓VEBO-基極接地，集電極對(duì)地開路，發(fā)射極與基極之間在指定條件下的