鈣鈦礦太陽(yáng)能電池 -1_第1頁(yè)
鈣鈦礦太陽(yáng)能電池 -1_第2頁(yè)
鈣鈦礦太陽(yáng)能電池 -1_第3頁(yè)
鈣鈦礦太陽(yáng)能電池 -1_第4頁(yè)
鈣鈦礦太陽(yáng)能電池 -1_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè),還剩24頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池應(yīng)用研究鈣鈦礦太陽(yáng)能電池應(yīng)用研究材料科學(xué)導(dǎo)論材料科學(xué)導(dǎo)論 Application of Perovskite Solar Cells 全華鋒,全華鋒,路順茂,王晨宇,薛偉,唐川路順茂,王晨宇,薛偉,唐川 低維材料及其應(yīng)用教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,湘潭大學(xué),湖南,低維材料及其應(yīng)用教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,湘潭大學(xué),湖南,411105 匯報(bào)內(nèi)容匯報(bào)內(nèi)容 器件結(jié)構(gòu)及原理器件結(jié)構(gòu)及原理2 吸光材料的成膜技術(shù)及制備吸光材料的成膜技術(shù)及制備3 Click to add Title4問(wèn)題及前景展望問(wèn)題及前景展望4 1背景介紹及發(fā)展史背景介紹及發(fā)展史 研究背景研究背景 1 隨著重工業(yè)的日益發(fā)達(dá),煤炭石油等 不

2、可再生資源頻頻告急,能源問(wèn)題日益成 為國(guó)際社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸,加之對(duì)不可 再生資源的不當(dāng)使用,環(huán)境問(wèn)題愈發(fā)嚴(yán)重 ,人類(lèi)生存受到極大威脅。 太陽(yáng)能等環(huán)??稍偕Y源日益受到人 類(lèi)關(guān)注,因此,太陽(yáng)能電池也走進(jìn)人們的 生活。 太陽(yáng)能電池是通過(guò)光電效應(yīng)或者光化 學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。又 稱(chēng)為“太陽(yáng)能芯片”或“光電池”,是一 種利用太陽(yáng)光直接發(fā)電的光電半導(dǎo)體薄片 。它只要被光照到,瞬間就可輸出電壓及 在有回路的情況下產(chǎn)生電流。在物理學(xué)上 稱(chēng)為太陽(yáng)能光伏簡(jiǎn)稱(chēng)光伏。 1鄧林龍, 謝素原, 黃榮彬,等. 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池材料和器件的研究進(jìn)展J. 廈門(mén)大學(xué)學(xué)報(bào):自然科學(xué)版, 2015, 54(05).

3、 2梁棟, 賈瑞龍, 簡(jiǎn)選,等. 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的研究進(jìn)展J. 現(xiàn)代化工, 2015. 研究背景研究背景 2 發(fā)展歷史發(fā)展歷史 傳統(tǒng)的非晶硅太陽(yáng)能電池,經(jīng) 過(guò)多年的發(fā)展,其光電轉(zhuǎn)換效率提 升緩慢相比之下,近年來(lái)出現(xiàn)的 新型太陽(yáng)能電池如有機(jī)太陽(yáng)能電池 (OPV)、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池、染 料敏化太陽(yáng)能電池(DSSC)和量子 點(diǎn)太陽(yáng)能電池(quantum dot solar cells),發(fā)展較快,光電轉(zhuǎn)換效率 提升明顯。 時(shí)間時(shí)間團(tuán)隊(duì)團(tuán)隊(duì)制備工藝制備工藝能量轉(zhuǎn)換率能量轉(zhuǎn)換率(%) 2009Miyasaka(宮坂) 以鈣鈦礦型有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化材料代替有機(jī) 染料分子作為吸光材料 3.8 2012N.G.

4、Park引入空穴傳輸層9.7 2013M.Grtzel兩步溶液法15.0 2013Yang氣相輔助溶液法19.3 2014KRICT20.1 圖1 各類(lèi)太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換率折線圖1 圖2 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池發(fā)展歷程表2 1鄧林龍, 謝素原, 黃榮彬,等. 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池材料和器件的研究進(jìn)展J. 廈門(mén)大學(xué)學(xué)報(bào):自然科學(xué)版, 2015, 54(05). 3 在高于某特定頻率的電磁波照射下,某些物 質(zhì)內(nèi)部的電子會(huì)被光子激發(fā)出來(lái)而形成電流, 即光生電。光電現(xiàn)象由德國(guó)物理學(xué)家赫茲于 1887年發(fā)現(xiàn),而正確的解釋為愛(ài)因斯坦所提 出。 光電理論光電理論 k =hWo 如果入射光子的能量hv大于逸出功Wo(指

5、從 原子鍵結(jié)中移出一個(gè)電子所需的最小能量) ,那么有些光電子在脫離金屬表面后還有剩 余的能量Ek(表示動(dòng)能最大的光電子所具有 的動(dòng)能),也就是說(shuō)有些光電子具有一定的 動(dòng)能。因?yàn)椴煌碾娮用撾x某種金屬所需的 功不一樣,所以它們就吸收了光子的能量并 從這種金屬逸出之后剩余的動(dòng)能也不一樣。 愛(ài)因斯坦光電效應(yīng)方程 4 匯報(bào)內(nèi)容匯報(bào)內(nèi)容 器件結(jié)構(gòu)及原理器件結(jié)構(gòu)及原理2 吸光材料的成膜技術(shù)制備吸光材料的成膜技術(shù)制備3 Click to add Title4問(wèn)題及前景展望問(wèn)題及前景展望4 1 背景介紹及發(fā)展史背景介紹及發(fā)展史 器件結(jié)構(gòu)及原理器件結(jié)構(gòu)及原理 鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)(ABX3) 圖2 鈣鈦

6、礦晶體結(jié)構(gòu)示意圖 圖3 CH3NH3PbI晶體結(jié)構(gòu)示意圖 A:CH3NH3、CH3CH2NH3+、NH2CH=NH2+等等 B: Pb+、Nb+、Ti4+、Fe3+等等 X: Cl、Br、I、O2等等 在ABX3晶體中,BX6構(gòu)成正八 面體,BX6之間通過(guò)共用頂點(diǎn)X連 接,構(gòu)成三維骨架,A嵌入八面體 間隙中使晶體結(jié)構(gòu)得以穩(wěn)定。因此, 該光活性吸收材料呈現(xiàn)出一定的鐵 電性、非線性光學(xué)性和電光性等。 CH3NH3PbI低溫態(tài)為正交相,高 于162K時(shí),為四方相;高于330K時(shí), 為立方相。高溫立方相晶體結(jié)構(gòu)具 有最大的電子傳導(dǎo)特性。 5 器件結(jié)構(gòu)及原理器件結(jié)構(gòu)及原理 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池器件結(jié)構(gòu)及制備

7、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池器件結(jié)構(gòu)及制備 圖4 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)示意圖及SEM照片 由摻雜氟SnO2 (fluorine-tin-oxide, FTO)導(dǎo)電玻璃、電子傳輸層(ETM)、鈣鈦礦 吸收層(如CH3NH3PbI3、CH3NH3PbI2Cl、CH3NH3PbBr3等)、空穴傳輸層(HTM) 和金屬對(duì)電極組成。 電子傳輸層(ETM)多為ZnO、TiO2等,空穴傳輸層(HTM)多為Spiro-OMeTad、 FTAA、H3MT、PEDOT:PASS等固態(tài)介質(zhì)材料。 6 器件結(jié)構(gòu)及原理器件結(jié)構(gòu)及原理 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池器件結(jié)構(gòu)及制備鈣鈦礦太陽(yáng)能電池器件結(jié)構(gòu)及制備 旋涂多孔 ETM薄膜 圖5 鈣鈦礦太

8、陽(yáng)能電池界面,介孔結(jié)構(gòu)(左);平面異質(zhì)結(jié)構(gòu)(右) 電子傳輸層(ETM)多為ZnO、TiO2等,500550退火處理,厚度約為300nm。 空穴傳輸層(HTM)多為Spiro-OMeTad、FTAA、P3HT、PEDOT:PASS等,和下 方的ETM/鈣鈦礦層是相互浸潤(rùn)的,其厚度小于500nm。 7 器件結(jié)構(gòu)及原理器件結(jié)構(gòu)及原理 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池光伏機(jī)制及原理鈣鈦礦太陽(yáng)能電池光伏機(jī)制及原理 圖5 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池原理示意圖 /P-I-N“三明治”結(jié) 圖6 不同鈣鈦礦吸收材料的能隙結(jié)構(gòu) 當(dāng)鈣鈦礦吸收層吸收太陽(yáng)光受激后, 產(chǎn)生電子空穴對(duì),激子在吸收層運(yùn)動(dòng)至 ETM/鈣鈦礦吸收層/HTM界面后發(fā)生分

9、離,電子注入ETM層(陽(yáng)極),空穴注 入到HTM(陰極),最后經(jīng)外部電路循 環(huán)在金屬對(duì)電極復(fù)合形成回路電流。 CH3NH3PbI3具有較小的能帶間隙,較寬 的光伏響應(yīng)范圍(400nm800nm)。 光吸收系數(shù)高,載流子輸運(yùn)特性好, 激子壽命長(zhǎng)且束縛能低,有利于光伏器 件獲得更大的短路電流密度和光電轉(zhuǎn)換 效率。 8 器件結(jié)構(gòu)及原理器件結(jié)構(gòu)及原理 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池光伏機(jī)制及原理鈣鈦礦太陽(yáng)能電池光伏機(jī)制及原理 最高軌道匹配 圖7 電子傳輸材料(左)、吸光材料(中)、空穴傳輸材料(右)能級(jí)譜 9 器件結(jié)構(gòu)及原理器件結(jié)構(gòu)及原理 1 The emergence of perovskite solar ce

10、lls, Nature Photonics, 2014, 8, 506514. 2 Perovskite Solar Cells: From Materials to Devices, Small, doi:10.1002/small201402767. 3鄧林龍, 謝素原, 黃榮彬,等. 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池材料和器件的研究進(jìn)展J. 廈門(mén)大學(xué) 學(xué)報(bào):自然科學(xué)版, 2015, 54(05). 4張瑋皓,彭曉晨,馮曉東. 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的研究進(jìn)展J. 電子元件與材料,2014,08: 7-11. 5趙雨, 李惠, 關(guān)雷雷,等. 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池技術(shù)發(fā)展歷史與現(xiàn)狀J. 材料導(dǎo)報(bào), 2015, 第11

11、期(11):17-21. 6 CONINGS B, BAETEN L, DE DOBBELAERE C, et al. Perovskite based hybrid solar cells exceeding 10% efficiency with high reproducibility using a thin film sandwich approach. Advanced Materials, 2014, 26(13): 20412046. 7魏靜, 趙清, 李恒,等. 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池:光伏領(lǐng)域的新希望J. 中國(guó)科學(xué):技術(shù)科學(xué), 2014, 08期(08):801-821. Ref

12、erence 10 匯報(bào)內(nèi)容匯報(bào)內(nèi)容 器件結(jié)構(gòu)及原理器件結(jié)構(gòu)及原理2 吸光材料的成膜技術(shù)及制備吸光材料的成膜技術(shù)及制備3 Click to add Title4問(wèn)題及前景展望問(wèn)題及前景展望4 1 背景介紹及發(fā)展史背景介紹及發(fā)展史 材料的成膜技術(shù)及制備材料的成膜技術(shù)及制備 鈣鈦礦吸光材料的制備鈣鈦礦吸光材料的制備 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化效率不僅與空穴傳輸材料的種類(lèi)和器件結(jié) 構(gòu)設(shè)計(jì)有關(guān),還與光活性吸光材料的類(lèi)型和成膜技術(shù)模切相關(guān)。 表1 不同光活性吸光材料的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化效率 CH3NH3PbI3,其能帶間隙子1.5eV, 能充分吸收400800nm的可見(jiàn)光。CH3NH3PbI3吸

13、 光材料有很好的電子傳輸能力 , 并具有較少的表面態(tài)和中間帶缺陷, 有利于光伏器件 獲得較大的開(kāi)路電壓,能夠?qū)崿F(xiàn)高效率光電轉(zhuǎn)化。 11 材料的成膜技術(shù)及制備材料的成膜技術(shù)及制備 鈣鈦礦吸光材料的制備鈣鈦礦吸光材料的制備 以FTO/TiO2/ CH3NH3PbI3/Spiro-OMeTad/Ag結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦 太陽(yáng)能電池為例 吸光材料的成膜技術(shù)有溶液法(一步法、兩步法)、雙源氣 相共蒸發(fā)法(Vapor Deposition)、氣相輔助溶液法(Vapor- assisted Solution Process)。 圖8 4種常用的鈣鈦礦吸光材料的成膜及制備技術(shù) 12 材料的成膜技術(shù)及制備材料的成膜技術(shù)

14、及制備 鈣鈦礦吸光材料的制備鈣鈦礦吸光材料的制備 一步法操作簡(jiǎn)單,但是很難獲得均勻、覆蓋率高的薄膜,制備的薄膜形貌 變化大,對(duì)性能的可控性差,穩(wěn)定性不好。 與一步法相比,兩步法能夠更好的控制薄膜的表面形貌。 但是溶液旋涂 的方法容易出現(xiàn)針孔,表面不能完全覆蓋。 導(dǎo)致電子傳輸層和空穴傳輸 層直接接觸發(fā)生分流,降低電池的填充因子以及開(kāi)路電壓,故效率降低。 采用共蒸發(fā)法制備的鈣鈦礦材料雜質(zhì)缺陷少,結(jié)構(gòu)緊密,表面更均勻,薄 膜覆蓋率高,避免電子傳輸層與空穴傳輸層直接接觸。 然而該方法需要 高真空,這不僅對(duì)設(shè)備的要求高,且對(duì)能量的消耗非常多。 VASP法制得的吸收層具有完全的表面覆蓋率,且具有很好的均一

15、性。并改 進(jìn)了共蒸發(fā)法中蒸發(fā)速度過(guò)快的現(xiàn)象。較低的表面粗糙度以及微米級(jí)的晶 粒尺寸。使載流子在輸運(yùn)時(shí)具有低的表面復(fù)合率、從而使電池呈現(xiàn)出較高 的開(kāi)路電壓。 整個(gè)過(guò)程對(duì)真空度無(wú)特殊要求,相比共蒸發(fā)法經(jīng)濟(jì)環(huán)保。 13 材料的成膜技術(shù)及制備材料的成膜技術(shù)及制備 禁帶寬度調(diào)控工程禁帶寬度調(diào)控工程 兩個(gè)主要局兩個(gè)主要局 限性問(wèn)題限性問(wèn)題 受本身禁 帶寬度Eg 的影響, 鈣鈦礦吸 光材料的 光響應(yīng)范 圍較窄 鈣鈦礦太 陽(yáng)能電池 的重要組 成部分含 有Pb,具 有一定的 毒性 A、B、X原子 替位摻雜 禁帶寬度調(diào)控工程禁帶寬度調(diào)控工程 帶 隙 可 調(diào) 14 材料的成膜技術(shù)及制備材料的成膜技術(shù)及制備 禁帶寬度

16、調(diào)空工程禁帶寬度調(diào)空工程 根據(jù)其能帶結(jié)構(gòu)的特點(diǎn), 采用將不同尺寸、極性和對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)的有機(jī)陽(yáng)離子進(jìn)行A位替 位的方法可引起晶格參數(shù)及Eg變化, 而金屬陽(yáng)離子B位和鹵族元素 X位也可采用同 族元素替位或者混合的方式對(duì)導(dǎo)帶、價(jià)帶帶邊和禁帶寬度進(jìn)行調(diào)控。 A位原子替換: 改變A離子的大小可以在小范 圍內(nèi)調(diào)節(jié)鈣鈦礦的能帶結(jié)構(gòu),更大的A離子可引起整 個(gè)晶格膨脹而導(dǎo)致帶隙減小。 當(dāng)A為NH4+,CH3NH3 Methylammonium(MA+)或NH2CHNH2 formanidinium(FA+)時(shí) ,有效離子半徑NH4+MA+ MA PbI3(1.52eV) FA PbI3(1.1.48eV)。 Lan

17、g等人也研究了同一系列的 鈣鈦礦材料, 他們的結(jié)果顯示隨 A位有機(jī)分子尺寸的增加, 禁帶 寬度Eg也隨之增加 。 15 材料的成膜技術(shù)及制備材料的成膜技術(shù)及制備 禁帶寬度調(diào)空工程禁帶寬度調(diào)空工程 B位原子替換: 圖9 B位原子替位MASnxPb1-xI的能帶寬度(UPES)和能帶結(jié)構(gòu) Ogacomi等人和Hao等人成功制備Pb和Sn混合固溶體MASnxPb1-xI3,實(shí)現(xiàn)了能隙 Eg在1.131.67eV可調(diào),其中 MASn0.5Pb0.5I3吸收帶邊達(dá)到1060 nm, 相比 MAPbI3其帶邊紅移了 260 nm, 具有最廣的吸收光譜和最高的短路光電流密度。 16 材料的成膜技術(shù)及制備材料

18、的成膜技術(shù)及制備 禁帶寬度調(diào)空工程禁帶寬度調(diào)空工程 X位原子替換: 圖10 MAPb(IxCl1-x)3的禁帶寬度Eg隨x的變化圖 Liu等人成功采用蒸發(fā)沉積技術(shù)制備I 、Cl鹵族元素混合固溶體MAPbI3-xClx 鈣鈦礦平面異質(zhì)結(jié)光伏器件,其PCE 可達(dá)到 15%,開(kāi)路電壓1.07 V。較 MAPbI3而言,MAPbI2Cl的禁帶寬度 低約0.5eV,且混合鹵族元素化合物 在空氣中的穩(wěn)定性更好,對(duì)可見(jiàn)光到 近紅外區(qū)的光捕獲能力更佳。 利用飛秒瞬態(tài)光譜技術(shù)發(fā)現(xiàn)光生載流子在MAPbI3擴(kuò)散長(zhǎng)度約為100 nm, 但在添加 一定比例的 PbCl2在混合溶液后, MAPbI3xClx光生載流子的擴(kuò)

19、散長(zhǎng)度顯著增加 , 可 達(dá)1 m。 17 材料的成膜技術(shù)及制備材料的成膜技術(shù)及制備 空穴傳輸層的優(yōu)化處理空穴傳輸層的優(yōu)化處理 針對(duì)目前HTM常用的介質(zhì)材料Spiro-OMeTad,因?yàn)槠浜铣删€路復(fù)雜、價(jià)格昂貴產(chǎn)能 不足的問(wèn)題,尋求新的替代材料,包括有機(jī)HTM材料FTAA、P3HT、PEDOT:PASS ,無(wú)機(jī)HTM材料CuI、CuSCN、NiO等。 目前常用的ETM材料為T(mén)iO2,為了提高電子的傳輸效率,采用釔摻雜技術(shù);為了獲 得柔性襯底的傳導(dǎo)穩(wěn)定性,使用ZnO代替TiO2;對(duì)于金屬Al電極,需要采用富勒烯 衍生物材料(C60,C70,PCBM)替代。 研究表明, CH3NH3PbI3 和 C

20、H3NH3PbI3-xClx 同時(shí)具有電子和空穴傳輸能力, CH3NH3PbI3 中電子和空穴的擴(kuò)散長(zhǎng)度分別為130和100nm,而 CH3NH3PbI3-xClx中電 子和空穴的擴(kuò)散長(zhǎng)度分別達(dá)到 1069 和 1213 nm,更加有利于電荷的有效傳輸。 孟慶波團(tuán)隊(duì)首次采用原子層沉積(ALD)技術(shù)在鈣鈦礦材料 CH3NH3PbI3 與金電極之 間引入了Al2O3 超薄層, 形成了金屬 絕緣半導(dǎo)體(M-I-S)結(jié)構(gòu), 有效抑制了鈣鈦礦半 導(dǎo)體與金屬電極之間的肖特基接觸, 改善了電池的性能, 制備的無(wú)空穴傳輸層電池器 件的最高光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到 10.49%,很好地解釋了無(wú)空穴傳輸材料鈣鈦礦電池結(jié)

21、構(gòu)的工作原理。 18 材料的成膜技術(shù)及制備材料的成膜技術(shù)及制備 1 The emergence of perovskite solar cells, Nature Photonics, 2014, 8, 506514. 2 Long-Range Balanced Electron-and Hole-Transport Lengths in Organic-Inorganic CH3NH3PbI3,Science,2013,342,344-347. 3鄧林龍, 謝素原, 黃榮彬,等. 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池材料和器件的研究進(jìn)展J. 廈門(mén)大學(xué) 學(xué)報(bào):自然科學(xué)版, 2015, 54(05). 4張瑋皓,彭

22、曉晨,馮曉東. 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的研究進(jìn)展J. 電子元件與材料,2014,08: 7-11. 5趙雨, 李惠, 關(guān)雷雷,等. 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池技術(shù)發(fā)展歷史與現(xiàn)狀J. 材料導(dǎo)報(bào), 2015, 第11期(11):17-21. 6 SHI JIANG-JIAN, DONG WAN, XU YU-ZHUAN, et al. Enhanced Performance in perovskite organic lead iodide heterojunction solar cells with metal-insulator-semiconductor back contact. Chinese Ph

23、ysics Letters, 2013, 30(12): 128402115. 7張曉婷. 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的研究進(jìn)展J. 科技風(fēng), 2015, 第16期(16):46-47. 8邵景珍, 董偉偉, 鄧贊紅,等. 基于有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料的全固態(tài)太陽(yáng)能電池研究 進(jìn)展J. 功能材料, 2014, 24期(24):24008-24013. Reference 19 匯報(bào)內(nèi)容匯報(bào)內(nèi)容 器件結(jié)構(gòu)及原理器件結(jié)構(gòu)及原理2 材料制備及成膜技術(shù)材料制備及成膜技術(shù)3 Click to add Title4問(wèn)題及前景展望問(wèn)題及前景展望4 1 背景介紹及發(fā)展史背景介紹及發(fā)展史 問(wèn)題及前景展望問(wèn)題及前景展望 PS

24、C工程的存在的問(wèn)題工程的存在的問(wèn)題 1、制備技術(shù): 光響應(yīng)范圍不夠?qū)?,太?yáng)能資源無(wú) 法得到高效利用。 由于材料種類(lèi)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的限制, 光電轉(zhuǎn)化效率不高。 現(xiàn)在的鈣鈦礦太陽(yáng)能吸光材料普遍 使用了重金屬Pb,對(duì)環(huán)境和生物具 有較大的破壞威脅。 圖11 (a)太陽(yáng)能光譜分布與電池吸收光譜范圍對(duì)比; (b)多結(jié)疊層電池對(duì)電池光電轉(zhuǎn)換效率的提升作用 制備技術(shù) 1魏靜, 趙清, 李恒,等. 鈣鈦礦太陽(yáng)能 電池:光伏領(lǐng)域的新希望J. 中國(guó)科學(xué) :技術(shù)科學(xué), 2014, 08期(08):801-821. 2關(guān)麗,李明軍,李旭,韋志仁,滕楓. 有 機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的研 究進(jìn)展J. 科學(xué)通報(bào),2015,07:581-592. 20 問(wèn)題及前景展望問(wèn)題及前景展望 PSC工程的存在的問(wèn)題工程的存在的問(wèn)題 規(guī)?;瘧?yīng)用 2、規(guī)模化應(yīng)用: 有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦型太陽(yáng)能電池都 局限于小面積制備(約0.3 cm2), 面積放大 會(huì)導(dǎo)致器件的轉(zhuǎn)換效率急劇下降。 由于敏感材料的應(yīng)用和封裝技術(shù)的限制 ,使PSC太陽(yáng)能電池在濕熱環(huán)境中的性質(zhì)不 穩(wěn)定,從而造成

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論