普通整流管生產(chǎn),普通整流管市場(chǎng),普通整流管技術(shù)及普通整流管產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀分析doc

1、普通整流管生產(chǎn)，普通整流管市場(chǎng)，普通整流管技術(shù)及普通整流管產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀分析普通整流管生產(chǎn)，普通整流管市場(chǎng)，普通整流管技術(shù)及普通整流管產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀分析 一：國(guó)內(nèi)形勢(shì) 普通整流管經(jīng)過多年來的發(fā)展，在國(guó)內(nèi)已經(jīng)形成完整的產(chǎn)業(yè)鏈，上下游廠家近萬家。對(duì)普 通整流管的生產(chǎn)和發(fā)展提供了良好的氛圍。據(jù)目前統(tǒng)計(jì)來看國(guó)內(nèi)生產(chǎn)企業(yè)有近千家，大多 完成了技術(shù)改造。由單一走向全面。由于廠家較多就不一一列舉 1：浙江華晶整流器有限公司 2：西安西正電氣有限公司 3：菲凌科 4：上海華晶 二技術(shù)知識(shí) 整流器工作原理整流器工作原理 整流器原理電路 整流電路（如圖 5-5 所示）是使用最多的一種整流電路。這種電路，只要增加 兩只二極管口

2、連接成橋式結(jié)構(gòu)，便具有全波整流電路的優(yōu)點(diǎn)，而同時(shí)在一定 程度上克服了它的缺點(diǎn)。 圖 5-5（a）為橋式整流電路圖 （b）為其簡(jiǎn)化畫法 橋式式整流電路的工作原理如下：e2 為正半周時(shí)，對(duì) D1、D3 和方向電壓， Dl，D3 導(dǎo)通；對(duì) D2、D4 加反向電壓，D2、D4 截止。電路中構(gòu)成 e2、Dl、Rfz、D3 通電回路，在 Rfz，上形成上正下負(fù)的半波整洗電壓，e2 為 負(fù)半周時(shí)，對(duì) D2、D4 加正向電壓，D2、D4 導(dǎo)通；對(duì) D1、D3 加反向電壓， D1、D3 截止。電路中構(gòu)成 e2、D2Rfz、D4 通電回路，同樣在 Rfz 上形成上正下 負(fù)的另外半波的整流電壓。以上兩種工作狀態(tài)分別

3、如圖 5-6（a）和（b）所示。 圖 5-6 橋式整流電路的工作原理示意圖 如此重復(fù)下去，結(jié)果在 Rfz，上便得到全波整流電壓。其波形圖和全波整流波 形圖是一樣的。從圖 5-6 中還不難看出，橋式電路中每只二極管承受的反向電 壓等于變壓器次級(jí)電壓的最大值，比全波整流電路小一半。 橋式整流電路的整流效率和直流輸出與全波整流電路相同，變壓器的利用率最 高?，F(xiàn)在常用的全橋整流，不用單獨(dú)的四只二極管而用一只全橋，其中包括四 只二極管，但是要標(biāo)清符號(hào)，有交流符號(hào)的兩端接變壓器輸出，+、-兩端接入 整流電路。 需要特別指出的是，二極管作為整流元件，要根據(jù)不同的整流方式和負(fù)載大小 加以選擇。如選擇不當(dāng)，則或

4、者不能安全工作，甚至燒了管子；或者大材小用， 造成浪費(fèi)。表 5-1 所列參數(shù)可供選擇二極管時(shí)參考。 另外，在高電壓或大電流的情況下，如果手頭沒有承受高電壓或整定大電濾的 整流元件，可以把二極管串聯(lián)或并聯(lián)起來使用。 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中，一般將硅、鍺稱為第一代半導(dǎo)體材料；將砷化鎵、磷化錮、 磷化鎵、砷化錮、砷化鋁及其合金等稱為第二代半導(dǎo)體材料；而將寬禁帶(Eg2.3eV)的氮 化鎵、碳化硅、硒化鋅和金剛石等稱為第三代半導(dǎo)體材料。上述材料是目前主要應(yīng)用的半 導(dǎo)體材料，三代半導(dǎo)體材料代表品種分別為硅、砷化鎵和氮化鎵。材料的物理性質(zhì)是產(chǎn)品 應(yīng)用的基礎(chǔ)，下表列出了主要半導(dǎo)體材料的物理性質(zhì)及應(yīng)用情況。表中

5、禁帶寬度決定發(fā)射 光的波長(zhǎng)，禁帶寬度越大發(fā)射光波長(zhǎng)越短(藍(lán)光發(fā)射)；禁帶寬度越小發(fā)射光波長(zhǎng)越長(zhǎng)。其 它參數(shù)數(shù)值越高，半導(dǎo)體性能越好。電子遷移速率決定半導(dǎo)體低壓條件下的高頻工作性能， 飽和速率決定半導(dǎo)體高壓條件下的高頻工作性能。 表表 主要半導(dǎo)體材料的比較主要半導(dǎo)體材料的比較 材料 SiGaAsGaN 禁帶寬度（ev） 1.11.43.4 飽和速率（10-7cm/s） 1.02.12.7 熱導(dǎo)（W/cK） 1.30.62.0 物 理 性 質(zhì) 擊穿電壓（M/cm） 0.30.45.0 電子遷移速率（cm2/Vs）1350 8500900 光學(xué)應(yīng)用無紅外藍(lán)光/紫外 高頻性能差好好 高溫性能中差好 發(fā)

6、展階段成熟發(fā)展中初期 應(yīng) 用 情 況 相對(duì)制造成本低高高 硅材料具有儲(chǔ)量豐富、價(jià)格低廉、熱性能與機(jī)械性能優(yōu)良、易于生長(zhǎng)大尺寸高純度晶 體等優(yōu)點(diǎn)，處在成熟的發(fā)展階段。目前，硅材料仍是電子信息產(chǎn)業(yè)最主要的基礎(chǔ)材料，95% 以上的半導(dǎo)體器件和 99%以上的集成電路(IC)是用硅材料制作的。在 21 世紀(jì)，它的主導(dǎo)和 核心地位仍不會(huì)動(dòng)搖。但是硅材料的物理性質(zhì)限制了其在光電子和高頻高功率器件上的應(yīng) 用。 砷化鎵材料的電子遷移率是硅的 6 倍多，其器件具有硅器件所不具有的高頻、高速和 光電性能，并可在同一芯片同時(shí)處理光電信號(hào)，被公認(rèn)是新一代的通信用材料。隨著高速 信息產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，砷化鎵成為繼硅之后發(fā)展

7、最快、應(yīng)用最廣、產(chǎn)量最大的半導(dǎo)體材料。 同時(shí)，其在軍事電子系統(tǒng)中的應(yīng)用日益廣泛，并占據(jù)不可取代的重要地位。選擇寬帶隙半 導(dǎo)體材料的主要理由是顯而易見的。氮化鎵的熱導(dǎo)率明顯高于常規(guī)半導(dǎo)體。這一屬性在高 功率放大器和激光器中是很起作用的。帶隙大小本身是熱生率的主要貢獻(xiàn)者。在任意給定 的溫度下，寬帶隙材料的熱生率比常規(guī)半導(dǎo)體的小 1014 個(gè)數(shù)量級(jí)。這一特性在電荷耦合 器件、新型非易失性高速存儲(chǔ)器中起很大的作用，并能實(shí)質(zhì)性地減小光探測(cè)器的暗電流。 寬帶隙半導(dǎo)體材料的高介電強(qiáng)度最適合用于高功率放大器、開關(guān)和二極管。寬帶隙材料的 相對(duì)介電常數(shù)比常規(guī)材料的要小，由于對(duì)寄生參數(shù)影響小，這對(duì)毫米波放大器而言是

8、有利 用價(jià)值的。電荷載流子輸運(yùn)特性是許多器件尤其是工作頻率為微波、毫米波放大器的一個(gè) 重要特性。寬帶隙半導(dǎo)體材料的電子遷移率一般沒有多數(shù)通用半導(dǎo)體的高，其空穴遷移率 一般較高，金剛石則很高。寬帶隙材料的高電場(chǎng)電子速度(飽和速度)一般較常規(guī)半導(dǎo)體高 得多，這就使得寬帶隙材料成為毫米波放大器的首選者。 氮化鎵材料的禁帶寬度為硅材料的 3 倍多，其器件在大功率、高溫、高頻、高速和光 電子應(yīng)用方面具有遠(yuǎn)比硅器件和砷化鎵器件更為優(yōu)良的特性，可制成藍(lán)綠光、紫外光的發(fā) 光器件和探測(cè)器件。近年來取得了很大進(jìn)展，并開始進(jìn)入市場(chǎng)。與制造技術(shù)非常成熟和制 造成本相對(duì)較低的硅半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料目前面臨的

9、最主要挑戰(zhàn)是發(fā)展適 合氮化鎵薄膜生長(zhǎng)的低成本襯底材料和大尺寸的氮化鎵體單晶生長(zhǎng)工藝。 主要半導(dǎo)體材料的用途如下表所示。可以預(yù)見：以硅材料為主體、GaAs 半導(dǎo)體材料及 新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料共同發(fā)展將成為集成電路及半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主流。 表表 半導(dǎo)體材料的主要用途半導(dǎo)體材料的主要用途 材料名稱制作器件主要用途 二極管、晶體管通訊、雷達(dá)、廣播、電視、自動(dòng)控制 集成電路各種計(jì)算機(jī)、通訊、廣播、自動(dòng)控制、電子鐘表、儀表 整流器整流 晶閘管整流、直流輸配電、電氣機(jī)車、設(shè)備自控、高頻振蕩器 射線探測(cè)器原子能分析、光量子檢測(cè) 硅 太陽能電池太陽能發(fā)電 各種微波管雷達(dá)、微波通訊、電視、移動(dòng)通訊 激光管光

10、纖通訊 紅外發(fā)光管小功率紅外光源 霍爾元件磁場(chǎng)控制 激光調(diào)制器激光通訊 高速集成電路高速計(jì)算機(jī)、移動(dòng)通訊 砷化鎵 太陽能電池太陽能發(fā)電 激光器件光學(xué)存儲(chǔ)、激光打印機(jī)、醫(yī)療、軍事應(yīng)用 發(fā)光二極管信號(hào)燈、視頻顯示、微型燈泡、移動(dòng)電話 紫外探測(cè)器分析儀器、火焰檢測(cè)、臭氧監(jiān)測(cè) 氮化鎵 集成電路通訊基站（功放器件） 、永遠(yuǎn)性內(nèi)存、電子開關(guān)、導(dǎo)彈 資料提供：中國(guó)行業(yè)咨詢網(wǎng)調(diào)研中心 2009 年只有 LED 和 NAND 閃存這兩個(gè)主要半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)域逃脫下滑的命運(yùn)。由于手機(jī) 等移動(dòng)產(chǎn)品的需求上升，NAND 閃存市場(chǎng)在 2009 年增長(zhǎng)了 15%。LED 在多種應(yīng)用中的占有率 快速上升，尤其是液晶電視背光應(yīng)用

11、，導(dǎo)致 LED 營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng) 5%以上。這讓專注于這些產(chǎn) 品的韓國(guó)廠商受益非淺。主要 NAND 閃存供應(yīng)商三星電子和海力士半導(dǎo)體，是 2009 年全球 10 大芯片廠商中唯一兩家實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)的廠商。同時(shí)，LED 廠商首爾半導(dǎo)體的 2009 年?duì)I業(yè)收入 大增近 90%。2009 年，總部在韓國(guó)的半導(dǎo)體供應(yīng)商合計(jì)營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng) 3.6%。iSuppli 公司 追蹤的全部韓國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)商中，有四分之三以上在 2009 年實(shí)現(xiàn)了營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)。同樣的 產(chǎn)品和需求趨勢(shì)也讓臺(tái)灣廠商在 2009 年受惠，總部在該地區(qū)的供應(yīng)商合計(jì)營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng) 1.1%。2009 年有一半以上的臺(tái)灣供應(yīng)商實(shí)現(xiàn)了營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)。聯(lián)發(fā)科、南

12、亞科技和旺宏是 表現(xiàn)優(yōu)異的臺(tái)灣廠商，2009 年?duì)I業(yè)收入分別增長(zhǎng)了 22.6%、21.2%和 14.4%。 表表 20092009 年全球半導(dǎo)體廠商營(yíng)業(yè)收入的最終排名表（百萬美元）年全球半導(dǎo)體廠商營(yíng)業(yè)收入的最終排名表（百萬美元） 數(shù)據(jù)提供：中國(guó)行業(yè)咨詢網(wǎng)調(diào)研中心 半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)現(xiàn)在仍呈現(xiàn)兩大熱點(diǎn)：一是太陽能電池設(shè)備。由于歐洲太陽能電池需 求拉動(dòng)作用，使國(guó)內(nèi)太陽能電池產(chǎn)業(yè)呈爆炸性增長(zhǎng)，極大地促進(jìn)了以生產(chǎn)太陽能電池片為 主的半導(dǎo)體設(shè)備的增長(zhǎng)，使其成為今年半導(dǎo)體設(shè)備的主要組成部分。第二依然是 IC 設(shè)備。 集成電路的市場(chǎng)空前廣闊，為 IC 設(shè)備創(chuàng)造了巨大的市場(chǎng)機(jī)遇。2009 年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)為 68

13、2 億美元，較 08 年略微增長(zhǎng) 0.29%。相對(duì)于全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的萎縮，中國(guó)市場(chǎng)的下滑要 小的多。預(yù)計(jì)中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng) 2010 年將增長(zhǎng) 17.45%,達(dá)到 801 億美元。2014 年將達(dá)到 1504 億美元。 圖圖 2008-20142008-2014 年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)情況年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)情況 680682 801 936 1076 1280 1504 17.5% 19.0% 0.3% 17.4% 16.8% 15.0% 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 2008年2009年2010年E2011年E2012年E2013年E2014

14、年E 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0.2 市場(chǎng)規(guī)模（億美元）增長(zhǎng)率 數(shù)據(jù)提供：中國(guó)行業(yè)咨詢網(wǎng)調(diào)研中心 【報(bào)告目錄】 第一章第一章 2009-2010 年中國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)運(yùn)行環(huán)境分析年中國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)運(yùn)行環(huán)境分析.19 第一節(jié) 2009-2010 年中國(guó)宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境分析.19 一、中國(guó)GDP分析.19 二、城鄉(xiāng)居民家庭人均可支配收入.21 三、恩格爾系數(shù).22 四、中國(guó)城鎮(zhèn)化率.24 五、存貸款利率變化.26 六、財(cái)政收支狀況.30 第二節(jié) 2009-2010 年中國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)政策環(huán)境分析.31 一、 電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興

15、規(guī)劃.31 二、新政策對(duì)半導(dǎo)體材料業(yè)有積極作用.36 三、進(jìn)出口政策分析.37 第三節(jié) 2009-2010 年中國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)社會(huì)環(huán)境分析.37 第二章第二章 2009-2010 年半導(dǎo)體材料發(fā)展基本概述年半導(dǎo)體材料發(fā)展基本概述.42 第一節(jié) 主要半導(dǎo)體材料概況.42 一、半導(dǎo)體材料簡(jiǎn)述.42 二、半導(dǎo)體材料的種類.42 三、半導(dǎo)體材料的制備.43 第二節(jié) 其他半導(dǎo)體材料的概況.45 一、非晶半導(dǎo)體材料概況.45 二、GaN材料的特性與應(yīng)用.45 三、可印式氧化物半導(dǎo)體材料技術(shù)發(fā)展.51 第三章第三章 2009-2010 年世界半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)運(yùn)行形勢(shì)綜述年世界半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)運(yùn)行形勢(shì)綜述.54

16、 第一節(jié) 2009-2010 年全球總體市場(chǎng)發(fā)展分析.54 一、全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)生巨變.54 二、世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入整合期.54 三、亞太地區(qū)的半導(dǎo)體出貨量受金融危機(jī)影響較小.54 五、模擬IC遭受重挫，無線下滑幅度最小.55 第二節(jié) 2009-2010 年主要國(guó)家或地區(qū)半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展新動(dòng)態(tài)分析.56 一、比利時(shí)半導(dǎo)體材料行業(yè)分析.56 二、德國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)分析.56 三、日本半導(dǎo)體材料行業(yè)分析.57 四、韓國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)分析.57 五、中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體材料行業(yè)分析.59 第四章第四章 2009-2010 年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)運(yùn)行動(dòng)態(tài)分析年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)運(yùn)行動(dòng)態(tài)分析.63 第一節(jié) 2

17、009-2010 年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展概述.63 一、全球代工將形成兩強(qiáng)的新格局.63 二、應(yīng)加強(qiáng)與中國(guó)本地制造商合作.65 三、電子材料業(yè)對(duì)半導(dǎo)體材料行業(yè)的影響.66 第二節(jié) 2009-2010 年半導(dǎo)體材料行業(yè)企業(yè)動(dòng)態(tài).66 一、元器件企業(yè)增勢(shì)強(qiáng)勁.66 二、應(yīng)用材料企業(yè)進(jìn)軍封裝.66 第三節(jié) 2009-2010 年中國(guó)半導(dǎo)體材料發(fā)展存在問題分析.67 第五章第五章 2009-2010 年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)技術(shù)分析年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)技術(shù)分析.69 第一節(jié) 2009-2010 年半導(dǎo)體材料行業(yè)技術(shù)現(xiàn)狀分析.69 一、硅太陽能技術(shù)占主導(dǎo).69 二、產(chǎn)業(yè)呼喚政策擴(kuò)大內(nèi)需.69 第二節(jié) 20

18、09-2010 年半導(dǎo)體材料行業(yè)技術(shù)動(dòng)態(tài)分析.70 一、功率半導(dǎo)體技術(shù)動(dòng)態(tài).70 二、閃光驅(qū)動(dòng)器技術(shù)動(dòng)態(tài).71 三、封裝技術(shù)動(dòng)態(tài).72 四、太陽光電系統(tǒng)技術(shù)動(dòng)態(tài).76 第三節(jié) 2010-2014 年半導(dǎo)體材料行業(yè)技術(shù)前景分析.76 第六章第六章 2009-2010 年中國(guó)半導(dǎo)體材料氮化鎵產(chǎn)業(yè)運(yùn)行分析年中國(guó)半導(dǎo)體材料氮化鎵產(chǎn)業(yè)運(yùn)行分析.81 第一節(jié) 2009-2010 年中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)介紹.81 一、第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程.81 二、當(dāng)前半導(dǎo)體材料的研究熱點(diǎn)和趨勢(shì).81 三、寬禁帶半導(dǎo)體材料.82 第二節(jié) 2009-2010 年中國(guó)氮化鎵的發(fā)展概況.82 一、氮化鎵半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的

19、發(fā)展?fàn)顩r.82 二、氮化鎵照亮半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè).83 三、GaN藍(lán)光產(chǎn)業(yè)的重要影響.85 第三節(jié) 2009-2010 年中國(guó)氮化鎵的研發(fā)和應(yīng)用狀況.86 一、中科院研制成功氮化鎵基激光器.86 二、方大集團(tuán)率先實(shí)現(xiàn)氮化鎵基半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化.86 三、非極性氮化鎵材料的研究有進(jìn)展.87 四、氮化鎵的應(yīng)用范圍.87 第七章第七章 2009-2010 年中國(guó)其他半導(dǎo)體材料運(yùn)行局勢(shì)分析年中國(guó)其他半導(dǎo)體材料運(yùn)行局勢(shì)分析.88 第一節(jié) 砷化鎵.88 一、砷化鎵單晶材料國(guó)際發(fā)展概況.88 二、砷化鎵的特性.89 三、砷化鎵研究狀況.89 四、寬禁帶氮化鎵材料.90 第二節(jié) 碳化硅.93 一、半導(dǎo)體硅材料介紹.

20、93 二、多晶硅.95 三、單晶硅和外延片.96 四、高溫碳化硅.97 第八章第八章 2006-2009 年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造業(yè)主要指標(biāo)監(jiān)測(cè)分析年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造業(yè)主要指標(biāo)監(jiān)測(cè)分析.98 第一節(jié) 2005-2009 年（按季度更新）中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)回顧.98 一、競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)數(shù)量.98 二、虧損面情況.99 三、市場(chǎng)銷售額增長(zhǎng).101 四、利潤(rùn)總額增長(zhǎng).102 五、投資資產(chǎn)增長(zhǎng)性.103 六、行業(yè)從業(yè)人數(shù)調(diào)查分析.104 第二節(jié) 2005-2009 年（按季度更新）中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)投資價(jià)值測(cè)算.106 一、銷售利潤(rùn)率.106 二、銷售毛利率.107 三、資產(chǎn)利

21、潤(rùn)率.108 四、未來5年半導(dǎo)體分立器件制造盈利能力預(yù)測(cè).110 第三節(jié) 2005-2009 年（按季度更新）中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)產(chǎn)銷率調(diào)查.113 一、工業(yè)總產(chǎn)值.113 二、工業(yè)銷售產(chǎn)值.114 三、產(chǎn)銷率調(diào)查.115 第九章第九章 2009-2010 年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)運(yùn)行態(tài)勢(shì)分析年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)運(yùn)行態(tài)勢(shì)分析.117 第一節(jié) LED 產(chǎn)業(yè)發(fā)展.117 一、國(guó)外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況分析.117 二、國(guó)內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況分析.117 三、LED產(chǎn)業(yè)所面臨的問題分析.117 四、2010-2014年LDE產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)及前景分析.118 第二節(jié) 集成電路.119 一、中國(guó)集成電路銷售情況分析

22、.119 二、集成電路及微電子組件（8542）進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析.120 三、集成電路產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)分析.120 第三節(jié) 電子元器件.121 一、電子元器件的發(fā)展特點(diǎn)分析.121 二、電子元件產(chǎn)量分析.122 三、電子元器件的趨勢(shì)分析.123 第四節(jié) 半導(dǎo)體分立器件.124 一、半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)發(fā)展特點(diǎn)分析.124 二、半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量分析.124 三、半導(dǎo)體分立器件發(fā)展趨勢(shì)分析.125 第十章第十章 2009-2010 年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)分析年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)分析.127 第一節(jié) 2009-2010 年歐洲半導(dǎo)體材料行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析.127 第二節(jié) 2009-2010 年我

23、國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析.128 一、半導(dǎo)體照明應(yīng)用市場(chǎng)突破分析.128 二、單芯片市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析.129 三、太陽能光伏市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析.131 第三節(jié) 2009-2010 年我國(guó)半導(dǎo)體材料企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析.132 一、國(guó)內(nèi)硅材料企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析.132 二、政企聯(lián)動(dòng)競(jìng)爭(zhēng)分析.132 第十一章第十一章 2009-2010 年中國(guó)半導(dǎo)體材料主要生產(chǎn)商競(jìng)爭(zhēng)性財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)分析年中國(guó)半導(dǎo)體材料主要生產(chǎn)商競(jìng)爭(zhēng)性財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)分析.134 第一節(jié) 有研半導(dǎo)體材料股份有限公司.134 一、企業(yè)概況.134 二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析.134 三、企業(yè)成長(zhǎng)性分析.134 四、企業(yè)經(jīng)營(yíng)能力分析.135 五、企業(yè)盈利能力及償債能力分析.

24、135 第二節(jié) 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司.136 一、企業(yè)概況.136 二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析.137 三、企業(yè)成長(zhǎng)性分析.137 四、企業(yè)經(jīng)營(yíng)能力分析.137 五、企業(yè)盈利能力及償債能力分析.138 第三節(jié) 寧波康強(qiáng)電子股份有限公司.138 一、企業(yè)概況.138 二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析.139 三、企業(yè)成長(zhǎng)性分析.139 四、企業(yè)經(jīng)營(yíng)能力分析.139 五、企業(yè)盈利能力及償債能力分析.140 第四節(jié) 南京華東電子信息科技股份有限公司.140 一、企業(yè)概況.141 二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析.141 三、企業(yè)成長(zhǎng)性分析.141 四、企業(yè)經(jīng)營(yíng)能力分析.142 五、企業(yè)盈利能力及償債能力分析.1

25、42 第五節(jié) 峨眉半導(dǎo)體材料廠.143 一、企業(yè)基本概況.143 二、企業(yè)收入及盈利指標(biāo)表.143 三、企業(yè)資產(chǎn)及負(fù)債情況分析.144 四、企業(yè)成本費(fèi)用情況.145 第六節(jié) 洛陽中硅高科有限公司.145 一、企業(yè)基本概況.145 二、企業(yè)收入及盈利指標(biāo)表.145 三、企業(yè)資產(chǎn)及負(fù)債情況分析.146 四、企業(yè)成本費(fèi)用情況.147 第七節(jié) 北京國(guó)晶輝紅外光學(xué)科技有限公司.147 一、企業(yè)基本概況.147 二、企業(yè)收入及盈利指標(biāo)表.147 三、企業(yè)資產(chǎn)及負(fù)債情況分析.148 四、企業(yè)成本費(fèi)用情況.149 第八節(jié) 北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司.149 一、企業(yè)基本概況.149 二、企業(yè)收入及盈利指標(biāo)表.

26、149 三、企業(yè)資產(chǎn)及負(fù)債情況分析.150 四、企業(yè)成本費(fèi)用情況.151 第九節(jié) 上海九晶電子材料有限公司.151 一、企業(yè)基本概況.151 二、企業(yè)收入及盈利指標(biāo)表.152 三、企業(yè)資產(chǎn)及負(fù)債情況分析.152 四、企業(yè)成本費(fèi)用情況.153 第十節(jié) 東莞鈦升半導(dǎo)體材料有限公司.153 一、企業(yè)基本概況.154 二、企業(yè)收入及盈利指標(biāo)表.154 三、企業(yè)資產(chǎn)及負(fù)債情況分析.154 四、企業(yè)成本費(fèi)用情況.155 第十一節(jié) 河南新鄉(xiāng)華丹電子有限責(zé)任公司.155 一、企業(yè)基本概況.156 二、企業(yè)收入及盈利指標(biāo)表.156 三、企業(yè)資產(chǎn)及負(fù)債情況分析.157 四、企業(yè)成本費(fèi)用情況.157 第十二章第十二

27、章 2010-2014 年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析.159 第一節(jié) 2010-2014 年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)趨勢(shì).159 一、2010-2014年國(guó)產(chǎn)設(shè)備市場(chǎng)分析.159 二、市場(chǎng)低迷創(chuàng)新機(jī)遇分析.159 三、半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)整合.159 第二節(jié) 2010-2014 年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展預(yù)測(cè)分析.161 一、全球光通信市場(chǎng)發(fā)展預(yù)測(cè)分析.161 二、化合物半導(dǎo)體襯底市場(chǎng)發(fā)展預(yù)測(cè)分析.162 第三節(jié) 2010-2014 年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售額預(yù)測(cè)分析.163 第四節(jié) 2010-2014 年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)測(cè)分析.164 一、半導(dǎo)體電子設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展預(yù)測(cè)分析

28、.164 二、GPS芯片產(chǎn)量預(yù)測(cè)分析.165 三、高性能半導(dǎo)體模擬器件的發(fā)展預(yù)測(cè).165 第十三章第十三章 2010-2014 年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)投資咨詢分析年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)投資咨詢分析.168 第一節(jié) 2010-2014 年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)投資環(huán)境分析.168 第二節(jié) 2010-2014 年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)投資機(jī)會(huì)分析.171 一、半導(dǎo)體材料投資潛力分析.171 二、半導(dǎo)體材料投資吸引力分析.171 第三節(jié) 2010-2014 年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)分析.173 一、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)風(fēng)險(xiǎn)分析.173 二、政策風(fēng)險(xiǎn)分析.173 三、技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)分析.174 第四節(jié) 專家建議.174 【圖表

29、目錄】 圖表 1 2009 年中國(guó)主要宏觀經(jīng)濟(jì)數(shù)據(jù)增長(zhǎng)表.19 圖表 2 2000-2009 年中國(guó) GDP 及其增長(zhǎng)率統(tǒng)計(jì)表.19 圖表 3 2003-2009 年中國(guó) GDP 增長(zhǎng)率季度統(tǒng)計(jì)表.20 圖表 4 2003-2009 年中國(guó) GDP 增長(zhǎng)率季度走勢(shì)圖.21 圖表 5 1978-2009 年中國(guó)居民收入及恩格爾系數(shù)統(tǒng)計(jì)表.21 圖表 6 中國(guó)城鄉(xiāng)居民收入走勢(shì)對(duì)比.22 圖表 7 1978-2008 中國(guó)城鄉(xiāng)居民恩格爾系數(shù)對(duì)比表.23 圖表 8 1978-2008 中國(guó)城鄉(xiāng)居民恩格爾系數(shù)走勢(shì)圖.24 圖表 9 2001-2008 年中國(guó)城鎮(zhèn)化率走勢(shì)圖.25 圖表 10 2004-2

30、009 年央行歷次存貸款基準(zhǔn)利率.26 圖表 11 1984-2010 年 1 月中國(guó)存款準(zhǔn)備金率歷次調(diào)整一覽表.26 圖表 12 央行歷次調(diào)整利率及股市第二交易日表現(xiàn)情況.28 圖表 13 0509 年中國(guó)財(cái)政收入增長(zhǎng)趨勢(shì)圖 .30 圖表 14 2000-2009 年中國(guó)網(wǎng)民規(guī)模增長(zhǎng)趨勢(shì)圖.38 圖表 15 2005-2009 年中國(guó)大陸網(wǎng)民規(guī)模與互聯(lián)網(wǎng)普及率.38 圖表 16 截止至 2009 年 6 月中國(guó)互聯(lián)網(wǎng)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)表.39 圖表 17 部分國(guó)家的互聯(lián)網(wǎng)普及率統(tǒng)計(jì)表.39 圖表 18 截止至 2009 年 6 月中國(guó)網(wǎng)民性別結(jié)構(gòu)分布圖.40 圖表 19 截止至 2009 年 6 月網(wǎng)

31、絡(luò)應(yīng)用使用率排名和類別.40 圖表 20 網(wǎng)民對(duì)生活形態(tài)語句的總體認(rèn)同度統(tǒng)計(jì)表.41 圖表 21 釬鋅礦 GAN 和閃鋅礦 GAN 的特性 .46 圖表 22 雙氣流 MOCVD 生長(zhǎng) GAN 裝置.48 圖表 23 GAN 基器件與 CAAS及 SIC 器件的性能比較.49 圖表 24 2009 年全球各地區(qū)半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入表（單位：百萬美元）.54 圖表 25 2009 年全球半導(dǎo)體廠商營(yíng)業(yè)收入的最終排名表（百萬美元）.55 圖表 26 韓國(guó)政府促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的計(jì)劃和立法.58 圖表 27 2009 年第四季我國(guó) IC 產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值統(tǒng)計(jì)及預(yù)估(單位：億新臺(tái)幣).61 圖表 28 全球FABL

32、ESS與半導(dǎo)體銷售額走勢(shì)情況.63 圖表 29 全球代工市場(chǎng).64 圖表 30 LED 照明在各種應(yīng)用的滲透比例.77 圖表 31 基于安森美半導(dǎo)體 CAT4026 的大尺寸 LED 背光液晶電視多通道線性側(cè)光方案.79 圖表 32 GAAS單晶生產(chǎn)方法比較.88 圖表 33 世界 GAAS單晶主要生產(chǎn)廠家.89 圖表 34 SIC 器件的研究概表.91 圖表 35 現(xiàn)代微電子工業(yè)對(duì)硅片關(guān)鍵參數(shù)的要求.94 圖表 36 多晶硅質(zhì)量指標(biāo).95 圖表 37 2006-2009 年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造企業(yè)數(shù)量增長(zhǎng)趨勢(shì)圖.98 圖表 38 2006-2009 年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)虧損企業(yè)數(shù)量

33、增長(zhǎng)趨勢(shì)圖.100 圖表 39 2006-2009 年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)虧損額增長(zhǎng)情況.100 圖表 40 2006-2009 年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入增長(zhǎng)趨勢(shì)圖.101 圖表 41 2005-2009 年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)利潤(rùn)總額增長(zhǎng)趨勢(shì)圖.102 圖表 42 2006-2009 年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)資產(chǎn)增長(zhǎng)趨勢(shì)圖.103 圖表 43 2008-2009 年金融危機(jī)影響下全球著名企業(yè)裁員名錄.104 圖表 44 2006-2009 年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)從業(yè)人數(shù)增長(zhǎng)趨勢(shì)圖.105 圖表 45 2005-2009 年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)銷售利

34、潤(rùn)率走勢(shì)圖.106 圖表 46 2005-2009 年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)銷售毛利率走勢(shì)圖.107 圖表 47 2005-2009 年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)總資產(chǎn)利潤(rùn)率指標(biāo)統(tǒng)計(jì)表.108 圖表 48 2005-2009 年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)總資產(chǎn)利潤(rùn)率走勢(shì)圖.109 圖表 49 2005-2009 年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)總資產(chǎn)利潤(rùn)率走勢(shì)圖.109 圖表 50 2009-2013 年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)銷售毛利率走勢(shì)圖.110 圖表 51 2009-2013 年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)銷售利潤(rùn)率走勢(shì)圖.111 圖表 52 2009-2013 年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制

35、造行業(yè)總資產(chǎn)利潤(rùn)率走勢(shì)圖.112 圖表 53 2006-2008 年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)工業(yè)總產(chǎn)值情況.114 圖表 54 2006-2008 年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)工業(yè)銷售產(chǎn)值走勢(shì).114 圖表 55 2006-2008 年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)產(chǎn)銷率走勢(shì)圖.115 圖表 56 2005-2009 年中國(guó)集成電路市場(chǎng)銷售額規(guī)模及增長(zhǎng)圖.119 圖表 57 2002-2009 年中國(guó)集成電路及微電子組件進(jìn)出口統(tǒng)計(jì)表.120 圖表 58 2007-2009 年中國(guó)各省市集成電路產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)（萬塊）.120 圖表 59 2007-2009 年中國(guó)各省市電子元件產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)表（萬只）.122

36、 圖表 60 2007-2009 年中國(guó)各省市半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)表（萬只）.124 圖表 61 2002-2009 年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司主要財(cái)務(wù)指標(biāo)表.134 圖表 62 2002-2009 年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司成長(zhǎng)性指標(biāo)表.134 圖表 63 2002-2009 年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司經(jīng)營(yíng)能力指標(biāo)表.135 圖表 64 2002-2009 年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司盈利能力指標(biāo)表.135 圖表 65 2002-2009 年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司償債能力指標(biāo)表.135 圖表 66 2004-2009 年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司主要財(cái)務(wù)指標(biāo)表.137 圖表 67

37、 2005-2009 年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司成長(zhǎng)性指標(biāo)表.137 圖表 68 2004-2009 年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司經(jīng)營(yíng)能力指標(biāo)表.137 圖表 69 2004-2009 年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司盈利能力指標(biāo)表.138 圖表 70 2004-2009 年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司償債能力指標(biāo)表.138 圖表 71 2003-2009 年寧波康強(qiáng)電子股份有限公司主要財(cái)務(wù)指標(biāo)表.139 圖表 72 2004-2009 年寧波康強(qiáng)電子股份有限公司成長(zhǎng)性指標(biāo)表.139 圖表 73 2003-2009 年寧波康強(qiáng)電子股份有限公司經(jīng)營(yíng)能力指標(biāo)表.139 圖表 74 2003-2009

38、年寧波康強(qiáng)電子股份有限公司盈利能力指標(biāo)表.140 圖表 75 2003-2009 年寧波康強(qiáng)電子股份有限公司償債能力指標(biāo)表.140 圖表 76 2002-2009 年南京華東電子信息科技股份有限公司主要財(cái)務(wù)指標(biāo)表.141 圖表 77 2002-2008 年南京華東電子信息科技股份有限公司成長(zhǎng)性指標(biāo)表.141 圖表 78 2002-2008 年南京華東電子信息科技股份有限公司經(jīng)營(yíng)能力指標(biāo)表.142 圖表 79 2002-2008 年南京華東電子信息科技股份有限公司盈利能力指標(biāo)表.142 圖表 80 2002-2008 年南京華東電子信息科技股份有限公司償債能力指標(biāo)表.142 圖表 81 2008

39、-2009 年峨眉半導(dǎo)體材料廠收入狀況表.143 圖表 82 2008-2009 年峨眉半導(dǎo)體材料廠盈利指標(biāo)表.143 圖表 83 2008-2009 年峨眉半導(dǎo)體材料廠盈利比率.144 圖表 84 2008-2009 年峨眉半導(dǎo)體材料廠資產(chǎn)指標(biāo)表.144 圖表 85 2008-2009 年峨眉半導(dǎo)體材料廠負(fù)債指標(biāo)表.144 圖表 86 2008-2009 年峨眉半導(dǎo)體材料廠成本費(fèi)用構(gòu)成表.145 圖表 87 2008-2009 年洛陽中硅高科有限公司收入狀況表.145 圖表 88 2008-2009 年洛陽中硅高科有限公司盈利指標(biāo)表.146 圖表 89 2008-2009 年洛陽中硅高科有限公司盈利比率.146 圖表 90 2008-2009 年洛陽中硅高科有限公司資產(chǎn)指標(biāo)表.146 圖表 91 2008-2009 年洛陽中硅高科有限公司負(fù)債指標(biāo)表.146 圖表 92 2008-2009 年洛陽中硅高科有限公司成本費(fèi)用構(gòu)成表.147 圖表 9