福建關(guān)于成立半導(dǎo)體硅片公司可行性研究報告（參考模板）

1、泓域咨詢 /福建關(guān)于成立半導(dǎo)體硅片公司可行性研究報告福建關(guān)于成立半導(dǎo)體硅片公司可行性研究報告xxx投資管理公司目錄第一章 擬組建公司基本信息9一、 公司名稱9二、 注冊資本9三、 注冊地址9四、 主要經(jīng)營范圍9五、 主要股東9公司合并資產(chǎn)負債表主要數(shù)據(jù)10公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)10公司合并資產(chǎn)負債表主要數(shù)據(jù)12公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)12六、 項目概況13第二章 公司成立方案16一、 公司經(jīng)營宗旨16二、 公司的目標、主要職責16三、 公司組建方式17四、 公司管理體制17五、 部門職責及權(quán)限18六、 核心人員介紹22七、 財務(wù)會計制度23第三章 行業(yè)發(fā)展分析29一、 半導(dǎo)體硅片需求情況29二、

2、 半導(dǎo)體硅片需求情況32三、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類35第四章 項目建設(shè)背景、必要性42一、 SOI硅片市場現(xiàn)狀及前景42二、 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況44三、 項目實施的必要性47第五章 發(fā)展規(guī)劃分析49一、 公司發(fā)展規(guī)劃49二、 保障措施50第六章 法人治理53一、 股東權(quán)利及義務(wù)53二、 董事58三、 高級管理人員63四、 監(jiān)事65第七章 項目環(huán)保分析68一、 編制依據(jù)68二、 環(huán)境影響合理性分析69三、 建設(shè)期大氣環(huán)境影響分析70四、 建設(shè)期水環(huán)境影響分析72五、 建設(shè)期固體廢棄物環(huán)境影響分析73六、 建設(shè)期聲環(huán)境影響分析73七、 營運期環(huán)境影響74八、 環(huán)境管理分析75九、 結(jié)論及建議7

3、8第八章 選址可行性分析80一、 項目選址原則80二、 建設(shè)區(qū)基本情況80三、 創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展83四、 社會經(jīng)濟發(fā)展目標84五、 產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向87六、 項目選址綜合評價92第九章 風險評估分析94一、 項目風險分析94二、 公司競爭劣勢99第十章 投資計劃100一、 編制說明100二、 建設(shè)投資100建筑工程投資一覽表101主要設(shè)備購置一覽表102建設(shè)投資估算表103三、 建設(shè)期利息104建設(shè)期利息估算表104固定資產(chǎn)投資估算表105四、 流動資金106流動資金估算表107五、 項目總投資108總投資及構(gòu)成一覽表108六、 資金籌措與投資計劃109項目投資計劃與資金籌措一覽表109第十一章 項目

4、經(jīng)濟效益111一、 經(jīng)濟評價財務(wù)測算111營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表111綜合總成本費用估算表112固定資產(chǎn)折舊費估算表113無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表114利潤及利潤分配表116二、 項目盈利能力分析116項目投資現(xiàn)金流量表118三、 償債能力分析119借款還本付息計劃表120第十二章 建設(shè)進度分析122一、 項目進度安排122項目實施進度計劃一覽表122二、 項目實施保障措施123第十三章 總結(jié)124第十四章 補充表格126主要經(jīng)濟指標一覽表126建設(shè)投資估算表127建設(shè)期利息估算表128固定資產(chǎn)投資估算表129流動資金估算表130總投資及構(gòu)成一覽表131項目投資計劃與資金籌措一

5、覽表132營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表133綜合總成本費用估算表133固定資產(chǎn)折舊費估算表134無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表135利潤及利潤分配表136項目投資現(xiàn)金流量表137借款還本付息計劃表138建筑工程投資一覽表139項目實施進度計劃一覽表140主要設(shè)備購置一覽表141能耗分析一覽表141報告說明根據(jù)Gartner預(yù)測，2016至2022年，全球芯片制造產(chǎn)能中，預(yù)計20nm及以下制程占比12%，32/28nm至90nm占比41%，0.13m及以上的微米級制程占比47%。目前，90nm及以下的制程主要使用300mm半導(dǎo)體硅片，90nm以上的制程主要使用200mm或更小尺寸的硅片。xx

6、x投資管理公司主要由xx（集團）有限公司和xx投資管理公司共同出資成立。其中：xx（集團）有限公司出資385.00萬元，占xxx投資管理公司55%股份；xx投資管理公司出資315萬元，占xxx投資管理公司45%股份。根據(jù)謹慎財務(wù)估算，項目總投資38043.95萬元，其中：建設(shè)投資31832.59萬元，占項目總投資的83.67%；建設(shè)期利息868.41萬元，占項目總投資的2.28%；流動資金5342.95萬元，占項目總投資的14.04%。項目正常運營每年營業(yè)收入64000.00萬元，綜合總成本費用50650.41萬元，凈利潤9759.76萬元，財務(wù)內(nèi)部收益率19.62%，財務(wù)凈現(xiàn)值11693.3

7、3萬元，全部投資回收期6.01年。本期項目具有較強的財務(wù)盈利能力，其財務(wù)凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。經(jīng)初步分析評價，項目不僅有顯著的經(jīng)濟效益，而且其社會救益、生態(tài)效益非常顯著，項目的建設(shè)對提高農(nóng)民收入、維護社會穩(wěn)定，構(gòu)建和諧社會、促進區(qū)域經(jīng)濟快速發(fā)展具有十分重要的作用。項目在社會經(jīng)濟、自然條件及投資等方面建設(shè)條件較好，項目的實施不但是可行而且是十分必要的。第一章 擬組建公司基本信息一、 公司名稱xxx投資管理公司（以工商登記信息為準）二、 注冊資本700萬元三、 注冊地址福建xxx四、 主要經(jīng)營范圍經(jīng)營范圍：從事半導(dǎo)體硅片相關(guān)業(yè)務(wù)（企業(yè)依法自主選擇經(jīng)營項目，開展經(jīng)營活動；依法須經(jīng)批準的項目，經(jīng)

8、相關(guān)部門批準后依批準的內(nèi)容開展經(jīng)營活動；不得從事本市產(chǎn)業(yè)政策禁止和限制類項目的經(jīng)營活動。）五、 主要股東xxx投資管理公司主要由xx（集團）有限公司和xx投資管理公司發(fā)起成立。（一）xx（集團）有限公司基本情況1、公司簡介公司按照“布局合理、產(chǎn)業(yè)協(xié)同、資源節(jié)約、生態(tài)環(huán)保”的原則，加強規(guī)劃引導(dǎo)，推動智慧集群建設(shè)，帶動形成一批產(chǎn)業(yè)集聚度高、創(chuàng)新能力強、信息化基礎(chǔ)好、引導(dǎo)帶動作用大的重點產(chǎn)業(yè)集群。加強產(chǎn)業(yè)集群對外合作交流，發(fā)揮產(chǎn)業(yè)集群在對外產(chǎn)能合作中的載體作用。通過建立企業(yè)跨區(qū)域交流合作機制，承擔社會責任，營造和諧發(fā)展環(huán)境。公司滿懷信心，發(fā)揚“正直、誠信、務(wù)實、創(chuàng)新”的企業(yè)精神和“追求卓越，回報社會

9、” 的企業(yè)宗旨，以優(yōu)良的產(chǎn)品服務(wù)、可靠的質(zhì)量、一流的服務(wù)為客戶提供更多更好的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品及服務(wù)。2、主要財務(wù)數(shù)據(jù)公司合并資產(chǎn)負債表主要數(shù)據(jù)項目2020年12月2019年12月2018年12月資產(chǎn)總額14300.0911440.0710725.07負債總額4676.923741.543507.69股東權(quán)益合計9623.177698.547217.38公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)項目2020年度2019年度2018年度營業(yè)收入33801.9127041.5325351.43營業(yè)利潤5911.804729.444433.85利潤總額5583.954467.164187.96凈利潤4187.963266.613

10、015.33歸屬于母公司所有者的凈利潤4187.963266.613015.33（二）xx投資管理公司基本情況1、公司簡介公司在“政府引導(dǎo)、市場主導(dǎo)、社會參與”的總體原則基礎(chǔ)上，堅持優(yōu)化結(jié)構(gòu)，提質(zhì)增效。不斷促進企業(yè)改變粗放型發(fā)展模式和管理方式，補齊生態(tài)環(huán)境保護不足和區(qū)域發(fā)展不協(xié)調(diào)的短板，走綠色、協(xié)調(diào)和可持續(xù)發(fā)展道路，不斷優(yōu)化供給結(jié)構(gòu)，提高發(fā)展質(zhì)量和效益。牢固樹立并切實貫徹創(chuàng)新、協(xié)調(diào)、綠色、開放、共享的發(fā)展理念，以提質(zhì)增效為中心，以提升創(chuàng)新能力為主線，降成本、補短板，推進供給側(cè)結(jié)構(gòu)性改革。公司以負責任的方式為消費者提供符合法律規(guī)定與標準要求的產(chǎn)品。在提供產(chǎn)品的過程中，綜合考慮其對消費者的影響，確

11、保產(chǎn)品安全。積極與消費者溝通，向消費者公開產(chǎn)品安全風險評估結(jié)果，努力維護消費者合法權(quán)益。公司加大科技創(chuàng)新力度，持續(xù)推進產(chǎn)品升級，為行業(yè)提供先進適用的解決方案，為社會提供安全、可靠、優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。2、主要財務(wù)數(shù)據(jù)公司合并資產(chǎn)負債表主要數(shù)據(jù)項目2020年12月2019年12月2018年12月資產(chǎn)總額14300.0911440.0710725.07負債總額4676.923741.543507.69股東權(quán)益合計9623.177698.547217.38公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)項目2020年度2019年度2018年度營業(yè)收入33801.9127041.5325351.43營業(yè)利潤5911.804729

12、.444433.85利潤總額5583.954467.164187.96凈利潤4187.963266.613015.33歸屬于母公司所有者的凈利潤4187.963266.613015.33六、 項目概況（一）投資路徑xxx投資管理公司主要從事關(guān)于成立半導(dǎo)體硅片公司的投資建設(shè)與運營管理。（二）項目提出的理由通常將95-99%純度的硅稱為工業(yè)硅。沙子、礦石中的二氧化硅經(jīng)過純化，可制成純度98%以上的硅；高純度硅經(jīng)過進一步提純變?yōu)榧兌冗_99.9999999%至99.999999999%（9-11個9）的超純多晶硅；超純多晶硅在石英坩堝中熔化，并摻入硼（P）、磷（B）等元素改變其導(dǎo)電能力，放入籽晶確定晶

13、向，經(jīng)過單晶生長，制成具有特定電性功能的單晶硅錠。熔體的溫度、提拉速度和籽晶/石英坩堝的旋轉(zhuǎn)速度決定了單晶硅錠的尺寸和晶體質(zhì)量，而熔體中的硼（P）、磷（B）等雜質(zhì)元素的濃度決定了單晶硅錠的電特性。單晶硅錠經(jīng)過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在半導(dǎo)體硅片上可布設(shè)晶體管及多層互聯(lián)線，使之成為具有特定功能的集成電路或半導(dǎo)體器件產(chǎn)品。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保持極高的平整度與表面潔凈度，以保證集成電路或半導(dǎo)體器件的可靠性?？偟膩碚f，“十三五”期間福建省面臨的挑戰(zhàn)前所未有、機遇也前所未有，要準確把握重要戰(zhàn)略機遇期內(nèi)涵的深刻

14、變化，強化機遇意識和憂患意識，更加有效地應(yīng)對各種風險和挑戰(zhàn)，科學(xué)謀劃、真抓實干，求新求變求突破，努力開創(chuàng)“十三五”發(fā)展新局面。（三）項目選址項目選址位于xx（以最終選址方案為準），占地面積約87.00畝。項目擬定建設(shè)區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設(shè)施條件完備，非常適宜本期項目建設(shè)。（四）生產(chǎn)規(guī)模項目建成后，形成年產(chǎn)xxx噸半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)能力。（五）建設(shè)規(guī)模項目建筑面積98261.15，其中：生產(chǎn)工程72339.46，倉儲工程12472.32，行政辦公及生活服務(wù)設(shè)施9381.02，公共工程4068.35。（六）項目投資根據(jù)謹慎財務(wù)估算，項目總投資38043.95萬元，

15、其中：建設(shè)投資31832.59萬元，占項目總投資的83.67%；建設(shè)期利息868.41萬元，占項目總投資的2.28%；流動資金5342.95萬元，占項目總投資的14.04%。（七）經(jīng)濟效益（正常經(jīng)營年份）1、營業(yè)收入（SP）：64000.00萬元。2、綜合總成本費用（TC）：50650.41萬元。3、凈利潤（NP）：9759.76萬元。4、全部投資回收期（Pt）：6.01年。5、財務(wù)內(nèi)部收益率：19.62%。6、財務(wù)凈現(xiàn)值：11693.33萬元。（八）項目進度規(guī)劃項目建設(shè)期限規(guī)劃24個月。（九）項目綜合評價綜上所述，本項目能夠充分利用現(xiàn)有設(shè)施，屬于投資合理、見效快、回報高項目；擬建項目交通條件

16、好；供電供水條件好，因而其建設(shè)條件有明顯優(yōu)勢。項目符合國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略思想，有利于行業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整。第二章 公司成立方案一、 公司經(jīng)營宗旨以市場需求為導(dǎo)向；以科研創(chuàng)新求發(fā)展；以質(zhì)量服務(wù)樹品牌；致力于產(chǎn)業(yè)技術(shù)進步和行業(yè)發(fā)展，創(chuàng)建國際知名企業(yè)。二、 公司的目標、主要職責（一）目標近期目標：深化企業(yè)改革，加快結(jié)構(gòu)調(diào)整，優(yōu)化資源配置，加強企業(yè)管理，建立現(xiàn)代企業(yè)制度；精干主業(yè)，分離輔業(yè)，增強企業(yè)市場競爭力，加快發(fā)展；提高企業(yè)經(jīng)濟效益，完善管理制度及運營網(wǎng)絡(luò)。遠期目標：探索模式創(chuàng)新、制度創(chuàng)新、管理創(chuàng)新的產(chǎn)業(yè)發(fā)展新思路。堅持發(fā)展自主品牌，提升企業(yè)核心競爭力。此外，面向國際、國內(nèi)兩個市場，優(yōu)化資源配置，實施多元

17、化戰(zhàn)略，向產(chǎn)業(yè)集團化發(fā)展，力爭利用3-5年的時間把公司建設(shè)成具有先進管理水平和較強市場競爭實力的大型企業(yè)集團。（二）主要職責1、執(zhí)行國家法律、法規(guī)和產(chǎn)業(yè)政策，在國家宏觀調(diào)控和行業(yè)監(jiān)管下，以市場需求為導(dǎo)向，依法自主經(jīng)營。2、根據(jù)國家和地方產(chǎn)業(yè)政策、半導(dǎo)體硅片行業(yè)發(fā)展規(guī)劃和市場需求，制定并組織實施公司的發(fā)展戰(zhàn)略、中長期發(fā)展規(guī)劃、年度計劃和重大經(jīng)營決策。3、深化企業(yè)改革，加快結(jié)構(gòu)調(diào)整，轉(zhuǎn)換企業(yè)經(jīng)營機制，建立現(xiàn)代企業(yè)制度，強化內(nèi)部管理，促進企業(yè)可持續(xù)發(fā)展。4、指導(dǎo)和加強企業(yè)思想政治工作和精神文明建設(shè)，統(tǒng)一管理公司的名稱、商標、商譽等無形資產(chǎn)，搞好公司企業(yè)文化建設(shè)。5、在保證股東企業(yè)合法權(quán)益和自身發(fā)展需

18、要的前提下，公司可依照公司法等有關(guān)規(guī)定，集中資產(chǎn)收益，用于再投入和結(jié)構(gòu)調(diào)整。三、 公司組建方式xxx投資管理公司主要由xx（集團）有限公司和xx投資管理公司共同出資成立。其中：xx（集團）有限公司出資385.00萬元，占xxx投資管理公司55%股份；xx投資管理公司出資315萬元，占xxx投資管理公司45%股份。四、 公司管理體制xxx投資管理公司實行董事會領(lǐng)導(dǎo)下的總經(jīng)理負責制，各部門按其規(guī)定的職能范圍，履行各自的管理服務(wù)職能，而且直接對總經(jīng)理負責；公司建立完善的營銷、供應(yīng)、生產(chǎn)和品質(zhì)管理體系，確立各部門相應(yīng)的經(jīng)濟責任目標，加強產(chǎn)品質(zhì)量和定額目標管理，確保公司生產(chǎn)經(jīng)營正常、有效、穩(wěn)定、安全、持

19、續(xù)運行，有力促進企業(yè)的高效、健康、快速發(fā)展。總經(jīng)理的主要職責如下：1、全面領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)的日常工作；對企業(yè)的產(chǎn)品質(zhì)量負責；向本公司職工傳達滿足顧客和法律法規(guī)要求的重要性；2、制定并正式批準頒布本公司的質(zhì)量方針和質(zhì)量目標，采取有效措施，保證各級人員理解質(zhì)量方針并堅持貫徹執(zhí)行；3、負責策劃、建立本公司的質(zhì)量管理體系，批準發(fā)布本公司的質(zhì)量手冊；4、明確所有與質(zhì)量有關(guān)的職能部門和人員的職責權(quán)限和相互關(guān)系；5、確保質(zhì)量管理體系運行所必要的資源配備；6、任命管理者代表，并為其有效開展工作提供支持；7、定期組織并主持對質(zhì)量管理體系的管理評審，以確保其持續(xù)的適宜性、充分性和有效性。五、 部門職責及權(quán)限（一）綜合管理

20、部1、協(xié)助管理者代表組織建立文件化質(zhì)量體系，并使其有效運行和持續(xù)改進。2、協(xié)助管理者代表，組織內(nèi)部質(zhì)量管理體系審核。3、負責本公司文件（包括記錄）的管理和控制。4、負責本公司員工培訓(xùn)的管理，制訂并實施員工培訓(xùn)計劃。5、參與識別并確定為實現(xiàn)產(chǎn)品符合性所需的工作環(huán)境，并對工作環(huán)境中與產(chǎn)品符合性有關(guān)的條件加以管理。（二）財務(wù)部1、參與制定本公司財務(wù)制度及相應(yīng)的實施細則。2、參與本公司的工程項目可信性研究和項目評估中的財務(wù)分析工作。3、負責董事會及總經(jīng)理所需的財務(wù)數(shù)據(jù)資料的整理編報。4、負責對財務(wù)工作有關(guān)的外部及政府部門，如稅務(wù)局、財政局、銀行、會計事務(wù)所等聯(lián)絡(luò)、溝通工作。5、負責資金管理、調(diào)度。編制

21、月、季、年度財務(wù)情況說明分析，向公司領(lǐng)導(dǎo)報告公司經(jīng)營情況。6、負責銷售統(tǒng)計、復(fù)核工作，每月負責編制銷售應(yīng)收款報表，并督促銷售部及時催交樓款。負責銷售樓款的收款工作，并及時送交銀行。7、負責每月轉(zhuǎn)賬憑證的編制，匯總所有的記賬憑證。8、負責公司總長及所有明細分類賬的記賬、結(jié)賬、核對，每月5日前完成會計報表的編制，并及時清理應(yīng)收、應(yīng)付款項。9、協(xié)助出納做好樓款的收款工作，并配合銷售部門做好銷售分析工作。10、負責公司全年的會計報表、帳薄裝訂及會計資料保管工作。11、負責銀行財務(wù)管理，負責支票等有關(guān)結(jié)算憑證的購買、領(lǐng)用及保管，辦理銀行收付業(yè)務(wù)。12、負責先進管理，審核收付原始憑證。13、負責編制銀行收

22、付憑證、現(xiàn)金收付憑證，登記銀行存款及現(xiàn)金日記賬，月末與銀行對賬單和對銀行存款余額，并編制余額調(diào)節(jié)表。14、負責公司員工工資的發(fā)放工作，現(xiàn)金收付工作。（三）投資發(fā)展部1、調(diào)查、搜集、整理有關(guān)市場信息，并提出投資建議。2、擬定公司年度投資計劃及中長期投資計劃。3、負責投資項目的儲備、篩選、投資項目的可行性研究工作。4、負責經(jīng)董事會批準的投資項目的籌建工作。5、按照國家產(chǎn)業(yè)政策，負責公司產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、投資結(jié)構(gòu)的調(diào)整。6、及時完成領(lǐng)導(dǎo)交辦的其他事項。（四）銷售部1、協(xié)助總經(jīng)理制定和分解年度銷售目標和銷售成本控制指標，并負責具體落實。2、依據(jù)公司年度銷售指標，明確營銷策略，制定營銷計劃和拓展銷售網(wǎng)絡(luò)，并對任

23、務(wù)進行分解，策劃組織實施銷售工作，確保實現(xiàn)預(yù)期目標。3、負責收集市場信息，分析市場動向、銷售動態(tài)、市場競爭發(fā)展狀況等，并定期將信息報送商務(wù)發(fā)展部。4、負責按產(chǎn)品銷售合同規(guī)定收款和催收，并將相關(guān)收款情況報送商務(wù)發(fā)展部。5、定期不定期走訪客戶，整理和歸納客戶資料，掌握客戶情況，進行有效的客戶管理。6、制定并組織填寫各類銷售統(tǒng)計報表，并將相關(guān)數(shù)據(jù)及時報送商務(wù)發(fā)展部總經(jīng)理。7、負責市場物資信息的收集和調(diào)查預(yù)測，建立起牢固可靠的物資供應(yīng)網(wǎng)絡(luò)，不斷開辟和優(yōu)化物資供應(yīng)渠道。8、負責收集產(chǎn)品供應(yīng)商信息，并對供應(yīng)商進行質(zhì)量、技術(shù)和供就能力進行評估，根據(jù)公司需求計劃，編制與之相配套的采購計劃，并進行采購談判和產(chǎn)品

24、采購，保證產(chǎn)品供應(yīng)及時，確保產(chǎn)品價格合理、質(zhì)量符合要求。9、建立發(fā)運流程，設(shè)計最佳運輸路線、運輸工具，選擇合格的運輸商，嚴格按公司下達的發(fā)運成本預(yù)算進行有效管理，定期分析費用開支，查找超支、節(jié)支原因并實施控制。10、負責對部門員工進行業(yè)務(wù)素質(zhì)、產(chǎn)品知識培訓(xùn)和考核等工作，不斷培養(yǎng)、挖掘、引進銷售人才，建設(shè)高素質(zhì)的銷售隊伍。六、 核心人員介紹1、白xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1970年出生，碩士研究生學(xué)歷。2012年4月至今任xxx有限公司監(jiān)事。2018年8月至今任公司獨立董事。2、王xx，中國國籍，1977年出生，本科學(xué)歷。2018年9月至今歷任公司辦公室主任，2017年8月至今任公司監(jiān)事

25、。3、龔xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1961年出生，本科學(xué)歷，高級工程師。2002年11月至今任xxx總經(jīng)理。2017年8月至今任公司獨立董事。4、宋xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1959年出生，大專學(xué)歷，高級工程師職稱。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技術(shù)顧問；2004年8月至2011年3月任xxx有限責任公司總工程師。2018年3月至今任公司董事、副總經(jīng)理、總工程師。5、呂xx，中國國籍，1976年出生，本科學(xué)歷。2003年5月至2011年9月任xxx有限責任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理；2003年11月至2011年3月任xxx有限責任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理；2004

26、年4月至2011年9月任xxx有限責任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理。2018年3月起至今任公司董事長、總經(jīng)理。6、廖xx，1974年出生，研究生學(xué)歷。2002年6月至2006年8月就職于xxx有限責任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限責任公司銷售部副經(jīng)理。2011年3月至今歷任公司監(jiān)事、銷售部副部長、部長；2019年8月至今任公司監(jiān)事會主席。7、朱xx，中國國籍，1978年出生，本科學(xué)歷，中國注冊會計師。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司獨立董事。8、肖xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1958年出生，本科學(xué)歷，高級

27、經(jīng)濟師職稱。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事長；2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公司董事長；2016年11月至今任xxx有限公司董事、經(jīng)理；2019年3月至今任公司董事。七、 財務(wù)會計制度（一）財務(wù)會計制度1、公司依照法律、行政法規(guī)和國家有關(guān)部門的規(guī)定，制定公司的財務(wù)會計制度。上述財務(wù)會計報告按照有關(guān)法律、行政法規(guī)及部門規(guī)章的規(guī)定進行編制。2、公司除法定的會計賬簿外，將不另立會計賬簿。公司的資產(chǎn)，不以任何個人名義開立賬戶存儲。3、公司分配當年稅后利潤時，應(yīng)當提取利潤的10%列入公司法定公積金。公司法定公積金累計額為公司注冊資本的50%以上的，可以不再提取。公司的

28、法定公積金不足以彌補以前年度虧損的，在依照前款規(guī)定提取法定公積金之前，應(yīng)當先用當年利潤彌補虧損。公司從稅后利潤中提取法定公積金后，經(jīng)股東大會決議，還可以從稅后利潤中提取任意公積金。公司彌補虧損和提取公積金后所余稅后利潤，按照股東持有的股份比例分配，但本章程規(guī)定不按持股比例分配的除外。股東大會違反前款規(guī)定，在公司彌補虧損和提取法定公積金之前向股東分配利潤的，股東必須將違反規(guī)定分配的利潤退還公司。公司持有的本公司股份不參與分配利潤。4、公司的公積金用于彌補公司的虧損、擴大公司生產(chǎn)經(jīng)營或者轉(zhuǎn)為增加公司資本。但是，資本公積金將不用于彌補公司的虧損。法定公積金轉(zhuǎn)為資本時，所留存的該項公積金將不少于轉(zhuǎn)增前

29、公司注冊資本的25%。5、公司股東大會對利潤分配方案作出決議后，公司董事會須在股東大會召開后2個月內(nèi)完成股利（或股份）的派發(fā)事項。6、公司利潤分配政策為：（1）公司應(yīng)重視對投資者的合理投資回報，利潤分配政策應(yīng)保持連續(xù)性和穩(wěn)定性，公司經(jīng)營所得利潤將首先滿足公司經(jīng)營需要。公司每年根據(jù)經(jīng)營情況和市場環(huán)境，充分考慮股東的利益，實行合理的股利分配方案。（2）董事會應(yīng)當綜合考慮所處行業(yè)特點、發(fā)展階段、自身經(jīng)營模式、盈利水平以及是否有重大資金支出安排等因素，區(qū)分下列情形，并按照公司章程規(guī)定的程序，提出差異化的現(xiàn)金分紅政策：公司發(fā)展階段屬成熟期且無重大資金支出安排的，進行利潤分配時，現(xiàn)金分紅在本次利潤分配中所

30、占比例最低應(yīng)達到80%；公司發(fā)展階段屬成熟期且有重大資金支出安排的，進行利潤分配時，現(xiàn)金分紅在本次利潤分配中所占比例最低應(yīng)達到40%；公司發(fā)展階段屬成長期且有重大資金支出安排的，進行利潤分配時，現(xiàn)金分紅在本次利潤分配中所占比例最低應(yīng)達到20%；公司發(fā)展階段不易區(qū)分但有重大資金支出安排的，可以按照前項規(guī)定處理。（3）在符合現(xiàn)金分紅的條件下，公司優(yōu)先采取現(xiàn)金分紅的股利分配政策，即：公司當年度實現(xiàn)盈利，在彌補上一年度的虧損，依法提取法定公積金、任意公積金后進行現(xiàn)金分紅，單一以現(xiàn)金方式分配的利潤不少于當年度實現(xiàn)的可分配利潤的10%。在公司當年未實現(xiàn)盈利情況下，公司不進行現(xiàn)金利潤分配，同時需經(jīng)公司董事會

31、、股東大會審議通過。若公司業(yè)績增長快速，并且董事會認為公司公司在制定現(xiàn)金分紅具體方案時，董事會應(yīng)當認真研究和論證公司現(xiàn)金分紅的時機、條件和最低比例、調(diào)整的條件及其決策程序要求等事宜，獨立董事應(yīng)當發(fā)表明確意見。獨立董事可以征集中小股東的意見，提出分紅提案，并直接提交董事會審議。股東大會對現(xiàn)金分紅具體方案進行審議前，公司應(yīng)當通過多種渠道主動與股東特別是中小股東進行溝通和交流，充分聽取中小股東的意見和訴求，并及時答復(fù)中小股東關(guān)心的問題。董事會在決策和形成利潤分配預(yù)案時，要詳細記錄管理層建議、參會董事的發(fā)言要點、獨立董事意見、董事會投票表決情況等內(nèi)容，并形成書面記錄作為公司檔案妥善保存。公司應(yīng)當嚴格執(zhí)

32、行本章程確定的現(xiàn)金分紅政策以及股東大會審議批準的現(xiàn)金分紅具體方案。確有必要對本章程確定的現(xiàn)金分紅政策進行調(diào)整或者變更的，應(yīng)當滿足本章程規(guī)定的條件，經(jīng)過詳細論證后，履行相應(yīng)的決策程序，并經(jīng)出席股東大會的股東（包括股東代理人）所持表決權(quán)的2/3以上通過。（4）股東違規(guī)占用公司資金的，公司應(yīng)當扣減該股東所分配的現(xiàn)金紅利，以償還其占用的資金。（二）內(nèi)部審計1、公司實行內(nèi)部審計制度，配備專職審計人員，對公司財務(wù)收支和經(jīng)濟活動進行內(nèi)部審計監(jiān)督。2、公司內(nèi)部審計制度和審計人員的職責，應(yīng)當經(jīng)董事會批準后實施。審計負責人向董事會負責并報告工作。（三）會計師事務(wù)所的聘任1、公司聘用會計師事務(wù)所必須由股東大會決定，

33、董事會不得在股東大會決定前委任會計師事務(wù)所。2、公司保證向聘用的會計師事務(wù)所提供真實、完整的會計憑證、會計賬簿、財務(wù)會計報告及其他會計資料，不得拒絕、隱匿、謊報。3、會計師事務(wù)所的審計費用由股東大會決定。4、公司解聘或者不再續(xù)聘會計師事務(wù)所時，提前20天事先通知會計師事務(wù)所，公司股東大會就解聘會計師事務(wù)所進行表決時，允許會計師事務(wù)所陳述意見。會計師事務(wù)所提出辭聘的，應(yīng)當向股東大會說明公司有無不當情形。第三章 行業(yè)發(fā)展分析一、 半導(dǎo)體硅片需求情況90%以上的芯片需要使用半導(dǎo)體硅片制造。半導(dǎo)體硅片企業(yè)的下游客戶是芯片制造企業(yè)，包括大型綜合晶圓代工企業(yè)及專注于存儲器制造、傳感器制造與射頻芯片制造等領(lǐng)

34、域的芯片制造企業(yè)。半導(dǎo)體硅片的終端應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋智能手機、便攜式設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、人工智能、工業(yè)電子、軍事、航空航天等眾多行業(yè)。隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，新興終端市場還將不斷涌現(xiàn)。1、下游產(chǎn)能情況（1）芯片制造產(chǎn)能情況2017至2020年，全球芯片制造產(chǎn)能（折合成200mm）預(yù)計將從1,985萬片/月增長至2,407萬片/月，年均復(fù)合增長率6.64%；中國芯片制造產(chǎn)能從276萬片/月增長至460萬片/月，年均復(fù)合增長率18.50%。近年來，隨著中芯國際、華力微電子、長江存儲、華虹宏力等中國大陸芯片制造企業(yè)的持續(xù)擴產(chǎn)，中國大陸芯片制造產(chǎn)能增速高于全球芯片產(chǎn)能增速。隨著芯片制造產(chǎn)能的增長，對于半

35、導(dǎo)體硅片的需求仍將持續(xù)增長。目前，中國大陸企業(yè)的300mm芯片制造產(chǎn)能低于200mm芯片制造產(chǎn)能。隨著中國大陸芯片制造企業(yè)技術(shù)實力的不斷提升，預(yù)計到2020年，中國大陸企業(yè)300mm制造芯片產(chǎn)能將會超過200mm制造芯片制造產(chǎn)能。（2）半導(dǎo)體器件需求增速情況3DNAND存儲器芯片主要使用300mm拋光片。近年來，3DNAND存儲器的產(chǎn)能快速增長，其主要原因是用于大數(shù)據(jù)存儲的固態(tài)硬盤SSD（SolidStateDisk）需求的增長以及智能手機與便攜式設(shè)備單位存儲密度的提升。SEMI預(yù)計，2019年3DNAND存儲器芯片產(chǎn)能增速將達4.01%，3DNAND存儲器芯片產(chǎn)能的快速增長將拉動對300mm

36、拋光片的需求。圖像傳感器主要使用各尺寸外延片、SOI硅片。圖像傳感器用于將光學(xué)影像轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號，在智能手機、汽車電子、視頻監(jiān)視網(wǎng)絡(luò)中廣泛應(yīng)用。隨著多攝像頭手機成為市場的主流產(chǎn)品，預(yù)計2019年圖像傳感器產(chǎn)能增速將達到21%，圖像傳感器將成為半導(dǎo)體行業(yè)近年增長最強勁的細分領(lǐng)域之一。功率器件主要用于電子電力的開關(guān)、功率轉(zhuǎn)換、功率放大、線路保護等，是在電力控制電路和電源開關(guān)電路中必不可少的電子元器件，主要使用200mm及以下拋光片與SOI硅片。2、全球晶圓代工市場規(guī)模2016年、2017年、2018年，全球晶圓代工市場規(guī)模分別為500.05億美元、548.17億美元、577.32億美元，年均復(fù)合增

37、長率7.45%。根據(jù)ICInsights統(tǒng)計，受益于中國近年來IC設(shè)計公司數(shù)量的增長、規(guī)模的擴張，中國晶圓代工企業(yè)業(yè)務(wù)規(guī)模隨之擴大。2017年，中國晶圓代工企業(yè)銷售收入增長30%，實現(xiàn)收入75.72億美元；2018年，中國晶圓代工企業(yè)銷售收入增速進一步提高，高達41%，是2018年全球晶圓代工市場規(guī)模增速5%的8倍，實現(xiàn)收入106.90億美元。3、半導(dǎo)體芯片制造市場規(guī)模根據(jù)WSTS分類標準，半導(dǎo)體芯片主要可分為集成電路、分立器件、傳感器與光電子器件四種類別，其中，集成電路包括存儲器、模擬芯片、邏輯芯片與微處理器。2018年，全球半導(dǎo)體銷售額4,687.78億美元，其中，集成電路、光電子器件、分

38、立器件和傳感器銷售額分別為3,932.88億美元、380.32億美元、241.02億美元和133.56億美元。（1）集成電路市場規(guī)模2016年至2018年，在大數(shù)據(jù)存儲的固態(tài)硬盤SSD（SolidStateDisk）需求的增長，以及智能手機與便攜式設(shè)備單位存儲密度的提升的帶動下，存儲器銷售額由767.67億美元大幅增長至1,579.67億美元，年均復(fù)合增長率43.45%。（2）傳感器市場規(guī)模2016年至2018年，傳感器銷售額從108.21億美元上升至133.56億美元，年均復(fù)合增長率達11.10%。傳感器主要包括單一材料傳感器、復(fù)合材料CMOS傳感器與MEMS傳感器。隨著多攝像頭手機的普及，

39、CMOS圖像傳感器增長迅速；手機新增的指紋識別功能也增加了對于傳感器的需求；自動駕駛技術(shù)的快速發(fā)展，增加了對圖像傳感器、激光雷達、超聲波傳感器多種類型傳感器的需求。二、 半導(dǎo)體硅片需求情況90%以上的芯片需要使用半導(dǎo)體硅片制造。半導(dǎo)體硅片企業(yè)的下游客戶是芯片制造企業(yè)，包括大型綜合晶圓代工企業(yè)及專注于存儲器制造、傳感器制造與射頻芯片制造等領(lǐng)域的芯片制造企業(yè)。半導(dǎo)體硅片的終端應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋智能手機、便攜式設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、人工智能、工業(yè)電子、軍事、航空航天等眾多行業(yè)。隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，新興終端市場還將不斷涌現(xiàn)。1、下游產(chǎn)能情況（1）芯片制造產(chǎn)能情況2017至2020年，全球芯片制造產(chǎn)能（

40、折合成200mm）預(yù)計將從1,985萬片/月增長至2,407萬片/月，年均復(fù)合增長率6.64%；中國芯片制造產(chǎn)能從276萬片/月增長至460萬片/月，年均復(fù)合增長率18.50%。近年來，隨著中芯國際、華力微電子、長江存儲、華虹宏力等中國大陸芯片制造企業(yè)的持續(xù)擴產(chǎn)，中國大陸芯片制造產(chǎn)能增速高于全球芯片產(chǎn)能增速。隨著芯片制造產(chǎn)能的增長，對于半導(dǎo)體硅片的需求仍將持續(xù)增長。目前，中國大陸企業(yè)的300mm芯片制造產(chǎn)能低于200mm芯片制造產(chǎn)能。隨著中國大陸芯片制造企業(yè)技術(shù)實力的不斷提升，預(yù)計到2020年，中國大陸企業(yè)300mm制造芯片產(chǎn)能將會超過200mm制造芯片制造產(chǎn)能。（2）半導(dǎo)體器件需求增速情況3

41、DNAND存儲器芯片主要使用300mm拋光片。近年來，3DNAND存儲器的產(chǎn)能快速增長，其主要原因是用于大數(shù)據(jù)存儲的固態(tài)硬盤SSD（SolidStateDisk）需求的增長以及智能手機與便攜式設(shè)備單位存儲密度的提升。SEMI預(yù)計，2019年3DNAND存儲器芯片產(chǎn)能增速將達4.01%，3DNAND存儲器芯片產(chǎn)能的快速增長將拉動對300mm拋光片的需求。圖像傳感器主要使用各尺寸外延片、SOI硅片。圖像傳感器用于將光學(xué)影像轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號，在智能手機、汽車電子、視頻監(jiān)視網(wǎng)絡(luò)中廣泛應(yīng)用。隨著多攝像頭手機成為市場的主流產(chǎn)品，預(yù)計2019年圖像傳感器產(chǎn)能增速將達到21%，圖像傳感器將成為半導(dǎo)體行業(yè)近年增長

42、最強勁的細分領(lǐng)域之一。功率器件主要用于電子電力的開關(guān)、功率轉(zhuǎn)換、功率放大、線路保護等，是在電力控制電路和電源開關(guān)電路中必不可少的電子元器件，主要使用200mm及以下拋光片與SOI硅片。2、全球晶圓代工市場規(guī)模2016年、2017年、2018年，全球晶圓代工市場規(guī)模分別為500.05億美元、548.17億美元、577.32億美元，年均復(fù)合增長率7.45%。根據(jù)ICInsights統(tǒng)計，受益于中國近年來IC設(shè)計公司數(shù)量的增長、規(guī)模的擴張，中國晶圓代工企業(yè)業(yè)務(wù)規(guī)模隨之擴大。2017年，中國晶圓代工企業(yè)銷售收入增長30%，實現(xiàn)收入75.72億美元；2018年，中國晶圓代工企業(yè)銷售收入增速進一步提高，高

43、達41%，是2018年全球晶圓代工市場規(guī)模增速5%的8倍，實現(xiàn)收入106.90億美元。3、半導(dǎo)體芯片制造市場規(guī)模根據(jù)WSTS分類標準，半導(dǎo)體芯片主要可分為集成電路、分立器件、傳感器與光電子器件四種類別，其中，集成電路包括存儲器、模擬芯片、邏輯芯片與微處理器。2018年，全球半導(dǎo)體銷售額4,687.78億美元，其中，集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器銷售額分別為3,932.88億美元、380.32億美元、241.02億美元和133.56億美元。（1）集成電路市場規(guī)模2016年至2018年，在大數(shù)據(jù)存儲的固態(tài)硬盤SSD（SolidStateDisk）需求的增長，以及智能手機與便攜式設(shè)備單位存儲

44、密度的提升的帶動下，存儲器銷售額由767.67億美元大幅增長至1,579.67億美元，年均復(fù)合增長率43.45%。（2）傳感器市場規(guī)模2016年至2018年，傳感器銷售額從108.21億美元上升至133.56億美元，年均復(fù)合增長率達11.10%。傳感器主要包括單一材料傳感器、復(fù)合材料CMOS傳感器與MEMS傳感器。隨著多攝像頭手機的普及，CMOS圖像傳感器增長迅速；手機新增的指紋識別功能也增加了對于傳感器的需求；自動駕駛技術(shù)的快速發(fā)展，增加了對圖像傳感器、激光雷達、超聲波傳感器多種類型傳感器的需求。三、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類1、半導(dǎo)體硅片簡介常見的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）等元素

45、半導(dǎo)體及砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等化合物半導(dǎo)體。相較于鍺，硅的熔點為1,415，高于鍺的熔點937，較高的熔點使硅可以廣泛應(yīng)用于高溫加工工藝中；硅的禁帶寬度大于鍺，更適合制作高壓器件。相較于砷化鎵，硅安全無毒、對環(huán)境無害，而砷元素為有毒物質(zhì)；并且鍺、砷化鎵均沒有天然的氧化物，在晶圓制造時還需要在表面沉積多層絕緣體，這會導(dǎo)致下游晶圓制造的生產(chǎn)步驟增加從而使生產(chǎn)成本提高。硅基半導(dǎo)體材料是目前產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是用硅基材料制作的。硅在地殼中占比約27%，是除了氧元素之外第二豐富的元素，硅元素以二氧化硅和硅酸鹽的形式大量存在于沙子、巖石、礦物中，儲量豐富

46、并且易于取得。通常將95-99%純度的硅稱為工業(yè)硅。沙子、礦石中的二氧化硅經(jīng)過純化，可制成純度98%以上的硅；高純度硅經(jīng)過進一步提純變?yōu)榧兌冗_99.9999999%至99.999999999%（9-11個9）的超純多晶硅；超純多晶硅在石英坩堝中熔化，并摻入硼（P）、磷（B）等元素改變其導(dǎo)電能力，放入籽晶確定晶向，經(jīng)過單晶生長，制成具有特定電性功能的單晶硅錠。熔體的溫度、提拉速度和籽晶/石英坩堝的旋轉(zhuǎn)速度決定了單晶硅錠的尺寸和晶體質(zhì)量，而熔體中的硼（P）、磷（B）等雜質(zhì)元素的濃度決定了單晶硅錠的電特性。單晶硅錠經(jīng)過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體

47、硅片。在半導(dǎo)體硅片上可布設(shè)晶體管及多層互聯(lián)線，使之成為具有特定功能的集成電路或半導(dǎo)體器件產(chǎn)品。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保持極高的平整度與表面潔凈度，以保證集成電路或半導(dǎo)體器件的可靠性。2、半導(dǎo)體硅片的主要種類1965年，戈登摩爾提出摩爾定律：集成電路上所集成的晶體管數(shù)量，每隔18個月就提升一倍，相應(yīng)的集成電路性能增強一倍，成本隨之下降一半。對于芯片制造企業(yè)而言，這意味著需要不斷提升單片硅片可生產(chǎn)的芯片數(shù)量、降低單片硅片的制造成本以便與摩爾定律同步。半導(dǎo)體硅片的直徑越大，在單片硅片上可制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。半導(dǎo)體硅片的尺寸（以直徑計算）主要有50

48、mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）與300mm（12英寸）等規(guī)格。在摩爾定律的影響下，半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，向大尺寸演進是半導(dǎo)體硅片制造技術(shù)的發(fā)展方向。硅片尺寸越大，在單片硅片上制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。同時，在圓形的硅片上制造矩形的芯片會使硅片邊緣處的一些區(qū)域無法被利用，必然會浪費部分硅片。硅片的尺寸越大，相對而言硅片邊緣的損失會越小，有利于進一步降低芯片的成本。例如，在同樣的工藝條件下，300mm半導(dǎo)體硅片的可使用面積超過200mm硅片的兩倍以上，可使用率（衡量單

49、位晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量的指標）是200mm硅片的2.5倍左右。半導(dǎo)體硅片尺寸越大，對半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)技術(shù)、設(shè)備、材料、工藝的要求越高。目前，全球市場主流的產(chǎn)品是200mm、300mm直徑的半導(dǎo)體硅片，下游芯片制造行業(yè)的設(shè)備投資也與200mm和300mm規(guī)格相匹配?？紤]到大部分200mm及以下芯片制造生產(chǎn)線投產(chǎn)時間較早，絕大部分設(shè)備已折舊完畢，因此200mm及以下半導(dǎo)體硅片對應(yīng)的芯片制造成本往往較低，在部分領(lǐng)域使用200mm及以下半導(dǎo)體硅片的綜合成本可能并不高于300mm半導(dǎo)體硅片。此外，在高精度模擬電路、射頻前端芯片、嵌入式存儲器、CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）圖像傳感器、高壓MOS等特殊產(chǎn)

50、品方面，200mm及以下芯片制造的工藝更為成熟。綜上，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求依然存在。隨著汽車電子、工業(yè)電子等應(yīng)用的驅(qū)動，200mm半導(dǎo)體硅片的需求呈上漲趨勢。目前，除上述特殊產(chǎn)品外，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于功率器件、電源管理器、非易失性存儲器、MEMS、顯示驅(qū)動芯片與指紋識別芯片等，終端應(yīng)用領(lǐng)域主要為移動通信、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電子等。目前，300mm半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于存儲芯片、圖像處理芯片、通用處理器芯片、高性能FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）與ASIC（專用集成電路），終端應(yīng)用主要為智能手機、計算機、云計算、人工智能、SSD（固態(tài)存儲硬盤）等較為高端領(lǐng)

51、域。根據(jù)制造工藝分類，半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過外延生長形成外延片，拋光片經(jīng)過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。隨著集成電路特征線寬的不斷縮小，光刻機的景深也越來越小，硅片上極其微小的高度差都會使集成電路布線圖發(fā)生變形、錯位，這對硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面顆粒度和潔凈度對半導(dǎo)體產(chǎn)品的良品率也有直接影響。拋光工藝可去除加工表面殘留的損傷層，實現(xiàn)半導(dǎo)體硅片表面平坦化，并進一步減小硅片的表面粗糙度以滿足芯片制造工藝對硅片平整度和表面顆粒度的要求。拋光片可直接用于制作

52、半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于存儲芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片的襯底材料。外延是通過化學(xué)氣相沉積的方式在拋光面上生長一層或多層，摻雜類型、電阻率、厚度和晶格結(jié)構(gòu)都符合特定器件要求的新硅單晶層。外延技術(shù)可以減少硅片中因單晶生長產(chǎn)生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CMOS電路中使用，如通用處理器芯片、圖形處理器芯片等，由于外延片相較于拋光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了柵氧化層的完整性，改善了溝道中的漏電現(xiàn)象，從而提升了集成電路的可靠性。除此之外，通常在低電阻率的硅襯底上外延生長一層高電阻率的外延層，應(yīng)用于二極管、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等功率器件的制造。功率器件

53、常用在大功率和高電壓的環(huán)境中，硅襯底的低電阻率可降低導(dǎo)通電阻，高電阻率的外延層可以提高器件的擊穿電壓。外延片提升了器件的可靠性，并減少了器件的能耗，因此在工業(yè)電子、汽車電子等領(lǐng)域廣泛使用。SOI硅片即絕緣體上硅，是常見的硅基材料之一，其核心特征是在頂層硅和支撐襯底之間引入了一層氧化物絕緣埋層。SOI硅片的優(yōu)勢在于可以通過絕緣埋層實現(xiàn)全介質(zhì)隔離，這將大幅減少硅片的寄生電容以及漏電現(xiàn)象，并消除了閂鎖效應(yīng)。SOI硅片具有寄生電容小、短溝道效應(yīng)小、低壓低功耗、集成密度高、速度快、工藝簡單、抗宇宙射線粒子的能力強等優(yōu)點。因此，SOI硅片適合應(yīng)用在要求耐高壓、耐惡劣環(huán)境、低功耗、集成度高的芯片上，如射頻前

54、端芯片、功率器件、汽車電子、傳感器以及星載芯片等。第四章 項目建設(shè)背景、必要性一、 SOI硅片市場現(xiàn)狀及前景1、SOI硅片市場規(guī)模2016年至2018年全球SOI硅片市場銷售額從4.41億美元增長至7.17億美元，年均復(fù)合增長率27.51%；同期，中國SOI硅片市場銷售額從0.02億美元上升至0.11億美元，年均復(fù)合增長率132.46%。作為特殊硅基材料，SOI硅片生產(chǎn)工藝更復(fù)雜、成本更高、應(yīng)用領(lǐng)域更專業(yè)，全球范圍內(nèi)僅有Soitec、信越化學(xué)、環(huán)球晶圓、SUMCO和硅產(chǎn)業(yè)集團等少數(shù)企業(yè)有能力生產(chǎn)。而在需求方面，中國大陸芯片制造領(lǐng)域具備SOI芯片生產(chǎn)能力的企業(yè)并不多，因此中國SOI硅片產(chǎn)銷規(guī)模較

55、小。2、SOI硅片在射頻前端芯片中的應(yīng)用射頻前端芯片是超小型內(nèi)置芯片模塊，集成了無線前端電路中使用的各種功能芯片，包括功率放大器、天線調(diào)諧器、低噪聲放大器、濾波器和射頻開關(guān)等。射頻前端芯片主要功能為處理模擬信號，是以移動智能終端為代表的無線通信設(shè)備的核心器件之一。近年來，移動通信技術(shù)迅速發(fā)展，移動數(shù)據(jù)傳輸量和傳輸速度不斷提升，對于配套的射頻前端芯片的工作頻率、集成度與復(fù)雜性的要求隨之提高。RF-SOI硅片，包括HR-SOI（高阻）和TR-SOI（含有電荷陷阱層的高阻SOI），是用于射頻前端芯片的SOI硅片，其具有寄生電容小、短溝道效應(yīng)小、集成密度高、速度快、功耗低、工藝簡單等優(yōu)點，符合射頻前端

56、芯片對于高速、高線性與低插損等要求。為了應(yīng)對射頻前端芯片對于集成度與復(fù)雜性的更高要求，RF-SOI工藝可以在不影響半導(dǎo)體器件工作頻率的情況下提高集成度并保持良好的性能；另一方面，SOI以其特殊的結(jié)構(gòu)與良好的電學(xué)性能，為系統(tǒng)設(shè)計提供了巨大的靈活性。由于SOI是硅基材料，很容易與其它器件集成，同時可以使用標準的集成電路生產(chǎn)線以降低芯片制造企業(yè)的生產(chǎn)成本。例如，SOI與CMOS工藝的兼容使其能將數(shù)字電路與模擬電路混合，在射頻電路應(yīng)用領(lǐng)域優(yōu)勢明顯。RF-SOI工藝在射頻集成方面具有多種優(yōu)勢：SOI硅片中絕緣埋層（BOX）的存在，實現(xiàn)了器件有源區(qū)和襯底之間的完全隔離，有效降低了寄生電容，從而降低了功耗；RF-SOI可以提供高阻襯底，降低高頻RF和數(shù)字、混和信號器件之間的串擾并大幅度降低射頻前端的噪聲量，同時降低了高頻插入損耗；作為一種全介質(zhì)隔離，RF-SOI實現(xiàn)了RF電路與數(shù)字電路的單片集成。目前海外RF-SOI產(chǎn)業(yè)鏈較為成熟，格羅方德、意法半導(dǎo)體、TowerJazz、臺電和臺灣聯(lián)華電子等芯片制造企業(yè)均具有基于RF-SOI工藝的芯片生產(chǎn)線。國內(nèi)RF-SOI產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展不均衡，下游終端智能手機市場發(fā)展迅速，中游射頻前端模塊和器件大部分依賴進口。目前，雖然我國企業(yè)具備RF-SOI硅片大規(guī)模生產(chǎn)能力，但是國內(nèi)僅有少數(shù)芯片制造企業(yè)具