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文檔簡介

1、電力電子技術(shù)最新 (18-1) 電力電子技術(shù)最新 (18-2) 電力電子技術(shù)最新 (18-3) 電力電子技術(shù)最新 (18-4) G S D B E C G E C 電力電子技術(shù)最新 (18-5) 電力電子技術(shù)最新 (18-6) P1 P2 N1 N2 電力電子技術(shù)最新 (18-7) P1 P2 N1 N2 K G A P P N N N P A G K K A T2 T1 _ P2 N1 N2 IG IA P1 N1 P2 IK G 電力電子技術(shù)最新 (18-8) 在極短時(shí)間內(nèi)使兩個(gè)在極短時(shí)間內(nèi)使兩個(gè) 三極管均飽和導(dǎo)通,此三極管均飽和導(dǎo)通,此 過程稱觸發(fā)導(dǎo)通。過程稱觸發(fā)導(dǎo)通。 G2B ii 1

2、BG2 2 C iii 2C1 1 C ii 2BG21 ii EA + _ R T1 T2 EG _ + G21 i G2i G i 2B i 電力電子技術(shù)最新 (18-9) EA + _ R T1 T2 EG 2B i G2i G i G21 i _ + G2B ii 1BG2 2 C iii 2C1 1 C ii 2BG21 ii G 電力電子技術(shù)最新 (18-10) 必須使可控硅陽極電流減小,直到必須使可控硅陽極電流減小,直到正反饋正反饋效效 應(yīng)不能維持。應(yīng)不能維持。 將陽極電源斷開或者在晶閘管的將陽極電源斷開或者在晶閘管的 電力電子技術(shù)最新 (18-11) URRM UDRM IG2

3、 IG1 IG0 UBR IF UBO IH O U I IG0IG1IG2 正向平均電流正向平均電流 曲線曲線)(UfI 電力電子技術(shù)最新 (18-12) UDRM 晶閘管晶閘管控制極開路且正向阻斷情況下控制極開路且正向阻斷情況下, ,可以重復(fù)可以重復(fù) 加在加在晶閘管晶閘管兩端的正向峰值電壓。兩端的正向峰值電壓。 一般一般UDRM 比正向轉(zhuǎn)折電壓比正向轉(zhuǎn)折電壓UBO低低100V 。 URRM 晶閘管晶閘管控制極開路時(shí)控制極開路時(shí), ,可以重復(fù)加在可以重復(fù)加在晶閘管晶閘管兩端兩端 的反向峰值電壓。的反向峰值電壓。 一般一般URRM 比反向轉(zhuǎn)折電壓比反向轉(zhuǎn)折電壓| |UBO|低低100V 。 環(huán)

4、境溫度為環(huán)境溫度為40C及及標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下,標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下,晶閘管處晶閘管處 于于全導(dǎo)通時(shí)全導(dǎo)通時(shí)可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流的平可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流的平 均值。均值。 電力電子技術(shù)最新 (18-13) )(sin 2 1 m 0 F I ttdII m IF t 2 i 如果正弦半波電流的最大值為如果正弦半波電流的最大值為Im, 則則 普通晶閘管普通晶閘管IF為為1A 1000A。 電力電子技術(shù)最新 (18-14) 額定電壓額定電壓, ,用百位或千位數(shù)表用百位或千位數(shù)表 示示 取取UFRM或或URRM較小者較小者 額定正向平均電流額定正向平均電流( (IF) 晶閘管晶閘管 K P

5、 普通型普通型 如如KP5-7表示表示額定正向平均電流為額定正向平均電流為5A,額定電壓為額定電壓為700V。 電力電子技術(shù)最新 (18-15) (a) 結(jié)構(gòu)圖結(jié)構(gòu)圖 (b) G A1 P N P N A2 N NN (b ) 符號符號 T A2 G A1 電力電子技術(shù)最新 (18-16) 電力電子技術(shù)最新 (18-17) (1) 。uuu T ,0 O 。0, TO uuu + + T 電力電子技術(shù)最新 (18-18) t g u O t1 2 。uuu T , 0 O : 1 t 。0 T , O uuu t u O 晶晶閘閘管管不不導(dǎo)導(dǎo)通通。,00 g1 ut t 。uuu T ,0 O

6、 電力電子技術(shù)最新 (18-19) t g u O t O u O 控制角控制角 t1 t u O t2 2 t T u O 導(dǎo)通角導(dǎo)通角 電力電子技術(shù)最新 (18-20) d 2 1 O tuU )d(sin2 2 1 ttU 2 cos1 45. 0 LL O O R U R U I 2 cos1 45. 0 U 電力電子技術(shù)最新 (18-21) aRLD2T1b + + T1T2 RL uO D1 D2 + 電力電子技術(shù)最新 (18-22) bRLD1T2a + + T1T2 RL uO D1 D2 + 電力電子技術(shù)最新 (18-23) t g u O t O u t u O t T u

7、 O 2 電力電子技術(shù)最新 (18-24) d 1 O tuU )d(sin2 1 ttUU 2 cos1 9 . 0 L O R U R U I 2 cos1 9 . 0 U 電力電子技術(shù)最新 (18-25) 兩種常用可控整流電路兩種常用可控整流電路 電路電路 特點(diǎn)特點(diǎn) 該電路只用一只晶閘管,且其上無反該電路只用一只晶閘管,且其上無反 向電壓。向電壓。 2. 晶閘管和負(fù)載上的電流相同。晶閘管和負(fù)載上的電流相同。 (1) u T D2 D4 uO RL + - + - 電力電子技術(shù)最新 (18-26) 電路電路 特點(diǎn)特點(diǎn) 1. 電路接入電感性負(fù)載時(shí),二極管電路接入電感性負(fù)載時(shí),二極管D1、D2

8、起起 續(xù)流作用。續(xù)流作用。 2. 由于由于T1的陽極和的陽極和T2的陰極相連,兩管控制的陰極相連,兩管控制 極必須加獨(dú)立的觸發(fā)信號。極必須加獨(dú)立的觸發(fā)信號。 (2) T1 T2 D1 D2 uuO R L + - + - 電力電子技術(shù)最新 (18-27) N P PN結(jié)結(jié) N型硅片型硅片 電力電子技術(shù)最新 (18-28) 2B1B 1B BB1B RR R UU BBBB 2B 1B UU R R 分壓比分壓比( (0.5 0.9) ) UBB + _ + _ RP + _ + _ RE RB1 RB2 A UBB + _ RP + _ + _ RE 電力電子技術(shù)最新 (18-29) (3)

9、維持單結(jié)管導(dǎo)通的最小維持單結(jié)管導(dǎo)通的最小 電壓、電流。電壓、電流。 單結(jié)管由截止變導(dǎo)通單結(jié)管由截止變導(dǎo)通 所需發(fā)射極電壓所需發(fā)射極電壓。 Ip IV V 截止區(qū)截止區(qū) P 電力電子技術(shù)最新 (18-30) (3) 不同單結(jié)晶體管的谷點(diǎn)電壓不同單結(jié)晶體管的谷點(diǎn)電壓谷點(diǎn)電流谷點(diǎn)電流都都 不一樣。谷點(diǎn)電壓大約在不一樣。谷點(diǎn)電壓大約在2 5V之間。常選用之間。常選用 稍大一些,稍大一些, 稍小的單結(jié)晶體管,以增大輸稍小的單結(jié)晶體管,以增大輸 出脈沖幅度和移相范圍。出脈沖幅度和移相范圍。 電力電子技術(shù)最新 (18-31) 電力電子技術(shù)最新 (18-32) UV ug g 電力電子技術(shù)最新 (18-33) 。 uV 電力電子技術(shù)最新 (18-34) RL R1 R2 RP C R uZ T1 D1D2 T2 u2 + C + R 電力電子技術(shù)最新 (18-35) U2M U2M u O u u R u2 + uO + uZ 電力電子技術(shù)最新 (18-36) UZ UP-UD R1 R2 RP C C R uZ

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